金属3D打印粉末专利数据库

等离子蚀刻电极加工设备

实用新型专利权授予

专利号: CN222106589U

申请人: 安徽四象半导体材料科技有限公司

发明人: 许赞; 朴永哲

申请日期: 2023-12-20

公开日期: 2024-12-03

IPC分类: H01J9/14

摘要:

本实用新型提供一种等离子蚀刻电极加工设备，包括主轴、工作台、脉冲源，工作台用于定位待成型棒状电极的主轴；主轴上至少设置一个用于电火花钻孔的棒状电极；脉冲源用于在蚀刻电极与棒状电极之间施加电脉冲；工作时，棒状电极端部接近蚀刻电极，棒状电极端部与蚀刻电极间通过放电实现蚀刻电极的表面剥蚀。该等离子蚀刻电极加工设备通过主轴上设置的棒状电极实现了对蚀刻电极上的气孔的电火花剥蚀加工，相比较现有的机械钻孔加工技术可以实现对较深的气孔的单面一次装夹加工，且其单位时间的进给深度更高，因此具有更高的加工效率，且工艺流程更加简单，易于操作。

主权项:

1.一种等离子蚀刻电极加工设备，其特征在于，包括工作台(2)，工作台(2)用于定位待成型的蚀刻电极(W)；主轴(1)，主轴(1)在工作台(2)的工作面外移动设置，主轴(1)上至少设置一个用于电火花钻孔的棒状电极(11)；脉冲源(3)，脉冲源(3)用于在蚀刻电极(W)与棒状电极(11)之间施加电脉冲；工作时，棒状电极(11)端部接近蚀刻电极(W)，在电脉冲作用下，棒状电极(11)端部与蚀刻电极(W)间通过放电实现蚀刻电极(W)的表面剥蚀。

实用新型

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一种三代半导体用等静压石墨治具散热台

发明专利权授予

专利号: CN117429120A

申请人: 福建福碳新材料科技有限公司

发明人: 吕尊华;冯奕钰;吕鹏

申请日期: 2023-12-20

公开日期: 2024-03-05

IPC分类: B30B15/34

摘要:

本发明涉及等静压石墨加工设备领域，具体是涉及一种三代半导体用等静压石墨治具散热台，包括机架，以及安装在机架上的石墨治具，机架上还设置有保温筒和冷却筒，机架上固定安装有直线驱动器，直线驱动器驱动石墨治具在保温筒和冷却筒内部沿竖直方向移动；保温筒内部设置有第一导热管，第一导热管吸收石墨治具的热量，冷却筒上设置有进液管、出液管和第二导热管，第二导热管顶端与保温筒的第一导热管底端贴合，本技术方案通过第二导热管和第一导热管传导石墨治具加工时的余热对冷却筒内的冷却液进行加热，加热后的冷却液在石墨治具进入冷却筒中时贴合石墨治具周侧，避免石墨治具内坯体温度和冷却液的温度差距较大而导致的冷却速度较快。

主权项:

1.一种三代半导体用等静压石墨治具散热台，包括机架（1），以及安装在机架（1）上的石墨治具（2），石墨治具（2）顶部通过密封盖（21）进行密封，其特征在于，机架（1）上还设置有保温筒（3）和冷却筒（4），保温筒（3）和冷却筒（4）的轴线与石墨治具（2）的轴线处于同一直线上，保温筒（3）位于冷却筒（4）上方；机架（1）上固定安装有直线驱动器（11），直线驱动器（11）驱动石墨治具（2）在保温筒（3）和冷却筒（4）内部沿竖直方向移动；保温筒（3）内部设置有第一导热管（31），第一导热管（31）吸收石墨治具（2）的热量，第一导热管（31）底部延伸至冷却筒（4）上方；冷却筒（4）上设置有进液管（41）和出液管（42），石墨治具（2）加工时，冷却筒（4）内存有定量的冷却液，冷却筒（4）上安装有竖直的第二导热管（43），第二导热管（43）顶端与保温筒（3）的第一导热管（31）底端贴合，第二导热管（43）传导第一导热管（31）的热量对冷却筒（4）内的冷却液进行加热，直线驱动器（11）驱动石墨治具（2）下移至冷却筒（4）内部时，加热后的冷却液贴合石墨治具（2）周侧。

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一种等离子线圈调节装置及半导体设备

实质审查的生效

专利号: CN117650036A

申请人: 盛吉盛（宁波）半导体科技有限公司

发明人: 穆娟;李佶庚;初春;林保璋;田才忠;李士昌

申请日期: 2023-12-19

公开日期: 2024-03-05

IPC分类: H01J37/32

摘要:

本发明提供一种等离子线圈调节装置及半导体设备，其属于半导体装备技术领域，所述等离子线圈调节装置包括固定座、旋转驱动机构和四个升降机构，所述固定座的上表面安装有下调整环，所述下调整环的直边与固定座相贴合，所述下调整环的斜边的一侧贴合有上调整环，所述上调整环的截面呈直角梯形，所述下调整环的截面呈直角梯形，所述上调整环的上表面贴合有用以安装固定线圈的线圈板组件；旋转驱动机构，所述旋转驱动机构用以驱动上调整环旋转，所述旋转驱动机构位于线圈板组件上。本发明通过快速自动调节线圈倾斜度实现等离子体密度分布调整，提高等离子体密度分布调整的工作效率，并且等离子体密度分布调整的稳定性大幅提升。

主权项:

1.一种等离子线圈调节装置，其特征在于，其包括：固定座(1)，所述固定座(1)的上表面安装有下调整环(2)，所述下调整环(2)的直边与固定座(1)相贴合，所述下调整环(2)的斜边的一侧贴合有上调整环(5)，所述上调整环(5)的截面呈直角梯形，所述下调整环(2)的截面呈直角梯形，所述上调整环(5)的上表面贴合有用以安装固定线圈的线圈板组件(6)；旋转驱动机构(3)，所述旋转驱动机构(3)用以驱动上调整环(5)旋转，所述旋转驱动机构(3)位于线圈板组件(6)上；四个升降机构(7)，所述升降机构(7)用以对上调整环(5)和线圈板组件(6)的高度进行控制。

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发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管

发明专利申请公布

专利号: CN117691015A

申请人: 江西兆驰半导体有限公司

发明人: 印从飞;张彩霞;刘春杨;胡加辉;金从龙

申请日期: 2023-12-13

公开日期: 2024-03-12

IPC分类: H01L33/14

摘要:

本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。发光二极管外延片包括衬底和依次设于所述衬底上的复合过渡层、本征GaN层、U型GaN层、N型GaN层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层，复合过渡层包括周期性依次层叠生长的In<subgt;x</subgt;Al<subgt;1?x</subgt;N层、Mg掺InN层、In<subgt;y</subgt;Ga<subgt;1?y</subgt;N层和GaN层；其中，x＜0.1，y＜0.2，x＜y；In<subgt;x</subgt;Al<subgt;1?x</subgt;N层的生长温度≥800℃；Mg掺InN层中Mg的掺杂浓度＜5×10<supgt;17</supgt;cm<supgt;?3</supgt;；Mg掺InN层的厚度＜1nm；GaN层的生长温度≤850℃。实施本发明，可提升发光二极管的发光效率、提高抗静电能力。

主权项:

1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底和依次设于所述衬底上的复合过渡层、本征GaN层、U型GaN层、N型GaN层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层，所述复合过渡层为周期性结构，周期数为1～4，每个周期均包括依次层叠的InxAl1-xN层、Mg掺InN层、InyGa1-yN层和GaN层；其中，x＜0.1，y＜0.2，x＜y；所述InxAl1-xN层的生长温度≥800℃；所述Mg掺InN层中Mg的掺杂浓度＜5×1017cm-3；所述Mg掺InN层的厚度＜1nm；所述GaN层的生长温度≤850℃。

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短脉冲激光海洋金属油管内壁微结构减阻的造型方法及装置

发明专利权授予

专利号: CN117680808A

申请人: 江苏西沙科技有限公司;

发明人: 张永康;吴平;周志杰

申请日期: 2023-12-06

公开日期: 2024-06-14

IPC分类: B23K26/352

摘要:

本发明公开了一种短脉冲激光海洋金属油管内壁表面微结构减阻的造型方法及装置，属于海上油管制造技术领域，该方法包括以下步骤：将激光处理系统安装在管道机器人上，激光处理系统包括激光熔覆系统和激光锻打系统；在海洋金属油管内壁熔覆防腐蚀耐油涂层；防腐蚀耐油涂层的微结构激光扫描处理；防腐蚀耐油涂层的表面激光清洗处理；防腐蚀耐油涂层的表面激光抛光处理，经激光抛光处理，防腐蚀耐油涂层表面的粗糙度为0.1?0.3μm。本发明在油管内壁采用熔覆涂层与激光处理相结合的方式，降低了涂层表面的粗糙度，在防腐蚀耐油涂层表面形成了光滑的镜面，从而实现了耐油且减阻的功能，使粘性石油在输送中更加流畅。

主权项:

1.一种短脉冲激光海洋金属油管内壁微结构减阻的造型方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、激光造型准备：将激光处理系统安装在管道机器人上，所述激光处理系统包括激光熔覆系统和激光锻打系统；所述管道机器人的工作对象为直径不小于0.8m的海洋金属油管；S2、在海洋金属油管内壁熔覆防腐蚀耐油涂层：管道机器人移动到预处理的海洋金属油管内，启动激光熔覆系统的半导体种子光源，半导体种子光源通过分束器并处理后形成了连续激光和短脉冲激光，其中，连续激光传送给激光熔覆系统的熔覆激光头，短脉冲激光传送给激光锻打系统的锻打激光头；对激光熔覆系统的熔覆激光和同轴送粉进行调节控制，使同轴送粉装置与熔覆激光头同步工作，激光熔覆系统中的熔覆激光头沿着预设的运行路径在海洋金属油管内壁面开始熔覆工作，在海洋金属油管内壁面逐渐形成熔覆层；激光锻打系统的锻打激光头沿着熔覆层的轨迹开始激光锻打，管道机器人沿着海洋金属油管的内壁由一端到另一端缓缓移动，直至熔覆层的表面经过全部锻打，在海洋金属油管内壁面上形成了防腐蚀耐油涂层；S3、防腐蚀耐油涂层的微结构激光扫描处理：防腐蚀耐油涂层熔覆完成并降至常温后，管道机器人在海洋金属油管内从海洋金属油管的一端开始，启动激光锻打系统的锻打激光头对防腐蚀耐油涂层的表面进行微结构激光扫描处理，微结构激光扫描处理的相关参数如下：离焦量为2.8-2.9mm；激光功率为108-112W；重复频率为95-105kHz；扫描速度为1450-1550mm/s，光斑重叠率为86-88%；S4、防腐蚀耐油涂层的表面激光清洗处理：防腐蚀耐油涂层的微结构激光扫描处理完成并降至常温后，管道机器人在海洋金属油管内从海洋金属油管的一端开始，启动激光锻打系统的锻打激光头对防腐蚀耐油涂层的表面进行激光清洗处理；激光清洗处理的相关参数如下：离焦量为3.3-3.5mm；激光功率为56-60W；重复频率为70-80kHz；扫描速度为2100-2200mm/s，光斑重叠率为60-70%；S5、防腐蚀耐油涂层的表面激光抛光处理：防腐蚀耐油涂层表面的激光清洗处理完成后，管道机器人在海洋金属油管内从海洋金属油管的一端开始，启动激光锻打系统的锻打激光头对防腐蚀耐油涂层的表面进行激光抛光处理，激光抛光处理的相关参数如下：离焦量为3.3-3.5mm；激光功率为82-88W；重复频率为90-94kHz；扫描速度为1700-1800mm/s，光斑重叠率为82-84%。

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发光二极管及其制作方法

实质审查的生效

专利号: CN117936672A

申请人: 华灿光电（苏州）有限公司

发明人: 姚振;从颖;龚逸品;梅劲

申请日期: 2023-12-05

公开日期: 2024-04-26

IPC分类: H01L33/14

摘要:

本公开实施例提供了一种发光二极管及其制作方法，属于半导体技术领域。该发光二极管包括：N型半导体层以及依次位于N型半导体层上的多量子阱层和P型半导体层；P型半导体层包括沿远离多量子阱层的方向依次层叠的掺杂Mg的第一GaN层、未掺杂Mg的第二GaN层和掺杂Mg的第三GaN层；第三GaN层包括交替层叠的多个具有第一Mg掺杂浓度的第一子层和多个具有第二Mg掺杂浓度的第二子层，第二Mg掺杂浓度大于第一Mg掺杂浓度。本公开实施例能提高LED的发光效率。

主权项:

1.一种发光二极管，其特征在于，包括：N型半导体层(30)以及依次位于所述N型半导体层(30)上的多量子阱层(40)和P型半导体层(60)；所述P型半导体层(60)包括沿远离所述多量子阱层(40)的方向依次层叠的掺杂Mg的第一GaN层(61)、未掺杂Mg的第二GaN层(62)和掺杂Mg的第三GaN层(63)；所述第三GaN层(63)包括交替层叠的多个具有第一Mg掺杂浓度的第一子层(631)和多个具有第二Mg掺杂浓度的第二子层(632)，所述第二Mg掺杂浓度大于所述第一Mg掺杂浓度。

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一种用于金属粉末加工粘合剂萃取设备

实用新型专利权授予

专利号: CN221788236U

申请人: 深圳艾利佳材料科技有限公司

发明人: 左师昌;余鹏

申请日期: 2023-12-04

公开日期: 2024-10-01

IPC分类: B01D11/04

摘要:

本实用新型公开了一种用于金属粉末加工粘合剂萃取设备，属于金属粉末粘合剂萃取技术领域。其主要针对现有的金属粉末粘合剂萃取设备无法对金属粉末粘合剂进行静至温度进行调整的问题，提出如下技术方案，包括固定壳和连接壳，所述固定壳的底部安装有连接壳；所述固定壳的正面安装有温度控制器，所述固定壳的内壁内部布置有电热管。本实用新型通过固定壳安装有温度控制器、电热管和半导体制冷片，温度控制器将电能输送至电热管的内部，电热管将热量传导至固定壳的内部，提升有机溶剂和金属粘合剂的静至温度，温度控制器将电能输送至半导体制冷片的内部，半导体制冷片对固定壳内部的热量进行吸收，进而降低有机溶剂和金属粘合剂的静至温度。

主权项:

1.一种用于金属粉末加工粘合剂萃取设备，包括固定壳(1)和连接壳(2)，其特征在于：所述固定壳(1)的底部安装有连接壳(2)；所述固定壳(1)的正面安装有温度控制器(3)，所述固定壳(1)的内壁内部布置有电热管(4)，所述固定壳(1)的内部安装有半导体制冷片(5)；所述固定壳(1)的顶部螺纹连接有遮挡盖(6)。

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一种煤矿刮板输送机中部槽用高熵合金涂层及制备方法

专利申请权、专利权的转移

专利号: CN117328060A

申请人: 山西海诚智能制造有限公司; 西安重装蒲白煤矿机械有限公司; 陕西理工大学

发明人: 苏乐; 程永军; 徐峰; 刘文义; 孟凡莹; 杨雄伟; 王萌; 谢依林

申请日期: 2023-11-24

公开日期: 2024-01-02

IPC分类: C23C24/10

摘要:

本申请涉及表面涂层改性技术领域，具体公开了一种煤矿刮板输送机中部槽用高熵合金涂层及制备方法。一种煤矿刮板输送机中部槽用高熵合金涂层以CoCrFeNiMoNbTi高熵合金为原料，以聚乙烯醇溶液为粘结剂，通过激光熔覆技术对16锰钢基体表面进行涂层改性，并采用梯度时效处理工艺制备。本申请制得的煤矿刮板输送机中部槽用高熵合金涂层具有高硬度、高耐磨性和高冲击韧性的特点，用于煤矿刮板输送机中部槽，提高了煤矿刮板输送机中部槽基体的使用寿命。

主权项:

1.一种煤矿刮板输送机中部槽用高熵合金涂层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.制备高熵合金粉末：按原子比分别量取各原料粉末，将量取的粉末混粉，用球磨机球磨至200-300目，然后于80℃下真空干燥2小时，得高熵合金粉末；S2.基材表面处理：去除16锰钢基体表面的氧化层和杂质，吹干备用；S3.激光熔覆：将S1得到的高熵合金粉末加入质量分数为8-10%的聚乙烯醇溶液，搅拌至粘稠后，均匀粘附在经S2处理过的16锰钢基体表面，用光纤耦合半导体激光器的高能光束将高熵合金粉末熔覆在基体表面形成高熵合金涂层，得高熵合金涂层；S4.熔覆后热处理：将激光熔覆得到的高熵合金涂层放入真空处理炉中进行时效处理，时效后放入-50℃的乙醇中冷却30min，自然升至室温即得煤矿刮板输送机中部槽用高熵合金涂层；所述时效处理为：先是700℃下保温2h，然后转至500℃，保温1h，再转至300℃，保温0.5h。

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平坦化方法及平坦化装置

实质审查的生效

专利号: CN117373916A

申请人: 上海传芯半导体有限公司

发明人: 任雨萌;陈雨婷;高世栋

申请日期: 2023-11-24

公开日期: 2024-01-09

IPC分类: H01L21/3065

摘要:

本发明提供一种平坦化方法及平坦化装置。其中，所述平坦化方法是利用预设光束在基板的表面缺陷处形成光学近场，同时向所述基板所在的反应腔内提供刻蚀气体，以利用所述光学近场引发刻蚀气体非绝热光化学反应，从而激发所述刻蚀气体的分子晶格振动，使得所述刻蚀气体被选择地光解离。其中，所述刻蚀气体中解离出的离子自由基会选择性地刻蚀掉基板上的凸起结构，从而实现了对基板表面的缺陷修复，提高了基板的平坦度。此外，所述光学近场具有陡峭的空间梯度，则当基板的表面变得足够平坦时，所述光学近场会随着凸出结构的消失而消失，相应地蚀刻就会自动停止，刻蚀过程具有较佳的自限性，不会对基板的非缺陷区域造成影响。

主权项:

1.一种平坦化方法，其特征在于，包括：提供一基板，并将所述基板置于反应腔内；采用预设光束照射所述基板，以使所述基板表面的缺陷处形成光学近场；同时，向所述反应腔内通入刻蚀气体，以使所述刻蚀气体在所述光学近场作用下修复所述基板表面的缺陷。

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一种三代半导体用等静压石墨衬底检验台

发明专利权授予

专利号: CN117250468A

申请人: 福建福碳新材料科技有限公司

发明人: 吕尊华; 万伟光; 纪斌

申请日期: 2023-11-17

公开日期: 2023-12-19

IPC分类: H05B3/20

摘要:

本发明涉及半导体检验技术领域，具体为一种三代半导体用等静压石墨衬底检验台，包括工作台，所述工作台的顶部固定连接有多个对称设置的支撑杆，且支撑杆的上端固定连接有加热罩。该种三代半导体用等静压石墨衬底检验台，能够对加热后的热量进行回收再利用，不仅使得加热的效率更高，而且能够避免热量的浪费，更加节能环保，在检测前，能够将防护板自动转动打开，同时，对等静压石墨板的表面进行自动吹气清理，在检测完成后，能够将防护板自动转动关闭，同时，能够对等静压石墨板的表面进行再次吹气清理，从而能够避免其表面附着杂质和损伤，保证检测效果。

主权项:

1.一种三代半导体用等静压石墨衬底检验台，包括工作台（1），其特征在于，所述工作台（1）的顶部固定连接有多个对称设置的支撑杆（11），且支撑杆（11）的上端固定连接有加热罩（12），所述加热罩（12）的底部固定连接有电加热板（13），且加热罩（12）的顶部固定连接有等静压石墨板（18），所述加热罩（12）内填充有液体，且加热罩（12）内通过移动机构滑动连接有活塞板（14），所述工作台（1）的顶部固定连接有保温箱（15），且加热罩（12）和保温箱（15）之间固定连接有连接管（16），所述加热罩（12）的侧壁通过转动机构转动连接有防护板（17），且防护板（17）的底部设置有用于对等静压石墨板（18）的表面进行吹气清洁的清洁机构。

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一种氧化铝陶瓷基片材料等静压成型方法

实质审查的生效

专利号: CN117341030A

申请人: 广州英诺创科半导体科技有限公司

发明人: 刘雄光;黄岱;孙超

申请日期: 2023-11-10

公开日期: 2024-01-05

IPC分类: B28B7/42

摘要:

本发明涉及氧化铝陶瓷基片技术领域，具体涉及一种氧化铝陶瓷基片材料等静压成型方法，本发明通过在等静压成型模具内壁上利用石蜡对金属铜粉末进行涂抹操作，使得在对氧化铝陶瓷基片材料进行成型加工的过程中，通过等静压成型过程中产生的高温将石蜡溶化，此时可以在压力作用下将金属铜粉碎稳定且均匀的附着到氧化铝的表面上，实现对氧化铝陶瓷基片材料等压成型和覆铜的一起操作，并且在后期加温过程中，通过高温一方面可以实现氧化铝陶瓷基片材料的硬化，另一方面可以实现铜金属因高温氧化扩散到氧化铝陶瓷基片内部形成共晶熔体，提高氧化铝陶瓷基片材料的性能，有效的提高对氧化铝陶瓷基片材料的生产效率。

主权项:

1.一种氧化铝陶瓷基片材料等静压成型方法，包括以下步骤，其特征在于：S1：原材料的准备，选择纯度为99.99％的氧化铝粉末作为基片原料和金属铜粉末；S2：氧化铝陶瓷基片等静压成型模具的设计和制作；S3：在制作完成的等静压模具内壁上涂抹粘结剂，并将金属铜粉末涂抹在等静压模具内壁上，确保金属铜粉末与等静压模具内壁之间完全覆盖；S4：待到金属铜粉末与等静压模具之间粘结牢固后，向等静压模具内腔加注指定量的氧化铝粉末，并将等静压模具封闭；S5：将带有原材料的等静压模具置于等静压设备之中，对氧化铝实现等静压成型操作；S6：对氧化铝粉末成型完成后，将等静压模具从等静压设备之中取出，并将成型后的氧化铝陶瓷基片材料从等静压模具中取出，此时氧化铝陶瓷基片表明覆盖有一层金属铜粉末；S7：对氧化铝陶瓷基片进行高温处理操作，使得金属铜粉末扩散到氧化铝陶瓷基片内部且使得氧化铝陶瓷基片硬化，完成对氧化铝陶瓷基片的加工操作。

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一种ZnO/Ni(iso-PeO)8/纳米纤维素复合光催化剂及其制备方法

实质审查的生效

专利号: CN117482999A

申请人: 哈尔滨学院

发明人: 李赞

申请日期: 2023-11-08

公开日期: 2024-02-02

IPC分类: B01J35/39

摘要:

一种ZnO/Ni(iso?PeO)<subgt;8</subgt;/纳米纤维素复合光催化剂及其制备方法，它涉及无机有机生物质复合光催化材料及其制备方法。本发明是要解决现有的以氧化锌作为光催化剂的光谱响应范围窄、载流子复合率高和以酞菁作光催化剂易聚集、比表面积小、催化效率低的技术问题。本发明的复合光催化剂是在纳米纤维素上负载复合半导体材料ZnO/Ni(iso?PeO)<subgt;8</subgt;。制法：先制备ZnO粉末；再在交变磁场中制备ZnO/Ni(iso?PeO)<subgt;8</subgt;粉，然后将其溶于氯仿中，再加入纤维素超声震荡、冷冻干燥，得到复合光催化剂。用紫外灯照射60分钟，该复合光催化剂对亚甲基蓝溶液的降解率达到98.5％，可用于光催化领域。

主权项:

1.一种ZnO/Ni(iso-PeO)8/纳米纤维素复合光催化剂，其特征在于，该复合光催化剂是在纳米纤维素上负载复合半导体材料ZnO/Ni(iso-PeO)8，其中复合半导体材料ZnO/Ni(iso-PeO)8中Zn与Ni的摩尔比为(4.3～4.8)：1；纳米纤维素的质量占ZnO/Ni(iso-PeO)8/纳米纤维素复合光催化剂质量的3％～5％。

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基于半导体激光器和等离子喷涂装置的热流源产生方法

发明专利申请公布后的撤回

专利号: CN117537956A

申请人: 中北大学

发明人: 梁海坚;王高;郭子聪;李志玲;原敬彬;李柯江;魏艳龙;孙鹏

申请日期: 2023-11-07

公开日期: 2024-02-09

IPC分类: C23C4/134

摘要:

本发明属于热流传感标定技术领域，具体涉及一种基于半导体激光器和等离子喷涂装置的热流源产生方法，所述产生方法包括：激光器发射出激光；激光通过光学系统的准直镜头，实现大功率激光的均匀化；均匀化后的激光经过准直镜头后入射到热流传感器，同时等离子喷涂装置瞄准热流传感器，等离子喷涂装置输出的热流也入射到热流传感器中，通过热流传感器进行探测，热流传感器的信号传输给计算机进行数据采集和处理。本发明能够产生混合大热流，设计合理，具有稳定性、可靠性、安全性、重复性和便捷性等优点。

主权项:

1.一种基于半导体激光器和等离子喷涂装置的热流源产生方法，其特征在于，所述热流源产生方法的实施过程涉及激光器、光学系统、等离子喷涂装置、热流传感器、计算机；所述热流源产生方法包括如下步骤：步骤1：激光器发射出激光；所述激光通过光学系统的准直镜头，实现大功率激光的均匀化；步骤2：均匀化后的激光经过准直镜头后入射到热流传感器；步骤3：同时等离子喷涂装置瞄准热流传感器；等离子喷涂装置输出的热流也入射到热流传感器中，通过热流传感器进行探测；步骤4：热流传感器的信号传输给计算机进行数据采集和处理。

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一种氧化铝陶瓷靶材及其制备方法与应用

实质审查的生效

专利号: CN117447194A

申请人: 上海戎创铠迅特种材料有限公司

发明人: 姚力军;王科;王巨宝;周敏

申请日期: 2023-10-30

公开日期: 2024-01-26

IPC分类: C04B35/111

摘要:

本发明涉及一种氧化铝陶瓷靶材及其制备方法与应用，所述制备方法包括如下步骤：(1)将纯度≥4N、平均粒径为0.1?1μm的氧化铝粉进行冷等静压处理，所得素坯料经数控加工处理，得到氧化铝坯料；(2)步骤(1)所得氧化铝坯料依次经包套焊接处理、脱气处理以及热等静压处理，去除包套后得到所述氧化铝陶瓷靶材。本发明以纯度与细度较高的氧化铝粉为原料，控制冷等静压处理及热等静压处理的工艺参数，使得制备得到的氧化铝陶瓷靶材具有较高的纯度与致密度，能够满足半导体用靶材的高性能要求。

主权项:

1.一种氧化铝陶瓷靶材的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：(1)将纯度≥4N、平均粒径为0.1-1μm的氧化铝粉进行冷等静压处理，所得素坯料经数控加工处理，得到氧化铝坯料；(2)步骤(1)所得氧化铝坯料依次经包套焊接处理、脱气处理以及热等静压处理，去除包套后得到所述氧化铝陶瓷靶材。

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一种可降低VOC浓度的排锯刀头及其制备方法

发明专利权授予

专利号: CN117140745A

申请人: 泉州众志新材料科技有限公司

发明人: 王焕伟;李斌;王勇

申请日期: 2023-10-30

公开日期: 2023-12-29

IPC分类: C22C30/02

摘要:

本发明涉及金刚石刀头技术领域，尤其是涉及的是一种可降低VOC浓度的排锯刀头及其制备方法。该排锯刀头包括内层，所述内层的两侧由内向外依次设置有中间层与外层，所述内层包括金刚石粉、Cu粉、Fe?Sn?Zn合金粉，所述中间层包括还原铁粉，所述外层包括金刚石粉、Cu?Fe合金粉、羟基铁粉、Ni粉以及Mo/TiO<subgt;2</subgt;超细粉。本发明通过在外层加入了Mo/TiO<subgt;2</subgt;超细粉，在排锯刀头切割石材过程中，Mo/TiO<subgt;2</subgt;超细粉中的Mo受到热量激发出大量移动电子，可注入至TiO<subgt;2</subgt;，TiO<subgt;2</subgt;作为一种宽禁带半导体，在接受电子注入后会在价带留下大量空穴，空穴可迁移至表面，氧化VOC为小分子物质，从而实现降低VOC浓度作用。

主权项:

1.一种可降低VOC浓度的排锯刀头，其特征在于，包括内层，所述内层的两侧由内向外依次设置有中间层与外层，所述内层包括金刚石粉、Cu粉、Fe-Sn-Zn合金粉，所述中间层包括还原铁粉，所述外层包括金刚石粉、Cu-Fe合金粉、羟基铁粉、Ni粉以及Mo/TiO2超细粉。

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一种覆铜陶瓷载板激光切割打码平台

实质审查的生效

专利号: CN117139871A

申请人: 四川富乐华半导体科技有限公司

发明人: 朱锐;马敬伟;李炎;孙泉

申请日期: 2023-10-30

公开日期: 2023-12-01

IPC分类: B23K26/362

摘要:

本发明公开了一种覆铜陶瓷载板激光切割打码平台，其技术方案要点是：包括工作台，所述工作台的一侧固定有升降架，且另一侧通过轴承转动连接有转动架，所述转动架上固定有四个陶瓷覆铜基板夹具，所述工作台的一侧固定有升降柱，所述升降柱上固定有支撑板，所述支撑板的下表面上固定有CCD抓靶相机；所述升降架固定有第一丝杆组件和两个第一滑杆，所述第一滑杆上滑动连接有第一移动座，四个陶瓷覆铜基板夹具能够同时转动，可方便上下料、CCD抓靶、激光打码切割加工和二维码或AOI检测，可避免CCD抓靶相机与打码切割激光头同轴带来的干涉，可节约加工时间。

主权项:

1.一种覆铜陶瓷载板激光切割打码平台，包括工作台（1），其特征在于：所述工作台（1）的一侧固定有升降架（2），且另一侧表面通过轴承转动连接有转动架（3），所述转动架（3）上固定有四个陶瓷覆铜基板夹具（4），所述工作台（1）的一侧固定有升降柱（5），所述升降柱（5）上固定有支撑板（6），所述支撑板（6）的下表面上固定有CCD抓靶相机（7）；所述升降架（2）固定有第一丝杆组件（8）和两个第一滑杆（9），所述第一滑杆（9）上滑动连接有第一移动座（10），所述第一移动座（10）的一侧与所述第一丝杆组件（8）固定连接，且另一侧固定有第一移动架（11），所述第一移动架（11）上设置有第一移动组件（12），所述第一移动组件（12）上固定有第二移动座（13），所述第二移动座（13）上设置有第二移动组件（14），所述第二移动组件（14）上固定有固定板（15），所述固定板（15）上固定有激光器（16），所述激光器（16）的下端固定有打码切割激光头（17），所述打码切割激光头（17）的下方设置有吹气吸尘组件（18）。

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MPCVD在线调节等离子体球位置的设备及方法

著录事项变更

专利号: CN117448795A

申请人: 上海铂世光半导体科技有限公司

发明人: 张俊生; 胡常青; 井上英男

申请日期: 2023-10-27

公开日期: 2024-01-26

IPC分类: C23C16/27

摘要:

本发明提出了一种MPCVD在线调节等离子体球位置的设备及方法，该设备包括底板；外壳其下端面固定于底板，其顶部开设气孔；内腔壳用于生成等离子体球并调节等离子体球的位置，其位于外壳内，其下端面抵住底板并可沿着底板移动，内腔壳与外壳、底板共同围成供气体流动的夹层空间，其包括依次连通的上腔体和中腔体；下腔体用于将微波馈入中腔体，其位于中腔体内，其由圆环状石英微波窗口和水冷平台围成；腔外调节机构，用于调节内腔壳在外壳中的位置，其固定于外壳的外壁，其输出端穿过外壳并固定于内腔壳，其输出端可带动内腔壳水平移动。本发明可随时调节内腔的中心位置，使等离子球位于样品台正中间。

主权项:

1.一种MPCVD在线调节等离子体球位置的设备，其特征在于，包括：底板(5)；外壳(12)，其下端面固定于底板(5)，其顶部开设气孔(13)；内腔壳(18)，用于生成等离子体球(15)并调节等离子体球(15)的位置，其位于外壳(12)内，其下端面抵住所述底板(5)并可沿着底板(5)移动，所述内腔壳(18)与外壳(12)、底板(5)共同围成供气体流动的夹层空间，其包括依次连通的上腔体(1)和中腔体(2)；所述内腔壳(18)的顶部开设内腔气孔(19)；下腔体(3)，用于将微波馈入所述中腔体(2)，其位于所述中腔体(2)内，其由圆环状石英微波窗口(6)和水冷平台(4)围成，所述圆环状石英微波窗口(6)固定于底板(5)和水冷平台(4)下端面之间；腔外调节机构，用于调节内腔壳(18)在外壳(12)中的位置，其固定于所述外壳(12)的外壁，其输出端穿过所述外壳(12)并固定于内腔壳(18)，其输出端可带动内腔壳(18)水平移动。

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悬梁结构的形成方法

实质审查的生效

专利号: CN117276297A

申请人: 华虹半导体（无锡）有限公司

发明人: 李睿;曹志伟;郑晓辉;李佳龙

申请日期: 2023-10-17

公开日期: 2023-12-22

IPC分类: H01L27/146

摘要:

本申请公开了一种悬梁结构的形成方法，包括：提供一衬底，衬底上形成有硬掩模层，衬底和硬掩模层中形成有沟槽，沟槽的深度和宽度的比值大于6，沟槽具有上部和下部，上部的宽度小于下部的宽度；在沟槽上部的周侧形成线性氧化层；在沟槽下部的周侧形成外延层；去除线形氧化层；在沟槽中填充外延层，外延层封闭沟槽上部和硬掩模层之间的区域，沟槽下部的外延层中具有空洞。本申请通过先在沟槽上部的周侧形成线性氧化层，再在沟槽下部形成外延层，去除线性氧化层后再在沟槽中进行外延层填充，由于沟槽下部先形成有外延层，因此减小了沟槽上部和下部的宽度差距，避免了由于沟槽上部和下部宽度差距较大所导致的提前封口的问题。

主权项:

1.一种悬梁结构的形成方法，其特征在于，所述方法应用于CIS的制作工艺中，所述方法包括：提供一衬底，衬底上形成有硬掩模层，衬底和硬掩模层中形成有沟槽，沟槽的深度和宽度的比值大于6，沟槽具有上部和下部，上部的宽度小于下部的宽度；在所述沟槽上部的周侧形成线性氧化层；在所述沟槽下部的周侧形成外延层；去除所述线形氧化层；在所述沟槽中填充外延层，所述外延层封闭所述沟槽上部和所述硬掩模层之间的区域，所述沟槽下部的外延层中具有空洞。

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一种三代半导体用等静压石墨坩埚

发明专利权授予

专利号: CN117073373A

申请人: 福建福碳新材料科技有限公司

发明人: 纪斌;吕尊华;万伟光

申请日期: 2023-10-11

公开日期: 2023-12-15

IPC分类: C30B29/36

摘要:

本发明公开了一种三代半导体用等静压石墨坩埚，涉及石墨坩埚技术领域，包括等静压石墨坩埚主体和底座，等静压石墨坩埚主体的表面开设有漏口，底座的上表面固定连接有多个对称设置的固定块，多个固定块的上表面共同固定连接有支撑座，支撑座的表面设置有插块，等静压石墨坩埚主体的下表面开设有供插块插入且适配的插槽，底座的上表面设置有放置板，该三代半导体用等静压石墨坩埚，不用借助外界的机械固定架，通过移动块二的移动和铰接板的配合使用，即可使得等静压石墨坩埚主体倾斜出料，以能够等静压石墨坩埚主体内熔炼完成后半导体材料倒出，相较于传统的借助机械固定架的出料方式，操作便捷，结构简单且自重低，安全性能高。

主权项:

1.一种三代半导体用等静压石墨坩埚，包括等静压石墨坩埚主体（2）和底座（1），其特征在于：所述等静压石墨坩埚主体（2）的表面开设有漏口（3），所述底座（1）的上表面固定连接有多个对称设置的固定块（44），多个所述固定块（44）的上表面共同固定连接有支撑座（45），所述支撑座（45）的表面设置有插块，所述等静压石墨坩埚主体（2）的下表面开设有供所述插块插入且适配的插槽，所述底座（1）的上表面设置有放置板（19）；所述底座（1）的上表面设置有用于移动所述等静压石墨坩埚主体（2）的移动部件，以及设置有用于所述等静压石墨坩埚主体（2）倾斜出料的出料部件；还包括用于在所述等静压石墨坩埚主体（2）移动中对其限位的保护部件；所述移动部件包括固定连接在所述底座（1）上表面的L型固定柱（4），所述L型固定柱（4）的表面固定连接有矩形框一（6），所述矩形框一（6）的内壁定轴转动连接有螺纹杆一（7），所述螺纹杆一（7）的表面螺纹连接有移动块一（28），所述移动块一（28）的表面固定连接有连接柱（29），还包括连接件（30），所述连接柱（29）通过所述连接件（30）与所述等静压石墨坩埚主体（2）的表面相定轴转动连接；所述出料部件包括固定连接在所述底座（1）上表面的矩形框二（8），所述矩形框二（8）的表面定轴转动连接有螺纹杆二（14），所述螺纹杆二（14）的表面螺纹连接有移动块二（17），所述移动块二（17）的上表面固定连接有两个对称设置的铰接块一（18），贯穿两个所述铰接块一（18）且与其相固定连接有铰接杆（16），所述铰接杆（16）的表面铰接有铰接板一（9）；所述等静压石墨坩埚主体（2）的表面固定连接有连接块（10），所述铰接板一（9）的端部与所述连接块（10）相铰接；所述螺纹杆二（14）的表面固定连接有蜗轮（22），所述底座（1）的表面固定连接有保护壳（20），所述保护壳（20）的表面定轴转动连接有转杆（21），所述转杆（21）的表面设置有与所述蜗轮（22）相啮合的蜗杆（23）；所述矩形框一（6）的表面固定连接有支撑杆（34），所述支撑杆（34）的表面固定连接有多个弹性凸起（35）；还包括转板（33），所述转板（33）的表面开设有供所述支撑杆（34）插入且适配的圆形槽口一，多个所述弹性凸起（35）均与所述圆形槽口一的内壁相抵接，所述转板（33）设置有两个且分别设置在两个所述矩形框一（6）上，两个所述转板（33）之间共同固定连接有蓄料箱（24），所述蓄料箱（24）的表面固定连通有出料管（25）；所述等静压石墨坩埚主体（2）的上表面固定连接有两个对称设置的插杆（31），所述蓄料箱（24）的上表面设置有安装块（26），所述安装块（26）的表面开设有供所述插杆（31）插入且适配的圆形槽口二，所述圆形槽口二的内壁开设有矩形槽口（37），所述矩形槽口（37）的内壁设置有伸缩杆一（36），所述伸缩杆一（36）的端部固定连接有半圆柱块（39），所述半圆柱块（39）与所述矩形槽口（37）的内壁之间共同设置有弹簧一（38），所述插杆（31）的上端部为弧形设置，所述插杆（31）的表面开设有供所述半圆柱块（39）滑入的滑槽（32）。

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一种陶瓷覆铜基板的制备方法

实质审查的生效

专利号: CN117263709A

申请人: 大连大学

发明人: 王兴安;罗凌;韩霜;孙旭东;吕卉;任培;柏小龙;孙晶;李彦钊;惠宇;刘旭东;那兆霖

申请日期: 2023-10-09

公开日期: 2023-12-22

IPC分类: C04B37/02

摘要:

本发明于半导体材料领域，公开了一种陶瓷覆铜基板的制备方法。对氮化硅陶瓷和无氧铜片首先进行包套处理，起到隔绝氧气的作用，将包套样品放入放电等离子烧结炉抽真空至1.0x10?3并加热到700?750℃，得到密封且内部为高度真空状态的包套样品；最后放入热等静压炉中施加150?200Mpa的均匀压力及700?750℃，保证了氮化硅陶瓷基板内部组织均匀且结合紧密。陶瓷与铜片之间互相扩散形成约2μm厚的过渡层，氮化硅陶瓷与铜结合紧密、空洞率较低。

主权项:

1.一种陶瓷覆铜基板的制备方法，其特征是，包括以下步骤：(1)将经过超声清洗后的陶瓷、金属片，按照钛片、金属、陶瓷、金属、钛片的顺序依次放入包套模具中；(2)使用无尘纸蘸取无水乙醇擦拭放电等离子烧结炉的整个炉膛，将步骤(1)中的包套模具，放入放电等离子烧结炉中抽真空并升温到700-750℃保温0.5h后以10-30℃/min的速率降至室温；(3)待步骤(2)的包套达到高度真空状态后取出，得到内部高真空状态的待焊件，将高真空状态的待焊件放入热等静压烧结炉中升温至700-750℃，并施加150-200Mpa的压力，保温0.5h；(4)待步骤(3)中热等静压处理后，取出包套样品，沿包套样品的边缘剪开，即可得到一种陶瓷覆铜基板。

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PowderSight

筛选条件

专利搜索结果关键词: "半导体"

等离子蚀刻电极加工设备

一种三代半导体用等静压石墨治具散热台

一种等离子线圈调节装置及半导体设备

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管

短脉冲激光海洋金属油管内壁微结构减阻的造型方法及装置

发光二极管及其制作方法

一种用于金属粉末加工粘合剂萃取设备

一种煤矿刮板输送机中部槽用高熵合金涂层及制备方法

平坦化方法及平坦化装置

一种三代半导体用等静压石墨衬底检验台

一种氧化铝陶瓷基片材料等静压成型方法

一种ZnO/Ni(iso-PeO)8/纳米纤维素复合光催化剂及其制备方法

基于半导体激光器和等离子喷涂装置的热流源产生方法

一种氧化铝陶瓷靶材及其制备方法与应用

一种可降低VOC浓度的排锯刀头及其制备方法

一种覆铜陶瓷载板激光切割打码平台

MPCVD在线调节等离子体球位置的设备及方法

悬梁结构的形成方法

一种三代半导体用等静压石墨坩埚

一种陶瓷覆铜基板的制备方法

金属粉末专利分析

材料体系分布

制备工艺分布

技术领域分布 (IPC分类)

专利类型分布

法律状态分布

金属粉末技术趋势

专利申请趋势 (2005-2024)

主要申请人分析

主要申请人专利数量

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等离子蚀刻电极加工设备

一种三代半导体用等静压石墨治具散热台

一种等离子线圈调节装置及半导体设备

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管

短脉冲激光海洋金属油管内壁微结构减阻的造型方法及装置

发光二极管及其制作方法

一种用于金属粉末加工粘合剂萃取设备

一种煤矿刮板输送机中部槽用高熵合金涂层及制备方法

平坦化方法及平坦化装置

一种三代半导体用等静压石墨衬底检验台

一种氧化铝陶瓷基片材料等静压成型方法

一种ZnO/Ni(iso-PeO)8/纳米纤维素复合光催化剂及其制备方法

基于半导体激光器和等离子喷涂装置的热流源产生方法

一种氧化铝陶瓷靶材及其制备方法与应用

一种可降低VOC浓度的排锯刀头及其制备方法

一种覆铜陶瓷载板激光切割打码平台

MPCVD在线调节等离子体球位置的设备及方法

悬梁结构的形成方法

一种三代半导体用等静压石墨坩埚

一种陶瓷覆铜基板的制备方法

金属粉末专利分析

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制备工艺分布

技术领域分布 (IPC分类)

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