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一种三代半导体用等静压石墨连续高温设备
发明专利权授予专利号: CN116988146A
申请人: 福建福碳新材料科技有限公司
发明人: 纪斌;万伟光;冯于驰
申请日期: 2023-09-28
公开日期: 2023-12-12
IPC分类:
C30B29/36
摘要:
本发明公开了一种三代半导体用等静压石墨连续高温设备，涉及半导体材料加工技术领域，包括：底座；通过驱动部件的运转，在传动机构的作用下，带动石墨坩埚与搅拌件进行同步反向转动；通过传动机构的运转，在滑动部件的作用下，带动石墨坩埚进行前后的持续摆动。本发明具备了能对碳化硅料粉通过正反转进行搅拌和混合，还能对其进行摆动摇晃和竖向抬升翻转，进而使得碳化硅料粉进行快速的流动能与热量进行充分的接触，以保证加热的质量，且还能加速石墨坩埚外部的热量流动速度，以提高热量分布的均匀性，还能同步的对石墨坩埚的内部和外部进行同步的加热，使得最终的结晶体质量更佳，具备了实用性更佳的效果。
主权项:
1.一种三代半导体用等静压石墨连续高温设备，其特征在于：包括：底座（1）；固定连接在所述底座（1）上表面处的加热壳（2），所述加热壳（2）的内壁处呈环形阵列分布的加热块（36）；设置在所述加热壳（2）内部的石墨坩埚（3），所述石墨坩埚（3）的上表面处活动安装有坩埚盖（4）；设置在所述石墨坩埚（3）内部的搅拌件（5）；设置在所述加热壳（2）内部的驱动部件、传动机构、滑动部件、往复机构和稳定部件；通过所述驱动部件的运转，在所述传动机构的作用下，带动所述石墨坩埚（3）与所述搅拌件（5）进行同步反向转动；通过所述传动机构的运转，在所述滑动部件的作用下，带动所述石墨坩埚（3）进行前后的持续摆动；通过所述驱动部件的运转，在所述往复机构的作用下，带动所述石墨坩埚（3）进行竖向往复移动；通过所述稳定部件的作用下，对所述石墨坩埚（3）进行定位和限制，并能加快所述加热壳（2）内的热气流动速度。
一种p型4H-SiC的SiC/Al/Ti欧姆接触电极、其制备方法及包含该电极的半导体器件
发明专利权授予专利号: CN117558750A
申请人: 浙江大学
发明人: 皮孝东;步明轩;杨德仁
申请日期: 2023-09-27
公开日期: 2024-06-25
IPC分类:
H01L21/04
摘要:
本发明提供一种适用于任意掺杂浓度的p型4H?SiC的SiC/Al/Ti欧姆接触电极，包括依次沉积于p型4H?SiC基底上的第一电极层、第二电极层，所述第一电极层材料为金属Al，所述第二电极层材料为金属Ti，所述第一电极层厚度与所述第一、第二电极层总厚度的比值为38％(±0.5％)～72％(±0.5％)；进一步的，所述SiC/Al/Ti欧姆接触电极还包括沉积于所述第二电极层之上的第三电极层，所述第三电极层的材料选自金属Ni、Au、W或Mo中的任意一种或多种。本发明的p型4H?SiC欧姆接触电极具有与现有工艺水平相当甚至更好的比接触电阻率，可以适用于所有p型4H?SiC的电子器件。
主权项:
1.一种p型4H-SiC的SiC/Al/Ti欧姆接触电极，其特征在于，包括依次沉积于p型4H-SiC基底上的第一电极层和第二电极层，所述第一电极层材料为金属Al，所述第二电极层材料为金属Ti，所述第一电极层厚度与所述第一、第二电极层总厚度的比值为38％(±0.5％)～72％(±0.5％)；其中：优选的，所述第一电极层的厚度为70nm以上；优选的，所述第二电极层的厚度为30nm以上；优选的，所述第一电极层的厚度为150nm以下；优选的，所述第二电极层的厚度为200nm以下；优选的，所述所述第一电极层厚度与所述第一、第二电极层总厚度的比值为60％～72％。
发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
发明专利权授予专利号: CN116936700A
申请人: 江西兆驰半导体有限公司
发明人: 印从飞;张彩霞;刘春杨;胡加辉;金从龙
申请日期: 2023-09-15
公开日期: 2023-12-22
IPC分类:
H01L33/14
摘要:
本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。发光二极管外延片依次包括衬底、AlN缓冲层、本征GaN层、N型GaN层、应力释放层、多量子阱层、P型复合层、电子阻挡层和P型GaN层，P型复合层包括依次层叠的Mg<subgt;3</subgt;N<subgt;2</subgt;层、P?GaN层、P?InGaN层，P?GaN层中Mg的掺杂浓度＜P?InGaN层中Mg的掺杂浓度；Mg<subgt;3</subgt;N<subgt;2</subgt;层的生长温度＜P?GaN层的生长温度＜P?InGaN层的生长温度；Mg<subgt;3</subgt;N<subgt;2</subgt;层的生长压力＞P?GaN层的生长压力＞P?InGaN层的生长压力。实施本发明，可提升发光二极管的发光效率、降低工作电压。
主权项:
1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底和依次设于所述衬底上的AlN缓冲层、本征GaN层、N型GaN层、应力释放层、多量子阱层、P型复合层、电子阻挡层和P型GaN层，所述P型复合层包括依次层叠的Mg3N2层、P-GaN层、P-InGaN层，其中P-GaN层和P-InGaN层的P型掺杂元素为Mg；所述P-GaN层中Mg的掺杂浓度＜所述P-InGaN层中Mg的掺杂浓度；所述Mg3N2层的生长温度＜所述P-GaN层的生长温度＜所述P-InGaN层的生长温度；所述Mg3N2层的生长压力＞所述P-GaN层的生长压力＞所述P-InGaN层的生长压力。
一种激光熔覆卡嘴冷却装置
实质审查的生效专利号: CN117187802A
申请人: 郑州辉锐增材制造技术有限公司
发明人: 张专;鲁双伟
申请日期: 2023-09-12
公开日期: 2023-12-08
IPC分类:
C23C24/10
摘要:
本发明涉及激光熔覆卡嘴技术领域，尤其为一种激光熔覆卡嘴冷却装置，包括激光熔覆头，所述激光熔覆头上的激光通道的外壁上套接有中空的储水套筒，所述中空的储水套筒的侧壁上并且靠近激光熔覆头的底部安装有温度检测传感器，所述储水套筒的侧壁上设置有透明液位观察窗，所述透明液位观察窗的一侧设置有制冷组件，所述制冷组件的一侧并且位于储水套筒的侧壁上安装有注水塞盖，本发明仅仅在激光通道的外壁套接有储水套筒，从而利用半导体制冷片进行制冷，对储水套筒内部的液体直接降温，从而结构简单，有益效的解决了目前采用冷却的结构复杂，增加了成本，同时冷却结构的过于复杂从而会给激光熔覆头使用时造成负担的问题。
主权项:
1.一种激光熔覆卡嘴冷却装置，包括激光熔覆头(1)，其特征在于：所述激光熔覆头(1)上的激光通道的外壁上套接有中空的储水套筒(2)，所述中空的储水套筒(2)的侧壁上并且靠近激光熔覆头(1)的底部安装有温度检测传感器(3)，所述储水套筒(2)的侧壁上设置有透明液位观察窗(4)，所述透明液位观察窗(4)的一侧设置有制冷组件(5)，所述制冷组件(5)的一侧并且位于储水套筒(2)的侧壁上安装有注水塞盖(6)；所述储水套筒(2)的外壁上固定设置有制冷片安装框(501)，所述制冷片安装框(501)的内部安装有半导体制冷片(502)，所述半导体制冷片(502)上设置有板型散热翅片(503)，所述制冷片安装框(501)的外壁上设置安装有控制器(504)。
一种半导体用密封件制备方法及密封结构
发明专利申请公布专利号: CN118720146A
申请人: 中科艾尔（北京）科技有限公司
发明人: 耿德占
申请日期: 2023-09-12
公开日期: 2024-10-01
IPC分类:
B01D46/00
摘要:
本发明涉及一种半导体用密封件制备方法及密封结构，其包括：采用金属粉末制备过滤部，将金属粉末进行烧结，再进行渗碳、淬火及回火工艺进行初步成型处理；再经过机加矫形，表面处理完成成品，且壁面布满微孔；制备金属平垫，采用圆形薄金属垫片制成，在其中心处开设有圆孔，沿圆孔周向间隔开设多个小通气孔，然后将过滤部的焊接在金属平垫一侧；制备阻火芯，采用金属材料制成整体截面为工字型，先将其竖直部依次穿过金属平垫的圆孔和过滤部，并在竖直部两端分别焊接两个金属圆片，使阻火芯不会脱出金属平垫的圆孔和过滤部；制备弹性件，采用具有势能的弹性零件制成，其一端焊接在位于过滤部侧的阻火芯的金属圆片内侧，另一端位于过滤部内。
主权项:
1.一种半导体用密封件制备方法，其特征在于，包括：采用金属粉末制备过滤部，将金属粉末进行烧结，然后依次进行渗碳、淬火及回火工艺进行初步成型处理；再经过机加矫形，表面处理完成成品过滤部，且过滤部的壁面布满微孔；其中，金属粉末由C、Ni、Si、Mn、P、Cu和Fe元素构成，相应含量为：C：0.01%～0.03%；Ni：10%～15%；Si：0.8%～1%；Mn：0.8%～1.5%；P：0.1～0.8%；Cu：5%～8%；其余为Fe元素；制备金属平垫，采用圆形薄金属垫片制成，并在其中心处开设有圆孔，沿圆孔周向间隔开设多个作为气体介质流通通道的小通气孔，然后将过滤部的焊接在金属平垫一侧；制备阻火芯，采用金属材料制成整体截面为工字型，先将其竖直部依次穿过金属平垫的圆孔和过滤部，并在竖直部两端分别焊接两个金属圆片，使阻火芯不会脱出金属平垫的圆孔和过滤部；制备弹性件，采用具有势能的弹性零件制成，其一端焊接在位于过滤部侧的阻火芯的金属圆片内侧，另一端位于过滤部内。
一种高产能AlSi或AlSiCu薄膜的沉积方法
发明专利权授予专利号: CN116855892A
申请人: 上海陛通半导体能源科技股份有限公司
发明人: 王卫玲;潘钱森;周云;宋维聪
申请日期: 2023-09-05
公开日期: 2023-12-08
IPC分类:
C23C14/14
摘要:
本发明公开了一种高产能AlSi或AlSiCu薄膜的沉积方法，包括以下步骤：S1：提供PVD反应腔体，反应腔体内设置有加热器，加热器上设置有一导热结构，加热器上设置有顶针，靶材为AlSi或AlSiCu；S2：加热器温度设置在150?280℃，反应腔体的气压为真空或者接近真空；S3：反应腔体的射频功率设置为11?18kw，通入氩气，沉积相应时间的AlSi或AlSiCu薄膜；S4：关闭反应腔体电源，通过导热气体稳压冷却，静置相应时间后抽出导热气体，进行下一次沉积，直到得到相应厚度的沉积AlSi或AlSiCu薄膜，使用此工艺方式可以使单片工艺时间可以缩短30%左右。
主权项:
1.一种高产能AlSi或AlSiCu薄膜的沉积方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：提供PVD反应腔体，反应腔体内设置有加热器，加热器上设置有一导热结构，基片位于导热结构上，加热器上设置有顶针，导热结构上具有用于顶针通过的间隙，靶材为AlSi或AlSiCu；S2：加热器温度设置在150-280℃，反应腔体的气压为真空或者接近真空；S3：反应腔体的射频功率设置为11-18kw，通入30-70sccm的氩气，沉积相应时间的AlSi或AlSiCu薄膜；S4：关闭反应腔体电源，通过导热气体稳压冷却，气压稳定在0.5-1.5Torr，静置相应时间后抽出导热气体，进行下一次沉积或根据沉积次数的需要依次循环稳压冷却再沉积，稳压冷却的期间顶针顶起基片静置，进入下一次沉积时顶针收起并根据稳压冷却的次数循环操作，直到得到相应厚度的沉积AlSi或AlSiCu薄膜。
同轴SLM监测并实时反馈控制打印舱风场装置及方法
实质审查的生效专利号: CN117245103A
申请人: 广西大学
发明人: 龙雨;任航;张雨晖;严华林
申请日期: 2023-08-29
公开日期: 2023-12-19
IPC分类:
B33Y50/02
摘要:
本发明的同轴SLM监测并实时反馈控制打印舱风场装置及方法包括光路单元、成像单元、控制单元和气体循环净化单元，控制单元控制光路单元产生预设功率激光聚焦到加工表面进行SLM加工，产生红外熔池自发光和成像单元中的半导体激光器发射的激光在加工表面的反射光的混合光束进入光路单元并反射至成像单元，实现可见光成像和红外热成像；控制单元接收、储存和分析成像单元获取的实时SLM加工过程熔池温度分布与熔池图像生成反馈控制信号至气体循环净化单元，以实时调节打印舱内风场流速，确保在SLM加工过程中能完整吸取加工表面金属粉末迅速熔化和凝固时所产生的飞溅与烟尘，减少后续加工过程中飞溅与烟尘对激光、铺粉过程以及熔池形成的影响，适合推广。
主权项:
1.同轴SLM监测并实时反馈控制打印舱风场装置，其特征在于，包括光路单元、成像单元、控制单元和气体循环净化单元，所述光路单元包括激光器、准直镜、第一合束镜、第二合束镜、扫描振镜和场镜，激光器和扫描振镜分别连接控制单元，激光器通过光纤连接准直镜，控制单元控制激光器产生预设功率的激光依次经过准直镜、第二合束镜、第一合束镜、扫描振镜后，通过场镜聚焦到加工表面；所述成像单元包括半导体激光器、红外热像仪、高速相机、第一滤光片和第二滤光片，半导体激光器安装在加工表面上方，且半导体激光器产生的激光照射到加工表面，所述第二滤光片和高速相机分别依次设在第二合束镜的垂直方向上，第一滤光片和红外热像仪分别依次设在第一合束镜的垂直方向上，高速相机和红外热像仪分别连接控制单元；所述气体循环净化单元包括除尘净化装置、吸气件、吸风管道、第一吹气件、第二吹气件、第一吹风管道和第二吹风管道，除尘净化装置连接控制单元，除尘净化装置进气口通过吸风管道连接吸气件，出气口通过第一吹气管道连接第一吹气件，第二吹气件通过第二吹风管道安装在第一吹气件顶部，且位于扫描振镜与第一吹气件之间，吸风管道与第一吹风管道相对设置形成半包围状，使吸气件和第一吹气件分别对称设置在加工表面两侧。
一种半导体用低氧粉末冶金钽靶的制备方法
实质审查的生效专利号: CN116904944A
申请人: 宁波江丰电子材料股份有限公司
发明人: 姚力军;潘杰;黄洁文;廖培君;吴东青
申请日期: 2023-08-18
公开日期: 2023-10-20
IPC分类:
B22F1/145
摘要:
本发明提供一种半导体用低氧粉末冶金钽靶的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：(1)将钽粉原料经脱氢处理后，进行氢气还原，得到低氧钽粉；所述低氧钽粉的氧含量≤300ppm；(2)所述低氧钽粉依次进行冷等静压处理、脱气处理和热等静压处理，得到半导体用低氧粉末冶金钽靶。本发明所述的制备方法操作简单，通过将钽粉原料进行氢气还原，控制钽粉中的氧含量≤300ppm，后续通过冷等静压处理、脱气处理和热等静压处理，解决了粉末冶金钽靶氧含量偏高的问题，具有大范围推广应用前景。
主权项:
1.一种半导体用低氧粉末冶金钽靶的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：(1)将钽粉原料经脱氢处理后，进行氢气还原，得到低氧钽粉；所述低氧钽粉的氧含量≤300ppm；(2)所述低氧钽粉依次进行冷等静压处理、脱气处理和热等静压处理，得到半导体用低氧粉末冶金钽靶。
一种同轴SLM实时监测与实时反馈控制装置及方法
实质审查的生效专利号: CN117161412A
申请人: 广西大学
发明人: 龙雨;任航;张雨晖;严华林
申请日期: 2023-08-14
公开日期: 2023-12-05
IPC分类:
B33Y50/02
摘要:
本发明公开了一种同轴SLM实时监测与实时反馈控制装置及方法，该装置包括激光光路模块、同轴监测光路模块、反馈控制模块。激光光路模块连接反馈控制模块实现SLM加工过程，并与同轴监测光路模块连接，使用红外热像仪与高速相机实现SLM加工过程的实时温度分布与熔池区域监测。半导体激光器安装在加工表面上方以产生激光照射到加工表面作为高速相机的辅助光源，提高监测效果。高速相机和红外热像仪分别连接反馈控制模块，反馈控制模块分析处理实时显示熔池状态数据供用户在线分析打印，同时生成实时反馈控制信号调整加工过程中激光功率与扫描速度，提高SLM工艺的稳定性。
主权项:
1.一种同轴SLM实时监测与实时反馈控制装置，其特征在于，包括反馈控制模块、激光光路模块和同轴监测光路模块，所述激光光路模块包括激光器、准直镜、第一合束镜、扫描振镜和场镜，激光器和扫描振镜分别连接反馈控制模块，准直镜通过光纤连接激光器，反馈控制模块控制激光器产生预设功率的激光通过准直镜准直后经过第一合束镜，反馈控制模块控制扫描振镜将透过第一合束镜的激光反射到加工表面指定位置后，通过场镜聚焦到加工表面；所述同轴监测光路模块包括第二合束镜、红外热像仪、高速相机、第一滤光片、第二滤光片和半导体激光器，所述第二合束镜、第二滤光片和高速相机分别依次设置在第一合束镜的垂直方向上，第一滤光片和红外热像仪分别依次设置在第二合束镜的水平方向上，高速相机和红外热像仪分别连接反馈控制模块，半导体激光器安装在加工表面上方，且半导体激光器产生的激光照射到加工表面。
化镀溶液中的金属分析方法
发明专利申请公布专利号: CN117233239A
申请人: 华虹半导体（无锡）有限公司
发明人: 李晓宁;沈雁君;黄红伟
申请日期: 2023-08-14
公开日期: 2023-12-15
IPC分类:
G01N27/626
摘要:
本申请公开了一种化镀溶液中的金属分析方法，包括：将预定容积的化镀溶液和盐酸溶液至于预定容积的容量瓶中，得到混合溶液，该化镀溶液中包含目标金属元素；将混合溶液放置于ICP?OES设备的进样管中，作为测试样品；在预定波长下，通过目标金属元素的标准曲线对测试样品进行分析，得到目标金属元素的浓度。本申请通过将化镀溶液通过盐酸稀释后，将其置于ICP?OES设备中通过预定波长进行分析，得到目标金属的浓度，不需要复杂的一系列的前处理，节省了分析时间，在一定程度上提高了生产效率。
主权项:
1.一种化镀溶液中的金属分析方法，其特征在于，包括：将预定容积的化镀溶液和盐酸溶液至于预定容积的容量瓶中，得到混合溶液，所述化镀溶液中包含目标金属元素；将混合溶液放置于ICP-OES设备的进样管中，作为测试样品；在预定波长下，通过目标金属元素的标准曲线对所述测试样品进行分析，得到目标金属元素的浓度。
MicroLED像素化方法
实质审查的生效专利号: CN116759497A
申请人: 晶能光电股份有限公司
发明人: 黄涛
申请日期: 2023-08-11
公开日期: 2023-09-15
IPC分类:
H01L33/00
摘要:
本发明提供了一种MicroLED像素化方法，包括：提供待像素化的半导体发光结构，半导体发光结构包括依次堆叠于生长衬底表面的第一半导体层、发光层及第二半导体层；通过邦定材料将半导体发光结构邦定至支撑基板表面，并去除生长衬底；根据预先配置的像素单元，在半导体发光结构表面形成相应的掩膜材料；对未覆盖掩膜材料区域的半导体发光结构进行干法刻蚀，在半导体发光结构中形成预设深度的沟槽；去除掩膜材料，并对形成有沟槽的半导体发光结构进行湿法刻蚀直至露出邦定材料，完成对半导体发光结构的像素化过程，在支撑基板表面形成像素单元，能够有效降低MicroLED出现边缘缺陷的概率。
主权项:
1.一种MicroLED像素化方法，其特征在于，包括：提供待像素化的半导体发光结构，所述半导体发光结构包括依次堆叠于生长衬底表面的第一半导体层、发光层及第二半导体层；通过邦定材料将所述半导体发光结构邦定至支撑基板表面，并去除生长衬底；根据预先配置的像素单元，在所述半导体发光结构表面形成相应的掩膜材料；对未覆盖掩膜材料区域的半导体发光结构进行干法刻蚀，在半导体发光结构中形成预设深度的沟槽；去除掩膜材料，并对形成有沟槽的半导体发光结构进行湿法刻蚀直至露出邦定材料，完成对半导体发光结构的像素化过程，在支撑基板表面形成像素单元。
一种三代半导体用等静压石墨舟用支撑舟脚
专利申请权、专利权的转移专利号: CN116732501A
申请人: 福建福碳新材料科技有限公司
发明人: 吕尊华;冯于驰;纪斌
申请日期: 2023-08-09
公开日期: 2023-10-10
IPC分类:
C23C16/50
摘要:
本发明公开了一种三代半导体用等静压石墨舟用支撑舟脚，涉及石墨舟技术领域，包括舟体、舟脚、电极块、支撑柱、浮动套、空心套；多个水平穿设于空心套上的刮板，刮板在空心套上能自由滑动；用于在空心套朝上移动时，能够驱动多个刮板沿空心套径向运动的驱动部；用于在空心套朝上移动时，驱动刮板绕支撑柱轴向旋转的旋转部。当舟体放置于管式PECVD设备内时，随着舟体的下放，空心套将相对舟脚朝上移动，将由旋转部驱动多个刮板绕支撑柱的轴向旋转，使得多个刮板能够旋转并对管式PECVD设备的电极座表面进行清理，进而将电极座表面氮化硅粉末及碎片刮出且远离舟脚，使得能够避免氮化硅粉末或碎片与舟脚接触，进而造成舟脚与电极座接触不良的现象。
主权项:
1.一种三代半导体用等静压石墨舟用支撑舟脚，包括舟体（1）及连接于所述舟体（1）底部的多个舟脚（7），其特征在于，还包括：可拆卸连接于所述舟体（1）上的电极块（10），所述电极块（10）上竖直固接有支撑柱（16），所述支撑柱（16）与所述舟脚（7）固接；活动套装于所述支撑柱（16）上的浮动套（4），所述浮动套（4）上同轴固接有空心套（6），所述空心套（6）底部敞口，且所述舟脚（7）位于所述空心套（6）内；多个水平穿设于所述空心套（6）上的刮板（5），所述刮板（5）在所述空心套（6）上能自由滑动；用于在所述空心套（6）朝上移动时，能够驱动多个所述刮板（5）沿所述空心套（6）径向运动的驱动部；用于在所述空心套（6）朝上移动时，驱动所述刮板（5）绕所述支撑柱（16）轴向旋转的旋转部。
一种提升n型Mg3Sb2基热电半导体平均热电优值的方法
实质审查的生效专利号: CN116887657A
申请人: 广东震宇节能环保技术有限公司;
发明人: 龙震宇;熊素琴;梁继升;苗蕾;刘呈燕;王潇漾
申请日期: 2023-08-08
公开日期: 2023-10-13
IPC分类:
H10N10/853
摘要:
本发明公开了一种提升n型Mg<subgt;3</subgt;Sb<subgt;2</subgt;基热电半导体平均热电优值的方法，通过具有高掺杂电子浓度的化学元素组成为Mg<subgt;3.2?x</subgt;Zr<subgt;x</subgt;Sb<subgt;1.5</subgt;Bi<subgt;0.5?y</subgt;Te<subgt;y</subgt;的材料混合具有低本征电子浓度的化学元素组成为Mg<subgt;3.2</subgt;Sb<subgt;1.5</subgt;Bi<subgt;0.5</subgt;的材料进行烧结，实现了在Mg<subgt;3</subgt;Sb<subgt;2</subgt;基块体材料中的调制掺杂技术，有效的减少了电离杂质散射对电子迁移的影响，极大地提高了电子迁移率，提升了低温区热电性能，优化了材料的电学性能，整体提升了材料的平均热电优值，具有广阔的应用前景。
主权项:
1.一种提升n型Mg3Sb2基热电半导体平均热电优值的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：具有高掺杂电子浓度的化学元素组成为Mg3.2-xZrxSb1.5Bi0.5-yTey的材料混合具有低本征电子浓度的化学元素组成为Mg3.2Sb1.5Bi0.5的材料进行烧结，得到产物化学元素组成为(Mg3.2-xZrxSb1.5Bi0.5-yTey)z(Mg3.2Sb1.5Bi0.5)1-z，其中，z为Mg3.2-xZrxSb1.5Bi0.5-yTey的材料与Mg3.2Sb1.5Bi0.5的材料的化学计量配比，x、y代表原子百分比，x＝0.002～0.2，y＝0.01～0.1，z＝0.1～0.8。
一种氮化镓高压器件
发明专利权授予专利号: CN116707502A
申请人: 杭州云镓半导体科技有限公司
发明人: 李茂林;施雯;杨参有;董志文;唐高飞;银发友
申请日期: 2023-08-07
公开日期: 2023-10-31
IPC分类:
H03K17/10
摘要:
本发明涉及半导体器件领域，特别涉及一种氮化镓高压器件。包括：增强型GaN HEMT器件，衬底电压控制电路；其中，增强型GaN HEMT器件的栅极、漏极、源极分别为氮化镓高压器件的栅极、漏极、源极，增强型GaN HEMT器件的衬底与衬底电压控制电路的第一端电气连接。当氮化镓高压器件的栅极电压大于增强型GaN HEMT器件的阈值电压时，增强型GaN HEMT器件的衬底接地，降低增强型GaN HEMT器件的表面电场使得氮化镓高压器件的动态特性良好。当氮化镓高压器件的栅极电压小于阈值电压时，增强型GaN HEMT器件的衬底浮空，使得增强型GaN HEMT器件的衬底电压钳位将增强型GaN HEMT器件的衬底衬底电位钳位在某个高电压，提升关断状态下的击穿电压。
主权项:
1.一种氮化镓高压器件，其特征在于，包括：增强型GaN HEMT器件，衬底电压控制电路；其中，所述增强型GaN HEMT器件的栅极作为所述氮化镓高压器件的栅极；所述增强型GaN HEMT器件的漏极作为所述氮化镓高压器件的漏极；所述增强型GaN HEMT器件的源极作为所述氮化镓高压器件的源极；所述增强型GaN HEMT器件的衬底与所述衬底电压控制电路的第一端电气连接；当所述氮化镓高压器件的源极接地，所述氮化镓高压器件的栅极电压大于增强型GaNHEMT器件的阈值电压时，所述增强型GaN HEMT器件导通，所述衬底电压控制电路的第一端输出第一电压信号，使得增强型GaN HEMT器件的衬底接地；当所述氮化镓高压器件的源极接地，所述氮化镓高压器件的栅极电压小于阈值电压时，所述增强型GaN HEMT器件关断，所述衬底电压控制电路的第一端输出第二电压信号，使得增强型GaN HEMT器件的衬底电压钳位。
高亮度发光二极管外延结构及其制备方法、LED
实质审查的生效专利号: CN116914040A
申请人: 佛山市国星半导体技术有限公司
发明人: 崔永进;秦明惠;程绮琳
申请日期: 2023-08-03
公开日期: 2023-10-20
IPC分类:
H01L33/14
摘要:
本发明公开了一种高亮度发光二极管外延结构及其制备方法、LED，涉及半导体光电器件领域。其中，高亮度发光二极管外延结构，包括衬底，依次层叠的缓冲层、未掺杂GaN层、N?GaN层、有源层、叠障层、第一P?GaN层、分流层、第二P?GaN层和接触层；其中，叠障层为Mg掺Al<subgt;x</subgt;Ga<subgt;1?x</subgt;N层；分流层包括依次层叠的AlN层和Mg掺Al<subgt;y</subgt;Ga<subgt;1?</subgt;<subgt;y</subgt;N层，接触层为Mg掺Al<subgt;z</subgt;Ga<subgt;1?z</subgt;N层，Mg掺Al<subgt;x</subgt;Ga<subgt;1?x</subgt;N层、Mg掺Al<subgt;y</subgt;Ga<subgt;1?y</subgt;N层、Mg掺Al<subgt;z</subgt;Ga<subgt;1?z</subgt;N层中均形成有多个Al量子点，以形成多层次的取光通道。实施本发明，可提升发光二极管外延结构的亮度，且不提升工作电压。
主权项:
1.一种高亮度发光二极管外延结构，其特征在于，包括衬底，依次层叠于所述衬底上的缓冲层、未掺杂GaN层、N-GaN层、有源层、叠障层、第一P-GaN层、分流层、第二P-GaN层和接触层；其中，所述叠障层为Mg掺AlxGa1-xN层，x为0.1～0.3；所述分流层包括依次层叠于所述第一P-GaN层上的AlN层和Mg掺AlyGa1-yN层，y为0.15～0.35；所述接触层为Mg掺AlzGa1-zN层，z为0.1～0.2；所述Mg掺AlxGa1-xN层、Mg掺AlyGa1-yN层、Mg掺AlzGa1-zN层中均形成有多个Al量子点，以形成多层次的取光通道。
金属粉末装料装置
实质审查的生效专利号: CN116835339A
申请人: 同创（丽水）特种材料有限公司
发明人: 姚力军;李桂鹏;杨俊杰
申请日期: 2023-08-02
公开日期: 2023-10-03
IPC分类:
B65G65/32
摘要:
本发明涉及半导体溅射靶材装料回收技术领域，尤其涉及一种金属粉末装料装置。该金属粉末装料装置包括料仓、转运车和升降车。料仓内盛装有氢化钽金属粉末，料仓呈倒锥形状，料仓的上端设置有第一开口，料仓的下端设置有第二开口，料仓上设置有阀门，阀门用于启闭第二开口。转运车用于转运料仓，转运车能够将料仓转运至下料处，以使第一开口连通氢化钽破碎装置的出料口。升降车上设置有计量称，计量称上放置有坩埚，升降车位置可调节地设置在料仓下方，以使第二开口正对坩埚，计量称用于称重坩埚内的氢化钽金属粉末的重量。该金属粉末装料装置无需人工将氢化钽金属粉末铲入坩埚中，减少了作业人员的劳动强度，提高工作效率，节约成本。
主权项:
1.金属粉末装料装置，其特征在于，包括：料仓(100)，所述料仓(100)内盛装有氢化钽金属粉末，所述料仓(100)呈倒锥形状，所述料仓(100)的上端设置有第一开口(110)，所述料仓(100)的下端设置有第二开口(120)，所述第一开口(110)的孔径大于所述第二开口(120)的孔径，所述料仓(100)上设置有阀门(130)，所述阀门(130)用于启闭所述第二开口(120)；转运车(200)，所述转运车(200)用于转运所述料仓(100)，所述转运车(200)能够将所述料仓(100)转运至下料处，以使所述第一开口(110)连通氢化钽破碎装置的出料口；所述转运车(200)能够将所述料仓(100)吊挂至装料处；升降车(300)，所述升降车(300)上设置有计量称(310)，所述计量称(310)上放置有坩埚(320)，所述升降车(300)位置可调节地设置在所述料仓(100)下方，以使所述第二开口(120)正对所述坩埚(320)，所述计量称(310)用于称重所述坩埚(320)内的所述氢化钽金属粉末的重量。
一种宽匀化光源系统及其控制匀化方法
实质审查的生效专利号: CN116646812A
申请人: 苏州科乐宏峰光电科技有限公司
发明人: 杨晨东
申请日期: 2023-07-19
公开日期: 2023-08-25
IPC分类:
H01S5/00
摘要:
本申请涉及激光光源领域，公开了一种宽匀化光源系统及其控制匀化方法，包括半导体激光器，类球透镜，柱透镜。其特征在于，所述的半导体激光器可以发出光束，光束被所述的类球透镜整形后，到达所述的柱透镜，折射后实现宽匀化光源。本发明通过一片类球透镜将半导体激光器进行预准直整形，同时实现在半导体激光器的慢轴方向进行匀化。再通过双片柱透镜对边发射半导体激光器的慢轴方向进行光束压缩或扩展整形，达到预期的匀化光束宽度。
主权项:
1.一种宽匀化光源系统，包括半导体激光器（1），类球透镜（2），柱透镜（3），其特征在于，所述的半导体激光器（1）可以发出光束，光束被所述的类球透镜（2）整形后，到达所述的柱透镜（3），折射后实现宽匀化光源。
一种金刚石砂轮及其制备工艺
实质审查的生效专利号: CN116890308A
申请人: 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
发明人: 钱灌文;夏珩纹;王礼华;张高亮;左冬华
申请日期: 2023-07-13
公开日期: 2023-10-17
IPC分类:
B24D18/00
摘要:
本发明提出了一种金刚石砂轮及其制备工艺，属于磨料砂轮的技术领域，用以解决金刚石砂轮强度低及对新一代半导体材料减薄加工稳定性差的技术问题。金刚石砂轮制备工艺包括以下步骤：(1)将铜锡合金粉、氧化石墨烯、聚醚砜树脂粉、金刚石微粉混合过筛，并加入改性氧化铝空心球，再次过筛得成型料；(2)将成型料装入模具中进行热压烧结成型制得砂轮齿，对砂轮齿内外圆打磨加工制得金刚石砂轮；所述改性氧化铝空心球为表面镀覆SnS薄膜的氧化铝空心球。该金刚石砂轮锋利性好、强度高，能够适应高转速和高进给加工工艺，在对碳化硅等新一代半导体材料磨削加工时具有较高的加工效率和表面质量。
主权项:
1.一种金刚石砂轮的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：(1)将铜锡合金粉、氧化石墨烯、聚醚砜树脂粉、金刚石微粉混合过筛，并加入改性氧化铝空心球，再次混合过筛得成型料；(2)将成型料装入模具中进行热压烧结成型制得砂轮齿，对砂轮齿内外圆打磨加工制得金刚石砂轮；所述改性氧化铝空心球为表面镀覆SnS薄膜的氧化铝空心球。
一种SiC基复合材料的一体化连接方法及在制备半导体SiC真空吸盘中的应用
实质审查的生效专利号: CN117088704A
申请人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
发明人: 刘岩;赵子燕;刘学建;黄政仁
申请日期: 2023-07-03
公开日期: 2023-11-21
IPC分类:
C04B37/00
摘要:
本发明涉及一种SiC基复合材料的一体化连接方法及在制备半导体SiC真空吸盘中的应用。所述SiC基复合材料的一体化连接方法包括：将Ti?Si合金粉铺展到至少两块堆叠放置的SiC/C多孔预制坯体上，经过原位反应熔渗烧结，进而实现SiC基复合材料的一体化连接。
主权项:
1.一种SiC基复合材料的一体化连接方法，其特征在于，包括：将Ti-Si合金粉铺展到至少两块堆叠放置的SiC/C多孔预制坯体上，经过原位反应熔渗烧结，进而实现SiC基复合材料的一体化连接。
植球检测方法、装置、检测终端和存储介质
实质审查的生效专利号: CN116596918A
申请人: 东莞市崴泰电子有限公司
发明人: 杜洪化
申请日期: 2023-06-16
公开日期: 2023-08-15
IPC分类:
G06T7/00
摘要:
本申请涉及一种植球检测方法、装置、检测终端和存储介质。所述方法包括：以植球图像训练检测模型，所述植球图像是已检测植球合格的半导体芯片或基板的局部植球图像或/和完整植球图像；通过摄像机实时获取待检测半导体芯片或基板的待检测植球图像；将所述待检测植球图像输入所述检测模型进行检测，获取所述待检测植球图像中植球是否合格的结果。采用本方法能够通过训练检测模型，可以实时、高效且可靠地完成植球检测，提高检测工作效率。
主权项:
1.一种植球检测方法，其特征在于，所述方法包括：以植球图像训练检测模型，所述植球图像是已检测植球合格的半导体芯片或基板的局部植球图像或/和完整植球图像；通过摄像机实时获取待检测半导体芯片或基板的待检测植球图像；将所述待检测植球图像输入所述检测模型进行检测，获取所述待检测植球图像中植球是否合格的结果。
金属粉末专利分析
材料体系分布
制备工艺分布
技术领域分布 (IPC分类)
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B22F10/28(3D打印) • B22F9/04(制粉) •
C23C24/10(涂层) • C22C19/05(镍合金) •
B33Y50/02(控制) • C22F1/18(热处理)