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电子科技大学

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电子科技大学是一家增材制造及金属粉末行业相关企业。
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🏢 企业信息

主营范围 增材制造粉末球化技术研发
主要产品 粉末球化用同轴型电容耦合等离子体装置
技术优势 拥有32项专利,方向涉及用于粉末球化的同轴型电容耦合等离子体装置、超宽带慢光薄膜铌酸锂电光调制器

🏷️ 别名 / 等价名称

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📋 基本信息

  • 分类 🏭 企业/公司
  • 关联资讯 1 篇
  • 首次出现 📅 2026-10-12
  • 最近出现 📅 2026-10-12

📜 相关专利 (137 件)

  • 书本(球形书本)
    CN307699538S 🏢 桂林电子科技大学 📋 桂林电子科技大学
    1.本外观设计产品的名称:书本(球形书本)。2.本外观设计产品的用途:用于学习的书本。3.本外观设计产品的设计要点:在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片:立体图1。
  • X光机
    CN304631393S 🏢 桂林电子科技大学 📋 桂林电子科技大学
    1.本外观设计产品的名称:X光机。2.本外观设计产品的用途:本外观设计产品利用X射线的穿透能力,从骨头、塑料等硬质异物到各类金属异物都可以更加高灵敏度、高稳定地检测出来,帮助更有效的提高成品质量。3.本外观设计产品的设计要点:产品的形状、图案及其结合。4.最能表明本外观设计设计要点的图片或照片:立体图。5.本外观设计产品仰视图为不常见面,故省略。
  • 一种GaN基PN结栅p沟道器件
    CN220753434U 🏢 西安电子科技大学 📋 西安电子科技大学
    本实用新型公开了一种GaN基PN结栅p沟道器件,本实用新型包括:衬底层、缓冲层、沟道层、势垒层、Mg掺杂的p‑GaN层、凹槽、栅金属电极、源金属电极、漏金属电极和隔离区。本实用新型通过在Mg掺杂的p‑GaN层中刻蚀出凹槽,在凹槽内利用Si掺杂的n型GaN或n型AlGaN和Mg掺杂的p型GaN形成PN结,其耗尽区在栅压的调控下展宽或收缩,从而切断或连通Mg掺杂的p‑GaN层和势垒层因极化效应产生的二...
  • 一种用于粉末球化的同轴型电容耦合等离子体装置
    CN219981116U 📋 电子科技大学
    本实用新型公开了一种用于粉末球化的同轴型电容耦合等离子体装置,属于等离子体应用技术领域,包括依次连接的射频电源系统、同轴型电容耦合等离子腔室以及冷却腔室,同轴型电容耦合等离子腔室由同轴且彼此绝缘的金属电极杆和金属电极腔体组成;金属电极杆的上端通过陶瓷电缆与所述射频电源系统的正极连接,射频电源系统的负极与金属电极腔体相连并接地;所述金属电极腔体的顶部设有送粉口,所述送粉口以圆形阵列的方式分布于金属电...
  • 便携式球形插座
    CN201345448Y 🏢 杭州电子科技大学 📋 杭州电子科技大学
    本实用新型涉及一种携带方便且可以旋转插座方位的便携式球形插座,电源线与插座连接,插座分为上、下空心半球体,球缺体插座两侧与下空心半球体的内壁销轴连接且可转动,上空心半球体端面设有凸头且与下空心半球体端面的凹槽插接配合且可拔下。优点:一是既实用现球缺插座的转插动,方便了用电器插头的插接,又实现了安全可靠的储存携带;二是既避免了灰尘、水对插座的侵蚀,又确保了插座的安合使用。
  • 表面具有TiAl/Al<base:Sub>2</base:Sub>O<base:Sub>3</base:Sub>
    CN201284800Y 🏢 桂林电子科技大学 📋 桂林电子科技大学
    本实用新型提供了一种表面具有TiAl/Al2O3微弧氧化陶瓷膜的铝合金同步环,它包括铝合金同步环基体,其特征是:在铝合金同步环基体的表面经微弧氧化处理覆合有一层TiAl/Al2O3陶瓷膜。本实用新型的有益效果是:本同步环锥面耐冲击性能显著提高,耐磨性能优良。
  • 一种包含Ce相和BCC相的高熵合金储氢催化剂及其制备方法
    CN122702432A 🏢 桂林电子科技大学 📋 桂林电子科技大学
    本发明公开了包含Ce相和BCC相的高熵合金储氢催化剂,以Ti金属、V金属、Nb金属、Cr金属和Ce金属为原料进行熔炼,所得高熵合金同时包含NbCr2和Ce的固溶体相;粒径为100‑200目;Ti、V、Nb、Cr和Ce的物质的量之比为19:19:19:19:4,得到含La高熵合金TVNC‑Ce。一种基于含Ce高熵合金的氢化镁储氢材料的制备方法,以TVNC‑Ce和MgH2的进行球磨,所得基于含Ce高熵...
  • 一种表面贴合ITO透明导电薄膜电极的铌酸锂调制器
    CN122568813A 🏢 桂林电子科技大学 📋 桂林电子科技大学
    本发明公开了一种表面贴合ITO透明导电薄膜电极的铌酸锂调制器,涉及光通信器件技术领域。旨在解决现有铌酸锂调制器中金属电极对光场产生吸收损耗、导致调制效率受限的技术问题。本发明调制器由下至上依次包括硅衬底、下盖层、铌酸锂脊型波导层、金属电极层、ITO透明导电薄膜层以及上盖层。其特征在于,信号电极和地电极采用表面贴合结构。本发明利用ITO导电薄膜在光通信波段的高透明特性,有效降低了金属电极过于接近波导...
  • 一种含Al的高强新型白铜智能化设计与制备方法
    CN122564306A 🏢 桂林电子科技大学 📋 桂林电子科技大学
    本发明涉及铜合金材料设计与制备技术领域,公开了一种含Al的高强新型白铜智能化设计与制备方法,基于CALPHAD计算热力学方法,采用Cu‑Ni‑Al三元体系自洽热力学数据,绘制特定Ni含量下的相图,确定Cu‑10Ni‑XAl(X=0‑8wt%)合金成分;以高纯度Cu、Ni、Al为原料,优化熔炼和热处理工艺,成功制备出以Ni3Al为主要强化相的新型Cu‑Ni‑Al合金。本发明的方法解决了传统铜镍合金研...
  • 一种含La高熵合金催化剂及其制备方法和在储氢领域的应用
    CN122558491A 🏢 桂林电子科技大学 📋 桂林电子科技大学
    本发明公开了一种含La高熵合金催化剂,包含TiCo相、Co3Fe7相、Nb2Ni相、Nb0.5V0.5相、LaCo5相。其制备方法为,以钛粉、钒粉、铁粉、钴粉、镍粉、铌粉和镧粉作为原料,通过球磨法制得TVFCNB‑La。一种基于含La高熵合金的氢化镁储氢材料的制备方法,将TVFCNB‑La和MgH2进行球磨得到MgH2‑TVFCNB‑La。作为储氢领域的应用,当催化剂掺杂量为10wt.%时,起始脱...
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