您好！我是Ada，PowderSight智能助手。
💡 我可以帮您：
• 查询价格（如"镍价"）
• 搜索产品（如"搜索TC4"）
• 推荐材料（如"散热材料"）
• 探索产业图谱（如"TC4有哪些供应商"）
• 介绍平台（如"会员对比"）
试试输入"帮助"查看更多功能！
金属3D打印粉末专利数据库
技术专利分析，助力材料研发与创新
按材料体系搜索
按制备工艺搜索
筛选条件
13586
专利总数
金属3D打印粉末相关6472
主要申请人
企业/机构/个人2026
最新数据
持续更新中专利搜索结果 关键词: "半导体"
排序:
一种Se微米管/溴铅铯异质结及其制备方法与光电应用
发明专利权授予专利号: CN114220883A
申请人: 江南大学
发明人: 于平平;段伟;杜青阳;姜岩峰
申请日期: 2021-11-29
公开日期: 2023-11-10
IPC分类:
H01L31/109
摘要:
本发明属于一种Se微米管/溴铅铯异质结及其制备方法与光电应用，属于半导体纳米材料技术领域。本发明以Se粉作为前驱体，通过化学气相沉淀法制备可控长度的Se微米管，并采用化学气相沉积法制备Se微米管/溴铅铯异质结在柔性衬底，通过溴铅铯的厚度可调节带隙，得到Se微米管/溴铅铯异质结。本发明所述Se微米管/溴铅铯异质结在光电探测器应用中具有更高质量。
主权项:
1.一种Se微米管/溴铅铯异质结的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)以惰性气体为载气，硒粉为反应源，硅片作为衬底，采用化学气相沉淀法得到Se微米管，并转移至聚酯纤维基板；(2)以步骤(1)中载有Se微米管的聚酯纤维基板为衬底，以PbBr和CsBr2混合物为反应源，以惰性气体为载气，采用化学气相沉淀法得到所述Se微米管/溴铅铯异质结。
一种钨钛合金管靶的制备方法
发明专利申请公布后的驳回专利号: CN114086130A
申请人: 宁波江丰电子材料股份有限公司
发明人: 姚力军;潘杰;边逸军;王学泽;姚明月
申请日期: 2021-11-16
公开日期: 2022-02-25
IPC分类:
C22C27/04
摘要:
本发明提供了一种钨钛合金管靶的制备方法，所述制备方法将钨钛混合粉末与不锈钢内管依次进行脱气处理、热等静压处理，无需在脱气处理之前进行冷等静压处理，得到以所述不锈钢内管为背管的钨钛合金管靶，不仅可以提高半导体用钨钛管靶的致密度和组织结构均匀性，还可以提高生产效率，降低生产成本。
主权项:
1.一种钨钛合金管靶的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下内容：准备钨钛混合粉末与不锈钢内管，依次进行脱气处理、热等静压处理，得到以所述不锈钢内管为背管的钨钛合金管靶。
一种半导体激光熔覆用合金粉末、制备方法及其熔覆工艺
发明专利权授予专利号: CN113913811A
申请人: 银川怡祥矿山机械制造有限公司
发明人: 赵海林;孔国财;乔林军;孙少权;房宝;李海;方蓉
申请日期: 2021-10-09
公开日期: 2024-04-02
IPC分类:
C23C24/10
摘要:
本发明公开了一种半导体激光熔覆用合金粉末、制备方法及其熔覆工艺，具体涉及表面熔覆再生修复技术领域，包括：铁基合金粉末和补充剂。本发明的激光熔覆再制造层与基体相比，其各强度提高10％以上，平均摩擦系数和磨损量分别为基体的65％和40％左右，修复后的电机转子使用寿命延长一倍，可有效节省生产制造成本；Ti与B与C形成陶瓷增强相TiB2和TiC，Zr可与B形成二硼化锆，在激光熔覆之后碳化钨进行分解后与铁结合形成FeW3C、Fe2W，可有效提升熔覆层的硬度，改善性能；配方中的碳纤维与碳化钨配合，可对碳化钨激光熔覆后产物进行网络支撑，可有效保证熔覆层的表面硬度和冲击韧性。
主权项:
1.一种半导体激光熔覆用合金粉末，其特征在于：包括铁基合金粉末和补充剂，所述补充剂与所述铁基合金粉末的重量比为：1∶10～12。
一种通过增材制造修复钢结构表面裂纹的方法
发明专利申请公布后的驳回专利号: CN114082961A
申请人: 华南理工大学
发明人: 康澜;张彬
申请日期: 2021-10-09
公开日期: 2022-02-25
IPC分类:
B22F10/28
摘要:
本发明公开了一种通过增材制造修复钢结构表面裂纹的方法，包括以下步骤：S1，表面处理，对钢结构构件产生裂纹的区域进行表面处理；S2，增材制造修复，将步骤S1处理后的修复区域，采用半导体激光器进行表面的增材制造修复，采用多层增材制造工艺，以在修复区域表面覆盖多层增材制造修复层，相邻的所述增材制造修复层采用正交的形式进行，以保证待修复的钢结构修复后的各向同性；S3，后处理，完成增材制造修复，对增材制造修复层进行探伤和质谱仪元素检测。本发明能在不改变钢结构构件原有动力特性和使用功能的条件下，对钢结构构件表面裂纹区域进行修复，从而延长其使用寿命，降低后期维护成本。
主权项:
1.一种通过增材制造修复钢结构表面裂纹的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，表面处理，对钢结构构件产生裂纹的区域进行表面处理；S2，增材制造修复，将步骤S1处理后的修复区域，采用半导体激光器进行表面的增材制造修复，采用多层增材制造工艺，以在修复区域表面覆盖多层增材制造修复层，相邻的所述增材制造修复层采用正交的形式进行，以保证待修复的钢结构修复后的各向同性；S3，后处理，完成增材制造修复，对增材制造修复层进行探伤和质谱仪元素检测。
一种静电吸附装置及等离子刻蚀机
实用新型专利权授予专利号: CN216054571U
申请人: 广东中图半导体科技股份有限公司
发明人: 张赛南; 谢鹏程; 邓万福
申请日期: 2021-09-30
公开日期: 2022-03-15
IPC分类:
H01J37/32
摘要:
本实用新型属于静电除尘技术领域，公开了一种静电吸附装置及等离子刻蚀机。静电吸附装置包括电容器箱体，还包括可拆卸地安装于电容器箱体中的第一极板，设置在第一极板上的携取机构，安装于电容器箱体内且与第一极板平行且间隔设置的第二极板，第一极板与第二极板能够连通成闭合电路进行充电，等离子刻蚀机包括上述的静电吸附装置。本用实用新型能够在进行等离子蚀刻前利用较小的充电电压实现两个电极板充电，并利用静电吸附原理实现蓝宝石衬底表面污染物的高效祛除，防止蚀刻时由于杂质使图形化蓝宝石衬底出现表面缺陷。
主权项:
1.一种静电吸附装置，包括电容器箱体，其特征在于，还包括：第一极板(100)，所述第一极板(100)可拆卸地安装于所述电容器箱体中，所述第一极板(100)上设置有携取机构(110)；第二极板(200)，所述第二极板(200)安装于所述电容器箱体内，与所述第一极板(100)平行且间隔设置，所述第一极板(100)与所述第二极板(200)能够连通成闭合电路进行充电。
一种吸气剂片及其生产工艺
发明专利申请公布后的撤回专利号: CN113680310A
申请人: 安徽益东惠电子科技有限公司
发明人: 吴文一
申请日期: 2021-08-19
公开日期: 2021-11-23
IPC分类:
B01J20/02
摘要:
本发明公开了一种吸气剂片及其生产工艺，吸气剂片的原料包括：锆金属粉末、矾金属粉末、铁金属粉末。吸气剂片的生产工艺，具体包括以下步骤：S1、配粉，混料研磨；S2、全自动压制；S3、吸气剂片烧结；S4、清洁、烘烤；本发明的吸气剂片在压制成型过程中，吸气剂表面和内部会形成不同大小的孔隙，从而增大了与活性气体的接触面积，增大了吸气剂片的吸气效率；本发明的吸气剂片用途广泛，可用于不锈钢真空保温容器、行波管、摄像管、X射线管、真空开关管、等离子体熔化设备、光热太阳能中高温集热管、工业杜瓦、油进记录设备、质子加速器、半导体器件封装以及电光源等方面。
主权项:
1.一种吸气剂片，其特征在于：其原料包括：锆金属粉末、矾金属粉末、铁金属粉末，所述锆金属粉末、矾金属粉末和铁金属粉末组成烧结型吸气剂片，所述烧结型吸气剂片的激活温度为450℃-500℃，烧结型吸气剂片根据形状可分为圆片吸气剂片、圆柱吸气剂片、方环吸气剂片或者异型吸气剂片。
基于Al离子注入的GaN异质外延缓冲层的制作方法
发明专利权授予专利号: CN113658853A
申请人: 上海新微半导体有限公司
发明人: 刘胜北
申请日期: 2021-08-16
公开日期: 2024-07-02
IPC分类:
H01L21/335
摘要:
本发明提供一种基于Al离子注入的GaN异质外延缓冲层的制作方法，包括步骤：1)提供一用于GaN异质外延生长的衬底；2)于衬底表层进行Al元素注入，其中，Al元素的注入浓度大于衬底的Al元素固溶度；3)对衬底进行退火工艺以修复衬底的晶格缺陷，同时使衬底表层的Al元素从衬底中析出并在衬底表面形成Al成核层；4)向衬底表面通入Al源与N源，基于Al成核层在衬底表面进行AlN缓冲层的生长。本发明可以精确控制Al元素的注入剂量，解决了原来GaN异质外延生长的AlN缓冲层制备过程中，由于预通Al源工艺窗口较小的情况下造成的外延质量问题以及外延一致性问题。
主权项:
1.一种基于Al离子注入的GaN异质外延缓冲层的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括步骤：1)提供一用于GaN异质外延生长的衬底；2)于所述衬底表层进行Al元素注入，其中，所述Al元素的注入浓度大于所述衬底的Al元素固溶度；3)对所述衬底进行退火工艺以修复所述衬底的晶格缺陷，同时使所述衬底表层的Al元素从所述衬底中析出并在所述衬底表面形成Al成核层；4)向所述衬底表面通入Al源与N源，基于所述Al成核层在所述衬底表面进行AlN缓冲层的生长。
半导体装置
实质审查的生效专利号: CN114566591A
申请人: 三星电子株式会社
发明人: 梁基延;安东浩;李昌承
申请日期: 2021-08-16
公开日期: 2022-05-31
IPC分类:
H01L45/00
摘要:
提供了一种包括多个半导体单元器件的半导体装置。每个半导体单元器件可以布置于在垂直于衬底的方向上彼此分开的第一绝缘层和第二绝缘层之间。每个半导体单元器件可以包括在平行于衬底的方向上并排延伸的选择器件层和相变材料层。相变材料层可以具有类超晶格结构。相变材料层可以沿着由第一绝缘层、第二绝缘层和选择器件层形成的凹陷部分布置。
主权项:
1.一种半导体装置，包括：衬底；第一绝缘层和第二绝缘层，在垂直于所述衬底的方向上彼此分开；以及在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间的半导体单元器件，其中所述半导体单元器件包括在平行于所述衬底的方向上并排延伸的选择器件层和相变材料层，所述相变材料层包括包含GexTe1-x(0.3≤x≤0.7)的第一硫属元素层和包含SbyTe1-y(0.2≤y≤0.8)的第二硫属元素层，所述选择器件层通过覆盖所述第一绝缘层的表面的一部分和所述第二绝缘层的表面的一部分而形成凹陷部分，使得所述选择器件层的侧壁相对于所述第一绝缘层的侧壁和所述第二绝缘层的侧壁凹陷，所述相变材料层沿所述凹陷部分布置以覆盖所述第一绝缘层、所述选择器件层和所述第二绝缘层，以及所述相变材料层的与所述第一绝缘层相邻的表面的长度等于或大于所述相变材料层的与所述选择器件层相邻的表面的长度。
一种小口压吹冲头玻璃模具激光熔覆自动化生产系统
实质审查的生效专利号: CN113480146A
申请人: 江苏智远激光装备科技有限公司
发明人: 林学春;农光壹;刘江川;杭骏祥;林培晨
申请日期: 2021-08-10
公开日期: 2021-10-08
IPC分类:
C03B9/193
摘要:
本发明涉及小口压吹冲头玻璃模具激光熔覆制造生产领域，具体为一种小口压吹冲头玻璃模具激光熔覆自动化生产系统，包括系统工房、稳压电源、半导体激光器、六轴机器人、模具料箱、传送带系统、送粉机、激光熔覆头、十字调节架、调节立柱、旋转夹爪、水冷机、小口压吹冲头模具、机器人控制系统，本发明以六轴机器人作为主要的运动载体，通过安装在其末端的旋转夹爪，抓取由传送带传送过来的模具料箱内的小口压吹冲头模具，由机器人控制系统控制运行至激光熔覆头相应的位置，按设置好的激光熔覆工艺参数，对小口压吹冲头模具进行激光熔覆作业。
主权项:
1.一种小口压吹冲头玻璃模具激光熔覆自动化生产系统，其特征在于：包括稳压电源、半导体激光器、六轴机器人、送粉机、水冷机、激光熔覆头、传送带系统以及用于控制以上部件的机器人控制系统，所述传送带系统包括传送带，所述传送带上设有模具料箱，所述模具料箱内摆放有小口压吹冲头模具，所述六轴机器人上设有用于抓取小口压吹冲头模具的旋转夹爪。
一种空间在轨激光清洗与快速修复装备与方法
发明专利申请公布后的视为撤回专利号: CN113245307A
申请人: 南京航空航天大学
发明人: 赵艳秋;占小红;綦娜;王磊磊
申请日期: 2021-05-20
公开日期: 2021-08-13
IPC分类:
C23C24/10
摘要:
本发明公开了一种空间在轨激光清洗与快速修复装备与方法，该装备包括控制系统、激光加工系统与运动系统，控制系统包括控制器和三维扫描装置；激光加工系统包括水冷机、半导体激光器、激光清洗头、粘性金属涂覆头、激光熔覆头、旋转支架、升降支架和固定架，运动系统包括滑动驱动器、滑动轨道、超弹性车轮、机械臂A和机械臂B。本装备包括激光表面清洗模式、表面涂覆模式和激光熔覆模式，操作人员根据修复需求通过控制系统切换模式，修复完成后通过滑动轨道返回空间站。本发明集成激光清洗、表面涂覆和激光熔覆工艺，具有轻量化的优点，满足空间在轨环境下的受损工件污物清除与快速修复作业，提高空间站使用寿命，操作简单且自动化程度高。
主权项:
1.一种空间在轨激光清洗与快速修复装备，其特征在于包括控制系统、激光加工系统与运动系统，控制系统包括控制器和三维扫描装置(12)，激光加工系统包括水冷机(1)、半导体激光器(2)、激光清洗头(3)、粘性金属涂覆头(4)、激光熔覆头(5)、旋转支架(6)、升降支架7和固定架(11)，运动系统包括滑动驱动器(8)、滑动轨道(9)、超弹性车轮(10)、机械臂A(13)和机械臂B(14)；所述控制系统可根据修复需求切换模式，具体包括激光表面清洗模式、表面涂覆模式、激光熔覆模式；在激光表面清洗模式下，所述激光清洗头(3)用于对待修复表面污物进行清洗，半导体激光器(2)发出激光束进入激光清洗头(3)内，经过反射镜反射和聚焦透镜聚焦，激光束自动调焦并作用于工件完成受损工件表面清理；在表面涂覆模式下，所述粘性金属涂覆头(4)将粘性金属涂覆于待修复表面，涂覆层厚度与形状由三维扫描结果决定；在激光熔覆模式下，所述激光熔覆头(5)用于对已涂覆的表面进行加热，半导体激光器(2)发出激光束进入激光熔覆头(5)内，经过反射镜反射和聚焦透镜聚焦，激光束自动调焦并作用于粘性金属粉末涂覆层，完成空间在轨环境修复作业。
磁性复合材料的制备方法
实质审查的生效专利号: CN114360834A
申请人: 昆山磁通新材料科技有限公司
发明人: 郭峰;付邦良
申请日期: 2021-05-14
公开日期: 2022-04-15
IPC分类:
H01F1/24
摘要:
本申请涉及半导体技术领域，具体公开一种磁性复合材料的制备方法。包括：将粒径不全相同的若干种软磁金属粉末材料混合，制备出相对致密度大于等于0.5的软磁金属材料，其中，所述相对致密度为振实密度与真密度的比值，若干种软磁金属粉末材料的粒径中的最大粒径与最小粒径的比值小于等于8；将所述软磁金属材料和粘合剂以预设比例混合制成磁性复合材料。以通过上述方式制备出来的磁性复合材料作为压制材料，压制过程时无需采用太高的压制压强，而以小于磁性复合材料的塑性变形强度进行压制，即可确保压制成型后的磁性复合材料具有足够的成型致密度，同时避免压强过高而导致磁性复合材料受损。
主权项:
1.一种磁性复合材料的制备方法，其特征在于，包括：将粒径不全相同的若干种软磁金属粉末材料混合，制备出相对致密度大于等于0.5的软磁金属材料，其中，所述相对致密度为振实密度与真密度的比值，若干种软磁金属粉末材料的粒径中的最大粒径与最小粒径的比值小于等于8；将所述软磁金属材料和粘合剂以预设比例混合制成磁性复合材料。
一种钴靶材与铜锌合金背板的扩散焊接方法
实质审查的生效专利号: CN112935511A
申请人: 宁波江丰电子材料股份有限公司
发明人: 姚力军;边逸军;潘杰;王学泽;黄东长
申请日期: 2021-03-26
公开日期: 2021-06-11
IPC分类:
B23K20/02
摘要:
本发明涉及一种钴靶材与铜锌合金背板的扩散焊接方法，所述扩散焊接方法包括：在钴靶材的焊接面上镀钛膜，将镀有钛膜的钴靶材与铜锌合金背板进行装配处理，然后整体放入包套中；再将得到的包套封口后依次进行脱气处理与热等静压处理，去除所述包套，完成钴靶材与铜锌合金背板的扩散焊接。本发明所述扩散焊接方法针对铜锌合金背板的材质特点，无需设置中间层，仅仅在钴靶材的焊接面上镀钛膜，即可利用金属钛良好的扩散性，加速钴靶材与铜锌合金背板之间的原子扩散速率，不仅可以保证焊接结合率≥99％，大大提高成品率，还可以保证焊接结合强度≥70MPa，焊接不变形，满足半导体溅射靶材的使用要求。
主权项:
1.一种钴靶材与铜锌合金背板的扩散焊接方法，其特征在于，所述扩散焊接方法包括如下步骤：(1)在钴靶材的焊接面上镀钛膜，将镀有钛膜的钴靶材与铜锌合金背板进行装配处理，然后整体放入包套中；(2)将步骤(1)得到的包套封口后进行脱气处理；(3)将步骤(2)脱气后的包套进行热等静压处理，然后去除所述包套，完成钴靶材与铜锌合金背板的扩散焊接。
基于碲化钼的忆阻器及其制备方法、非易失性存贮器
发明专利权授予专利号: CN112331766A
申请人: 华中科技大学
发明人: 杨蕊;何慧凯;江勇波;黄腾
申请日期: 2020-10-26
公开日期: 2023-04-25
IPC分类:
H01L45/00
摘要:
本发明属于半导体存储相关技术领域，其公开了一种基于碲化钼的忆阻器及其制备方法、非易失性存储器，所述忆阻器包括自上而下设置的顶电极、阻变层及底电极，所述阻变层位于所述顶电极及所述底电极之间，其为经过氩等离子处理的二维碲化钼片；通过氩等离子处理在碲化钼片的表面引入碲空位，从而降低碲化钼从2H相到1T’相转变的能量，使得碲化钼自2H相到1T’的相转变更容易发生；所述阻变层在外加电压作用会发生从2H相到1T’相的可逆相转变，从而所述忆阻器的电阻发生高低阻态的变化。本发明使得碲化钼2H和1T’之间的相转变更容易发生，降低相转变的操作电压，同时提高转变速度和循环寿命。
主权项:
1.一种基于碲化钼的忆阻器，其特征在于：所述忆阻器包括自上而下设置的顶电极、阻变层及底电极，所述阻变层位于所述顶电极及所述底电极之间，其为经过氩等离子处理的二维碲化钼片；通过氩等离子处理在碲化钼片的表面引入碲空位，从而降低碲化钼从2H相到1T’相转变的能量，使得碲化钼自2H相到1T’的相转变更容易发生；所述阻变层在外加电压作用会发生从2H相到1T’相的可逆相转变，从而所述忆阻器的电阻发生高低阻态的变化。
等离子清洗机
实质审查的生效专利号: CN112222107A
申请人: 深圳泰德半导体装备有限公司
发明人: 朱霆; 叶贤斌; 李文强; 杨建新; 张凯
申请日期: 2020-09-23
公开日期: 2021-01-15
IPC分类:
B08B13/00
摘要:
本发明提出一种等离子清洗机。所述等离子清洗机包括清洗机本体、安装件、夹持治具及调节装置。其中，所述清洗机本体包括控制器；所述安装件安装于所述清洗机本体上；所述夹持治具安装于所述安装件上，所述夹持治具具有夹槽，所述夹槽的宽度可调；所述调节装置安装于所述夹持治具的一侧，所述调节装置与所述控制器电连接，所述调节装置用于调节所述夹槽的宽度。本发明的等离子清洗机，能够提高夹持治具的兼容性，以提高等离子清洗机的适用性。
主权项:
1.一种等离子清洗机，其特征在于，所述等离子清洗机包括；清洗机本体，所述清洗机本体包括控制器；安装件，所述安装件安装于所述清洗机本体上；夹持治具，所述夹持治具安装于所述安装件上，所述夹持治具具有夹槽，所述夹槽的宽度可调；以及调节装置，所述调节装置安装于所述夹持治具的一侧，所述调节装置与所述控制器电连接，所述调节装置用于调节所述夹槽的宽度。
一种P型SiC欧姆接触电极的制作方法
发明专利权授予专利号: CN111785620A
申请人: 同辉电子科技股份有限公司
发明人: 崔素杭;白欣娇;李帅;袁凤坡;李晓波;李婷婷;张乾
申请日期: 2020-07-13
公开日期: 2024-09-20
IPC分类:
H01L29/45
摘要:
本发明涉及功率半导体封装技术领域，涉及一种P型SiC欧姆接触电极的制作方法，该方法的步骤依次包括；使用RCA清洗法清洗SiC衬底；使用干氧氧化法，使SiC衬底表面形成SiO2绝缘层；使用光刻工艺对SiO2绝缘层进行蚀刻，制作出掺杂窗口；形成P型掺杂SiC外延层；对SiC衬底进行等离子处理；在SiC衬底上依次沉积金属Ti、Co、Al；SiC衬底进行退火处理，形成欧姆接触电极；蚀刻掉未参与反应的金属以及欧姆接触电极表面的富铝层；在欧姆接触电极表面沉积金属Au，该制作方法可在较低的温度下实现P型SiC欧姆接触电极，同时可形成平整的、耐氧化的电极表面。
主权项:
1.一种P型SiC欧姆接触电极的制作方法，其特征在于，所述的制作方法包括以下步骤：A.使用RCA清洗法清洗SiC衬底；B.使用干氧氧化法，使清洗后的SiC衬底表面形成SiO2绝缘层；C.使用光刻工艺对SiO2绝缘层进行蚀刻，制作出掺杂窗口；D.通过550-600℃Al离子注入的方法在掺杂窗口形成P型掺杂SiC外延层；E.在180-220℃的温度环境下，激发氢气与氮气的混合气体，对带有P型掺杂SiC外延层的SiC衬底进行等离子处理；F.在真空环境下，在等离子处理后的SiC衬底上依次沉积金属Ti、Co、Al；G.在真空环境下，对沉积金属后的SiC衬底进行退火处理，形成欧姆接触电极；H.将带有欧姆接触电极的SiC衬底放入蚀刻溶液蚀刻1-3min，蚀刻掉未参与反应的金属以及欧姆接触电极表面的富铝层。
电极部分覆盖脊条的DFB激光器
发明专利权授予专利号: CN111755950A
申请人: 中国科学院半导体研究所;
发明人: 徐长达;陈伟;班德超;祝宁华
申请日期: 2020-06-30
公开日期: 2024-07-02
IPC分类:
H01S5/22
摘要:
本公开提供一种电极部分覆盖脊条的DFB激光器，包括：衬底层；下限制层，位于衬底层上；下波导层，位于下限制层上；有源层，位于下波导层上；上波导层，位于有源层上；上限制层，位于上波导层上，其内设置有光栅，沿上限制层设置有一纵向脊波导；欧姆接触层，覆于脊波导上表面共同构成脊条结构；绝缘层，位于上限制层表面及脊条结构侧壁；以及P面电极，覆于脊条结构中间段的表面并沿绝缘层延伸出一外部接入电极；其中，脊条结构的两端未覆盖P面电极的部分分别形成第一区域和第二区域。
主权项:
1.一种电极部分覆盖脊条的DFB激光器，包括：衬底层；下限制层，位于衬底层上；下波导层，位于下限制层上；有源层，位于下波导层上；上波导层，位于有源层上；上限制层，位于上波导层上，其内设置有光栅，沿上限制层设置有一纵向脊波导；欧姆接触层，覆于脊波导上表面共同构成脊条结构；绝缘层，位于上限制层表面及脊条结构侧壁；以及P面电极，覆于脊条结构中间段的表面并沿绝缘层延伸出一外部接入电极；其中，脊条结构的两端未覆盖P面电极的部分分别形成第一区域和第二区域。
半导体装置
发明专利权授予专利号: CN112117256A
申请人: 株式会社村田制作所
发明人: 柳原真悟
申请日期: 2020-06-12
公开日期: 2024-07-02
IPC分类:
H01L23/498
摘要:
本发明提供一种能够谋求发射极或源极的寄生电感的降低的半导体装置。在基板设置有至少一个晶体管。该晶体管是包括发射极、基极以及集电极的双极晶体管、或者包括源极、栅极以及漏极的场效应晶体管。在基板设置有与发射极或源极连接的至少一个第1凸块。还设置有与集电极或漏极连接的至少3个第2凸块。在俯视下，在以第2凸块各自的几何中心为顶点的多边形的内侧配置有至少一个第1凸块的几何中心。
主权项:
1.一种半导体装置，具有设置于基板的至少一个晶体管，所述晶体管是包括发射极、基极以及集电极的双极晶体管、或者包括源极、栅极以及漏极的场效应晶体管，所述半导体装置还具有：至少一个第1凸块，设置于所述基板，并与所述发射极或所述源极连接；和至少3个第2凸块，设置于所述基板，并与所述集电极或所述漏极连接，在俯视下，在以所述第2凸块各自的几何中心为顶点的多边形的内侧，配置有至少一个所述第1凸块的几何中心。
一种GaN单晶生长装置及其加热方法
发明专利权授予专利号: CN111455450A
申请人: 上海玺唐半导体科技有限公司
发明人: 高明哲
申请日期: 2020-05-13
公开日期: 2020-07-28
IPC分类:
C30B29/38
摘要:
本发明提供一种GaN单晶生长装置及其加热方法，包括一密闭的热等静压容器、设置于热等静压容器内的高压釜以及环绕高压釜外壁设置的加热装置，所述高压釜与所述热等静压容器之间设置有气体循环装置，使得热等静压容器内部产生气体循环。本发明能够通过加热装置，实现对原料区和结晶区之间的温差进行精确控制；通过内循环装置，实现高压釜外部气体的对流循环；通过外循环装置，实现了热等静压容器内部与热等静压容器外部产生热交换，从而稳定控制热等静压容器内部的温度，以实现加速GaN单晶在结晶区内的生长；通过气体循环装置，实现对高压釜外的压力进行控制，保证了热等静压容器内压力始终大于高压釜内压力，使高压釜处于外压工况，提高了生产效率。
主权项:
1.一种GaN单晶生长装置，其特征在于，包括一密闭的热等静压容器(1)、设置于热等静压容器(1)内的高压釜(2)以及环绕高压釜(2)外壁设置的加热装置(207)，所述高压釜(2)与所述热等静压容器(1)之间设置有气体循环装置(3)。
一种真空等离子处理设备及其处理腔体
实质审查的生效专利号: CN111318520A
申请人: 昆山索坤莱机电科技有限公司
发明人: 刘善石
申请日期: 2020-04-21
公开日期: 2020-06-23
IPC分类:
B08B13/00
摘要:
本发明公开了一种真空等离子处理设备及其处理腔体，包括气缸、上腔体和下腔体，所述上腔体内设有第一空腔，第一空腔的内侧壁上设有镜面不锈钢护罩，所述下腔体内设有第二空腔，所述第二空腔内设有电极，所述电极电极的上方及侧面设有绝缘片，电极的下端设置绝缘底板，所述气缸与上腔体连接，气缸带动上腔体上下滑动，所述电极的下端连接电极馈入件，本发明的真空等离子处理设备及其处理腔体适用范围广泛，可以大范围的用于半导体、摄像头、指纹模组等流水线制成设备的架设处理要求，采用上下腔体的结构，在下电极的周围设置绝缘层，被处理物体表面造成损伤或者二此次污染，降低二次污染及批量式清洗可能出现的损伤几率。
主权项:
1.一种真空等离子处理设备及其处理腔体，其特征在于：包括上腔体(2)和下腔体(3)，所述上腔体(2)内设有第一空腔(4)，第一空腔(4)的内侧壁上设有镜面不锈钢护罩(5)，所述下腔体(3)内设有第二空腔(6)，所述第二空腔(6)内设有电极(7)，所述电极(7)的上方及侧面设有绝缘片(8)，电极(7)的下端设置绝缘底板(9)，所述电极(7)的下端连接电极馈入件(10)。
一种化学机械平坦化设备 化學機械平坦化設備
著录事项变更专利号: CN111482891A;TW202140199A
申请人: 北京烁科精微电子装备有限公司
发明人: 李婷;岳爽;尹影;崔凯;蒋锡兵;靳阳;崔凱;蔣錫兵;靳陽
申请日期: 2020-04-20
公开日期: 2024-04-21
IPC分类:
B24B41/02
摘要:
本发明涉及半导体设备技术领域，具体涉及一种化学机械平坦化设备，包括机座，所述机座上移动设置有喷液组件和修整组件，所述喷液组件随所述修整组件移动，所述喷液组件具有至少一个出液口，从所述出液口喷出的液体均匀地分布在抛光垫的修整区域上。本发明提供一种提高了晶圆表面均匀度的化学机械平坦化设备。
主权项:
1.一种化学机械平坦化设备，其特征在于，包括机座(4)，所述机座(4)上移动设置有喷液组件和修整组件(3)，所述喷液组件随所述修整组件(3)移动，所述喷液组件具有至少一个出液口，从所述出液口喷出的液体均匀地分布在抛光垫(1)的修整区域上。
金属粉末专利分析
材料体系分布
制备工艺分布
技术领域分布 (IPC分类)
💡 技术分类说明： 悬停在图表柱子上查看：
B22F10/28(3D打印) • B22F9/04(制粉) •
C23C24/10(涂层) • C22C19/05(镍合金) •
B33Y50/02(控制) • C22F1/18(热处理)