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一种高纯半导体单晶的热等静压连接方法
实质审查的生效专利号: CN111411400A
申请人: 中国电子科技南湖研究院; 中国电子科技集团公司第十三研究所
发明人: 王书杰; 孙聂枫; 孙同年; 刘惠生; 徐森锋
申请日期: 2020-04-17
公开日期: 2020-07-14
IPC分类:
C30B33/06
摘要:
一种高纯半导体单晶的热等静压连接方法，属于半导体材料制备领域，具体涉及将多块小尺寸单晶通过热等静压方式实现晶体间的固态连接，制备成大尺寸单晶的方法。在于包括以下步骤：选取物理特性整体相近且拼接面晶向精度基本一致的半导体单晶块；对半导体单晶块的拼接面进行定向、抛光、酸洗处理；将加工后的单晶块，拼接面与拼接面对接，装配成一体；将装配好的单晶块，放置于热等静压炉体中进行加热和加压处理，完成单晶块间的固态连接。有益效果：1、可以实现将小尺寸的单晶块连接制备成大尺寸的单晶，2、设备简单，3、制备过程中，不必考虑位错、孪晶、多晶化等在传统单晶生长过程中需要注意的问题，4、理论上可以制备任意尺寸的单晶。
主权项:
1.一种高纯半导体单晶的热等静压连接方法，其特征在于包括以下步骤：材料选取：选取物理特性整体相近且拼接面晶向精度基本一致的半导体单晶块，拼接面加工：对半导体单晶块的拼接面进行定向、抛光、酸洗处理，单晶装配：将加工后的单晶块，拼接面与拼接面对接，装配成一体，单晶连接：将装配好的单晶块，放置于热等静压炉体中进行加热和加压处理，完成单晶块间的固态连接。
无缺陷高纯镍钒靶坯的制备方法及利用其制备得到的靶材
实质审查的生效专利号: CN111304606A
申请人: 宁波江丰电子材料股份有限公司
发明人: 姚力军; 潘杰; 边逸军; 王学泽; 黄东长
申请日期: 2020-03-30
公开日期: 2020-06-19
IPC分类:
C22C19/03
摘要:
本发明涉及无缺陷高纯镍钒靶坯的制备方法及利用其制备得到的靶材，所述方法包括如下步骤：(1)将高纯镍钒铸锭进行热等静压处理，然后进行锻造，得到锻造铸锭；(2)将步骤(1)得到的锻造铸锭依次进行第一退火、轧制?回炉加热及第二退火，得到无缺陷高纯镍钒靶坯。本发明中，通过利用热等静压处理、锻造、退火及轧制等工艺的协同耦合效果，使得所得坯内部结构均匀、晶粒细小，内部无缺陷，符合半导体用的镍钒靶坯。
主权项:
1.无缺陷高纯镍钒靶坯的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：(1)将高纯镍钒铸锭进行热等静压处理，然后进行锻造，得到锻造铸锭；(2)将步骤(1)得到的锻造铸锭依次进行第一退火、轧制-回炉加热及第二退火，得到无缺陷高纯镍钒靶坯。
等离子清洗设备用翻转装置
实质审查的生效专利号: CN111261560A
申请人: 无锡电基集成科技有限公司
发明人: 朱袁正;胡伟;朱久桃
申请日期: 2020-03-20
公开日期: 2020-06-09
IPC分类:
B08B13/00
摘要:
本发明涉及半导体加工设备领域，尤其涉及一种等离子清洗设备用翻转装置，包括翻转机构、载片机构和传送机构，所述翻转机构用于带动载片机构进行翻转，所述载片机构设于翻转机构上，用于承载待清洗产品，所述传送机构用于将载片机构上的待清洗产品送入等离子清洗设备。本发明装置结构简单，能够实现对待清洗产品的接料、翻转和送料，操作简便，翻转效率高，并且翻转过程中不会对产品带来污染，清洗效果好。
主权项:
1.一种等离子清洗设备用翻转装置，其特征在于：包括翻转机构、载片机构和传送机构；所述翻转机构用于带动载片机构进行翻转；所述载片机构设于翻转机构上，用于承载待清洗产品；所述传送机构用于将载片机构上的待清洗产品送入等离子清洗设备。
晶圆的室温等静压金属键合方法
发明专利权授予专利号: CN111370339A
申请人: 中国科学院半导体研究所
发明人: 王晓亮; 郭芬; 肖红领; 王权; 姜丽娟; 冯春; 王茜; 李巍; 刘宏新
申请日期: 2020-03-20
公开日期: 2020-07-03
IPC分类:
H01L21/603
摘要:
本公开提供一种晶圆的室温等静压金属键合方法，包括：步骤S1：清洗待键合晶圆，去除晶圆表面杂质；步骤S2：在清洗干净的晶圆表面沉积金属中间层；步骤S3：将分别完成金属中间层沉积的两晶圆正面对准贴合，固定后装入模具内，采用真空泵对模具进行抽真空处理并密封；步骤S4：将密封完好的模具置于等静压键合机的高压缸中，锁紧高压缸，充入液体压力介质，使模具完全浸入液体压力介质中，并与液体压力介质直接接触；步骤S5：设置键合压力及键合时间，对待键合晶圆进行键合，键合结束后，卸压并取出键合晶圆，完成晶圆的室温等静压金属键合。
主权项:
1.一种晶圆的室温等静压金属键合方法，包括：步骤S1：清洗待键合晶圆，去除晶圆表面杂质；步骤S2：在清洗干净的晶圆表面沉积金属中间层；步骤S3：将分别完成金属中间层沉积的两晶圆正面对准贴合，固定后装入模具内，采用真空泵对模具进行抽真空处理并密封；步骤S4：将密封完好的模具置于等静压键合机的高压缸中，锁紧高压缸，充入液体压力介质，使模具完全浸入液体压力介质中，并与液体压力介质直接接触；步骤S5：设置键合压力及键合时间，对待键合晶圆进行键合，键合结束后，卸压并取出键合晶圆，完成晶圆的室温等静压金属键合。
Al接合线 Al接合線
实质审查的生效专利号: CN113557596A;TW202040708A
申请人: 日铁新材料股份有限公司;
发明人: 山田隆;西林景仁;榛原照男;小田大造;江藤基稀;小山田哲哉;小林孝之;宇野智裕
申请日期: 2020-03-12
公开日期: 2024-06-01
IPC分类:
H01L21/60
摘要:
提供一种Al接合线，其在使用Al接合线的半导体装置工作的高温状态下，充分地得到接合线的接合部的接合可靠性。该Al接合线的特征在于，由Al或Al合金构成，垂直于导线轴的方向的芯材截面中的平均晶粒直径为0.01～50μm，在对于垂直于导线轴的方向的芯材截面测量晶体取向的结果中，导线长度方向的晶体取向之中，相对于导线长度方向角度差为15°以下的晶体取向＜111＞的取向比率为30～90％。
主权项:
1.一种Al接合线，其特征在于，由Al或Al合金构成，垂直于导线轴的方向的截面中的平均晶粒直径为0.01～50μm，在对于垂直于导线轴的方向的截面测量晶体取向的结果中，导线长度方向的晶体取向之中，相对于导线长度方向角度差为15°以下的晶体取向＜111＞的取向比率为30～90％。
一种旋转结构的制备方法以及旋转结构
专利权的终止专利号: CN111217322A
申请人: 上海芯物科技有限公司
发明人: 焦继伟; 刘京; 费跃; 陈思奇
申请日期: 2020-01-17
公开日期: 2020-06-02
IPC分类:
B81B5/00
摘要:
本发明实施例提供了一种旋转结构的制备方法以及旋转结构，该方法包括：采用湿法腐蚀工艺制备第一半导体结构，其中，第一半导体结构包括位于第一表面的第一斜坡凹槽和位于第二表面的第二斜坡凹槽；第一斜坡凹槽的斜坡面和第二斜坡凹槽的斜坡面均为(111)晶面；制备包括独立设置的第一下电极连接单元和第二下电极连接单元的第二半导体结构；采用键合工艺，将第一半导体结构设置在第二半导体结构之上；在第一半导体结构的预设区域制备可旋转单元；在第一半导体结构的第一表面侧制备上电极、第一下电极和第二下电极。本发明实施例提供的技术方案，制备的斜坡面的倾斜角度可以做到很小，且制备工艺简单，提升斜坡面的制备灵活度。
主权项:
1.一种旋转结构的制备方法，其特征在于，包括：采用湿法腐蚀工艺制备第一半导体结构，其中，所述第一半导体结构包括位于第一表面的第一斜坡凹槽和位于第二表面的第二斜坡凹槽；所述第一斜坡凹槽的斜坡面和所述第二斜坡凹槽的斜坡面均为(111)晶面，所述第一表面和第二表面相对设置；制备第二半导体结构，所述第二半导体结构包括独立设置的第一下电极连接单元和第二下电极连接单元；采用键合工艺，将所述第一半导体结构的第二表面设置在所述第二半导体结构的独立设置的所述第一下电极连接单元和所述第二下电极连接单元之上；在所述第一半导体结构的预设区域制备可旋转单元；在所述第一半导体结构的第一表面侧制备上电极、第一下电极和第二下电极，所述上电极与所述可旋转单元电连接，所述第一下电极与所述第一下电极连接单元电连接，所述第二下电极与所述第二下电极连接单元电连接。
一种旋转结构的制备方法以及旋转结构
专利权的终止专利号: CN111232917A
申请人: 上海芯物科技有限公司
发明人: 焦继伟; 刘京; 费跃; 陈思奇
申请日期: 2020-01-17
公开日期: 2020-06-05
IPC分类:
B81B3/00
摘要:
本发明实施例提供了一种旋转结构的制备方法以及旋转结构，该方法包括：采用湿法腐蚀工艺制备第一半导体结构，第一半导体结构包括位于第一表面的第一斜坡凹槽；制备包括独立设置的第一下电极连接单元和第二下电极连接单元的第二半导体结构；采用键合工艺，将第一半导体结构的第一表面设置在第二半导体结构之上；在第一半导体结构的预设区域制备可旋转单元；在第一半导体结构背离第一表面侧的表面制备上电极、第一下电极和第二下电极。本发明实施例提供的技术方案，制备的斜坡面的倾斜角度可以做到很小，且制备工艺简单，提升斜坡面的制备灵活度。
主权项:
1.一种旋转结构的制备方法，其特征在于，包括：采用湿法腐蚀工艺制备第一半导体结构，所述第一半导体结构包括位于第一表面的第一斜坡凹槽，所述第一斜坡凹槽的斜坡面为(111)晶面，所述第一表面和第二表面相对设置；制备第二半导体结构，所述第二半导体结构包括独立设置的第一下电极连接单元和第二下电极连接单元；采用键合工艺，将所述第一半导体结构的第一表面设置在所述第二半导体结构的独立设置的所述第一下电极连接单元和所述第二下电极连接单元之上；在所述第一半导体结构的预设区域制备可旋转单元；在所述第一半导体结构背离所述第一表面侧的表面制备上电极、第一下电极和第二下电极，所述上电极与所述可旋转单元电连接，所述第一下电极与所述第一下电极连接单元电连接，所述第二下电极与所述第二下电极连接单元电连接。
一种可见光-近红外-热红外-毫米波-厘米波多频谱隐身一体化的复合涂层
发明专利申请公布后的撤回专利号: CN111876046A
申请人: 温州市鹿城印染厂; 天津宇航科技发展有限公司
发明人: 黄晟律;陈利民;陈俊声;杨茜;陈蓓京;程素兰;应硕本;夏文学;黄克彬
申请日期: 2019-12-12
公开日期: 2020-11-03
IPC分类:
C09D123/34
摘要:
一种可见光?近红外?热红外?毫米波?厘米波多频谱隐身一体化的复合涂层，包括以下：该复合涂层自上而下依次为三色迷彩层、热辐射分流阻隔涂层、阻抗匹配过渡层、毫米波?厘米波雷达吸波层和与目标基体材料结构附着力强的三防涂层。所述三色迷彩面涂层为以纳米氧化物和半导体材料为基。所述热辐射分流阻隔涂层为以纳米铝粉、纳米云母粉为基。所述阻抗匹配过渡层为以纳米氧化物为基。所述毫米波?厘米波雷达吸波层为以纳米Fe、γ?(Fe、Ni)合金粉、电解Fe粉为基。所述三防涂层为以纳米磷酸锌为基。本发明在伪装隐身性能和环境性能方面，尤其是在恶劣环境下的耐三防性能均显出综合优势。
主权项:
1.一种可见光-近红外-热红外-毫米波-厘米波多频谱隐身一体化的复合涂层，其特征在于，包括以下：该复合涂层自上而下依次为三色迷彩层、热辐射分流阻隔涂层、阻抗匹配过渡层、毫米波-厘米波吸波层和三防涂层，所述三色迷彩层为以纳米氧化物和半导体材料为基的可见光、近红外、热红外三色迷彩层，所述热辐射分流阻隔涂层为以纳米铝粉、纳米云母粉为基的热辐射阻隔层，所述阻抗匹配过渡层为以纳米氧化物为基的阻抗匹配过渡层，所述毫米波-厘米波吸波层为以纳米Fe、γ-(Fe、Ni)合金粉、电解Fe粉为基的雷达吸波层，所述三防涂层为以纳米磷酸锌为基的三防涂层。
一种高功率激光熔覆头
发明专利权授予专利号: CN111041474A
申请人: 中国科学院西安光学精密机械研究所
发明人: 张普; 孙玉博; 杨吴昊
申请日期: 2019-12-09
公开日期: 2020-04-21
IPC分类:
C23C24/10
摘要:
本发明公开了一种高功率激光熔覆头。该激光熔覆头的半导体激光叠阵的全部出射光先进行快慢轴准直，然后半导体激光叠阵上半部分准直光束被条纹镜透射后再被间隔一定距离反射镜反射，下半部分准直光束被条纹透射后，与上半部分的反射光合束，从而填充到半导体激光叠阵上各巴条之间不发光的死区，形成一个近似完整的光斑，接着通过聚焦镜和扩束镜按照一定比例压缩光束宽度，进入万花筒匀化镜中，最终形成均匀的光斑，从而使得在进行激光熔覆作业时粉末受热均匀，大大提高了激光熔覆的效果。
主权项:
1.一种高功率激光熔覆头，包括半导体激光器叠阵，其特征在于，还包括条纹镜、反射镜、聚焦镜、扩束镜以及万花筒匀化镜；半导体激光器叠阵的出射光分为上半部分出射光和下半部分出射光；条纹镜倾斜放置在半导体激光器叠阵的出光方向上，且条纹镜的尺寸覆盖半导体激光器叠阵的所有出射光；所述条纹镜的条纹间距与半导体激光器叠阵上巴条间距相同；上半部分出射光经过条纹镜上半部分透射后，再被反射镜反射，从而形成第一光束组；下半部分出射光经过条纹镜下半部分透射后形成第二光束组；第一光束组和第二光束组合束后依次经过聚焦镜、扩束镜以及万花筒匀化镜后形成均匀光斑。
用于焊接多级封装贴片元件的专用焊锡膏
发明专利权授予专利号: CN110653516A
申请人: 深圳群崴半导体材料有限公司
发明人: 林文良
申请日期: 2019-10-31
公开日期: 2020-01-07
IPC分类:
B23K35/40
摘要:
本发明属于一种用于焊接多级封装贴片元件的专用焊锡膏，具体适用于焊接后服役温度高于240℃以上的应用，包括锡合金、纳米金属、稀土合金和助焊膏，锡合金粉末为锡银合金粉末、锡锑合金粉末、锡铜合金粉末和锡铅合金粉末的一种或者两种的混合物；纳米金属粉末为铜粉、铅粉、钛粉、钴粉和金粉的一种或者多种混合物；所述的助焊膏的有效成分包括氢化松香、二乙二醇单己醚、丁二酸、甲基苯骈三氮唑和柠檬酸；其制作方法包括制备锡合金粉末、纳米金属粉末、稀土合金粉末、助焊膏和混合几个步骤，采用本技术方案的发明，通过在锡膏中添加单质金属颗粒或合金颗粒，并添加相对应的纳米辅助添加剂，制备成本低于纳米焊膏，且易于实现，应用范围更广泛。
主权项:
1.一种用于焊接多级封装贴片元件的专用焊锡膏，其特征在于：包括锡合金粉末、纳米金属粉末、稀土合金粉末和助焊膏，其中，所述的锡合金粉末为锡银合金粉末、锡锑合金粉末、锡铜合金粉末和锡铅合金粉末的一种或者两种的混合物；纳米金属粉末为铜粉、铅粉、钛粉、钴粉和金粉的一种或者多种混合物；所述的助焊膏的有效成分包括氢化松香、二乙二醇单己醚、丁二酸、甲基苯骈三氮唑和柠檬酸。
一种金属件锻造用智能球化装置
发明专利申请公布后的视为撤回专利号: CN110640129A
申请人: 苏师大半导体材料与设备研究院（邳州）有限公司
发明人: 范希营
申请日期: 2019-10-22
公开日期: 2020-01-03
IPC分类:
B22D37/00
摘要:
本发明属于锻造技术领域，具体涉及一种金属件锻造用智能球化装置，包括：设有壶嘴的壶状包体、盖合在壶状包体顶部的盖体、盖合在壶嘴处的盖帽和位于盖帽上方的驱动机构；其中所述驱动机构带动盖帽向上运动至脱离壶嘴，以打开壶嘴，使钢水通过壶嘴进入或倾倒流出壶状包体。提高了自动化程度，缩短了壶嘴开合的时间，提高了壶状包体的保温效果，提高球化效果，进而保证钢坯的初始组织更加均匀，有利于提高锻造质量。
主权项:
1.一种金属件锻造用智能球化装置，其特征在于，包括：设有壶嘴的壶状包体、盖合在壶状包体顶部的盖体、盖合在壶嘴处的盖帽和位于盖帽上方的驱动机构；其中所述驱动机构带动盖帽向上运动至脱离壶嘴，以打开壶嘴，使钢水通过壶嘴进入或倾倒流出壶状包体。
一种等离子处理器以及用于等离子处理器的上电极组件 電漿處理器以及用於電漿處理器的上電極組件
发明专利权授予专利号: CN111524775A;TW202031096A;TW202031096
申请人: 中微半导体设备（上海）股份有限公司
发明人: 叶如彬; 涂乐义; 杨金全; 徐朝阳; 葉 如彬; 涂樂義; 楊金全; 徐朝陽; 葉 如彬 YE, RUBIN
申请日期: 2019-02-01
公开日期: 2020-08-11
IPC分类:
H01J37/04
摘要:
本发明提供一种用于等离子处理器的上电极组件，包括：安装板和上电极板，所述安装板和上电极板通过机械紧固装置互相连接固定，所述安装板和上电极板之间的间隙中包括多个弹性导热垫片，从内到外依次为第一弹性导热垫片和第二弹性导热垫片。其中第一弹性导热垫片的初始高度低于所述第二弹性垫片的初始高度；在被所述机械紧固装置安装到所述安装板和上电极之间的间隙之后，所述上电极组件升温到等离子处理温度时，所述多个弹性导热垫片各自具有一高温压缩高度，其中第一弹性导热垫片的高温压缩高度低于所述第二弹性导热垫片的高温压缩高度。
主权项:
1.一种用于等离子处理器的上电极组件，其特征在于，包括：安装板和上电极板，所述安装板和上电极板通过机械紧固装置互相连接固定，所述安装板和上电极板之间的间隙中包括多个弹性导热垫片，从内到外依次为位于所述间隙中心的第一弹性导热垫片，和位于所述间隙外围的围绕所述第一弹性导热垫片的第二弹性导热垫片；其中所述多个弹性导热垫片具有各自的一初始高度，所述第一弹性导热垫片的初始高度低于所述第二弹性垫片的初始高度；在被所述机械紧固装置安装到所述安装板和所述上电极之间的间隙之后，所述上电极组件升温到等离子处理温度时，所述多个弹性导热垫片各自具有一高温压缩高度，其中所述第一弹性导热垫片的高温压缩高度低于所述第二弹性导热垫片的高温压缩高度，使得所述第二弹性导热垫片紧密接触在所述安装板和所述上电极板之间。
一种热轧辊的强化方法
发明专利申请公布后的驳回专利号: CN108411297A
申请人: 燕山大学
发明人: 付宇明;李煜;赵俊召;苑晓斌;郑丽娟
申请日期: 2018-03-30
公开日期: 2018-08-17
IPC分类:
C23C24/10
摘要:
本发明公开了一种热轧辊的强化方法，包括以下步骤：使用无水乙醇清洗热轧辊表面，去除油污等杂质；对轧辊进行无损检测，确保无表面和内部裂纹等缺陷；配制合金粉末混合溶液，利用毛刷均匀涂刷在轧辊工作表面，晾干；将热轧辊轧辊固定在大功率半导体激光加工机床上进行激光熔覆；对熔覆后的轧辊进行无损探伤。本发明方法工艺简单、可控性强、节能环保，能够明显提高热轧辊使用寿命，并降低生产成本。
主权项:
1.一种热轧辊的强化方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：步骤1，使用无水乙醇清洗热轧辊表面，去除杂质；步骤2，采用磁粉探伤和超声波探伤，检查是否存在裂纹缺陷；步骤3，配制合金粉末混合溶液；步骤4，利用毛刷将按比例混合的合金粉末混合溶液均匀涂刷在轧辊工作表面，将涂刷好合金粉末的热轧辊晾干；步骤5，将涂刷好合金粉末的热轧辊固定在大功率半导体激光数控加工机床上，利用卡盘带动轧辊旋转，激光器的光斑为2×14mm矩形光斑，扫描功率为2800～3600W，扫描速度1000～1500mm/min，通过激光扫描合金粉末，并对熔池吹氩气进行保护，在热轧辊表面得到合金熔覆层；步骤6，对熔覆后的热轧辊进行表面着色探伤，检测是否有裂纹缺陷。
一种脱模用吊车钳尖的强化方法
发明专利申请公布后的驳回专利号: CN108468047A
申请人: 燕山大学
发明人: 付宇明;赵俊召;李煜;苑晓斌;郑丽娟
申请日期: 2018-03-20
公开日期: 2018-08-31
IPC分类:
C22C19/05
摘要:
一种脱模用吊车钳尖的强化方法，它的步骤主要包括：(1)对吊车钳尖表面进行打磨、清洗，清除杂质；(2)配制合金粉末，并混合均匀；(3)通过激光熔覆合金粉末对吊车钳尖进行强化，得到耐温、耐腐蚀、耐磨损的合金层；(4)对熔覆后的吊车钳尖进行无损检测和机械加工，以保证钳尖的尺寸、形状、精度及表面质量均满足要求。本发明工艺简单、节能环保，可显著提高吊车钳尖的使用寿命，明显降低企业的生产成本。
主权项:
1.一种脱模用吊车钳尖的强化方法，其特征在于：步骤如下：(1)对吊车钳尖表面进行预处理，采用喷砂、打磨、清洗，清除钳尖表面的锈蚀、油污、氧化皮等杂质；(2)配制合金粉末，合金粉末中各成分质量百分比为：镍基合金80％、Cr3C220％，将按比例配制好的合金粉末放入机械式混粉器中混合2小时，混合均匀；(3)将吊车钳尖固定在大功率半导体激光加工数控机床上，设定激光熔覆工艺参数，对待强化部位利用重力送粉进行激光扫描处理，粉层厚度为0.6～1.5mm，对熔覆过程中的熔池采用惰性气体进行保护,最终获得厚度均匀的0.4～1.2mm耐高温、耐腐蚀、耐磨损合金层；(4)对熔覆后的吊车钳尖进行无损检测和机械加工。
一种卧式多级气雾洗涤器
发明专利权授予专利号: CN106237775A
申请人: 北京柯美瑞环保科技有限公司
发明人: 张紫佩; 王科大
申请日期: 2016-09-14
公开日期: 2016-12-21
IPC分类:
B01D50/00
摘要:
本发明公开了一种卧式多级气雾洗涤器，在处理腔的前端设置有进气口，在处理腔的后端设置有出气口，从处理腔的前端至后端依次设置有预处理单元和主处理单元及再处理单元；预处理单元包括至少一个预处理喷淋装置和至少一个预处理过滤层；主处理单元包括至少一个主处理喷淋装置和至少一个主处理过滤层；再处理单元包括至少一个再处理喷淋装置和至少一个再处理过滤层。本发明对气体中亚微米颗粒物、气溶胶、液滴、酸雾净化效果好，成本低。可应用化工行业、石化行业、冶金行业，化肥行业电子半导体元件生产行业、电厂，垃圾焚烧行业废气亚微米级污染物清除和原料的回收。净化效率高可达到99.5%以上。
主权项:
1.一种卧式多级气雾洗涤器，其特征在于，在处理腔的前端设置有进气口，在处理腔的后端设置有出气口，从处理腔的前端至后端依次设置有预处理单元和主处理单元及再处理单元；预处理单元包括至少一个预处理喷淋装置和至少一个预处理过滤层；主处理单元包括至少一个主处理喷淋装置和至少一个主处理过滤层；再处理单元包括至少一个再处理喷淋装置和至少一个再处理过滤层。
一种卧式多级气雾洗涤器
实用新型专利权授予专利号: CN206064066U
申请人: 北京柯美瑞环保科技有限公司
发明人: 张紫佩; 王科大
申请日期: 2016-09-14
公开日期: 2017-04-05
IPC分类:
B01D50/00
摘要:
本实用新型公开了一种卧式多级气雾洗涤器，在处理腔的前端设置有进气口，在处理腔的后端设置有出气口，从处理腔的前端至后端依次设置有预处理单元和主处理单元及再处理单元；预处理单元包括至少一个预处理喷淋装置和至少一个预处理过滤层；主处理单元包括至少一个主处理喷淋装置和至少一个主处理过滤层；再处理单元包括至少一个再处理喷淋装置和至少一个再处理过滤层。本实用新型对气体中亚微米颗粒物、气溶胶、液滴、酸雾净化效果好，成本低。可应用化工行业、石化行业、冶金行业，化肥行业电子半导体元件生产行业、电厂，垃圾焚烧行业废气亚微米级污染物清除和原料的回收。净化效率高可达到99.5%以上。
主权项:
1.一种卧式多级气雾洗涤器，其特征在于，在处理腔的前端设置有进气口，在处理腔的后端设置有出气口，从处理腔的前端至后端依次设置有预处理单元和主处理单元及再处理单元；预处理单元包括至少一个预处理喷淋装置和至少一个预处理过滤层；主处理单元包括至少一个主处理喷淋装置和至少一个主处理过滤层；再处理单元包括至少一个再处理喷淋装置和至少一个再处理过滤层。
用于对半导体晶圆进行等离子体切片的方法和设备 用於電漿切塊半導體晶圓的方法及裝置
发明专利权授予专利号: CN106068548A;TW201535494A
申请人: 等离子瑟姆有限公司
发明人: 里什·高尔丁;德瓦拉卡纳特·吉尔普拉姆;肯·麦肯齐;蒂埃里·拉泽兰德;大卫·佩斯-沃拉德;林内尔·马丁内斯;鲁塞尔·韦斯特曼;戈登·M·格里夫纳;杰森·道布;高德林 理查;基普拉 瓦拉卡內特;麥肯基 肯;拉瑟宏 堤椰希;培 伏樂得 大衛;馬丁內斯 林內爾;威斯特曼 羅素;葛瑞弗納 高登Ｍ;道布 傑森
申请日期: 2015-01-02
公开日期: 2020-02-28
IPC分类:
H01L21/3065
摘要:
本发明提供一种用于对衬底进行等离子体切片的方法。所述方法包括：提供具有壁的处理室；邻近于处理室的壁提供等离子体源；在处理室内提供工件支撑件；将衬底放置在载体支撑件上以形成工件；提供置于衬底与框架之间的中间环；将工件装载到工件支撑件上；通过等离子体源来产生等离子体；以及通过所产生的等离子体来蚀刻工件。
主权项:
1.一种用于对衬底进行等离子体切片的方法，所述方法包括：提供具有壁的处理室；邻近于所述处理室的所述壁提供等离子体源；在所述处理室内提供工件支撑件；将所述衬底放置在载体支撑件上以形成工件；提供置于所述衬底与框架之间的中间环；将所述工件装载到所述工件支撑件上；通过所述等离子体源产生等离子体；以及通过所产生的等离子体来蚀刻所述工件。
一种铁基镍包碳化钨激光熔覆材料的制备方法
发明专利申请公布后的视为撤回专利号: CN104831270A
申请人: 北京瑞观光电科技有限公司
发明人: 赵冬梅;王植;雷剑波;郭炜庭;郭巍;张林;王云山
申请日期: 2014-12-30
公开日期: 2015-08-12
IPC分类:
C23C24/10
摘要:
本发明提出了一种铁基镍包碳化钨激光熔覆涂层方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：选取45钢作为熔覆的基体，用600目砂纸打磨光洁，再用丙酮溶液清除干净基体表面油污和锈迹；步骤二：将质量百分比30％的镍包碳化钨粉末与70％铁基合金粉末混合均匀，将混合粉末预置在45钢基体表面，粉末厚度1.5mm；步骤三：使用高功率半导体激光器熔覆，其中激光功率为3000W。所选用的光斑宽为8～15mm，焦距370。扫描速度分别为5mm/s、8mm/s、11mm/s，保护气体为氩气。
主权项:
1.一种铁基镍包碳化钨激光熔覆涂层方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：选取45钢作为熔覆的基体，用600目砂纸打磨光洁，再用丙酮溶液清除干净基体表面油污和锈迹；步骤二：将质量百分比30％的镍包碳化钨粉末与70％铁基合金粉末混合均匀，将混合粉末预置在45钢基体表面，粉末厚度1.5mm；步骤三：使用高功率半导体激光器熔覆，其中激光功率为3000W，所选用的光斑宽为8～15mm，焦距370mm。扫描速度分别为5mm/s、8mm/s、11mm/s，保护气体为氩气。
一种介电参数连续可调的等离子处理器
专利权人的姓名或者名称、地址的变更专利号: CN105810546A
申请人: 中微半导体设备（上海）有限公司
发明人: 张辉;姜银鑫
申请日期: 2014-12-30
公开日期: 2017-10-13
IPC分类:
H01J37/32
摘要:
一种介电参数连续可调的等离子处理器，包括：反应腔，位于反应腔顶部的反应气体进气装置，位于反应腔内下方用于固定基片的基座，一个射频电源连接到所述基座内的电极，一个基片固定装置设置于所述基座上，基片固定在所述基片固定装置上方，一个边缘环围绕所述基片固定装置且位于所述电极上方,其特征在于：所述边缘环包括一个中空的环形管道，环形管道外壁内部包括多个上下或者内外排布的可伸缩软管；所述多个可伸缩软管通过电介质液输入和输出管道连接到电介质液供应系统，其中电介质液供应系统控制流入不同软管的液压变化时所述不同软管在所述环形管道内所占空间比例发生变化。
主权项:
1.一种介电参数连续可调的等离子处理器，包括：反应腔，位于反应腔顶部的反应气体进气装置，位于反应腔内下方用于固定基片的基座，一个射频电源连接到所述基座内的电极，一个基片固定装置设置于所述基座上，基片固定在所述基片固定装置上方，一个边缘环围绕所述基片固定装置且位于所述电极上方其特征在于：所述边缘环包括一个中空的环形管道，环形管道外壁内部包括多个上下或者内外排布的可伸缩软管；所述多个可伸缩软管通过电介质液输入和输出管道连接到电介质液供应系统，其中电介质液供应系统控制流入不同软管的液压变化时所述不同软管在所述环形管道内所占空间比例发生变化。
一种高温半导体固晶焊锡膏及其制备方法
发明专利申请公布后的驳回专利号: CN104107989A
申请人: 上海嘉浩新材料科技有限公司
发明人: 芮俊峰; 董勤正; 符实
申请日期: 2014-06-23
公开日期: 2014-10-22
IPC分类:
B23K35/40
摘要:
本发明涉及一种高温半导体固晶焊锡膏及其制备方法，所述高温半导体固晶焊锡膏由重量百分比为(9～18)：(82～99)的助焊膏和均匀分布于其中的铅银铟合金粉体组成，所述铅银铟合金粉体为粒径20μm～38μm的PbInAg球形金属合金粉。所述制备方法包括如下步骤：(1)将助焊膏的各组分按照所选比例混合均匀，并加热至完全溶解后再自然冷却至室温；(2)将步骤(1)得到的组合物在2～8℃条件下冷藏得到助焊膏；(3)将铅银铟合金粉体和助焊膏按照所选比例置于分散机内搅拌均匀，即得。本发明的焊锡膏具有极低的热膨胀系数，制备简单，对被焊接层的润湿性好，气孔率极低，同时具有优异的焊接强度，可以满足多次回流的需要。
主权项:
1.一种高温半导体固晶焊锡膏，其特征在于，由助焊膏和均匀分布于其中的铅银铟合金粉体组成，按重量百分比计，铅银铟合金粉体：82％～91％，助焊膏：9％～18％；所述铅银铟合金粉体为PbInAg球形金属合金粉，所述PbInAg球形金属合金粉的组分以重量百分比含量计为Pb﹕In﹕Ag＝92.5％﹕5％﹕2.5％，误差≤0.5％为标准；所述PbInAg球形金属合金粉的球形率≥95％；所述PbInAg球形金属合金粉的粒径为20μm～38μm；所述助焊膏按重量百分比计由以下组分组成：树脂30％～40％，有机酸4％～7％，触变剂4％～5％，有机胺1％～2％，表面活性剂3％～4％，抗氧剂1％～2％，偶联剂1％～3％，有机溶剂余量。
金属粉末专利分析
材料体系分布
制备工艺分布
技术领域分布 (IPC分类)
💡 技术分类说明： 悬停在图表柱子上查看：
B22F10/28(3D打印) • B22F9/04(制粉) •
C23C24/10(涂层) • C22C19/05(镍合金) •
B33Y50/02(控制) • C22F1/18(热处理)