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一种硬质合金铣刀制备工艺
发明专利申请公布后的撤回专利号: CN116083902A
申请人: 常州市双宇精密工具科技有限公司
发明人: 谢玉宇;谢东宇
申请日期: 2023-02-02
公开日期: 2023-05-09
IPC分类:
C21D6/00
摘要:
本发明涉及铣刀制备技术领域，尤其涉及一种硬质合金铣刀制备工艺，解决了现有技术中激光的高热量会对刀具熔覆点周围的其他部位产生影响，而这种影响的优劣无法控制的问题。一种硬质合金铣刀制备工艺，包括退火时对圆柱形铣刀毛坯进行等温退火，机械切削时，需要接加工后的铣刀进行测量，保证加工数据精确度，淬火时，仅对铣刀头部进行淬火，回火时，回火次数为三次，喷砂时，利用喷砂机对铣刀的毛刺进行去除。本发明对铣刀进行硬度、强度等进行检测，同时利用测试铣床对铣刀成品进行模拟实际加工进行检测，在制备方法上更加的合理化，并且严格控制加工进度，同时报废率大大降低，并且通过抽检，可以大幅度控制硬质合金铣刀的品质。
主权项:
1.一种硬质合金铣刀制备工艺，包括将硬质合金棒料利用800目砂纸打磨表层氧化物并用丙酮清洗，用热风机吹干，将一定配比的AlCrN合金粉末放入送粉器中，激光熔覆利用半导体激光器采用同步送粉方式进行，送粉速率25～30g/cm，激光光斑尺寸为3mm*4mm，激光功率为1000～1800W，搭接率Q为30～45％，激光熔覆过程中，将硬质合金一端固定在可转动的旋转轴上，转速为80～140r/min，进给速度240～720mm/min，保护气体为Ar气，在硬质合金棒料表面制备AlCrN复合涂层，利用外圆磨床将覆盖有AlCrN涂层的硬质合金棒料打磨掉表层一部分，将打磨后的棒料在数控机床上加工成铣刀。
一种爆炸箔及其批量化制备方法
发明专利权授予专利号: CN116254506A
申请人: 陕西电器研究所
发明人: 武绍宽;戚云娟;段亮;潘婷;吕小俊
申请日期: 2023-01-31
公开日期: 2024-09-06
IPC分类:
C23C14/04
摘要:
本发明涉及一种爆炸箔及其批量化制备方法，属于点火起爆装置和微电子机械技术领域。所述爆炸箔为由下向上依次由Ti膜、Al膜、Ni膜、Cu膜和Au膜组成的复合膜；所述Ti膜的厚度为5～200nm，Al膜的厚度为100～300nm、Ni膜的厚度为100～300nm、Cu膜的厚度为1000～5000nm，Au膜的厚度为5～100nm；所述爆炸箔以蓝宝石晶圆为衬底，采用匀胶光刻和磁控溅射镀膜工艺在晶圆上由下向上依次沉积Ti、Al、Ni、Cu、Au膜，最后通过激光切割划片并在衬底上加工通孔，得到沉积有所述爆炸箔的单个晶圆；全过程采用半导体制备工艺，可批量化生产，提高生产效率，降低成本并提高爆炸箔的精度。
主权项:
1.一种爆炸箔，其特征在于：所述爆炸箔为由下向上依次由Ti膜、Al膜、Ni膜、Cu膜和Au膜组成的复合膜；其中，所述Ti膜的厚度为5nm～200nm，Al膜的厚度为100nm～300nm、Ni膜的厚度为100nm～300nm、Cu膜的厚度为1000nm～5000nm，Au膜的厚度为5nm～100nm；所述爆炸箔的电阻值范围为30mΩ～50mΩ。
一种金属粉末多功能精密热压液压机
专利申请权、专利权的转移专利号: CN219425677U
申请人: 北票新宇环保装备有限公司
发明人: 蒋诗嘉;时玉梅
申请日期: 2023-01-06
公开日期: 2023-07-28
IPC分类:
B22F3/14
摘要:
本实用新型公开了一种金属粉末多功能精密热压液压机，包括工作台，所述工作台的顶部设置有定模，所述定模的内部设置有控温机构，所述控温机构包括内腔，所述内腔开设在定模的内部，所述内腔的内部设置有辅助组件，所述内腔的内表面固定连接有滑轨，所述滑轨的外表面滑动连接有滑块，所述滑块的外表面固定连接有转动电机，所述转动电机的输出端固定连接有半导体制冷片，所述半导体制冷片的外表面与内腔的内表面活动连接，所述转动电机的外表面贯穿活动连接有圆板，涉及热压液压机技术领域，解决了现有热压成型机使用时，仍存在烫伤风险，同时推落的物料无法及时搬运，影响后续工件的出料，以及落下的工件容易变形损毁的问题。
主权项:
1.一种金属粉末多功能精密热压液压机，包括工作台(1)，所述工作台(1)的顶部设置有定模(2)，其特征在于：所述定模(2)的内部设置有控温机构，所述控温机构包括内腔(3)，所述内腔(3)开设在定模(2)的内部，所述内腔(3)的内部设置有辅助组件(4)，所述内腔(3)的内表面固定连接有滑轨(5)，所述滑轨(5)的外表面滑动连接有滑块(6)，所述滑块(6)的外表面固定连接有转动电机(7)，所述转动电机(7)的输出端固定连接有半导体制冷片(8)，所述半导体制冷片(8)的外表面与内腔(3)的内表面活动连接，所述转动电机(7)的外表面贯穿活动连接有圆板(9)，所述圆板(9)的外表面与滑块(6)的外表面固定连接，所述圆板(9)的外表面开设有环槽(10)，所述环槽(10)内表面的两侧均活动连接有滑柱(11)，两侧所述滑柱(11)的外表面均与半导体制冷片(8)的外表面固定连接。
一种用于等离子处理器的下电极组件
实质审查的生效专利号: CN118263079A
申请人: 中微半导体设备（上海）股份有限公司
发明人: 杜杰;陈妙娟
申请日期: 2022-12-28
公开日期: 2024-06-28
IPC分类:
H01J37/32
摘要:
本发明提供一种用于等离子处理器的下电极组件，其特征在于，包括一基座，基座上方包括加热器和静电吸盘，所述静电夹盘用于支撑待处理基片；基座下方包括一控温板，一隔热板位于所述基座和控温板之间实现对所述基座和控温板之间的热隔离；所述基座中包括第一冷却液通道，所述第一冷却液通道用于连接到第一冷却液源；控温板中包括第二冷却液通道，所述第二冷却液通道用于连接到第二冷却液源；一绝缘套管穿过所述控温板和隔热层到达基座，一电缆位于绝缘套管内，所述电缆一端连接到基座，另一端用于连接到控温板下方的至少一个射频电源；所述控温板中设置有一个辅助控制电路，用于驱动控制所述加热器。
主权项:
1.一种用于等离子处理器的下电极组件，其特征在于，包括一基座，基座上方包括加热器和静电吸盘，所述静电夹盘用于支撑待处理基片；基座下方包括一控温板，一隔热板位于所述基座和控温板之间实现对所述基座和控温板之间的热隔离；所述基座中包括第一冷却液通道，所述第一冷却液通道用于连接到第一冷却液源；控温板中包括第二冷却液通道，所述第二冷却液通道用于连接到第二冷却液源；一绝缘套管穿过所述控温板和隔热层到达基座，一电缆位于绝缘套管内，所述电缆一端连接到基座，另一端用于连接到控温板下方的至少一个射频电源；所述控温板中设置有一个辅助控制电路，用于驱动控制所述加热器。
等离子处理装置
实质审查的生效专利号: CN118556280A
申请人: 株式会社日立高新技术
发明人: 石桥凉汰;于盛楠;佐藤浩平
申请日期: 2022-12-26
公开日期: 2024-08-27
IPC分类:
H01L21/31
摘要:
提供一种使真空容器内部的排气流导提高、使稳定的等离子形成形成的等离子处理装置。等离子处理装置在真空容器外部配置多个驱动致动器，用多根臂连接驱动致动器和样品台底面的外周部。通过利用驱动致动器进行的臂的上下驱动来上下驱动样品台。为了供电等目的而与样品台连接的电缆类和臂在铅垂方向上并列配置，通过将电缆类作为沿着臂的布线路径来抑制滑动，减少样品台单元所占的真空容器的容积。
主权项:
1.一种等离子处理装置，其特征在于，具备：处理室，配置在真空容器的内部，在其内侧形成等离子；以及样品台，配置在所述处理室的内部，载置使用所述等离子处理的半导体晶片；作为构成所述真空容器的构件而具备：上部容器，载置于在所述样品台的外周与所述样品台连接而配置的环状的样品台基座以及所述样品台基座的上方并具有圆筒形；多个支承梁，将所述样品台与所述样品台基座之间连接；臂，配置于所述支承梁的内部的空间，在水平方向上延伸的一端部与所述样品台的外周部的底部连结并在所述支承梁的内部的空间上下移动；驱动部，配置于所述真空容器的外部，与所述臂的另一端部连接并使该臂在上下方向上移动；以及电缆，与经由配置于所述样品台的底部的连接器供给高频电力的电极电连接，流过该高频电力，固定于所述臂并伴随所述臂的驱动在上下方向上移动。
一种半导体器件及其制造方法
实质审查的生效专利号: CN116031302A
申请人: 杭州富芯半导体有限公司
发明人: 刘丽宾
申请日期: 2022-12-23
公开日期: 2023-04-28
IPC分类:
H01L29/78
摘要:
本申请公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括电容结构，电容结构包括第一电极、与第一电极相对的第二电极和位于第一电极和第二电极之间的栅介质，其中，第一电极的中间部分的第一厚度小于外围部分的第二厚度且第一厚度与所第二厚度之间的差大于厚度差阈值，使得第一电极在中间部分形成凹槽；凹槽的开口与第二电极相对，凹槽的第一宽度大于等于第二电极的第二宽度。如此，既可以通过增大上下极之间的距离减少电容，又不会对半导体器件的高度或电学性能产生影响，从而使得半导体器件取得较佳的综合性能。
主权项:
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括电容结构，所述电容结构包括第一电极、与所述第一电极相对的第二电极和位于所述第一电极和所述第二电极之间的栅介质，其特征在于：所述第一电极的中间部分的第一厚度小于外围部分的第二厚度且所述第一厚度与所述第二厚度之间的差大于厚度差阈值，使得所述第一电极在中间部分形成凹槽；所述凹槽的开口与所述第二电极相对，所述凹槽的第一宽度大于等于所述第二电极的第二宽度。
一种高纯度铝镍合金材料及其制备方法
发明专利申请公布后的驳回专利号: CN115838884A
申请人: 宁波锦越新材料有限公司
发明人: 张瑾; 冷哲; 叶翔; 周建波
申请日期: 2022-12-12
公开日期: 2023-03-24
IPC分类:
C22C21/00
摘要:
本发明涉及铝合金材料领域，公开了一种高纯度铝镍合金材料及其制备方法，以高纯Al(5N?6N)、Ni(5N?6N)、Si(5N?6N)为原材料，通过制备低质量分数的Al?Ni、Al?Si中间合金熔铸而成；该合金各元素质量含量分别为Ni：40?60ppm，Si：5?10ppm，杂质元素质量含量分别为Fe：＜5ppm，Cu：＜5ppm，Ti：＜2ppm，Mn：＜3ppm，Mg：＜5ppm，Ag：＜3ppm，Ca：＜5ppm及其他杂质，总杂质含量小于20ppm，余量为Al；本发明制备的铝镍合金纯度高、成分均匀、延展性及导电性能优异，是制备铝合金键合丝等半导体零部件的理想材料。
主权项:
1.一种高纯度铝镍合金材料，其特征在于：所述铝镍合金中各元素质量含量分别为：Ni：40-60ppm，Si：5-10ppm，Fe：＜5ppm，Cu：＜5ppm，Ti：＜2ppm，Mn：＜3ppm，Mg：＜5ppm，Ag：＜3ppm，Ca：＜5ppm，余量为Al以及杂质元素，其中，总杂质元素含量小于20ppm。
一种风电滑动轴激光熔覆工艺
发明专利权授予专利号: CN115772668A
申请人: 江苏智远激光装备科技有限公司
发明人: 农光壹;谭长伟;林培晨
申请日期: 2022-12-09
公开日期: 2024-05-14
IPC分类:
C23C24/10
摘要:
本发明属于风电滑动轴加工技术领域，具体涉及一种风电滑动轴激光熔覆工艺，包括以下步骤：S1、去除工件表面缺陷；S2、清洁工件，遮挡工件非加工处；S3、根据工艺需求编写熔覆轨迹程序；S4、设置工艺参数，令激光熔覆机构按照熔覆轨迹程序进行激光熔覆；S5、完成激光熔覆后，去除遮挡，将工件加工成成品尺寸。本申请通过采用红外半导体激光熔覆的方法，实现了风电行业滑动轴的激光熔覆铜合金熔覆及修复再制造，熔覆层无裂纹、气孔、沙眼等缺陷，替代了铜制衬套的工艺方法，将铜制衬套与行星齿轮轴颈合二为一，同时解决了锡青铜熔覆气孔率高、结合度低的难题，实现了滑动轴的旧品修复或者缺陷品修复再利用。
主权项:
1.一种风电滑动轴激光熔覆工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1、去除工件表面缺陷；S2、清洁工件，遮挡工件非加工处；S3、根据工艺需求编写熔覆轨迹程序；S4、设置工艺参数，令激光熔覆机构按照熔覆轨迹程序进行激光熔覆；S5、完成激光熔覆后，去除遮挡，将工件加工成成品尺寸。
阻抗感测系统中的干扰减轻 阻抗感測系統中之干擾抑制
国际专利申请公布专利号: CN118661430A;TW202345980A
申请人: 思睿逻辑国际半导体有限公司
发明人: 西德哈斯·马鲁;特贾斯维·达斯;馬魯 西達爾特;達斯 泰傑斯菲
申请日期: 2022-12-06
公开日期: 2024-09-17
IPC分类:
G06F3/01
摘要:
一种系统可以包括：被配置为将驱动信号驱动到输出换能器的驱动电路；被配置为响应于驱动信号而感测与输出换能器相关联的物理量的感测电路；以及被配置为检测系统的干扰的存在并减轻系统中的干扰的影响的干扰检测电路。
主权项:
1.一种系统，所述系统包括：驱动电路，所述驱动电路被配置为将驱动信号驱动到输出换能器；感测电路，所述感测电路被配置为响应于所述驱动信号而感测与所述输出换能器相关联的物理量；和干扰检测电路，所述干扰检测电路被配置为：检测所述系统的干扰的存在；以及减轻所述系统中的干扰的影响。
一种LED支架的银面局部粗化设备及其粗化方法
实质审查的生效专利号: CN115787029A
申请人: 崇辉半导体（江门）有限公司
发明人: 罗小平;郑建国;李蓉华
申请日期: 2022-11-25
公开日期: 2023-03-14
IPC分类:
C25D11/34
摘要:
本发明涉及一种LED支架的银面局部粗化设备及其粗化方法，粗化设备包括喷淋装置、上模板、下模板、安装架和升降装置，升降装置用于带动上模板升降，喷淋装置包括金属喷嘴，用于连接电源正极，LED支架连接电源负极，上模板和下模板用于夹紧LED支架，下模板上设有镂空孔，用于露出LED支架银面的待粗化区，喷淋装置用于将粗化药水喷淋在LED支架银面的待粗化区，以进行银面的阳极粗化。本申请通过对LED支架的镂空部分和半蚀刻区域进行选择性粗化处理，能提高LED支架和塑封胶结合力，进而提高塑封后LED器件气密性，同时还能避免其他区域的亮银面被粗化，不改变LED支架原有的光亮度和其他性能。
主权项:
1.一种LED支架的银面局部粗化设备，其特征在于，包括喷淋装置(10)、上模板(20)、下模板(30)、安装架(40)和升降装置(50)，所述升降装置(50)设置在安装架(40)上，所述升降装置(50)用于带动上模板(20)升降，所述喷淋装置(10)包括金属喷嘴(11)，用于连接电源正极，LED支架(100)连接电源负极，所述上模板(20)和下模板(30)用于夹紧LED支架(100)，所述下模板(30)上设有镂空孔(31)，用于露出LED支架(100)银面的待粗化区(101)，所述喷淋装置(10)用于将粗化药水喷淋在LED支架(100)银面的待粗化区(101)，以进行银面的阳极粗化。
一种基于Mg扩散法的p型GaN基薄膜及其制备方法
实质审查的生效专利号: CN115911194A
申请人: 安徽长飞先进半导体有限公司
发明人: 朱宇峰;袁松;郭泽昊;钮应喜;刘志远;钟敏
申请日期: 2022-11-23
公开日期: 2023-04-04
IPC分类:
H01L21/205
摘要:
本发明提供了一种基于Mg扩散法的p型GaN基薄膜及其制备方法，先对外延GaN基薄膜ICP刻蚀后，再沉积Mg薄膜，然后经过退火，最后去除残留的Mg薄膜。在沉积Mg之前进行GaN基薄膜ICP刻蚀的作用是制造缺陷，增加GaN基薄膜及Mg金属表面与界面的差异状态，增加了GaN基薄膜材料的表面粗糙度及总表面积，也增加了Mg金属与GaN基薄膜界面之间的总接触面积，提高了GaN基薄膜材料的表面态数量与Mg金属界面之间的缺陷密度，进而提高了Mg扩散的效率与浓度。本发明通过以上方法、无需沉积其他功能膜层，即可实现重掺杂p?GaN或p?AlGaN，Mg掺杂浓度≥1×10<supgt;20</supgt;cm<supgt;?3</supgt;。
主权项:
1.一种基于Mg扩散法的p型GaN基薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：1)对外延生长的GaN基薄膜进行ICP刻蚀；2)再沉积Mg薄膜；3)进行退火；4)去除残留的Mg薄膜。
一种等离子蚀刻清洗工艺
专利权人的姓名或者名称、地址的变更专利号: CN115513101A
申请人: 深圳仕上电子科技有限公司
发明人: 熊志红;朱峰;郑思温
申请日期: 2022-11-15
公开日期: 2023-01-24
IPC分类:
H01L21/3065
摘要:
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种等离子蚀刻清洗工艺，包括以下步骤：S1、蚀刻前准备；S2、双腔道独立喷气；S3、蚀刻清洗；S4、排气。等离子蚀刻清洗工艺采用的装置包括：蚀刻腔体；基台；喷气机构，由进气管和喷气盘组成，进气管内部具有同轴设置的第一进气腔道和第二进气腔道，喷气盘内部具有匀气腔，匀气腔内部设置有螺旋匀气管，螺旋匀气管底部均匀连接有若干第一喷气管，喷气盘底部连接有与第一喷气管一一对应的第二喷气管；供气系统；排气机构。本发明能够有效增大气体喷射范围，同时不同反应气体之间在不同的喷射点位能够实现同步喷射，有效提高了反应气体分散均匀性，进而保证了激发等离子的均匀分布，提高了蚀刻质量。
主权项:
1.一种等离子蚀刻清洗工艺，其特征在于，所述等离子蚀刻清洗工艺采用的装置包括：蚀刻腔体（1），由圆筒型腔体部（11）、封闭腔体部（11）顶端的顶板（12）以及承托在腔体部（11）底端的底板（13）组成，所述顶板（12）上设置有上电极（121）；基台（2），同轴设置在蚀刻腔体（1）内部，用以承置基片，所述基台（2）和上电极（121）分别与交流射频电源（3）相连接；喷气机构（4），由贯穿顶板（12）设置的进气管（41）和连接在进气管（41）底部的喷气盘（42）组成，所述进气管（41）内部具有同轴设置的第一进气腔道（411）和第二进气腔道（412），所述喷气盘（42）内部具有匀气腔（421），所述匀气腔（421）内部设置有螺旋匀气管（43），所述螺旋匀气管（43）底部均匀连接有若干第一喷气管（44），所述喷气盘（42）底部连接有与第一喷气管（44）一一对应的第二喷气管（45），所述第二喷气管（45）与匀气腔（421）相连通且所述第二喷气管（45）同轴设置在第一喷气管（44）外侧，所述第一喷气管（44）用以喷射第一进气腔道（411）内的反应气体，所述第二喷气管（45）用以喷射第二进气腔道（412）内的反应气体；供气系统（5），由第一反应气体供气源（51）和第二反应气体供气源（52）组成，所述第一反应气体供气源（51）通过供气管道与第一进气腔道（411）相连通，所述第二反应气体供气源（52）通过供气管道与第二进气腔道（412）相连通；排气机构（6），由上排气板（61）、下排气板（62）、调节挡板（63）以及排气泵组成，用以排出残余物质；所述等离子蚀刻清洗工艺包括以下步骤：S1、蚀刻前准备：将基片放置在基台（2）上端，同时将上电极（121）和基台（2）分别与交流射频电源（3）接通；S2、双腔道独立喷气：第一反应气体供气源（51）通过供气管道向第一进气腔道（411）泵入反应气体，由第一喷气管（44）均匀喷射该反应气体，第二反应气体供气源（52）通过供气管道向第二进气腔道（412）泵入另一反应气体，由第二喷气管（45）均匀喷射该反应气体；S3、蚀刻清洗：两种反应气体在蚀刻加工区域均匀混合，经耦合辉光放电，产生高密度等离子体并轰击在基片表面，进行蚀刻清洗过程；S4、排气：蚀刻产生的挥发性物质以及蚀刻气体依次经过上排气板（61）和下排气板（62），最终由排气泵从蚀刻腔体（1）底部排气口泵出。
一种电子废料全产业链处理方法
实质审查的生效专利号: CN115841257A
申请人: 深圳市金城保密技术有限公司
发明人: 石庆辉;牛鹏程;唐忞旻;雷凯萌;陈运财
申请日期: 2022-10-12
公开日期: 2023-03-24
IPC分类:
G06Q10/0631
摘要:
本发明是一种电子废料全产业链处理方法，包括产业链管理部分和电子废料处理部分，所述产业链管理部分包括业务管理系统、车载监控系统、监销系统以及门禁系统，所述电子废料处理部分包括退锡工艺、基板及电子元器件处理工艺、树脂粉末处理工艺以及金属粉末处理工艺，所述退锡工艺用于处理电子废料得到基板及电子元器件，所述基板及电子元器件处理工艺用于将基板及电子元器件粉碎分离为树脂粉末和金属粉末，所述树脂粉末处理工艺用于将树脂粉末处理成树脂板材，金属粉末处理工艺用于将金属粉末分离回收贵重金属。本发明在于对电子废料进行充分的销毁和回收以及利用计算机技术消除全产业链处理过程中的泄密风险。
主权项:
1.一种电子废料全产业链处理方法，其特征在于，包括产业链管理部分和电子废料处理部分，所述产业链管理部分包括业务管理系统、车载监控系统、监销系统以及门禁系统，所述电子废料处理部分包括退锡工艺、基板及电子元器件处理工艺、树脂粉末处理工艺以及金属粉末处理工艺：所述业务管理系统包括：预约模块，所述预约模块用于接受供涉密单位进行电子废料处理业务的预约生成任务单，所述任务单中至少包含电子废料清单和是否需要运送电子废料的信息；任务管理模块，若不需要运送电子废料，所述任务管理模块则将该任务单直接分配至核查模块，若需要运送电子废料，所述任务管理模块将该任务单分配至车辆调度模块；车辆调度模块，所述车辆调度模块根据任务单分配运输车辆去取回电子废料后进入核查模块；核查模块，所述核查模块待收到电子废料后根据所述电子废料清单对其进行核查无误后送入所述电子废料处理部分进行处理；车载监控系统管理模块，所述车载监控系统获取运输车辆的音视频数据，并将所述音视频视距压缩成第一数据流和第二数据流，所述第一数据流的分标率和帧率高于所述第二数据流，所述第一数据量存储在所述车载监控系统中，所述车载监控系统管理模块用于获取并显示所述第二数据流；以及监销系统管理模块，所述监销系统获取电子废料全产业链处理的厂区的音视频数据，所述监销系统管理模块用于用于获取、储存以及显示所述电子废料全产业链处理的厂区的音视频数据；所述退锡工艺包括以下步骤：1-1，拆解电子废料，将电子废料上的电解电容器、塑料以及电缆线拆下得到线路板；1-2，清洗所述线路板；1-3，将清洗后的线路板进行退锡处理，得到电子元器件和基板；1-4，将电子元器件中的SMD芯片、红外检测器以及半导体分选出，其余的电子元器件和基板进行所述基板及电子元器件处理工艺；所述基板及电子元器件处理工艺包括以下步骤：2-1，通过多台粉碎机对所述其余的电子元器件和基板进行粉碎，并得到粉碎后的物料；2-2，将所述粉碎后的物料送入制浆桶进行搅拌制浆，得到浆料；2-3，通过摇床对所述浆料进行分离和脱水，得到树脂粉末和金属粉末，将所述树脂粉末进行所述树脂粉末处理工艺，将所述金属粉末进行所述金属粉末处理工艺；所述树脂粉末处理工艺包括以下步骤：3-1，对所述树脂粉末进行干燥；3-2，将干燥后的树脂粉末混合胶粘剂进行搅拌；3-3，将与胶粘剂混合后的树脂粉末成型为树脂板材；所述金属粉末处理工艺包括以下步骤：4-1，将所述金属粉末加入中频炉中加热融化成熔融状态的金属；4-2，将熔融状态的金属熔铸成阳极板；4-3，将所述阳极板中的铜、金、银、铂以及钯分离回收。
一种防腐防污铜-镍-银熔覆层的制备方法
发明专利权授予专利号: CN115491674A
申请人: 沈阳大学
发明人: 贺春林;冯海东;付馨莹;房博文;霍嘉翔;贺有年;马国峰
申请日期: 2022-10-10
公开日期: 2024-06-25
IPC分类:
C23C24/10
摘要:
一种防腐防污铜?镍?银熔覆层的制备方法，其所用原料粉末的质量百分含量为：铜57.0~86.7，镍10.0~35.0，银0.1~8.0，铁1.0~2.0，锰0.5~1.8；制备方法为激光熔覆技术，步骤包括：（1）粉体均匀混合，（2）基体表面打磨至平整光洁，（3）激光熔覆。本发明所获熔覆层含有2%~4%银，具有良好的耐海水腐蚀和海生物污损性能，可应用于海洋工程、船舶领域的金属零部件的防护涂层，延长部件的使用寿命。
主权项:
1.一种防腐防污铜-镍-银熔覆层的制备方法，其特征在于，一种防腐防污铜-镍-银熔覆层的制备方法，包括如下步骤：（1）一种防腐防污铜-镍-银熔覆层的原料粉末，其组分的质量百分含量为：铜57.0~86.7，镍10.0~35.0，银0.1~8.0，铁1.0~2.0，锰0.5~1.8，将上述原料粉末置于密封容器中，放入混料机中混合5~8小时；（2）激光熔覆以铝青铜板为基体，先用200号砂纸将基体表面打磨至平整光洁，经丙酮和无水乙醇除油后，烘干；然后，将步骤（1）所得原料粉末在基体上均匀预敷1.0~2.0毫米；再后，采用激光熔覆工艺制备铜-镍-银熔覆层，激光熔覆所用激光器为3千瓦半导体激光器（中心波长为980纳米），熔覆工艺参数为：功率1.8~2.6千瓦，光斑直径2~4毫米，扫描速度600~1200毫米每分钟，搭接率20%~50%，保护气氛为氩气，在激光熔覆过程中，最好用循环冷却水冷却基体，由此得到所述防腐防污铜-镍-银熔覆层。
一种内外表面同时负载Ni2P的介孔P掺杂氮化碳空心球催化剂的制备方法
发明专利权授予专利号: CN115475648A
申请人: 陕西师范大学
发明人: 顾泉;吕昱静;高子伟
申请日期: 2022-10-09
公开日期: 2023-06-06
IPC分类:
B01J35/08
摘要:
本发明公开了一种内外表面同时负载Ni2P的介孔P掺杂氮化碳空心球催化剂的制备方法，该催化剂以氮化碳空心球为载体，以Ni2P为助催化剂，采用简单的浸渍?磷化方法，在合成氮化碳空心球的过程中，通过调节合成氮化碳空心球的模板SiO2与Ni2P的合成顺序，同时将Ni2P负载在介孔P掺杂氮化碳空心纳米球的内外表面，在内外表面提供了足够的活性位点，二者形成的异质结同时促进了光生电荷在内外表面的迁移和分离。该催化剂提高了原子利用率，实现了内外协同作用，从而显著提高了光催化分解水性能。本发明方法普遍适用于其他空心结构半导体，为更好的利用空心结构半导体光催化提供了指导。
主权项:
1.一种内外表面同时负载Ni2P的介孔P掺杂氮化碳空心球催化剂的制备方法，其特征在于所述制备方法包括以下步骤：(1)将SiO2微球与γ-氨丙基三乙氧基硅烷、异丙醇在70～80℃下回流2～3h，离心、干燥，将干燥产物与氯化镍水溶液混合搅拌6～10h，离心、干燥后与过量亚磷酸钠研磨混合，在流动的氩气下350～400℃煅烧1.5～2.5h，得到负载Ni2P的无孔SiO2微球；(2)将氨水加入到乙醇和去离子水的混合液中，搅拌均匀后，加入负载Ni2P的无孔SiO2微球，搅拌均匀后，在搅拌条件下滴加原硅酸四乙酯和十八烷基三甲氧基硅烷，所得混合溶液在室温下静置反应2～4h，反应结束后，离心、干燥并在空气中500～600℃煅烧5～6h，经盐酸浸泡、去离子洗涤、干燥，得到Ni2P-SiO2模板；(3)将Ni2P-SiO2模板加入到单氰胺水溶液中，在真空下旋转混合2～4h，然后依次在50～60℃下超声2～3h、在50～60℃下搅拌6～10h，得到的混合物经离心分离、干燥后转移到瓷舟中，在流动的氩气下500～600℃煅烧3～5h，得到内部包裹Ni2P的未刻蚀氮化碳纳米球；(4)将内部包裹Ni2P的未刻蚀氮化碳纳米球分散到去离子水中，在搅拌条件下加入氯化镍，搅拌8～10h后，80～100℃干燥，干燥产物与过量亚磷酸钠混合后转移到磁舟中，在流动的氩气下350～400℃煅烧2～3h，自然冷却至室温，用4mol/L NH4HF2水溶液蚀刻去除SiO2模板，离心收集粉状产物，用去离子水洗涤，干燥，得到内外表面同时负载Ni2P的介孔P掺杂氮化碳空心纳米球。
激光熔覆方法、装置、电子设备及介质
发明专利权授予专利号: CN115478272A
申请人: 中国科学院半导体研究所
发明人: 赵树森;林学春;梁晗;张志研;李达;姜璐
申请日期: 2022-09-01
公开日期: 2024-02-27
IPC分类:
C23C24/10
摘要:
本公开提出一种激光熔覆方法、装置、电子设备和介质，其中，方法包括：同步开启目标送粉器和可移动装置，以通过目标送粉器的多孔送粉喷嘴将熔覆粉末喷送至激光熔覆基材，并通过可移动装置带动激光器移动；其中，激光器的激光光斑为条状光斑，多孔送粉喷嘴中线和激光熔覆基材表面的交点与激光光斑中线和激光熔覆基材表面的交点之间的间距为目标长度；响应于目标送粉器开启目标时长，开启激光器，以通过激光器发射激光光斑，对激光熔覆基材上的熔覆粉末进行激光熔覆。由此，采用条状光斑的激光对熔覆粉末进行激光熔覆，可以有效获得高平整度的激光熔覆层，从而可以降低后期机械加工的工作量，并可以降低熔覆粉末的损耗。
主权项:
1.一种激光熔覆方法，其特征在于，所述方法包括：同步开启目标送粉器和可移动装置，以通过所述目标送粉器的多孔送粉喷嘴将熔覆粉末喷送至激光熔覆基材，并通过所述可移动装置带动激光器移动；其中，所述激光器的激光光斑为条状光斑，所述多孔送粉喷嘴中线和所述激光熔覆基材表面的交点与所述激光光斑中线和所述激光熔覆基材表面的交点之间的间距为目标长度；响应于所述目标送粉器开启目标时长，开启所述激光器，以通过所述激光器发射激光光斑，对所述激光熔覆基材上的熔覆粉末进行激光熔覆；其中，所述目标时长是根据所述目标长度和所述激光器的激光扫描速度确定的。
负载Ni2P-Co肖特基节活性位点海胆状碳材料电催化剂、制备方法及其应用
发明专利权授予专利号: CN114976484A
申请人: 大连理工大学
发明人: 张凤祥;张强;张旭;乔少明;雷达
申请日期: 2022-07-11
公开日期: 2023-04-11
IPC分类:
H01M50/431
摘要:
本提供一种负载Ni2P?Co肖特基节活性位点海胆状碳材料电催化剂、制备方法及其应用，所使用的工艺成功构建了Ni2P?Co肖特基节，并通过TEM、莫特?肖特基测试以及UPS表征等手段证明了电子由Ni2P向Co一侧的转移。失去电子的Ni2P一侧由于带正电则对带负电的多硫化物起强吸附能力，而Co一侧得到电子后其对多硫化物的还原作用会提升，这实现了对带负电多硫化物强吸附能力和强催化作用的耦合。同样地，这对反应物带负电的其他反应的催化剂设计也提供了一定的借鉴意义；球形金属有机框架(MOF)衍生碳纳米管使得催化剂形貌类似海胆状，有效地避免了球形催化剂本体的堆积。碳管与碳管之间的一维接触保留了大量的锂离子扩散通路，这保证了其高倍率下锂硫电池性能的发挥；金属有机框架(MOF)衍生碳纳米管的过程中能够极大的增加缺陷氮原子的掺杂量；同时也提升了碳材料的石墨化程度，进一步提升了材料的导电性；整个实验流程的制备步骤均是原位掺杂活性位点，有利于催化剂性能的进一步优化。
主权项:
1.一种负载Ni2P-Co肖特基节活性位点海胆状碳材料电催化剂，其特征在于，所述的Ni2P-Co肖特基节电催化剂，以NiCo-MOF作为前驱体，通过二氰二胺处理原位引发碳纳米管以避免催化剂球形本体堆积从而保证锂离子扩散通路且为催化剂提供了足够氮原子吸附位点；进而原位将镍钴合金中的镍位点原位磷化制备负载Ni2P-Co位点的催化剂；n型半导体Ni2P与金属Co实现肖特基接触后电子会自发地由Ni2P一侧向金属Co一侧转移，直至两侧的费米能级达到一致；失去电子的Ni2P一侧对多硫化物起吸附作用，得到电子的金属Co一侧对多硫化物起催化还原作用，从而实现对带负电的多硫化物强吸附能力和强还原作用的耦合。
等离子处理装置、等离子处理方法
实质审查的生效专利号: CN116798842A
申请人: 铠侠股份有限公司
发明人: 近藤祐介
申请日期: 2022-07-08
公开日期: 2023-09-22
IPC分类:
H01J37/32
摘要:
本实施方式涉及一种等离子处理装置及等离子处理方法。等离子处理装置(10)具备：衬底保持件(40)，保持半导体衬底(W)；气体供给部(70)，向形成在半导体衬底(W)与衬底保持件(40)之间的气体供给空间(F11,F12)供给混合气体；流量调整部(71,72)，调整混合气体中包含的2种以上气体各自的流量；以及流量控制部(202)，控制流量调整部(71,72)。混合气体中包含氦气及氩气。流量控制部(202)在等离子氛围中执行第1流量控制及第2流量控制，所述第1流量控制是使氦气流量多于氩气流量，所述第2流量控制是使氩气流量多于氦气流量。
主权项:
1.一种等离子处理装置，向腔室内导入气体，将设置在所述腔室内的衬底在等离子氛围中进行处理，且具备：保持部，保持所述衬底；气体供给部，向形成在所述衬底与所述保持部之间的气体供给空间，供给由热导率不同的2种以上气体混合而成的混合气体；流量调整部，调整所述混合气体中包含的2种以上所述气体各自的流量；以及流量控制部，控制所述流量调整部；所述混合气体中包含第1气体及第2气体，所述流量控制部在所述等离子氛围中执行第1流量控制及第2流量控制，所述第1流量控制是使所述第1气体的流量多于所述第2气体的流量，所述第2流量控制是使所述第2气体的流量多于所述第1气体的流量。
用于集成电路的芯片封装装置
发明专利权授予专利号: CN115132907A
申请人: 河南华辰智控技术有限公司;
发明人: 郭恒亮;倪志;刘润杰;程权;刘青艳;宋永青;魏新奇;荆俊南;张天源;张致衡
申请日期: 2022-07-07
公开日期: 2024-06-18
IPC分类:
H01L35/30
摘要:
本发明公开了一种用于集成电路的芯片封装装置，包括电路板、芯片和外壳，所述芯片设于电路板的一侧，所述外壳设于芯片外表面，其特征在于，所述外壳包括半导体导热模块和散热模块，所述半导体导热模块包括上部半导体导热单元和下部半导体导热单元，所述上部半导体导热单元包括上部N型半导体、上部P型半导体、上部第一导电片、上部第二导电片、上部第三导电片、上部冷端陶瓷片和上部热端陶瓷片，所述下部半导体导热单元包括下部N型半导体、下部P型半导体、下部第一导电片、下部第二导电片、下部第三导电片、下部冷端陶瓷片和下部热端陶瓷片，所述上部热端陶瓷片和下部热端陶瓷片之间设有散热模块。
主权项:
1.一种用于集成电路的芯片封装装置，包括电路板(10)、芯片(20)和外壳(30)，所述芯片(20)设于电路板(10)的一侧，所述外壳(30)设于芯片(20)外表面，其特征在于，所述外壳(30)包括半导体导热模块(40)和散热模块(50)，所述半导体导热模块(40)包括上部半导体导热单元(60)和下部半导体导热单元(70)，所述上部半导体导热单元(60)包括上部N型半导体(61)、上部P型半导体(62)、上部第一导电片(63)、上部第二导电片(64)、上部第三导电片(65)、上部冷端陶瓷片(66)和上部热端陶瓷片(67)，所述上部第一导电片(63)设于芯片(20)的上表面，所述上部N型半导体(61)和上部P型半导体(62)分别设于上部第一导电片(63)上表面的两侧，所述上部N型半导体(61)的上表面设有上部第二导电片(64)，所述上部P型半导体(62)的上表面设有上部第三导电片(65)，所述上部冷端陶瓷片(66)设于上部第一导电片(63)和芯片(20)之间，所述上部热端陶瓷片(67)设于上部第二导电片(64)和上部第三导电片(65)的上表面，所述下部半导体导热单元(70)包括下部N型半导体(71)、下部P型半导体(72)、下部第一导电片(73)、下部第二导电片(74)、下部第三导电片(75)、下部冷端陶瓷片(76)和下部热端陶瓷片(77)，所述下部第一导电片(73)设于芯片(20)的下表面，所述下部N型半导体(71)和下部P型半导体(72)分别设于下部第一导电片(73)下表面的两侧，所述下部N型半导体(71)和下部P型半导体(72)的两侧分别向上延伸至上部热端陶瓷片(67)的两侧上方，所述下部第二导电片(74)和下部第三导电片(75)分别设于下部N型半导体(71)和下部P型半导体(72)位于上部热端陶瓷片(67)上方的部分的下表面，所述下部冷端陶瓷片(76)设于下部第一导电片(73)和芯片(20)之间，所述下部热端陶瓷片(77)设于下部第二导电片(74)和下部第三导电片(75)的下表面，所述上部热端陶瓷片(67)和下部热端陶瓷片(77)之间设有散热模块(50)。
一种可调节晶圆吸附台
发明专利权授予专利号: CN115128434A
申请人: 蓝泽半导体科技（芜湖）有限公司
发明人: 朱伟;王强;金永斌;贺涛;丁宁
申请日期: 2022-07-06
公开日期: 2023-08-11
IPC分类:
G01R31/28
摘要:
本发明一种可调节晶圆吸附台属于半导体测试技术领域；所述可调节晶圆吸附台包括：圆台、螺旋槽、齿块、拉头和气孔，圆台上表面设置有螺旋槽，螺旋槽的内部填充有若干个齿块，所述螺旋槽的起点处设置有气孔，齿块的下方设置有拉头，在晶圆放置在圆台上后，通过拉头从螺旋槽的起点位置开始，依次向下拉动齿块，使螺旋槽内形成一被晶圆覆盖，并与气孔连通的吸附槽，随着拉头的移动，吸附槽逐渐延长，从而形成一个适应形状不规则的晶圆，尽量大的螺旋形，被晶圆完全覆盖，并与气孔连通的吸附槽，实现吸附槽能够在适应不同形状的晶圆吸附的同时，形成尽可能大的吸附槽，保障晶圆吸附台对形状不规则晶圆吸附的稳定。
主权项:
1.一种可调节晶圆吸附台，其特征在于，包括：圆台（1）、螺旋槽（2）、齿块（3）、拉头（4）和气孔（5），所述圆台（1）上表面设置有螺旋槽（2），所述螺旋槽（2）为起点位于圆台（1）的圆心处首尾不相连的螺旋状槽，螺旋槽（2）的内部填充有若干个齿块（3），填充后的齿块（3）顶部与圆台（1）上表面对齐，所述螺旋槽（2）的起点处设置有气孔（5），所述齿块（3）的下方设置有拉头（4），在拉头（4）沿所述螺旋槽（2）滑动时，能够依次向下拉动齿块（3），被向下拉动的齿块（3）能够相互咬合保持位于螺旋槽（2）底部。
金属粉末专利分析
材料体系分布
制备工艺分布
技术领域分布 (IPC分类)
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B22F10/28(3D打印) • B22F9/04(制粉) •
C23C24/10(涂层) • C22C19/05(镍合金) •
B33Y50/02(控制) • C22F1/18(热处理)