金属3D打印粉末专利数据库

一种蚀刻厚度均匀的半导体电极

实质审查的生效

专利号: CN117476426A

申请人: 安徽四象半导体材料科技有限公司

发明人: 许赞;朴永哲

申请日期: 2023-06-14

公开日期: 2024-01-30

IPC分类: H01J37/32

摘要:

本发明公开了一种蚀刻效果均匀的半导体电极，包括电极，所述电极表面设有呈环状分布的气孔，电极表面设有曲面，曲面为连续环状所述曲面最外轮廓部位与中心部位凸出，最外轮廓部位与中心部位之间区域向内凹陷。本发明中电极作为等离子蚀刻的核心部件，通过在电极对应线圈的部位设置凹陷曲面，降低该部位等离子蚀刻速率，从而保证各部位蚀刻的一致性，也就是在电极表面设置与晶圆环状蚀刻形态对应相反的形态，可以稳定的提高蚀刻速率，保证蚀刻厚度均匀，提高生产效率。

主权项:

1.一种蚀刻效果均匀的半导体电极，包括电极，其特征在于，所述电极表面设有呈环状分布的气孔，电极表面设有曲面，曲面为连续环状。

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等离子注入机及等离子注入方法

发明专利权授予

专利号: CN116564858A

申请人: 上海积塔半导体有限公司

发明人: 张浩楠;孟宪宇;张全飞

申请日期: 2023-05-26

公开日期: 2023-08-08

IPC分类: H01J37/30

摘要:

本申请提供一种等离子注入机及等离子注入方法，等离子注入机包括电离腔室，用于将待电离气体电离呈电子；送气系统用于将待电离气体通过一供气管道输送至电离腔室；加热装置，设置于送气系统与电离腔室之间，用于给待电离气体提供热量。其中，在待电离气体进入电离腔室之前，加热装置使待电离气体的外层电子获得初始能量，以提高电离腔室电离电子的速率。本说明书实施例可以增加电离电子的速率，可以得到更多电子。相比于现有技术缩短了电离惰性气体的时间，增加相同时间内被电离出的电子数量，相应地可以减少为了达到电离电子数量而增加的惰性气体流量或灯丝电压，进而增加了离子注入脉冲电场的使用寿命。

主权项:

1.一种等离子注入机，其特征在于，所述等离子注入机包括：电离腔室，用于将待电离气体电离成为电子；送气系统，用于将所述待电离气体通过一供气管道输送至所述电离腔室；加热装置，设置于所述送气系统与所述电离腔室之间，用于给所述待电离气体提供热量；其中，在所述待电离气体进入所述电离腔室之前，所述加热装置使所述待电离气体的外层电子获得初始能量，以提高所述电离腔室电离电子的速率。

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一种电子束蒸镀超薄Ni金属的方法及倒装LED芯片

发明专利权授予

专利号: CN116334546A

申请人: 江西兆驰半导体有限公司

发明人: 李文涛; 鲁洋; 张星星; 林潇雄; 胡加辉; 金从龙

申请日期: 2023-05-26

公开日期: 2023-06-27

IPC分类: C23C14/14

摘要:

本发明提供一种电子束蒸镀超薄Ni金属的方法及倒装LED芯片，该方法通过提供一Ni金属靶材，并进行预融处理，得到预融后的Ni金属靶材，预融后的Ni金属靶材用于蒸镀至外延片上，其中，在预融处理中，控制电子束功率以初始功率先阶段式增长至第一预设功率，再以第一预设功率阶段式降低至第二预设功率，后将预融后的Ni金属靶材按预设条件蒸镀至外延片上，以得到附着于衬底上的超薄Ni金属，使得超薄Ni金属作为Ag反射镜的粘附层时，反射镜的反射率大幅提高。

主权项:

1.一种电子束蒸镀超薄Ni金属的方法，其特征在于，所述方法包括：提供一Ni金属靶材，并进行预融处理，得到预融后的Ni金属靶材，其中，在所述预融处理中，控制电子束功率以初始功率先阶段式增长至第一预设功率，再以所述第一预设功率阶段式降低至第二预设功率；将预融后的Ni金属靶材按预设条件蒸镀至外延片上；在所述控制电子束功率以初始功率先阶段式增长至第一预设功率的步骤中：控制电子束功率以初始功率依次通过第一阶段、第二阶段以及第三阶段增长至所述第一预设功率，所述第一阶段、所述第二阶段以及所述第三阶段中各个阶段均包括功率增长子阶段和功率保持子阶段，所述第一阶段、所述第二阶段以及所述第三阶段中各个阶段中的功率增长子阶段的功率增长时间为10s-15s，功率增长1000W，所述第一阶段中的功率保持子阶段为控制第一阶段中的功率最大值保持20s-30s，所述第二阶段中的功率保持子阶段为控制第二阶段中的功率最大值保持20s-30s，所述第三阶段中的功率保持子阶段为控制第三阶段中的功率最大值保持50s-60s。

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局部有序的半导体型碳纳米管薄膜、制备方法及沉积系统

发明专利权授予

专利号: CN116534844A

申请人: 湘潭大学; 北京大学; 北京元芯碳基集成电路研究院; 北京华碳元芯电子科技有限责任公司

发明人: 余飞鸽;涂紫东;夏煜

申请日期: 2023-05-19

公开日期: 2024-07-16

IPC分类: C01B32/17

摘要:

本发明提供一种局部有序的半导体型碳纳米管薄膜及其制备方法，通过采用含有偶氮苯结构的共轭聚合物提纯半导体型碳纳米管，在此基础上，结合有机溶剂形成的气氛下进行薄膜的沉积，控制形成局部有序、高密度、均匀的薄膜，再将半导体碳纳米管上包裹的聚合物去除，去除聚合物前后薄膜形貌保持一致，解决碳纳米管薄膜沉积过程、聚合物去除过程导致的碳纳米管薄膜不均匀，低密度的问题。

主权项:

1.一种局部有序的半导体型碳纳米管薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、将碳纳米管粉体加入含有偶氮苯结构的共轭聚合物的第一有机溶剂中，得到混合溶液，经过超声、离心，得到上清液，获得半导体型碳纳米管溶液；S2、将疏水化处理后的基底置于容器中，并处理至所需温度，保持温度并在基底上滴加半导体型碳纳米管溶液，滴加完成后静置，继续保持温度，并使容器的内部保持在第二有机溶剂形成的气雾氛围下直至沉积完成，清洗基底，并干燥后得到薄膜；其中，在第二有机溶剂形成的气雾氛围下，基底上缠绕共轭聚合物的半导体型碳纳米管相互靠近，缠绕共轭聚合物的半导体碳纳米管在基底表面进行预聚集沉积，形成局部有序的含有共轭聚合物的薄膜；S3、将步骤S2得到的置于第三有机溶剂中浸泡后，再置于含三氟乙酸的第三有机溶剂中对共轭聚合物进行解聚，去除包裹在半导体型碳纳米管上的共轭聚合物，干燥、退火去除解聚的共轭聚合物，得到局部有序的半导体型碳纳米管薄膜；其中，在去除共轭聚合物前后，薄膜的形貌保持一致。

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宽粒径SLM金属增材制造方法及制造设备

实质审查的生效

专利号: CN116618681A

申请人: 广东汉邦激光科技有限公司

发明人: 刘建业;黄正华;王金海;黄鹏奕;戚文军;何宝锋

申请日期: 2023-05-06

公开日期: 2023-08-22

IPC分类: B22F10/28

摘要:

本申请涉及SLM金属3D打印技术，旨在现有技术中的SLM金属增材制造效率低的问题，提供宽粒径SLM金属增材制造方法及宽粒径SLM金属增材制造设备。其中，宽粒径SLM金属增材制造方法包括：铺粉，其中所用的粉末粒径分布范围为15?110μm，每层铺粉厚度为50?300μm；激光扫描，沿扫描路径进行扫描，其中扫描的光斑为半导体激光器输出的多模激光经过扩束聚焦后形成的光斑直径在0.3?1.5mm的大光斑，所述半导体激光器的输出功率为1000?2000W。本申请的有益效果是打印效率高且金属粉末利用率高。

主权项:

1.一种宽粒径SLM金属增材制造方法，其特征在于，包括：铺粉，其中所用的粉末粒径分布范围为15-110μm，每层铺粉厚度为50-300μm；激光扫描，沿扫描路径进行扫描，其中扫描的光斑为半导体激光器输出的多模激光经过扩束聚焦后形成的光斑直径在0.3-1.5mm的大光斑，所述半导体激光器的输出功率为1000-2000W。

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一种3D增材制造电子与光电器件的方法

实质审查的生效

专利号: CN116512602A

申请人: 弘大芯源（深圳）半导体有限公司;

发明人: 林和;洪学天;牛崇实;王尧林

申请日期: 2023-05-04

公开日期: 2023-08-01

IPC分类: B33Y50/00

摘要:

本发明提供了一种3D增材制造电子与光电器件的方法，搭建3D增材制造智能一体化平台；通过集成设计组、3D增材智能制造组、3D增材制造多功能检测组、多型一体封装组及本地云端数据共享组；通过集成设计组，进行半导体电子与光电器件的3D增材制造总体流程设计；通过3D增材智能制造组，生成3D增材制造详细工艺，进行半导体电子与光电器件的3D增材智能制造；通过3D增材制造多功能检测组，进行3D增材制造实时检测及3D增材制造最终检测测试；通过多型一体封装组进行半导体电子与光电器件的电连接及封装；通过本地云端数据共享组进行平台本地端与云端的数据共享存储及数据共享互通互备运算。

主权项:

1.一种3D增材制造电子与光电器件的方法，其特征在于，包括：S100：搭建3D增材制造智能一体化平台；3D增材制造智能一体化平台包括：集成设计组、3D增材智能制造组、3D增材制造多功能检测组、多型一体封装组及本地云端数据共享组；S200：通过集成设计组，进行半导体电子与光电器件的3D增材制造总体流程设计，获取3D增材制造总体设计数据；S300：根据3D增材制造总体设计数据，通过3D增材智能制造组，生成3D增材制造详细工艺，进行半导体电子与光电器件的3D增材智能制造；S400：通过3D增材制造多功能检测组，进行3D增材制造实时检测及3D增材制造最终检测测试；S500：通过多型一体封装组进行半导体电子与光电器件的电连接及封装；S600：通过本地云端数据共享组进行平台本地端与云端的数据共享存储及数据共享互通互备运算。

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一种LED支架光亮银面局部粗化设备及其粗化方法

实质审查的生效

专利号: CN116623270A

申请人: 崇辉半导体（江门）有限公司

发明人: 罗小平;郑建国;潘立文

申请日期: 2023-04-28

公开日期: 2023-08-22

IPC分类: C25F7/00

摘要:

本发明涉及一种LED支架光亮银面局部粗化设备及其粗化方法，粗化设备包括喷淋装置、上模板、下模板、安装架、升降装置和弹性垫板，弹性垫板固定设置在上模板下表面，弹性垫板上设有多个通孔，通孔的形状与LED支架银面的待粗化区的形状相适配，所述下模板为硬质板。弹性垫板能更好密封LED支架的上表面，避免上表面的光亮银面被粗化；下模板采用硬质板，可以适当地减薄厚度，从而使镂空孔的深径比变小，粗化药水更容易穿过镂空孔与LED支架待粗化区接触，保证粗化效率和效果；在弹性垫板上设置多个通孔，粗化药水的流动性有所改善，提高LED支架盲孔内壁的粗化均匀性。

主权项:

1.一种LED支架光亮银面局部粗化设备，包括喷淋装置(10)、上模板(20)、下模板(30)、安装架(40)和升降装置(50)，所述喷淋装置(10)包括金属喷嘴(181、191)，用于连接电源正极，LED支架(101)连接电源负极，所述升降装置(50)设置在安装架(40)上，用于带动上模板(20)升降，所述下模板(30)固定设置在喷淋装置(10)上方，所述上模板(20)和下模板(30)用于夹紧LED支架(101)，所述下模板(30)上设有多个镂空孔(33)，用于露出LED支架(101)银面的待粗化区(102)，所述镂空孔(33)内表面设有倒角(34)，用于形成方向朝下的喇叭口，所述喷淋装置(10)用于将粗化药水向上喷出，粗化药水穿过下模板(30)上的镂空孔(33)喷淋在LED支架(101)银面的待粗化区(102)，以进行银面的阳极粗化，其特征在于，还包括弹性垫板(60)，所述弹性垫板(60)固定设置在上模板(20)下表面，所述弹性垫板(60)上设有多个通孔(61)，所述通孔(61)的形状与LED支架(101)银面的待粗化区(102)的形状相适配，所述下模板(30)为硬质板。

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一种等离子表面处理设备

实质审查的生效

专利号: CN116406068A

申请人: 江苏德怡半导体技术有限公司

发明人: 李奇林;欧阳鸿;冯冠乔

申请日期: 2023-04-28

公开日期: 2023-07-07

IPC分类: H05H1/24

摘要:

本发明涉及一种等离子表面处理设备，包括电极板和底座，底座上设有凹槽，凹槽的底面上设有离子喷射区，电极板设于离子喷射区上，电极板上设有承放工件的承载机构；设备还包括将电极板密封在凹槽内的活动盖；活动盖的下表面上设有进气扩容凹腔，以及密封进气扩容凹腔的扩散板；扩散板上对应离子喷射区均匀分布有多个出气孔，出气孔的轴线与离子喷射区所在平面垂直；活动盖与底座贴合的侧壁上设有第一进气道，第一进气道连通进气扩容凹腔的内侧壁，底座上设有与第一进气道连通的第二进气道，离子喷射区上设有贯穿底座的排气孔；本发明通过进气扩容凹腔和扩散板上的出气孔可保证电离气体可均匀喷射在工件上表面上，一次性加工面积大，整体结构简单。

主权项:

1.一种等离子表面处理设备，该设备包括电极板，其特征在于，所述设备还包括底座，所述底座上设有凹槽，所述凹槽的底面上设有离子喷射区，所述电极板设于所述离子喷射区上，所述电极板上设有承放工件的承载机构；所述设备还包括将所述电极板密封在所述凹槽内的活动盖；所述活动盖的下表面上设有进气扩容凹腔，以及密封所述进气扩容凹腔的扩散板；所述扩散板上对应所述离子喷射区均匀分布有多个出气孔，所述出气孔的轴线与所述离子喷射区所在平面垂直；所述活动盖与所述底座贴合的侧壁上设有第一进气道，所述第一进气道连通所述进气扩容凹腔的内侧壁，所述底座上设有与所述第一进气道连通的第二进气道，所述离子喷射区上设有贯穿所述底座的排气孔。

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一种半导体紫外激光器

实质审查的生效

专利号: CN116581643A

申请人: 安徽格恩半导体有限公司

发明人: 李水清;请求不公布姓名;王星河;蔡鑫;陈婉君;张江勇

申请日期: 2023-04-26

公开日期: 2023-08-11

IPC分类: H01S5/34

摘要:

本发明提供了一种半导体紫外激光器，涉及半导体光电器件技术领域，从下至上依次从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、上限制层，所述有源层为阱层和垒层组成的量子阱；调控载流子起伏的折射率色散，提升激光限制因子，提升模式增益，同时，降低未离化Mg受主的内部光学损耗，降低光波导的吸收损耗；所述第一上限制层的Mg呈倒V型分布，第二上限制层的Mg呈U型分布，第三上限制层的Mg呈线性分布，第四上限制层的Mg呈L形分布，从而在上限制层形成多重二维电子气，降低Mg受主离化能，提升Mg离化效率和空穴的输运效率，从而提升空穴注入有源层的效率和有源层中电子空穴的对称性和匹配性，提升激光器的峰值增益和斜率效率。

主权项:

1.一种半导体紫外激光器，从下至上依次包括衬底(100)、下限制层(101)、下波导层(102)，有源层(103)、上波导层(104)、上限制层(105)，其特征在于：所述有源层(103)为阱层和垒层组成的量子阱；所述量子阱、上波导层和下波导层具有特定的禁带宽度梯度和厚度梯度。

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一种等离子刻蚀设备

实质审查的生效

专利号: CN116364521A

申请人: 上海微芸半导体科技有限公司

发明人: 张二辉

申请日期: 2023-04-23

公开日期: 2023-06-30

IPC分类: H01J37/32

摘要:

本申请提供一种等离子刻蚀设备，所述等离子刻蚀设备包括：加热腔体；陶瓷底座，设置于所述加热腔体底部，用于承载加热器；风扇，设置于所述加热腔体的第一侧，用于向所述陶瓷底座吹风降温；导风结构，设置于所述风扇的出风面，用于引导所述风扇吹出的气流方向；控制装置，与所述导风结构连接，用于控制所述导风结构的导风方向。本申请提供一种等离子刻蚀设备，利用可调节扇叶方向的导风结构来调整风扇的吹风方向，可以提高陶瓷底座表面的温度均匀性，提高陶瓷底座的使用寿命。

主权项:

1.一种等离子刻蚀设备，其特征在于，包括：加热腔体；陶瓷底座，设置于所述加热腔体底部，用于承载加热器；风扇，设置于所述加热腔体的第一侧，用于向所述陶瓷底座吹风降温；导风结构，设置于所述风扇的出风面，用于引导所述风扇吹出的气流方向；控制装置，与所述导风结构连接，用于控制所述导风结构的导风方向。

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一种电极加工用喷涂设备

实质审查的生效

专利号: CN116356245A

申请人: 苏州高芯众科半导体有限公司

发明人: 杨斌;李敏成;姜勇鹤

申请日期: 2023-04-15

公开日期: 2023-06-30

IPC分类: C23C4/134

摘要:

本申请涉及一种电极加工用喷涂设备，涉及喷涂设备技术领域，为了解决现有技术中工件表面的涂层喷涂不够均匀，无法对工件形成良好的保护的问题。其包括喷涂枪，喷涂枪内部设置有进气通道，进气通道内设置有阴极导向柱，喷涂枪的枪口处内壁设置有阳极板，阳极板开设有出气口，出气口表面设置有阳极导向罩，阴极导向柱插设入阳极导向罩内，阴极导向柱与阳极导向罩之间的间隙供等离子气体穿过，喷涂枪的枪口外壁套设有上料管，上料管内壁开设有送粉嘴。本申请通过将稀土制成粉末，并通过高温的等离子气流将粉末进一步雾化，从而使得工件表面能够更加全面地覆盖精密涂层，以提高精密涂层的保护能力的效果。

主权项:

1.一种电极加工用喷涂设备，其特征在于：包括喷涂枪(1)，所述喷涂枪(1)内部设置有供等离子气体通过的进气通道(11)，所述进气通道(11)内设置有阴极导向柱(12)，所述喷涂枪(1)的枪口处内壁设置有阳极板(13)，所述阳极板(13)沿厚度方向贯穿开设有供等离子气体穿过的出气口(131)，所述出气口(131)靠近阴极导向柱(12)的表面设置有阳极导向罩(14)，所述阳极导向罩(14)沿出气口(131)周向方向设置，所述阴极导向柱(12)插设入阳极导向罩(14)内，所述阴极导向柱(12)与阳极导向罩(14)之间的间隙供等离子气体穿过，所述喷涂枪(1)的枪口外壁套设有上料管(2)，所述上料管(2)内壁开设有供稀土粉末通过的送粉嘴(21)。

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纳米级金属过滤膜及其制备方法和用途

实质审查的生效

专利号: CN116920628A

申请人: 安泰环境工程技术有限公司;

发明人: 郭辉进;张玉;杨军军;林士玉;安振华;李继慧;胡斌;戴颖

申请日期: 2023-03-27

公开日期: 2023-10-24

IPC分类: B01D69/10

摘要:

本发明属于多孔材料技术领域，具体涉及一种纳米级金属过滤膜及其制备方法和用途，制备方法包括以下步骤：S1、将金属粉末、水性溶剂和分散剂混合后，加入高速研磨分散机中分散，得到悬浮液浆料，其中，金属粉末的平均粒径为100nm～5μm；S2、将悬浮液浆料喷涂在多孔支撑体上，以在多孔支撑体上形成金属粉体涂层，之后进行烘干处理，得到纳米级金属过滤膜前驱体，其中，多孔支撑体的材质与金属粉末的材质相同；S3、将所述纳米级金属过滤膜前驱体在真空条件下烧结得到纳米级金属过滤膜。本发明制备的纳米级金属过滤膜具有较高的过滤精度，可以满足分离、过滤工艺过程中高过滤精度的要求，并广泛应用于半导体等领域。

主权项:

1.一种纳米级金属过滤膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：S1、悬浮液浆料的制备：将金属粉末、水性溶剂和分散剂混合后，加入高速研磨分散机中分散，得到悬浮液浆料，其中，所述金属粉末的平均粒径为100nm～5μm；S2、纳米级金属过滤膜前驱体的制备：将所述悬浮液浆料喷涂在多孔支撑体上，以在所述多孔支撑体上形成金属粉体涂层，之后进行烘干处理，得到纳米级金属过滤膜前驱体，其中，所述多孔支撑体的材质与所述金属粉末的材质相同；S3、纳米级金属过滤膜的制备：将所述纳米级金属过滤膜前驱体在真空条件下烧结得到纳米级金属过滤膜。

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一种成型陶瓷大直径环形制品用湿式等静压模具

实质审查的生效

专利号: CN116100668A

申请人: 宁波云德半导体材料有限公司

发明人: 顾永明;谭松山;罗锡锋;胡省康;胡龙辉;何剑武

申请日期: 2023-03-24

公开日期: 2023-05-12

IPC分类: B28B21/82

摘要:

本发明公开了一种成型陶瓷大直径环形制品用湿式等静压模具，包括第一刚性筒、第二刚性筒和柔性膜套，第一刚性筒安装在底板上，柔性膜套以第一刚性筒为中心且环绕分布在第一刚性筒外侧，柔性膜套远离第一刚性筒的一侧与第二刚性筒密封相连并在柔性膜套和第二刚性筒之间形成有填充料体用的密封腔，柔性膜套设有与密封腔相连通的至少一个加料口，加料口设有弹性塞头，第二刚性筒的上端和下端设有朝靠近柔性膜套方向下凹的收口，柔性膜套靠近第二刚性筒位置设有折叠褶皱段，柔性膜套的折叠褶皱段抵住第二刚性筒上收口部分的内壁，柔性膜套具有弹性，该模具能够保证毛坯外径尺寸达到最大化，扩大模具内径尺寸成型范围。

主权项:

1.一种成型陶瓷大直径环形制品用湿式等静压模具，其特征在于：包括第一刚性筒、第二刚性筒和柔性膜套，所述第一刚性筒安装在底板上，所述柔性膜套以第一刚性筒为中心且环绕分布在第一刚性筒外侧，柔性膜套远离第一刚性筒的一侧与第二刚性筒密封相连并在柔性膜套和第二刚性筒之间形成有填充料体用的密封腔，柔性膜套设有与密封腔相连通的至少一个加料口，加料口设有弹性塞头，所述第二刚性筒的上端和下端设有朝靠近柔性膜套方向下凹的收口，所述柔性膜套靠近第二刚性筒位置设有折叠褶皱段，柔性膜套的折叠褶皱段抵住第二刚性筒上收口部分的内壁。

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一种锡球球化装置及球化方法

实质审查的生效

专利号: CN116213740A

申请人: 海普半导体（洛阳）有限公司

发明人: 闫焉服;李自强;闫博恒;顾天亮

申请日期: 2023-03-14

公开日期: 2023-06-06

IPC分类: B22F9/08

摘要:

本发明公开了一种锡球球化装置及球化方法，该球化装置包括固定于支架上的加料组件、对钎焊球进行球化处理的球化组件、控制球化后的钎焊球流出的出料组件以及将球化后的钎焊球与残余球化介质分离开的筛分组件：加料组件包括通过多根弹簧相连接的平行设置的支撑板和筛板，筛板上设有激振器，筛板上设有若干筛孔，筛板的上下端面上分别连接有轴线一致的圆筒和导向管，球化组件包括一竖直固定于支架上的球化管道，球化管道内充满球化介质，球化管道穿过支撑板套设于导向管上，球化管道的上部设有加热系统，下部设有冷却系统。通过该球化装置对熔滴喷射法生产的钎焊球进行球化处理，可以提高钎焊球的真球度，大幅度地提高成品率。

主权项:

1.一种锡球球化装置，其特征在于，包括支架、加料组件、球化组件、出料组件以及筛分组件：其中，所述加料组件固定于支架上，加料组件包括固定于支架上的支撑板、平行设于支撑板上方的筛板以及设于筛板上的激振器；筛板和支撑板之间通过多根弹簧相连接，筛板上设有若干筛孔；筛板的上下端面上分别连接有轴线一致的圆筒和导向管，球化组件包括一竖直固定于支架上的球化管道，球化管道内充满球化介质，球化管道穿过支撑板套设于导向管上，球化管道的上部设有加热系统，下部设有冷却系统；所述出料组件与球化管道的下端相连接，以控制球化后的锡球流出；所述筛分组件设于出料组件的下方，以将球化后的锡球与残余球化介质分离开；倒入圆筒内的待处理锡球经筛板上的筛孔落入球化管道中进行球化，然后经出料组件流出、筛分组件筛分后得到球化后的锡球。

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等离子处理装置

实质审查的生效

专利号: CN116387128A

申请人: 珠海宝丰堂半导体股份有限公司

发明人: 丁雪苗; 赵公魄; 赵芝强

申请日期: 2023-03-07

公开日期: 2023-07-04

IPC分类: H01J37/32

摘要:

本发明提供一种等离子处理装置，包括等离子件、安装机构及驱动机构。其中，等离子件包括正电极、负电极及设有真空腔的装置本体，正电极与负电极间隔设置于真空腔的两侧，以使正电极与负电极能够配合形成等离子体发生结构；安装机构设置于真空腔内，且安装机构位于正电极与负电极之间；驱动机构与安装机构及等离子体发生结构中的至少一个传动连接，以使安装机构能够相对于等离子体发生结构沿垂直于正电极与负电极的连线方向往复移动。本申请中的等离子处理装置在等离子体对电路板进行除胶等处理时，安装机构上的电路板能够沿切割电场方向往复移动，使得等离子体在电路板上分布的更加均匀，提高了等离子处理装置处理的均匀性。

主权项:

1.一种等离子处理装置，其特征在于，包括：等离子件，所述等离子件包括正电极、负电极及设有真空腔的装置本体，所述正电极与所述负电极间隔设置于所述真空腔的两侧，以使所述正电极与所述负电极能够配合形成等离子体发生结构；安装机构，所述安装机构设置于所述真空腔内，且所述安装机构位于所述正电极与所述负电极之间；及驱动机构，所述驱动机构与所述安装机构及所述等离子体发生结构中的至少一个传动连接，以使所述安装机构能够相对于所述等离子体发生结构沿垂直于所述正电极与所述负电极的连线方向往复移动。

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一种半导体光纤耦合激光器

实质审查的生效

专利号: CN116191195A

申请人: 温州泛波激光有限公司

发明人: 刘忠永;余勤跃;程国军

申请日期: 2023-03-06

公开日期: 2023-05-30

IPC分类: H01S5/0225

摘要:

本发明公开了一种半导体光纤耦合激光器，其技术方案要点是包括芯片模块和镜模块，其特征是：镜模块包括有第一慢轴准直镜和快轴压缩镜组，芯片模块包括有第一strip镜、第一芯片组和第二芯片组，第一芯片组与第二芯片组呈a角度安装，第二芯片组与第一strip镜呈b角度安装；第一芯片组所发出的光束通过第一strip镜沿第一方向透射而出，第二芯片组所发出的光束通过第一strip镜后沿第一方向反射而出，慢轴准直镜突出面远离芯片模块设置，快轴压缩镜组与慢轴准直镜突出面相对设置。本发明通过结构的改进对输出光场进行了整形使光线平行输出，增加了芯片的寿命以及光束质量，还使光纤耦合模块耦合效率提升。

主权项:

1.一种半导体光纤耦合激光器，包括有芯片模块和镜模块，其特征是：所述镜模块包括有第一慢轴准直镜(5)和快轴压缩镜组，所述芯片模块包括有第一strip镜(4)、第一芯片组(3)和第二芯片组(2)，所述第一芯片组(3)与第二芯片组(2)呈a角度安装，所述第二芯片组(2)与第一strip镜(4)呈b角度安装；所述第一芯片组(3)所发出的光束通过第一strip镜(4)沿第一方向透射而出，所述第二芯片组(2)所发出的光束通过第一strip镜(4)后沿第一方向反射而出，所述慢轴准直镜突出面远离芯片模块设置，所述快轴压缩镜组与慢轴准直镜突出面相对设置。

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一种第三代半导体SiC衬底外延的增材制造方法

实质审查的生效

专利号: CN118547372A

申请人: 华云峰

发明人: 吴守军;华云峰

申请日期: 2023-02-27

公开日期: 2024-08-27

IPC分类: C30B29/36

摘要:

本发明公开了一种第三代半导体SiC衬底外延的增材制造方法，包括以下步骤：一、将衬底放入真空室，采用电子束加热衬底并在过程中维持恒温；二、采用电子束加热蒸发靶材，在增强沉积过程中提供C源，在衬底上形核，生长成SiC外延。本发明的方法温度低、效率高、制造周期短、成本低；电子束轰击能够增强气相沉积，提高原子的离化率，提供形核和扩散动力，制备的SiC衬底外延缺陷少；并且尺寸不受限制，只与真空室尺寸有关，最大可达32英寸以上，显著提高了第三代半导体的制造效率、质量，降低了成本。

主权项:

1.一种第三代半导体SiC衬底外延的增材制造方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：步骤一、将SiC衬底放入真空室，采用电子束加热衬底并维持恒温；步骤二、采用电子束加热蒸发靶材，在增强沉积过程中提供C源，在衬底上形核，生长成SiC外延。

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一种第三代半导体衬底晶体的增材制造方法

实质审查的生效

专利号: CN118547375A

申请人: 华云峰

发明人: 华云峰

申请日期: 2023-02-27

公开日期: 2024-08-27

IPC分类: C30B29/36

摘要:

本发明公开了一种第三代半导体衬底晶体的增材制造方法，包括以下步骤：一、将籽晶放入真空室，采用电子束加热籽晶并维持恒温；二、采用电子束加热蒸发靶材，在增强沉积过程中提供C源或N源，在籽晶上形核，生长成晶体。本发明温度低、效率高、制造周期短、成本低；电子束能够增强气相沉积，提供形核和扩散动力，晶体缺陷少；晶体尺寸不受限制，只与真空室尺寸有关，最大可达32英寸以上；通过控制工艺参数，还可在晶体上直接同质外延生长SiC或GaN，也可在晶格和晶面匹配度较高的籽晶上异质增强沉积SiC或GaN晶体和外延，实现一步制造SiC或GaN衬底晶体和外延，显著提高了第三代半导体制造效率和质量，降低成本。

主权项:

1.一种第三代半导体衬底晶体的增材制造方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：步骤一、将籽晶放入真空室，采用电子束加热籽晶并维持恒温；步骤二、采用电子束加热蒸发靶材，在增强沉积过程中提供C源或N源，在籽晶上形核，生长成晶体。

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一种高载流子浓度的PGaN外延片、制备方法及应用

实质审查的生效

专利号: CN116190518A

申请人: 浙江芯科半导体有限公司

发明人: 李京波;钱昊;汪禹;王小周

申请日期: 2023-02-22

公开日期: 2023-05-30

IPC分类: C23C16/18

摘要:

本申请公开了一种高载流子浓度的PGaN外延片、制备方法及应用，外延片包括衬底以及依次设置在衬底上的UGaN隔离层、PGaN外延层、PGaN欧姆接触层，PGaN外延层内掺有Mg原子以及O原子。方法包括在MOCVD反应室设置衬底；通入Al源、Ga源以及N源，形成低温的AlGaN缓冲层；在AlGaN缓冲层上形成UGaN隔离层；通入Ga源、N源以及Mg源，形成PGaN外延层，Ga源包括含氧TMGa与普通TMGa；增加Mg源的流量，形成PGaN欧姆接触层。通入含氧的Ga源、N源以及Mg源，使O原子和H原子结合，进而有效破坏Mg?H络合物；使O原子与Mg原子、Ga原子、N原子结合形成可以在GaN中稳定存在的Mg?Ga?O?N缺陷复合物，以减小GaN的直接带隙宽度，进而降低Mg的激活能，提高载流子浓度，降低电阻率。

主权项:

1.一种高载流子浓度的PGaN外延片，其特征在于，包括：衬底以及依次设置在所述衬底上的UGaN隔离层、PGaN外延层、PGaN欧姆接触层，所述PGaN外延层内掺有Mg原子以及O原子，所述PGaN欧姆接触层内掺有Mg原子。

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用于等离子增强型薄膜沉积的炉管

实质审查的生效

专利号: CN118497718A

申请人: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司; 盛美半导体设备韩国有限公司;

发明人: 王晖;王坚;贾社娜;沈辉;周冬成;张大海;吕策;陈国强;崔致久;全鍾赫;千家?;李東根

申请日期: 2023-02-14

公开日期: 2024-08-16

IPC分类: C23C16/455

摘要:

本发明公开了一种用于等离子增强型薄膜沉积的炉管，包括：工艺管，工艺管内构造有反应室和至少一个电离室；供气管，供气管用于输送待电离工艺气体至电离室，待电离工艺气体在电离室内电离后，进入反应室内，以在基板表面沉积相应的薄膜，或者发生吸附反应实现薄膜在基板表面逐层生长；第一电极和第二电极，位于工艺管之内并位于电离室的中部位置，其中，第一电极和/或第二电极由挡板支撑，挡板的一端与对应电极相连，挡板的另一端与电离室内壁连接，以使得待电离工艺气体通过第一电极和第二电极之间。本发明提高了工艺气体的电离效率。

主权项:

1.一种用于等离子增强型薄膜沉积的炉管，其特征在于，包括：工艺管，包括可容纳多层基板的反应室和至少一个沿所述多层基板的层叠方向配置的电离室，所述电离室开设有若干与所述反应室相导通的第一气孔；供气管，位于所述电离室内，并沿所述多层基板的层叠方向依次开设有若干第二气孔，所述供气管用于输送待电离工艺气体并经由所述第二气孔通入所述电离室，所述待电离工艺气体在所述电离室内电离后，由所述第一气孔通入所述反应室内，以在基板表面沉积相应的薄膜；第一电极和第二电极，位于所述工艺管之内并位于电离室的中部位置，且沿所述多层基板的层叠方向排布；其中，所述第一电极和/或第二电极由挡板支撑，每个所述挡板的一端与对应电极相连，每个所述挡板的另一端与所述电离室内壁连接，以使得待电离工艺气体通过所述第一电极和第二电极之间从而提高工艺气体的电离效率，所述第一气孔位于所述第一电极和第二电极之间连线的垂直线上。

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筛选条件

专利搜索结果关键词: "半导体"

一种蚀刻厚度均匀的半导体电极

等离子注入机及等离子注入方法

一种电子束蒸镀超薄Ni金属的方法及倒装LED芯片

局部有序的半导体型碳纳米管薄膜、制备方法及沉积系统

宽粒径SLM金属增材制造方法及制造设备

一种3D增材制造电子与光电器件的方法

一种LED支架光亮银面局部粗化设备及其粗化方法

一种等离子表面处理设备

一种半导体紫外激光器

一种等离子刻蚀设备

一种电极加工用喷涂设备

纳米级金属过滤膜及其制备方法和用途

一种成型陶瓷大直径环形制品用湿式等静压模具

一种锡球球化装置及球化方法

等离子处理装置

一种半导体光纤耦合激光器

一种第三代半导体SiC衬底外延的增材制造方法

一种第三代半导体衬底晶体的增材制造方法

一种高载流子浓度的PGaN外延片、制备方法及应用

用于等离子增强型薄膜沉积的炉管

金属粉末专利分析

材料体系分布

制备工艺分布

技术领域分布 (IPC分类)

专利类型分布

法律状态分布

金属粉末技术趋势

专利申请趋势 (2005-2024)

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一种第三代半导体SiC衬底外延的增材制造方法

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