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ZnIn2S4/Ti3C2/CuCo2S4复合型催化剂的制备及其应用
发明专利权授予专利号: CN114984987A
申请人: 河南师范大学
发明人: 刘玉民; 吴昊; 吕华; 郑金泽; 孔圆方
申请日期: 2022-06-29
公开日期: 2022-09-02
IPC分类:
B01J27/043
摘要:
本发明公开了一种ZnIn2S4/Ti3C2/CuCo2S4复合型催化剂的制备及其应用，属于催化材料领域。以亲水性强的柔性Ti3C2纳米片为中间桥梁，通过范德华力将2D结构ZnIn2S4和2D结构CuCo2S4紧密复合形成“2D?2D?2D”结构ZnIn2S4/Ti3C2/CuCo2S4三元复合型光催化剂。本发明中，2D结构Ti3C2作为中间桥梁，解决了n?型半导体和p?型半导体复合时兼容性差的问题，还可同时与其形成三重内建电场，加速了光生电子和空穴的定向移动和分离；2D?2D?2D结构增加了反应物接触面积，有效缩短了电荷传输距离，提升了电荷空间分离效率，将所制得ZnIn2S4/Ti3C2/CuCo2S4作为光催化剂展现出优异的光催化重整纤维素制氢性能。
主权项:
1.ZnIn2S4/Ti3C2/CuCo2S4复合型催化剂，其特征在于：催化剂中ZnIn2S4、Ti3C2与CuCo2S4质量比为1:0.01-0.1:0.01-0.15；XRD中在21.7°、27.8°、31.4°、39.9°、47.5°、52.4°、54.9°、56.0°存在衍射峰；XPS中在1021.97eV、1045.07eV、445.18eV、452.74eV、161.97eV、163.14eV、932.45eV、952.50eV、779.30eV、795.20eV、459.16eV、462.50eV、464.60eV、282.12eV、284.93eV、286.67eV和288.62eV存在结合能。
一种热等静压氨热法反应釜
发明专利申请公布后的驳回专利号: CN114849590A
申请人: 四川航空工业川西机器有限责任公司; 国镓芯科（深圳）半导体科技有限公司
发明人: 张潇; 乔焜; 杨波; 张言平; 何晓
申请日期: 2022-06-28
公开日期: 2022-08-05
IPC分类:
B01J3/03
摘要:
本发明公开了一种热等静压氨热法反应釜，包括釜体组件、釜盖组件和卡箍（3），釜盖组件设置在釜体组件上端面，釜体组件内部开有反应腔室，釜体组件上端面和釜盖组件下端面的接触面间设置有密封圈（4），釜体组件与釜盖组件通过周向设置的卡箍（3）紧固连接且产生密封预紧力，釜盖组件开有用于充装氨气的贯通釜体组件反应腔室的进气口，釜盖组件、釜体组件、密封圈（4）和卡箍（3）采用镍基合金材料制成，这样反应釜既能承受高压又能耐腐蚀，并且结构相对简单具有高温力学性能。
主权项:
1.一种热等静压氨热法反应釜，其特征在于：包括釜体组件、釜盖组件和卡箍（3），所述的釜盖组件设置在所述的釜体组件上端面，所述的釜体组件内部开有反应腔室，所述的釜体组件上端面和所述的釜盖组件下端面的接触面间设置有密封圈（4），所述的釜体组件与所述的釜盖组件通过周向设置的卡箍（3）紧固连接且产生密封预紧力，所述的釜盖组件开有用于充装氨气的贯通所述的釜体组件反应腔室的进气口，所述的釜盖组件、所述的釜体组件、所述的密封圈（4）和所述的卡箍（3）采用镍基合金材料制成。
一种Al3+/Zn0.4(CuGa)0.3Ga2S4复合材料及其制备方法和应用
发明专利权授予专利号: CN115055192A
申请人: 中南大学
发明人: 张宁;刘彭
申请日期: 2022-06-16
公开日期: 2023-06-30
IPC分类:
C01B32/40
摘要:
本发明提供一种Al3+/Zn0.4(CuGa)0.3Ga2S4复合材料的制备方法，包括如下步骤：制备Zn0.4(CuGa)0.3Ga2S4粉末材料；将Zn0.4(CuGa)0.3Ga2S4粉末材料与Al3+按摩尔比1:0.5?1.5混合，并分散到去离子水中，超声搅拌0.5?1h；缓慢加热混合液至30?90℃，并进磁力搅拌2?10h，Al3+与Zn0.4(CuGa)0.3Ga2S4材料表面的Zn、Cu等元素发生微量离子交换，使Al3+负载于Zn0.4(CuGa)0.3Ga2S4表面；对磁力搅拌液进行固液分离，并将分离得到的粉末置于60?80℃恒温电热干燥箱干燥3?36h，即可得到Al3+/Zn0.4(CuGa)0.3Ga2S4复合材料，其中负载的Al3+含量为Zn0.4(CuGa)0.3Ga2S4含量的0.3?0.8wt％。本发明提供的Al3+/Zn0.4(CuGa)0.3Ga2S4复合材料的制备方法，采用Al离子对Zn0.4(CuGa)0.3Ga2S4半导体材料表面进行修饰，能改善Zn0.4(CuGa)0.3Ga2S4材料的活性位点，提升材料的光催化活性。本发明还提供一种Al3+/Zn0.4(CuGa)0.3Ga2S4复合材料及其应用。
主权项:
1.一种Al3+/Zn0.4(CuGa)0.3Ga2S4复合材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1，制备Zn0.4(CuGa)0.3Ga2S4粉末材料；步骤S2，将Zn0.4(CuGa)0.3Ga2S4粉末材料与Al3+按摩尔比1:0.5-1.5混合，并分散到去离子水中，超声搅拌0.5-1h；步骤S3，缓慢加热混合液至30-90℃，并进磁力搅拌3-10h，Al3+与Zn0.4(CuGa)0.3Ga2S4材料表面的Zn、Cu元素发生微量离子交换，使Al3+负载于Zn0.4(CuGa)0.3Ga2S4表面；步骤S4，对磁力搅拌液进行固液分离，并将分离得到的粉末置于60-90℃恒温电热干燥箱干燥3-36h，即可得到Al3+/Zn0.4(CuGa)0.3Ga2S4复合材料，其中负载的Al3+含量为Zn0.4(CuGa)0.3Ga2S4含量的0.3-0.8wt％。
一种高铬铝合金粉末的制备方法
发明专利权授予专利号: CN114734048A
申请人: 西安赛隆金属材料有限责任公司
发明人: 王新锋;刘李旭;姚甜;向长淑;苏腾飞;孙恒超;肖成桥
申请日期: 2022-06-14
公开日期: 2022-11-25
IPC分类:
B22F9/10
摘要:
本公开实施例是关于一种高铬铝合金粉末的制备方法。该方法包括：利用热等静压工艺及预设的热等静压工艺参数，将铬粉和铝粉制备成电极棒料；利用等离子旋转电极制粉工艺及预设的PREP工艺参数，将所述电极棒料制备成高铬铝合金粉末。本公开实施例一方面，使电极棒料能承受住高转速下所造成的最大应力而不会发生断裂，且能使铬粉、铝粉能够同时被熔化，克服了由于熔点相差大而不能同时被熔炼的难题；另一方面，制备的高铬铝合金粉末纯度高、杂质含量低、合金化程度高、相含量均匀单一，粉末球形度高，满足了半导体、电子信息、核工业、能源等领域对高性能高铬铝合金粉末的需求。
主权项:
1.一种高铬铝合金粉末的制备方法，其特征在于，该方法包括：利用热等静压工艺及预设的热等静压工艺参数，将铬粉和铝粉制备成电极棒料；利用等离子旋转电极制粉工艺及预设的PREP工艺参数，将所述电极棒料制备成高铬铝合金粉末；其中，所述铬粉和所述铝粉的预设纯度均大于或等于99.9%，所述高铬铝合金粉末的质量百分比为：铬粉大于60%、其余均为铝粉。
等离子清洗设备
实质审查的生效专利号: CN115148573A
申请人: 深圳泰德半导体装备有限公司
发明人: 叶贤斌;李文强;杨建新;朱霆;盛辉;周学慧;张凯
申请日期: 2022-06-10
公开日期: 2022-10-04
IPC分类:
B08B7/00
摘要:
本发明公开一种等离子清洗设备，其中，等离子清洗设备包括清洗箱和若干气道管路，清洗箱内形成有腔体，清洗箱具有进气壁，进气壁的面向腔体的表面设有若干进气孔，进气壁上还形成有气体入口；若干气道管路均集成在进气壁中；其中，每一气道管路的一端与一进气孔连通设置，另一端与气体入口连通，若干气道管路的长度相同。本发明技术方案能够提高物料清洗的均匀性，以提升清洗效果。
主权项:
1.一种等离子清洗设备，其特征在于，包括：清洗箱，所述清洗箱内形成有腔体，所述清洗箱具有进气壁，所述进气壁的面向所述腔体的表面设有若干进气孔，所述进气壁上还形成有气体入口；和若干气道管路，若干所述气道管路均集成在所述进气壁中；其中，每一所述气道管路的一端与一所述进气孔连通设置，另一端与所述气体入口连通，若干所述气道管路的长度相同。
一种高自锐强散热的高熵合金-金刚石超硬复合材料及其制备方法和应用
发明专利权授予专利号: CN114921677A
申请人: 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
发明人: 黎克楠;阳东林;冯圆茹;邵俊永
申请日期: 2022-05-27
公开日期: 2023-01-31
IPC分类:
B22F1/103
摘要:
本发明提出了一种高自锐强散热的高熵合金?金刚石超硬复合材料及其制备方法和应用，用以解决目前高熵合金/金刚石磨具使用过程中自锐性差、易发热等缺陷。制备方法包括以下步骤：将无机颗粒、高熵合金粉和金刚石磨粒加入有机粘结剂中制得半固态生料；将半固态生料挤压入模具或通过辊压分切工艺成型，得到复合材料生坯；将复合材料生坯放入烧结设备中进行烧结，制得内部多孔的高熵合金?金刚石超硬复合材料。本发明还公开了上述材料在磨料磨具领域的应用。本发明在充分发挥高熵合金低磨损优势基础上提高高熵合金结合剂磨具对自锐性和散热性，满足半导体和新型行业复杂结构部件高刚度、高速度、高保型、长寿命、高自锐等极端磨削要求。
主权项:
1.一种高自锐强散热的高熵合金-金刚石超硬复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）混炼将无机颗粒、高熵合金粉和金刚石磨粒组成的混合料与有机粘结剂加热搅拌充分混合，制得半固态生料；（2）生坯成型将半固态生料挤压入模具或通过辊压分切工艺成型，得到复合材料生坯；（3）脱脂烧结一体化将复合材料生坯放入烧结设备中进行烧结，制得内部多孔的高熵合金-金刚石超硬复合材料。
一种激光熔覆纳米涂层盾构机微织构刀具
发明专利申请公布后的撤回专利号: CN114653954A
申请人: 山东建筑大学
发明人: 徐淑波;赵晨浩;薛现猛;张森;卢庆亮;孙化鑫;孙海波;张世超;胡馨支;马锡全;景鹏飞
申请日期: 2022-05-17
公开日期: 2022-06-24
IPC分类:
B22F10/28
摘要:
本发明提供了一种激光熔覆纳米涂层盾构机微织构刀具的方法。首先利用机械球磨法制备刀刃与刀体粉末制成所需的混合粉末，并在超声冲击辅助下用3D打印技术实现对盾构机刀刃与刀体的一体打印；然后进行表面抛光去除表面污垢沉积，并利用光纤激光打标机进行刀具主切削刃处的激光微织构处理；进而超声波酒精和去离子水先后清洗，以保证盾构机刀具基体表面清洁无杂质；最后用搅拌球磨机制备熔覆涂层的纳米粉末，并用激光熔覆技术完成对对刀具表面高耐磨耐腐蚀纳米晶涂层的制备。本发明提高盾构机刀具的耐磨性、抗冲击性与高温力学性能，进而提高刀具的使用寿命。
主权项:
1.一种激光熔覆纳米涂层盾构机微织构刀具的方法；其特征在于首先利用机械球磨法制备刀刃与刀体粉末制成所需的混合粉末，并在超声冲击辅助下用3D打印技术实现对盾构机刀刃与刀体的一体打印；然后进行表面抛光去除表面污垢沉积，并利用光纤激光打标机进行刀具主切削刃处的激光微织构处理；进而超声波酒精和去离子水先后清洗，以保证盾构机刀具基体表面清洁无杂质；最后用搅拌球磨机制备熔覆涂层的纳米粉末，并用激光熔覆技术完成对对刀具表面高耐磨耐腐蚀纳米晶涂层的制备；其具体工艺方案如下：（1）首先将质量比为W：C：Ni：Ti：Co=70:10:5:5:10的粉末倒入酒精溶液中用搅拌球磨机，磨球为WC-Co的硬质合金球，球料比10:1，转速450 r/min，然后利用真空干燥箱对浆料进行干燥并过筛，然后将上述混合粉末球磨6小时以上，在与钴粉混合后获得硬质合金粉末作为刀刃材料；刀体粉末由质量比为C：Cr：Mn：Fe=5:8:2:85的粉末经过搅拌球磨机球磨4h制成；（2）根据实际刀具的参数进行三维建模，构建出刀具的三维模型，并对盾构机刀具的刀具进行切片分层，得到各截面轮廓数据，由截面轮廓数据生成对应的扫描路径；然后将步骤一得到的混合粉末添加到激光3D打印系统中，并在装置中添加超声冲击设备，由激光3D打印系统在超声波的作用下按照盾构机刀具的三维实体模型生成的加工程序依次将盾构机刀刃与刀体激光加工成型，其中激光3D打印系统运行时的激光功率为300W、扫描速度为1200mm/s、扫描间距为50μm、激光光斑为60μm，而超声冲击装置则以冲击速度为0.3m/min对成形层进行3min冲击处理，然后将盾构机刀具基体置于乙醇中超声清洗，烘干；（3）先后使用粒度为800#与600#的金相砂纸对基体表面进行抛光处理，去除表面污垢沉积，使基体表面达到Sa1级清洁度，通过可输出中心波长为1064nm的激光的光纤激光打标机，然后设定激光工艺参数为光斑直径激光功率P=50W、扫描速度400mm/s、扫描次数N=5，对刀具前刀面靠近主切削刃处打出圆坑微织构阵列，打标深度为0.5mm；（4）采用超声波清洗机配合丙酮溶液对刀具表面进行清洗8分钟，完全除去基体表面附着物及杂质，结束后将其置于80℃的环境中干燥1.5h；（5）将Co50自熔性合金粉末作为粘结相，并在粉末中加入一定量的WC颗粒与Al粉(质量分数为1%)，激光熔覆粉末中WC与Co50的质量比为65:10，使用球磨(转速为50 r/min)对激光熔覆粉末进行混合﹐处理3~4 h后将其球磨至100nm以下，然后放在干燥箱中对其干燥，采用真空环境避免其发生氧化反应；（6）通过预置或同步送粉方式铺在盾构机前刀刃的表面，厚度约为0.3~0.4mm，在流量为40L/min的氩气环境中使其在半导体激光器laserline LDF（激光功率为1600w，扫描速度为5 mm/s，光斑直径为5mm，离焦量为45 mm）的辐照作用下，迅速熔化、扩展并快速凝固(冷速高达102~106*C/s)，形成与刀具表面呈良好冶金结合的抗腐蚀、抗疲劳、高硬度、耐磨的纳米涂层。
增强型分离栅沟槽MOS器件及其制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回专利号: CN114420565A
申请人: 深圳市美浦森半导体有限公司
发明人: 袁秉荣;陈佳旅;王海强;何昌;蒋礼聪
申请日期: 2022-03-28
公开日期: 2022-04-29
IPC分类:
H01L29/78
摘要:
一种增强型分离栅沟槽MOS器件及其制造方法，其制造方法包括对基底进行刻蚀，形成第一深度沟槽，在该第一深度沟槽底部进行离子注入工艺，在该第一深度沟槽底部的外周形成增强区，沿该第一深度沟槽的底部继续刻蚀，形成第二深度沟槽，该第一深度沟槽与该第一深度沟槽共同形成分离栅沟槽，在该分离栅沟槽中形成屏蔽栅以及控制栅，其中，该屏蔽栅的顶部高于该增强区，由于在屏蔽栅的顶部的周围增加一道离子注入，改变了这个位置的外延浓度，从而增强了该处的电场，达到了增加击穿电压的作用，因此，相同的击穿电压下，本发明实施例中的增强型SGT结构MOS器件可以获得更低的比导通电阻。
主权项:
1.一种增强型分离栅沟槽MOS器件的制造方法，其特征在于，包括步骤：对基底进行刻蚀，形成第一深度沟槽；在所述第一深度沟槽底部进行离子注入工艺，在所述第一深度沟槽底部的外周形成增强区；沿所述第一深度沟槽的底部继续刻蚀，形成第二深度沟槽，所述第一深度沟槽与所述第一深度沟槽共同形成分离栅沟槽；在所述分离栅沟槽中形成屏蔽栅以及控制栅，其中，所述屏蔽栅的顶部高于所述增强区。
GaN基高电子迁移率晶体管、欧姆金属电极及其制备方法
实质审查的生效专利号: CN114784096A
申请人: 中国科学院微电子研究所
发明人: 刘明远;郑英奎;康玄武
申请日期: 2022-03-09
公开日期: 2022-07-22
IPC分类:
H01L29/45
摘要:
本发明涉及一种GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法，该晶体管的最顶层为氮化物层，本发明通过对该氮化物层表面进行等离子体处理，在其内部形成了氮空位，进而形成了重掺杂，从而降低了GaN基衬底与欧姆金属电极之间的欧姆接触电阻。本发明还涉及一种欧姆金属电极及其制备方法，该欧姆金属电极具有Ti/Al/Ti/Al/Ti/Al/Ni/Au层结构，能够增大Ti和Al的接触面积，Al在各层起到催化作用，使Ni与势垒层的反应更加充分，从而能够显著降低欧姆接触电阻。此外，本发明还涉及一种半导体结构及其制备方法。
主权项:
1.一种GaN基高电子迁移率晶体管，其特征在于，其最顶层为氮化物层，所述氮化物层用于与欧姆金属电极形成欧姆接触，其中，所述氮化物层具有氮空位。
一种半导体用GaSb靶材的制备方法
发明专利权授予专利号: CN114657400A
申请人: 先导薄膜材料（广东）有限公司
发明人: 沈文兴;白平平;谢小豪;童培云
申请日期: 2022-03-01
公开日期: 2023-02-17
IPC分类:
B22F9/04
摘要:
一种半导体用GaSb靶材的制备方法。本发明提供锑化镓靶材的制备方法，包括：以高纯Ga和Sb颗粒为原料，于手套箱中装入石英管内，石英管抽真空后进行焊接密封；将石英管放入摇摆炉进行熔炼，在合金熔点以上将石英管取出急冷得锑化镓合金锭；将锑化镓合金锭破碎成合金颗粒，将合金颗粒和锆球装入充有保护气体的球磨罐中，向球磨罐中充入保护气体、密封后，进行球磨制粉得到锑化镓合金粉；将锑化镓合金粉进行预压得到锑化镓合金坯体，再经真空热压烧结得到合金毛坯，经加工后得到锑化镓合金靶材。所制备的靶材致密度高、纯度高、成分均匀性好、氧含量低，能很好地满足需求，克服了现有方法制备锑化镓靶材存在的难以破碎所需粉体、制备的材料中容易产生杂相、出现游离物等问题。
主权项:
1.一种半导体用GaSb靶材的制备方法，其特征在于，包括：S1、采用高纯Ga颗粒、Sb颗粒为原料，将原料于手套箱中装入石英管内，并将石英管抽真空后进行焊接密封；S2、将焊接好的石英管放入摇摆炉中，固定好后进行熔炼，熔炼完成后，在合金熔点以上将石英管取出后进行急冷，得到GaSb合金锭；S3、取出GaSb合金锭，经洁净处理后，将GaSb合金锭破碎成合金颗粒，然后将合金颗粒和锆球装入充有保护气体的球磨罐中，再向球磨罐中充入保护气体、密封后，进行球磨制粉，经筛粉得到所需粒径的GaSb合金粉；S4、将GaSb合金粉放入模具中，进行预压，得到锑化镓合金坯体，再进行真空热压烧结，得到锑化镓合金毛坯，经研磨和加工后得到锑化镓合金靶材。
一种场板结构的碳化硅功率二极管及其制备方法
发明专利权授予专利号: CN114551602A
申请人: 南通大学
发明人: 余晨辉;沈倪明;陈红富;秦嘉怡;成田恬;罗曼
申请日期: 2022-02-28
公开日期: 2022-05-27
IPC分类:
H01L29/861
摘要:
本发明公开一种场板结构的碳化硅功率二极管及其制备方法，其中该功率二极管是由碳化硅与氧化铝组成。本发明首先利用FP和Al2O3在SiC半导体工艺中实现横向渐变掺杂，然后将这种渐变掺杂应用到JTE结构中，用来解决传统双区JTE终端结构中击穿电压小、JTE区掺杂浓度窗口窄等问题。在Al2O3的高介电常数特性和FP技术的共同作用下会在JTE区上方产生强度合适的电场，用来调控JTE内部空穴在纵向空间当中的不均匀分布，避免空穴过于集中在Al2O3与JTE区的界面处。所以，本发明中的SiC功率二极管不仅拥有大击穿电压、宽JTE区掺杂浓度窗口，而且制备难度低、易操作，这大大提高了PiN功率二极管的工作性能。
主权项:
1.一种场板结构的碳化硅功率二极管，其特征在于：该功率二极管为对称的圆柱形结构，从下至上依次为n+型SiC衬底层(1)、i型SiC外延层(2)和p+型SiC层(3)；在所述p+型SiC层(3)的边缘呈同心圆状自内向外扩展有两个JTE层环形结构，依次为均匀掺杂的JTE层(4)和渐变掺杂的G-JTE层(5)；所述两个JTE层正上方为环形结构Al2O3层，其中Al2O3层自内向外也被分为两个区域，依次为完全覆盖在JTE层(4)正上方的第一Al2O3区(6)与完全覆盖在G-JTE层(5)正上方的第二Al2O3区(7)；所述p+型SiC层(3)和Al2O3层上方引出Ti/Au金属顶电极(8)；所述n+型SiC衬底层(1)下方引出Ti/Au金属底电极(9)。
一种LED外延片、外延生长方法及LED芯片
实质审查的生效专利号: CN114551661A
申请人: 江西兆驰半导体有限公司
发明人: 程龙;印从飞;刘春杨;胡加辉
申请日期: 2022-02-22
公开日期: 2022-05-27
IPC分类:
H01L33/14
摘要:
本发明提供一种LED外延片、外延生长方法及LED芯片，外延生长方法包括在生长P型接触层时，控制生长温度从高温逐渐降至低温，同时，掺杂Mg，控制Mg通入浓度高于P型GaN层Mg浓度，并且随着生长温度的降低，所述Mg通入浓度逐渐升高，因为在较高温度生长Mg掺GaN层可以得到较高晶体质量的Mg掺GaN层，同时，高温时，Mg较易掺杂进入GaN层中，但在低温时，掺杂Mg效率的下降很多，而通过在低温提高通入Mg的浓度，可以改善Mg在低温时掺杂浓度低的问题，又由于从高温到低温，降温的过程Mg逐渐并入，有效减少了Mg掺GaN层的晶格失配，从而使得P型接触层的接触电阻降低的同时，保证了晶体质量。
主权项:
1.一种LED外延片的外延生长方法，其特征在于，所述外延生长方法包括：在生长P型接触层时，控制生长温度从高温逐渐降至低温，同时，掺杂Mg，控制Mg通入浓度高于P型GaN层Mg浓度，并且随着生长温度的降低，所述Mg通入浓度逐渐升高。
一种P型碳化硅Cu/Ti/Al/Ni欧姆接触结构及制造方法
实质审查的生效专利号: CN116632054A
申请人: 大连海事大学
发明人: 曹菲; 徐洋喜; 包梦恬; 王颖
申请日期: 2022-02-14
公开日期: 2023-08-22
IPC分类:
H01L21/04
摘要:
本发明涉及半导体器件制造领域，特别涉及一种P型碳化硅Cu/Ti/Al/Ni欧姆接触结构及制造方法。所述P型SiC/Cu/Ti/Al/Ni欧姆接触结构包括碳化硅衬底以及依次设置于所述碳化硅衬底表面的Cu金属层、Ti金属层、Al金属层、Ni金属层。相较于Ti/Al基体系，本发明P型SiC/Cu/Ti/Al/Ni欧姆接触结构用于防止金属Al发生氧化，又降低形成欧姆接触所需的P型SiC掺杂浓度，并形成较好的欧姆接触特性。
主权项:
1.一种P型碳化硅Cu/Ti/Al/Ni欧姆接触结构，其特征在于，包括碳化硅衬底以及依次设置于所述碳化硅衬底表面的Cu金属层、Ti金属层、Al金属层、Ni金属层。
半导体装置用Al接合线 半導體裝置用Al接合線
实质审查的生效专利号: CN116848624A;TW202239982A
申请人: 日铁新材料股份有限公司;
发明人: 小山田哲哉;须藤裕弥;宇野智裕;小田大造;大石良;栗原佑仁;須藤裕弥
申请日期: 2022-01-31
公开日期: 2023-10-03
IPC分类:
H01L21/60
摘要:
本发明提供一种在第2接合部中稳定地带来良好的接合强度的半导体装置用Al接合线。一种半导体装置用Al接合线，其包含Sc、Zr、Mg中的1种以上总计0.01质量％以上且小于0.8质量％；该半导体装置用Al接合线中，对包含所述接合线的线轴的与线轴方向平行的截面的晶体取向进行了测定，结果，相对于线轴方向角度差为15度以下的＜100＞晶体取向的取向比例为30％以上90％以下。
主权项:
1.一种半导体装置用Al接合线，其包含Sc、Zr、Mg中的1种以上总计0.01质量％以上且小于0.8质量％；该半导体装置用Al接合线中，对包含所述接合线的线轴的与线轴方向平行的截面的晶体取向进行测定的结果，相对于线轴方向的角度差为15度以下的＜100＞晶体取向的取向比例为30％以上90％以下。
一种旋转泡沫3D电极电化学反应器及废水氧化反应装置
未知状态专利号: CN114314766A
申请人: 无锡市张华医药设备有限公司
发明人: 蒋文春;章泉志
申请日期: 2021-12-31
公开日期: 2023-10-31
IPC分类:
C02F1/461
摘要:
本发明公开了一种旋转泡沫3D电极电化学反应器及废水氧化反应装置，涉及电极材料技术领域。旋转泡沫3D电极电化学反应器包括壳体和3D电极，3D电极为可旋转电极，其包括阳极模块和阴极模块；阳极模块包括旋转轴和位于旋转轴上的若干块阳极板，每块阳极板由采用半导体陶瓷材料的基底和电镀在所述基底上的β?PbO2镀层组成，阴极模块包括阴极板及位于阴极板上的支撑部，阴极板设置有若干块，每块阴极板设置在两块阳极板之间的间隙中，组合在一起的阳极模块和阴极模块的整体形状为一筒体。本发明反应器具有有机物降解能耗低、水处理成本低、孔隙丰富不易堵塞、设备压降低的优势，可实现电化学高级氧化在废水处理行业的工程化应用。
主权项:
1.一种旋转泡沫3D电极电化学反应器，其包括壳体和3D电极，所述的3D电极位于所述的壳体内，且所述的壳体配置有与其适配的盖体，所述的壳体上设置有入口和出口，其特征在于：所述的3D电极为可旋转电极，其包括阳极模块和阴极模块；所述的阳极模块包括旋转轴和位于旋转轴上的若干块阳极板，所述的旋转轴位于所述壳体的轴心线上，若干块阳极板可绕着所述的旋转轴进行360度旋转，每块阳极板为大小相同的圆形，每块阳极板由采用半导体陶瓷材料的基底和电镀在所述基底上的β-PbO2镀层组成，在伸入壳体底部的旋转轴上连接有用于固定所述的旋转轴与阳极模块的稳定器；所述的阴极模块包括阴极板及位于阴极板上的支撑部，所述的阴极板为冲孔不锈钢板，所述的阴极板设置有若干块，每块阴极板设置在两块阳极板之间的间隙中，组合在一起的阳极模块和阴极模块的整体形状为一筒体，阴极板与相邻的阳极板之间的间距为20～50mm，所述的支撑部包括多根不锈钢棒，每根不锈钢棒穿过所述的阴极板，其中露出筒体外的部分为阴极拉杆接线柱，所述的阴极拉杆接线柱与铜排连接用于阴极接电；伸出壳体的旋转轴连接有带轮传动机构，在远离壳体的旋转轴的一端设置有接线器，所述的接线器用于接直流电源正极。
等离子处理设备
发明专利权授予专利号: CN114360999A
申请人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
发明人: 蔡瀚霆;匡友元
申请日期: 2021-12-30
公开日期: 2023-06-27
IPC分类:
H01J37/32
摘要:
本申请实施例公开了一种等离子处理设备，等离子体发生器用于朝第一方向输出等离子体；等离子体发生器、基板载台、框形载台沿第一方向依次设置，等离子体通过基板载台的等离子处理开口输出至基板的待处理表面；其中，容纳腔包括基板载台分割而成的第一腔体和第二腔体，第一腔体和第二腔体通过等离子处理开口连通；其中，当基板设置于基板载台上时，框形载台接触基板载台的表面和基板远离基板载台的表面，以使得第一腔体和第二腔体隔离，从而防止等离子体向待处理基板的待处理表面的背面逸散，可以限定等离子处理的范围，从而提升显示面板的性能。
主权项:
1.一种等离子处理设备，所述等离子处理设备包括壳体和所述壳体内的容纳腔，其特征在于，所述等离子处理设备还包括设置于所述容纳腔内的：等离子体发生器，设置于所述容纳腔内的一端，所述等离子体发生器用于朝第一方向输出等离子体；基板载台，沿第一方向设置于所述等离子体发生器的一侧，所述基板载台包括至少一个等离子处理开口，所述等离子体通过所述等离子处理开口输出至基板的待处理表面；框形载台，沿所述第一方向设置于所述基板载台远离所述等离子体发生器的一侧；其中，所述容纳腔包括所述基板载台分割而成的第一腔体和第二腔体，所述第一腔体位于所述基板载台和所述等离子体发生器之间，所述第二腔体位于所述基板载台远离所述第一腔体的一侧，所述第一腔体和所述第二腔体通过所述等离子处理开口连通；其中，当所述基板设置于所述基板载台上时，所述框形载台接触所述基板载台的表面和所述基板远离所述基板载台的表面，以使得所述第一腔体和所述第二腔体隔离。
芯片封装模块及其制作方法、功率半导体模块和车辆
未知状态专利号: CN116417414A
申请人: 比亚迪半导体股份有限公司
发明人: 潘奇雯;石守操
申请日期: 2021-12-30
公开日期: 2023-07-11
IPC分类:
H01L21/48
摘要:
本发明公开了芯片封装模块、功率半导体模块和车辆，包括基板和芯片组件；芯片组件包括芯片和导热导电的复合层；芯片的极端子中的至少一种上设有复合层；复合层包括缓冲层和第一金属涂层；缓冲层覆于极端子的正面上，且部分连续；第一金属涂层成型于缓冲层的正面上，并连接于极端子的正面的露出于缓冲层正面的部位上；本发明还公开了芯片封装模块的制作方法，将缓冲层粘于极端子的正面上；将金属粉末，或包含金属粉末的悬浊液，或混有金属粉末的聚合物树脂作为第一涂覆材料，涂于缓冲层以及极端子上；将第一涂覆材料固化成第一金属涂层。复合层提高芯片上方的热电导通能力，通过缓冲层吸收应力，保证复合层与芯片组件的可靠连接，延长使用寿命。
主权项:
1.一种芯片封装模块，包括基板；其特征在于：还包括设于所述基板上的芯片组件；所述芯片组件包括芯片和导热导电的复合层，所述芯片的背面连接于所述基板上；所述芯片的极端子中：至少一种极端子的正面上设有所述复合层；当多种所述极端子上设有所述复合层时，对应于不同的所述极端子的所述复合层之间电分离；所述复合层包括缓冲层和第一金属涂层；所述缓冲层覆于所述极端子的正面上，且部分连续，所述极端子的局部自所述缓冲层的非连续处外露；所述第一金属涂层成型于所述缓冲层的正面上，并连接于所述极端子的正面的露出于所述缓冲层正面的部位上；所述第一金属涂层通过外接导体连接于所述基板上的外接金属层上。
碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法
实质审查的生效专利号: CN114944426A
申请人: 富士电机株式会社
发明人: 大瀬直之;内海诚
申请日期: 2021-12-27
公开日期: 2022-08-26
IPC分类:
H01L21/04
摘要:
本发明提供能够在具备AlSi电极的碳化硅半导体装置中使成品率提高的碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法。通过溅射在由碳化硅构成的半导体基板的表面设置有由包含硅的铝合金构成的AlSi电极。在AlSi电极中析出有Si结节。AlSi电极在成为至少与键合线的接合部的部分中，以相对于该接合部处的Si结节的总面积为10％以上的面积比率包含枝晶结构的Si结节。AlSi电极中的Si结节的高度在枝晶结构和棱柱结构中的任一结构的Si结节中均为2μm以下。在AlSi电极的溅射时，将半导体基板的温度或AlSi电极的形成区域周边的温度、或者这两种温度设为430℃以上且500℃以下。
主权项:
1.一种碳化硅半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板，其由碳化硅构成；以及表面电极，其设置于所述半导体基板的表面，并由包含硅的铝合金构成，在所述表面电极的内部析出有硅结节，所述表面电极在成为至少与键合线的接合部的部分中，以相对于该接合部处的硅结节的总面积为10％以上的面积比率包含枝晶结构的硅结节。
溅射靶材扩散焊接组合体及方法
实质审查的生效专利号: CN114192962A
申请人: 浙江最成半导体科技有限公司
发明人: 高超;林智行;大岩一彦;山田浩;姚科科
申请日期: 2021-12-22
公开日期: 2022-03-18
IPC分类:
B23K20/02
摘要:
本发明公开了溅射靶材扩散焊接组合体及方法，该扩散焊接组合体包括靶材组件和盖板，靶材组件包括靶材和背板，背板的上、下表面中的至少一面开设内凹的槽，靶材嵌入槽后与背板齐平；背板开设槽的表面覆盖盖板，背板与盖板接触面或外周密封，从而将靶材组件与盖板密封为一个整体，靶材密封于背板与盖板组成的密闭容纳腔内。溅射靶材扩散焊接方法包括：背板开设槽的表面铺设盖板，将盖板与背板接触面或外周密封；将至少两个扩散焊接组合体层叠放置于热等静压炉内，进行热等静压扩散焊接。该发明的溅射靶材扩散焊接组合体及方法，省略了包套和抽真空等工序，结构简单，加工制造成本低。
主权项:
1.溅射靶材扩散焊接组合体，其特征在于，该扩散焊接组合体包括靶材组件(1)和盖板(2)，靶材组件(1)包括靶材(11)和背板(12)，背板(12)的上、下表面中的至少一面开设内凹的槽(13)，靶材(11)嵌入槽(13)后与背板(12)齐平；背板(12)开槽(13)一侧表面覆盖盖板(2)，背板(12)与盖板(2)接触面或外周密封，从而将靶材组件(1)与盖板(2)密封为一个密闭整体，靶材(11)密封于背板(12)与盖板(2)组成的密闭容纳腔内。
等离子清洗机
发明专利申请公布后的驳回专利号: CN114308900A
申请人: 深圳泰德半导体装备有限公司
发明人: 孔令民;钟军勇;邵文林;朱霆;周学慧;张凯
申请日期: 2021-12-22
公开日期: 2022-04-12
IPC分类:
B08B13/00
摘要:
本发明公开一种等离子清洗机，该等离子清洗机包括等离子清洗机本体和物料放置轨道；所述物料放置轨道用于放置待清洗物料，所述物料放置轨道设于所述等离子清洗机本体内，所述物料放置轨道的裸露面喷涂有复合陶瓷材料。本发明技术方案通过改变传统的普通物料放置轨道，在物料放置轨道的裸露面喷涂有复合陶瓷材料，利用复合陶瓷材料的电子绝缘性能，确保物料清洗均匀性、保证等离子清洗能量、延长物料放置轨道使用周期、提高物料清洗的时效性。
主权项:
1.一种等离子清洗机，其特征在于，包括等离子清洗机本体；物料放置轨道，用于放置待清洗物料，所述物料放置轨道设于所述等离子清洗机本体内，所述物料放置轨道的裸露面喷涂有复合陶瓷材料。
金属粉末专利分析
材料体系分布
制备工艺分布
技术领域分布 (IPC分类)
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B22F10/28(3D打印) • B22F9/04(制粉) •
C23C24/10(涂层) • C22C19/05(镍合金) •
B33Y50/02(控制) • C22F1/18(热处理)