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一种密封阻化材料及其制备方法和利用密封阻化材料进行矿硐密封阻化的方法
实质审查的生效专利号: CN118853114A
申请人: 江苏大地源环保科技有限公司
发明人: 仵西龙; 王浩琦; 穆松; 李麟; 刘厚松; 周肖飞; 刘将; 刘旗
申请日期: 2024-06-28
公开日期: 2024-10-29
IPC分类:
E21F17/00
摘要:
本发明属于阻化材料技术领域，具体涉及一种密封阻化材料及其制备方法和利用密封阻化材料进行矿硐密封阻化的方法。本发明提供了密封阻化材料，以质量份数计，包括以下组分：KEP材料100份；脲CMC凝胶10～15份；水35～50份。本发明中提供的密封阻化材料由于密封阻化材料系陶瓷基材料，且脲CMC能够抑制微生物氧化，因此，该密封阻化材料具有良好的抗硫酸盐和微生物腐蚀性能。
主权项:
1.一种密封阻化材料，以质量份数计，包括以下组分：KEP材料 100份；脲CMC凝胶 10～15份；水 35～50份。
一种铝硅合金陶瓷复合定型相变储热材料及其制备方法
发明专利申请公布专利号: CN118835142A
申请人: 北京智慧能源研究院; 国网山东省电力公司济宁供电公司
发明人: 张高群; 张靖岑; 邓占锋; 渠志江; 刘宗杰; 王悦
申请日期: 2024-06-28
公开日期: 2024-10-25
IPC分类:
C22C29/12
摘要:
本发明公开了一种铝硅合金陶瓷复合定型相变储热材料及其制备方法，该相变储热材料包括陶瓷基体和分散在陶瓷基体中的预包覆铝硅合金，预包覆铝硅合金包括铝硅合金粉和包覆在铝硅合金粉外的氧化铝陶瓷膜；该制备方法包括：将预包覆铝硅合金和陶瓷基体的原料均匀混合得到原料混合物；在原料混合物中加水并置于模具中冷压成形得到预制坯体；干燥处理预制坯体；对干燥处理后的预制坯体进行烧结，得到该相变储热材料。本发明提供的一种铝硅合金陶瓷复合定型相变储热材料使用时不泄露、具有高导热、高储热且热循环性能良好，提供的该相变储热材料的制备方法操作简单安全，成形率高、易于实现工业化生产。
主权项:
1.一种铝硅合金陶瓷复合定型相变储热材料，其特征在于，包括陶瓷基体和分散在所述陶瓷基体中的预包覆铝硅合金，所述预包覆铝硅合金包括铝硅合金粉，以及包覆在所述铝硅合金粉外的氧化铝陶瓷膜。
一种耐腐蚀耐冲刷涂层及其制备方法
发明专利权授予专利号: CN118390052A
申请人: 河南驰耐特材科技有限公司
发明人: 马天兵;安江;张龙飞;郑乾
申请日期: 2024-06-26
公开日期: 2024-09-03
IPC分类:
C23C4/08
摘要:
本发明提供了一种耐腐蚀耐冲刷涂层及其制备方法，涂层的制备方法为：先取WMoTaNbV高熵合金粉和镍基合金粉末混合均匀，制成涂覆粉体；取陶瓷粉末、粘合剂、镍铬合金丝和水搅拌均匀制成陶瓷浆料；使用热喷枪直接对基体表面进行气体喷射；之后采用超高速热喷涂工艺制备底层；然后借助弹性丝网在底层上形成若干合金柱钉；取下弹性丝网，将合金柱钉中温加热，然后涂抹陶瓷浆料，待陶瓷浆料固化，得到面层；最后对整个涂层进行高温加热。本发明通过涂层用原料的组分，改进涂层制备方法，得到结合强度高、性能优异的耐腐蚀耐冲刷涂层，从而能够提高化工设备及管道的使用寿命。
主权项:
1.一种耐腐蚀耐冲刷涂层的制备方法，其特征在于，主要包括如下步骤：S1、以质量分数计，取2-4%的WMoTaNbV高熵合金粉、96-98%的镍基合金粉末混合均匀，置于60～80℃温度下真空干燥10～12h，得到粒径为150-350μm的涂覆粉体；以质量分数计，取50-60%的陶瓷粉末、8-11%的粘合剂、1-3%的镍铬合金丝、余量的水搅拌均匀，即得到黏度为1100-4500mPa?s的陶瓷浆料；S2、使用不含原料的热喷枪直接对基体表面进行气体喷射，喷出气体的温度为400-500℃；S3、采用超高速热喷涂工艺将涂覆粉体喷涂至基体上，得到厚度为0.1-0.5mm的底层；S4、利用均布有若干直径为1-3cm圆孔的弹性丝网抵接于底层上，利用冷喷涂工艺将涂覆粉体自圆孔喷至底层上，即在底层上形成若干合金柱钉；取下弹性丝网，将合金柱钉于500-700℃的温度下加热0.5-1.5h以提高合金柱钉的强度；然后涂抹陶瓷浆料以填满合金柱钉间的空隙并完全覆盖合金柱钉；待陶瓷浆料固化，得到厚度为0.3-1.0mm的面层；S5、将整个涂层于1200-1300℃的温度下加热2-4h。
一种增材制造陶瓷覆铜基板的方法和结构
实质审查的生效专利号: CN118678559A
申请人: 成都蓉矽半导体有限公司
发明人: 仵金玲;高巍;戴茂州
申请日期: 2024-06-25
公开日期: 2024-09-20
IPC分类:
H05K3/12
摘要:
本发明提供了一种增材制造陶瓷覆铜基板的方法和结构，涉及功率器件基板制造技术领域，目的是制造出寿命更强、可靠性更高的功率模块，包括以下步骤：通过增材制造技术制备具有导电层拓扑图案的陶瓷基板；对所述陶瓷基板进行表面粗糙化处理；通过增材制造技术打印具有导电层拓扑图案的塑性或刚性掩膜，将所述掩膜安装到所述陶瓷基板；对所述陶瓷基板进行冷喷涂处理。本发明制作的功率模块具有寿命更长、集成度更高且更可靠的优点。
主权项:
1.一种增材制造陶瓷覆铜基板的方法，其特征在于，包括以下步骤：通过增材制造技术制备表面具有导电层拓扑图案的陶瓷基板；对所述陶瓷基板进行覆铜表面的粗糙化处理；通过增材制造技术打印具有导电层拓扑图案的塑性或刚性掩膜，将所述掩膜安装到所述陶瓷基板；对所述陶瓷基板进行冷喷涂处理。
一种陶瓷纤维绳自修复增强剂及其制备方法
实质审查的生效专利号: CN118812270A
申请人: 五冶集团上海有限公司
发明人: 韩藏娟; 任社安; 唐虎
申请日期: 2024-06-25
公开日期: 2024-10-22
IPC分类:
C04B35/185
摘要:
本发明陶瓷纤维绳自修复增强剂，属于陶瓷材料制备技术领域，其由以下质量百分比的各组分混合后外加20～40wt%的硅溶胶和5～15wt%的水制成：莫来石粉40～65wt%、氧化铝微粉15～25wt%、铝硅合金粉2～8wt%、蓝晶石粉2～10wt%、硅微粉10～16wt%、短切纤维1～5wt%、铝酸钙水泥2～5wt%、球黏土1～3wt%、催化剂0.1～0.3wt%、减水剂0.1wt%～0.3wt%。本发明的陶瓷纤维绳自修复增强剂及其制备方法具有提高陶瓷纤维绳服役寿命，改善陶瓷纤维绳服役过程中密封性能衰减问题，降低常用陶瓷纤维绳服役后密封失效的风险，制备过程节能环保，提高产品的性价比和适用性的优点。
主权项:
1.一种陶瓷纤维绳自修复增强剂，其特征在于：由以下质量百分比的各组分混合后外加20～40wt%的硅溶胶和5～15wt%的水制成：莫来石粉40～65wt%、氧化铝微粉15～25wt%、铝硅合金粉2～8wt%、蓝晶石粉2～10wt%、硅微粉10～16wt%、短切纤维1～5wt%、铝酸钙水泥2～5wt%、球黏土1～3wt%、催化剂0.1～0.3wt%、减水剂0.1wt%～0.3wt%。
一种铝基碳化硅-陶瓷手机背板及其制备工艺
发明专利权授予专利号: CN118373700A
申请人: 广州众山功能材料有限公司;
发明人: 李阳;罗伟;唐雨桐;吴廷光;农材忠
申请日期: 2024-06-24
公开日期: 2024-09-27
IPC分类:
B32B9/04
摘要:
本申请涉及铝基碳化硅复合材料制备技术领域，尤其是一种铝基碳化硅?陶瓷手机背板及其制备工艺。一种铝基碳化硅?陶瓷手机背板包括碳化硅基复合陶瓷层和采用复配型合金焊料固定连接于碳化硅基复合陶瓷层的铝基碳化硅层；碳化硅基复合陶瓷层是由以下重量份的原料制成：80?95份碳化硅、0.5?5份氧化铝、0.5?2份氮化钛、0.5?2份碳化硅晶须、0.5?5份氮化硼纳米片、0.5?2份氧化锌晶须、1?4份氧化锆、0.2?0.6份氧化铈；铝基碳化硅层为梯度型铝基碳化硅材。本申请中制备的铝基碳化硅?陶瓷手机背板轻质高强、加工性能良好且具有良好的冲击韧性，抗碎性能良好，满足手机背板市场的高性能需求。
主权项:
1.一种铝基碳化硅-陶瓷手机背板，其特征在于：包括碳化硅基复合陶瓷层（1）和采用复配型合金焊料固定连接于碳化硅基复合陶瓷层（1）的铝基碳化硅层（2）；所述碳化硅基复合陶瓷层（1）是由以下重量份的原料制成：80-95份的碳化硅、0.5-5份氧化铝、0.5-2份的氮化钛、0.5-2份的碳化硅晶须、0.5-5份的氮化硼纳米片、0.5-2份的氧化锌晶须、1-4份的氧化锆、0.2-0.6份的氧化铈；所述复配型合金焊料中含有20-40wt%的锡铋银合金粉和20-40wt%的碳化硅粉；所述铝基碳化硅层（2）为梯度型铝基碳化硅材，所述梯度型铝基碳化硅材至少包括第一铝基碳化硅层（21）、第二铝基碳化硅层（22）、第三铝基碳化硅层（23），所述第三铝基碳化硅层（23）中碳化硅含量为28-36wt%；所述第二铝基碳化硅层（22）中碳化硅含量为18-22wt%；所述第一铝基碳化硅层（21）中碳化硅含量为8-12wt%；所述第三铝基碳化硅层（23）采用复配型合金焊料与碳化硅基复合陶瓷层（1）固定连接。
一种高温合金表面耐氯化熔盐腐蚀层制备的方法
发明专利申请公布专利号: CN118792611A
申请人: 兰州理工大学;
发明人: 陈维铅;喇培清;李增鹏;万磊;许世鹏;马超;李亚明
申请日期: 2024-06-20
公开日期: 2024-10-18
IPC分类:
C23C10/36
摘要:
本发明涉及新型材料技术领域，具体是一种高温合金表面耐氯化熔盐腐蚀层制备的方法。一种高温合金表面耐氯化熔盐腐蚀层制备的方法，包括步骤一：基体试样准备，步骤二：渗剂配比，步骤三：渗层制备，步骤四：热扩散处理，步骤五：耐氯化熔盐腐蚀评价。采用该方法制备的渗铝层致密均匀、无孔洞，与基体结合力强，在氯化熔盐腐蚀环境中易形成较厚的氧化层，显著提升基体耐高温腐蚀能力。
主权项:
1.一种高温合金表面耐氯化熔盐腐蚀层制备的方法，其特征在于：包括步骤一：基体试样准备，步骤二：渗剂配比，步骤三：渗层制备，步骤四：热扩散处理，步骤五：耐氯化熔盐腐蚀评价；所述步骤一：试样准备包括对样品表面依次利用400#、600#、800#、1000#和1200#进行打磨，切割成10×10×2mm的试样，采用氧化铝粉对其进行表面抛光，经丙酮除油，酒精、蒸馏水超声10min表面清洗，进行吹干放入干燥皿备用；所述步骤二：渗剂配比采用质量比为10％～30％Al粉、1％～5％催渗剂、75％～89％Al2O3粉，按比例称取Al粉和Al2O3粉放入研钵中混合均匀，在120℃下干燥2h冷却至室温，并称取相应比例催渗剂，倒入混合粉中搅拌均匀；所述步骤三：涂层制备包括将准备好的试样与渗剂混合放入陶瓷坩埚中，保证试样被渗剂完全包裹，并利用磷酸二铝作为粘结剂，填充坩埚盖与坩埚之间的缝隙，随后将装好样的坩埚在80℃下干燥1h冷却至室温放入气氛炉中，在200～300ml/min氩气保护下700～850℃保温5～25h制备渗铝层；所述步骤四：热扩散处理是在空气气氛下，将渗铝试样放入700～900℃马弗炉中保温10～50h，随炉冷却至室温。所述步骤五：耐腐蚀性能评价是在腐蚀前测量试样重量及表面积，将试样用质量百分比为24.5％NaCl+20.5％KCl+54％MgCl2混合氯化盐包埋放入150ml氧化铝坩埚中，在200～300ml/min氩气保护下800℃腐蚀30h以上，冷却至室温水浴1h除去表面残留盐，称取腐蚀后质量，计算腐蚀失重率。
一种铝合金衬板表面熔覆陶瓷复合层的制备方法及支座
发明专利申请公布专利号: CN118792646A
申请人: 衡水通途工程制品有限公司
发明人: 樊文星;赵雷;姬君龙
申请日期: 2024-06-19
公开日期: 2024-10-18
IPC分类:
C23C24/10
摘要:
本发明提供一种铝合金衬板表面熔覆陶瓷复合层的制备方法及支座，本发明通过在铝合金衬板表面上进行激光熔覆，利用高能束激光将陶瓷材料与铝合金有机结合起来，形成熔覆陶瓷复合层，可有效解决铝合金表面耐磨耐蚀性差、硬度低等问题，通过形成的熔覆陶瓷复合层与铝合金衬板配合面为冶金结合，极大地提高了铝合金衬板的耐磨性、耐蚀性，改善了表面粗糙度等一系列问题。
主权项:
1.一种铝合金衬板表面熔覆陶瓷复合层的制备方法，其特征在于：铝合金衬板的表面包括平面和/或弧面，在所述平面和/或弧面上形成熔覆陶瓷复合层，所述熔覆陶瓷复合层的制备步骤包括：步骤一：铝合金衬板表面抛光并涂抹气相缓蚀剂；步骤二：将陶瓷粉末提前均匀涂抹在衬板表面；步骤三：通过高速激光熔覆装置将陶瓷粉末激光熔覆于铝合金衬板表面上，以在所述表面上形成所述熔覆陶瓷复合层；然后对所述熔覆陶瓷复合层进行抛光。
一种碳化硅多孔陶瓷等静压成型中微裂纹的修复方法
实质审查的生效专利号: CN118580100A
申请人: 南京工业大学; 江苏久朗高科技股份有限公司
发明人: 韩峰; 仲兆祥; 魏巍; 邢卫红
申请日期: 2024-06-17
公开日期: 2024-09-03
IPC分类:
C04B41/81
摘要:
本发明公开了一种碳化硅多孔陶瓷等静压成型中微裂纹的修复方法，属于多孔陶瓷材料制备领域。该方法采用修复液对微裂纹处进行毛细管渗透，待微裂纹充满修复液后进行烘干处理，最后放入高温炉中烧结获得愈合完好的碳化硅多孔陶瓷。本发明主要将引入无机柱状纤维，通过溶胶浸渍方式修复多孔陶瓷表面微裂纹，提升了等静压制备过程中的成品率，解决了因成型微裂纹存在导致应力集中后强度低的问题，延长了碳化硅多孔陶瓷在复杂工况下的使用寿命。
主权项:
1.一种碳化硅多孔陶瓷等静压成型中微裂纹的修复方法，其特征在于，该方法采用修复液对微裂纹处进行毛细管渗透，待微裂纹充满修复液后进行烘干处理，最后放入高温炉中烧结获得愈合完好的碳化硅多孔陶瓷；所述的修复液成份包括碳化硅骨料、无机柱状纤维、金属氧化物纳米颗粒和有机黏结剂水溶液，修复液成份的质量比为碳化硅骨料10-20份、无机柱状纤维1–5份、金属氧化物纳米颗粒5–10份、有机黏结剂水溶液70-80份。
一种低温烧结PZT基压电陶瓷材料及其制备方法和应用
实质审查的生效专利号: CN118724588A
申请人: 武汉理工大学
发明人: 黄端平;毛万紫;徐庆;张枫
申请日期: 2024-06-17
公开日期: 2024-10-01
IPC分类:
C04B35/493
摘要:
本发明属于压电陶瓷材料技术领域，公开了一种低温烧结PZT基压电陶瓷材料及其制备方法和应用。本发明低温烧结PZT基压电陶瓷材料的化学组成为0.38Pb(Mg1/3Nb2/3)O3?0.62Pb(Zr0.4Ti0.6)O3+a％LBPBSC，其中，LBPBSC为纳米级PbO?B2O3?SiO2?Li2O?Bi2O3?CuO玻璃粉，LBPBSC中PbO、B2O3、SiO2、Li2O、Bi2O3、CuO的摩尔比为(35～40):(10～15):(5～8):(10～15):(10～12):(5～10)，LBPBSC的质量为0.38Pb(Mg1/3Nb2/3)O3?0.62Pb(Zr0.4Ti0.6)O3质量的a％，0.5≤a≤0.6。本发明材料能够在低于900℃的温度下烧结，烧结后致密度高，具有优异的电学性能，满足压电陶瓷元器件的应用需求。
主权项:
1.一种低温烧结PZT基压电陶瓷材料，其特征在于，其化学组成为0.38Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.62Pb(Zr0.4Ti0.6)O3+a％LBPBSC，其中，LBPBSC为纳米级PbO-B2O3-SiO2-Li2O-Bi2O3-CuO玻璃粉，LBPBSC中PbO、B2O3、SiO2、Li2O、Bi2O3、CuO的摩尔比为(35～40):(10～15):(5～8):(10～15):(10～12):(5～10)，LBPBSC的质量为0.38Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.62Pb(Zr0.4Ti0.6)O3质量的a％，0.5≤a≤0.6。
一种利用废SCR催化剂和晶硅废料制备Si-Ti合金焊料并同时回收钨和钒的方法
发明专利权授予专利号: CN118326161A
申请人: 昆明理工大学
发明人: 雷云;李展超;王世定;马文会;杨磊
申请日期: 2024-06-13
公开日期: 2024-08-13
IPC分类:
C22B34/36
摘要:
本发明涉及一种利用废SCR催化剂和晶硅废料制备Si?Ti合金焊料并同时回收钨和钒的方法，属于固废资源利用技术领域。本发明将废SCR催化剂、晶硅废料和造渣剂混合均匀得到混合物料；将混合物料置于氩气气氛中，升温至1773~1823K进行还原熔炼，渣金分离后得到含钨和钒的Si?Ti合金和残渣；将含钨和钒的Si?Ti合金置于真空或氩气气氛中加热至熔融状态并进行定向凝固分离提纯，依次得到(Ti,W,V)Si<subgt;2</subgt;相的富集物、含V共晶Si?Ti合金焊料、杂质富集物；其中(Ti,W,V)Si<subgt;2</subgt;相的富集物既可以用作回收钨和钒的原料，也可以用作含V共晶Si?Ti合金焊料的微量添加剂，与含V共晶Si?Ti合金焊料在真空或氩气气氛中高温熔化形成复合Si?Ti合金焊料。含V共晶Si?Ti合金焊料和复合Si?Ti合金焊料可用于SiC基陶瓷材料的焊接。
主权项:
1.一种利用废SCR催化剂和晶硅废料制备Si-Ti合金焊料并同时回收钨和钒的方法，其特征在于，具体步骤如下：（1）将废SCR催化剂、晶硅废料和造渣剂混合均匀得到混合物料；将混合物料置于氩气气氛中，升温至1773~1823K进行还原熔炼，晶硅废料中的O杂质在熔炼过程中被熔渣去除，废SCR催化剂中TiO2，WO3和V2O5在熔炼过程中被晶硅废料中的硅还原进入到硅熔体中，经渣金分离后得到含钨和钒的Si-Ti合金和无害残渣；（2）将步骤（1）含钨和钒的Si-Ti合金置于真空或氩气气氛中加热至熔融状态并进行定向凝固分离提纯，依次得到(Ti, W, V)Si2相的富集物、含V共晶Si-Ti合金焊料、杂质富集物；（3）将步骤（2）中(Ti, W, V)Si2相的富集物作为微量添加剂，与步骤2中得到的含V共晶Si-Ti合金焊料在真空或氩气气氛中进行高温熔化形成复合Si-Ti合金焊料。
一种陶瓷基板SLM成形铜合金的装置及其工作方法
实质审查的生效专利号: CN118682149A
申请人: 华南理工大学
发明人: 杨永强; 严仲伟; 郑博源; 张延; 维亚切斯拉夫·特罗菲莫夫; 宋长辉
申请日期: 2024-06-13
公开日期: 2024-09-24
IPC分类:
B33Y50/02
摘要:
本申请公开了一种陶瓷基板SLM成形铜合金的装置及其工作方法，本装置包括成型腔体，其底部设置有成型缸；成形装置，其包括第一伸缩杆和成形底板，第一伸缩杆驱动成形底板在成型缸中升降，成形底板设置有加热机构以对陶瓷基板进行加热；铺粉装置，其用于将铜粉末铺设在陶瓷基板上；激光光路及扫描装置，其包括红外激光器、绿光激光器和扫描振镜，红外激光器和绿光激光器所发出的激光均射向扫描振镜，扫描振镜将激光投射至陶瓷基板上。本申请通过成形底板对陶瓷基板进行加热，减缓陶瓷基板与纯铜或铜合金粉末间的温度梯度差异；同时利用红外激光使得陶瓷基板的表面改性，使得首层铜合金与陶瓷基板构成陶瓷?铜合金复合层，保证成形首层质量。
主权项:
1.一种陶瓷基板SLM成形铜合金的装置，其特征在于，包括：成型腔体，所述成型腔体的底部设置有成型缸；成形装置，所述成形装置包括第一伸缩杆和成形底板，所述成形底板安装于所述第一伸缩杆的端部，所述第一伸缩杆驱动所述成形底板在所述成型缸中升降，所述成形底板上承载有陶瓷基板，所述成形底板设置有加热机构以对所述陶瓷基板进行加热；铺粉装置，所述铺粉装置用于将纯铜或铜合金粉末铺设在所述陶瓷基板上；激光光路及扫描装置，所述激光光路及扫描装置包括红外激光器、绿光激光器和扫描振镜，所述红外激光器和所述绿光激光器所发出的激光均射向所述扫描振镜，所述扫描振镜将激光投射至所述陶瓷基板上；其中，所述红外激光器发出的激光通过扫描加热使所述陶瓷基板表面发生改性，所述绿光激光器发出的激光能够使首层铜合金与改性后的所述陶瓷基板表面熔合为陶瓷-铜合金复合层。
一种比重可调的氧化铝陶瓷研磨球及其制备方法
发明专利权授予专利号: CN118326191A
申请人: 江西理工大学
发明人: 邓义群;许华荣;吴彩斌;曾诚;钟福平;申亮;缪锡根;潘华路
申请日期: 2024-06-12
公开日期: 2024-08-27
IPC分类:
C22C29/12
摘要:
本发明提供了一种比重可调的氧化铝陶瓷研磨球及其制备方法，制备方法包括步骤：将金属粉末与氧化铝陶瓷粉料按比例混合得到球核粉料，球核粉料经热处理后制备成球核；用氧化铝陶瓷粉料对球核进行包覆得到生坯；生坯经等静压和干燥处理后进行烧成，得到所述陶瓷研磨球。本发明以大比重金属粉末为原料，将其与Al<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;陶瓷配方按比例制备得到球核粉料，后经热处理得到具有一定孔隙率的金属陶瓷球核。这种多孔结构有利于球核与球壳之间的结合强度，最后在球核表层包覆Al<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;陶瓷配方粉末，克服了金属粉末和陶瓷粉末热膨胀系数相差大导致的缺陷，经高温烧结后得到一种低成本、无研磨污染、比重可调的耐磨Al<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;陶瓷研磨球。
主权项:
1.一种比重可调的氧化铝陶瓷研磨球的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将金属粉末与氧化铝陶瓷粉料按比例混合得到球核粉料，球核粉料经热处理后制备成球核；用氧化铝陶瓷粉料对球核进行包覆得到生坯；生坯经等静压和干燥处理后进行烧成，得到所述陶瓷研磨球；所述氧化铝陶瓷粉料和金属粉末的质量比为1:1~1:9；所述球核直径与生坯直径比例为2:5~4:5。
一种微纳米结构Al2O3-(5RE0.2)3Al5O12共晶自生复合高熵陶瓷的制备方法
实质审查的生效专利号: CN118580059A
申请人: 昆明理工大学
发明人: 刘海方;蒯鹏;隋育栋;冯晶;刘洪喜;蒋业华
申请日期: 2024-05-31
公开日期: 2024-09-03
IPC分类:
C04B35/622
摘要:
本发明公开了一种微纳米结构Al<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;?(5RE<subgt;0.2</subgt;)<subgt;3</subgt;Al<subgt;5</subgt;O<subgt;12</subgt;共晶自生复合高熵陶瓷的制备方法，属于陶瓷制备技术领域。本发明包括：(1)制备共晶组分Al<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;?(5RE<subgt;0.2</subgt;)<subgt;3</subgt;Al<subgt;5</subgt;O<subgt;12</subgt;陶瓷粉末，其中，RE为稀土元素，包括Sc、Y以及镧系元素，(5RE<subgt;0.2</subgt;)<subgt;3</subgt;表示初始陶瓷粉末中含有5种摩尔比相同，类别不同的稀土氧化物；(2)采用所述步骤(1)中制备得到的Al<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;?(5RE<subgt;0.2</subgt;)<subgt;3</subgt;Al<subgt;5</subgt;O<subgt;12</subgt;陶瓷粉末作为原材料，通过激光熔覆增材，使陶瓷粉末逐层熔覆沉积，得到Al<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;?(5RE<subgt;0.2</subgt;)<subgt;3</subgt;Al<subgt;5</subgt;O<subgt;12</subgt;共晶自生复合高熵陶瓷。本发明通过高适配性的原料结合激光熔覆增材制备共晶自生复合高熵陶瓷，显著提升陶瓷器件制备效率，同时制备得到综合性能优异的陶瓷器件。
主权项:
1.一种微纳米结构Al2O3-(5RE0.2)3Al5O12共晶自生复合高熵陶瓷的制备方法，其特征在于：所述制备方法包括以下步骤：(1)制备共晶组分Al2O3-(5RE0.2)3Al5O12陶瓷粉末，其中，RE为稀土元素，包括Sc、Y以及镧系元素，(5RE0.2)3表示初始陶瓷粉末中含有5种摩尔比相同，类别不同的稀土氧化物；(2)采用所述步骤(1)中制备得到的Al2O3-(5RE0.2)3Al5O12陶瓷粉末作为原材料，通过激光熔覆增材，使陶瓷粉末逐层熔覆沉积，得到Al2O3-(5RE0.2)3Al5O12共晶自生复合高熵陶瓷。
一种塞孔金属浆料、陶瓷基板通孔金属化的工艺方法及所得陶瓷线路板
实质审查的生效专利号: CN118430868A
申请人: 苏州锦艺新材料科技股份有限公司
发明人: 奚一伦;罗艳玲
申请日期: 2024-05-31
公开日期: 2024-08-02
IPC分类:
H05K3/42
摘要:
本发明公开了一种塞孔金属浆料、陶瓷基板通孔金属化的工艺方法及所得陶瓷线路板，本发明提供的塞孔金属浆料，将包括金属粉末和绝缘粉末的浆料填入陶瓷基板通孔内烘干后，再进行烧结，使通孔导电柱体积电阻率为4?8x10?6Ω·cm，导电柱纵向收缩率为3?5％，横向收缩率为4?8％。将金属粉末和绝缘粉末组合后，能够形成更牢固的骨架结构，不仅降低了烧结后浆料收缩率，而且能提高陶瓷线路板的导电性能和机械强度。
主权项:
1.一种塞孔金属浆料，其特征在于，将包括金属粉末和绝缘粉末的浆料填入陶瓷基板通孔内烘干后，再进行烧结，使通孔导电柱体积电阻率为4-8x10-6Ω·cm，导电柱纵向收缩率为3-5％，横向收缩率为4-8％。
一种具有端头密封连接结构的母线槽及其组装方法
实质审查的生效专利号: CN118738934A
申请人: 大航有能电气有限公司
发明人: 景文;常小勇;祝瑞华;潘俊;冯进;徐家骅
申请日期: 2024-05-30
公开日期: 2024-10-01
IPC分类:
H01R43/26
摘要:
本发明涉及母线槽技术领域，具体为一种具有端头密封连接结构的母线槽及其组装方法，包括母线槽主体，所述母线槽主体的一端设置有多片第一接线铜片，连接套套在第一接线铜片与第二接线铜片连接位置处，连接套一端装配块套在另一根母线槽主体连接柱的表面，连接柱插入到插槽的内部，使用者通过转动块旋转转动套，转动套通过固定块带动双纹螺杆进行旋转，移动螺套在螺纹的作用下，沿着双纹螺杆进行移动，移动螺套通过滑块带动限位卡环进行移动，限位卡环沿着连接柱进行移动，使得限位卡环插入到限位卡槽的内部，使得装配块与连接柱相连接，从而便于对连接套进行固定，连接套可以对第一接线铜片与第二接线铜片连接位置处进行保护。
主权项:
1.一种具有端头密封连接结构的母线槽，包括母线槽主体（100），其特征在于：所述母线槽主体（100）的一端设置有多片第一接线铜片（121），所述母线槽主体（100）一端的两侧均固定安装有第一绝缘板（120），两块所述第一绝缘板（120）位于第一接线铜片（121）的两侧，所述母线槽主体（100）的另一端设置有多片第二接线铜片（131），所述母线槽主体（100）另一端的两侧均固定安装有第二绝缘板（130），两块所述第二绝缘板（130）之间均匀安装有多块绝缘陶瓷片（132），所述绝缘陶瓷片（132）的一侧设置有连接铜片（133），所述连接铜片（133）的一端与第二接线铜片（131）相贴合，所述第一绝缘板（120）和第二绝缘板（130）之间设置有连接结构，母线槽主体（100）的外侧活动套设有连接套（200），所述母线槽主体（100）的一端安装有与连接套（200）相配合的连接柱（213）。
一种氮化硅陶瓷/镍基高温合金的连接方法
实质审查的生效专利号: CN118404157A
申请人: 哈尔滨工业大学
发明人: 张杰;文粤;孙良博;刘春凤
申请日期: 2024-05-28
公开日期: 2024-07-30
IPC分类:
B23K1/20
摘要:
一种氮化硅陶瓷/镍基高温合金的连接方法，涉及一种陶瓷/镍基高温合金的连接方法。本发明是要解决目前氮化硅陶瓷/镍基高温合金耐高温接头力学性能较差的技术问题。本发明旨在获得界面良好的陶瓷?高温合金接头，采用复合中间层进行部分瞬时液相连接，中间连接层由上层金属、中层金属和下层金属组成，其中上层金属为Ti箔；中层金属为Cu箔；下层金属为Ni层及相关金属层，获得耐高温的接头，实现氮化硅陶瓷/GH4169合金耐高温接头。本发明方法操作简单，焊前不需要对待焊试样表面进行任何改性处理即可实现陶瓷与金属的直接钎焊，通过中间层的加入即可实现陶瓷和金属的有效连接。
主权项:
1.一种氮化硅陶瓷/镍基高温合金的连接方法，其特征在于氮化硅陶瓷/镍基高温合金的连接方法是按以下步骤进行的：一、金属母材镍基高温合金用水砂纸处理待焊面的氧化层和肉眼可见的粗划痕，再依次用600号、800号和1000号的金相砂纸打磨至表面无明显的划痕，最后用粒度为0.5μm的金刚石颗粒进行抛光使金属待焊面光亮；二、将母材氮化硅陶瓷在400#金刚石磨盘上粗磨将样品表面磨平，然后用W3.5的金刚石研磨膏在一块平整的玻璃上进行研磨直到氮化硅待焊面无明显线切割痕迹，再用W1的研磨膏研磨直至氮化硅陶瓷表面光亮为止；将上述处理后的母材氮化硅陶瓷和母材镍基高温合金一起放进超声波清洗器中清洗；三、将中间连接层加工成与母材待焊接表面相同的形状，然后将中间连接层超声清洗，放入烘箱中烘干；所述的中间连接层是由上层金属、中层金属和下层金属组成，上层金属的厚度为5μm～20μm，中层金属的厚度为20μm～500μm，下层金属的厚度为250μm～600μm；其中上层金属为Ti箔；中层金属为Cu箔；下层金属为Ni箔/Cu箔、Ni箔/Mo箔/Ni箔/Cu箔、Ni泡沫/Cu箔或Ni网/Cu箔；四、在母材镍基高温合金的待焊接表面上依次放置下层金属、中层金属和上层金属，在上层金属上放置母材氮化硅陶瓷待焊接表面，下层金属中的Cu箔挨着母材镍基高温合金的待焊接表面；母材和中间连接层以及中间连接层的各层之间均通过粘结剂固定，各层间形成紧配合；五、将步骤四中装配好的待焊工件放入真空加热炉中，在真空条件下将温度从室温升至300℃～310℃并保温30min～35min确保粘结剂完全挥发；随后升温至1100℃～1200℃并保温10min～15min；最后缓慢降低温度到300℃～310℃，最后随炉冷却至室温，完成陶瓷与金属的钎焊；步骤五的整个过程均在真空条件下完成。
基于原位自生AlNp网络的DBA陶瓷基板及制备方法
实质审查的生效专利号: CN118371806A
申请人: 哈尔滨工业大学
发明人: 王策;徐瑞;林铁松;何鹏
申请日期: 2024-05-28
公开日期: 2024-07-23
IPC分类:
B23K1/20
摘要:
本发明提供了基于原位自生AlN<subgt;p</subgt;网络的DBA陶瓷基板及制备方法，涉及陶瓷材料技术领域，该方法包括：将Al?Si合金粉与氮化硼混合后，进行球磨处理，得到第一混合物；向第一混合物中加入粘结剂，混合均匀，得到复合钎料；将复合钎料均匀涂覆在AlN陶瓷的待焊面上，得到表面形成有钎料层的AlN陶瓷待焊件；将AlN陶瓷待焊件与铝合金待焊件装配在一起，得到组合待焊件；向组合待焊件施加预设压力，在预设真空度下将所述组合待焊件加热至450?640℃，保温15?60min，冷却后得到DBA陶瓷基板。采用本发明的方法，能够提升DBA陶瓷基板的接头强度与导热性。
主权项:
1.一种基于原位自生AlNp网络的DBA陶瓷基板的制备方法，其特征在于，包括：步骤S1、将Al-Si合金粉与氮化硼混合后，进行球磨处理，得到第一混合物；其中，所述Al-Si合金粉中Al和Si的质量比为1：(1-9)；步骤S2、向所述第一混合物中加入粘结剂，混合均匀，得到复合钎料；步骤S3、将所述复合钎料均匀涂覆在AlN陶瓷的待焊面上，得到表面形成有钎料层的AlN陶瓷待焊件；步骤S4、将所述AlN陶瓷待焊件与铝合金待焊件装配在一起，以使得所述钎料层位于所述AlN陶瓷与所述铝合金待焊件之间，得到组合待焊件；步骤S5、向所述组合待焊件施加预设压力，在预设真空度下将所述组合待焊件加热至450-640℃，保温15-60min，冷却后得到DBA陶瓷基板。
一种兼具高韧性高强度的超高温合金及其制备方法
实质审查的生效专利号: CN118406947A
申请人: 哈尔滨工业大学
发明人: 陈瑞润;王晓伟;王琪;王琪斌;苏彦庆;吴士平;丁宏升
申请日期: 2024-05-16
公开日期: 2024-07-30
IPC分类:
C22C1/10
摘要:
一种兼具高韧性高强度的超高温合金及其制备方法，本发明涉及一种兼具高韧性高强度的超高温合金及其制备方法，本发明的目的是为了解决现有铌基高温合金室温断裂韧性及强度不匹配的问题，本发明一种兼具高韧性高强度的超高温合金，由Nb、Si、Ti、Zr、Al元素和高温陶瓷相TaC组成，化学式为NbSiTiZrAlTaC，制备方法为：将元素原材料进行熔炼前预处理，按元素熔点由低到高的次序依次放置于水冷铜坩埚中，抽真空并充入高纯氩气进行保护熔炼，随后炉冷得到合金铸锭。本发明制备的超高温合金通过加入高温陶瓷相实现了合金韧性强度的同步提升，具有高韧性高强度等特性。本发明应用合金制备领域。
主权项:
1.一种兼具高韧性高强度的超高温合金，其特征在于，该超高温合金由Nb、Si、Ti、Zr、Al元素和高温陶瓷相TaC组成，化学式为NbSiTiZrAlTaC，按以下原子百分比构成：Si：15-20％，Ti：15-25％，Zr：15-25％，Al：1％-5％，TaC：1％-4％，余量为Nb。
非等摩尔比A位高熵MeBi4Ti4O15压电陶瓷材料及其制备方法
实质审查的生效专利号: CN118307320A
申请人: 西北工业大学;
发明人: 高峰;卢铭鑫;许晓宇;冯晓颖;魏子尧;梅辉;许杰;陈超
申请日期: 2024-05-13
公开日期: 2024-07-09
IPC分类:
C04B35/622
摘要:
一种非等摩尔比A位高熵MeBi<subgt;4</subgt;Ti<subgt;4</subgt;O<subgt;15</subgt;压电陶瓷材料及其制备方法，得到的非等摩尔比A位高熵MeBi<subgt;4</subgt;Ti<subgt;4</subgt;O<subgt;15</subgt;压电陶瓷材料的化学式为(Ca<subgt;x</subgt;Sr<subgt;(1?x)/3</subgt;Ba<subgt;(1?x)/3</subgt;Pb<subgt;(1?x)/3</subgt;)Bi<subgt;4</subgt;Ti<subgt;4</subgt;O<subgt;15</subgt;，(x＝0.25?0.7)。使用高熵概念设计以提高材料的电阻率，同时，高熵化设计带来的迟滞扩散效应能够在烧结过程中使材料内部传质速度减慢，从而获得更加细化的晶粒，使材料内部产生更多的晶界，晶界能够散射电子，带来的晶格畸变和迟滞扩散效应均能恶化电子的传输性能，从而提高材料的电阻率，其室温电阻率可从10<supgt;11</supgt;Ω·cm提升至5.52×10<supgt;13</supgt;Ω·cm，550℃时高温电阻率可从9×10<supgt;5</supgt;Ω·cm提升至1.53×10<supgt;7</supgt;Ω·cm。同时，由于高熵材料中含有的不同组元具有不同基本特性，以及它们之间的相互作用，使居里温度可从495℃提升至最高的689℃。
主权项:
1.一种非等摩尔比A位高熵MeBi4Ti4O15压电陶瓷材料，其特征在于，化学组分为(CaxSr(1-x)/3Ba(1-x)/3Pb(1-x)/3)Bi4Ti4O15，(x＝0.25～0.7)。
金属粉末专利分析
材料体系分布
制备工艺分布
技术领域分布 (IPC分类)
💡 技术分类说明： 悬停在图表柱子上查看：
B22F10/28(3D打印) • B22F9/04(制粉) •
C23C24/10(涂层) • C22C19/05(镍合金) •
B33Y50/02(控制) • C22F1/18(热处理)