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一种利用钽插入层调节Ni/Ge反应及NiGe/n-Ge肖特基接触的方法
实质审查的生效专利号: CN118448260A
申请人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
发明人: 张波;李庆鑫;薛忠营
申请日期: 2024-04-08
公开日期: 2024-08-06
IPC分类:
H01L21/329
摘要:
本发明涉及一种利用钽插入层调节Ni/Ge反应及NiGe/n?Ge肖特基接触的方法，本发明采用金属Ta层作为插入层，在快速退火阶段Ta层的存在使Ni原子扩散变缓，使得与Ge衬底的反应更加的平衡，从而避免发生团聚现象，获得了一种均匀性良好，界面性能得到改善的金属/半导体材料，且Ta插入层的存在缓解了费米能级钉扎，降低了肖特基势垒高度，同时解决了两大技术难题。
主权项:
1.一种利用钽插入层调节Ni/Ge反应的方法，其特征在于：通过在锗片表面依次生长Ta和Ni即可。
高精度压力控制系统集成的温等静压机
发明专利权授予专利号: CN117984409A
申请人: 思恩半导体科技（苏州）有限公司
发明人: 蔡永礼;姬臻杰;杨俊龙;包从江
申请日期: 2024-04-03
公开日期: 2024-05-31
IPC分类:
B28B17/00
摘要:
本发明涉及温等静压机技术领域，特别涉及高精度压力控制系统集成的温等静压机，包括加压缸；水循环组件，所述水循环组件包括循环管路、循环泵和加热器，所述循环管路的两端与加压缸导通连接，所述循环泵和加热器串联在所述循环管路上；加压组件，所述加压组件包括高增压泵，高增压泵串联在所述循环管路上。本发明提供的高精度压力控制系统集成的温等静压机，通过全面地采集影响加热温度的参数，对机器学习模型进行训练，然后基于训练好的机器学习模型预测出加热温度，然后根据预测加热温度控制加热器工作，从而保证了对生瓷片中的粘结剂进行软化的效果，一方面加快了生瓷片加压效率，并且使得生瓷片内部的孔隙和空隙能被有效压实。
主权项:
1.高精度压力控制系统集成的温等静压机，用于生瓷片的温水层压加工，其特征在于，包括：加压缸（2）；水循环组件（5），所述水循环组件（5）包括循环管路（51）、循环泵（52）和加热器（53），所述循环管路（51）的两端与加压缸（2）导通连接，所述循环泵（52）和加热器（53）串联在所述循环管路（51）上；加压组件（6），所述加压组件（6）包括高增压泵（62），高增压泵（62）串联在所述循环管路（51）上；温压控制单元（7），用于控制加热器（53）的加热温度和高增压泵（62）的加压等级，所述温压控制单元（7）包括：数据采集模块，用于采集历史陶瓷片加工的综合参数，所述综合参数包括生瓷片的特征参数和加热温度；模型训练模块，基于采集的历史陶瓷片加工的综合参数，训练预测出加热温度的机器学习模型，采集实时的生瓷片特征参数，基于训练完成的机器学习模型预测出加热温度数据，基于预测出的加热温度数据控制加热器（53）工作；数据分析模块，根据生瓷片的特征参数和预测出的加热温度生成压力调节系数，根据压力调节系数判断生成高增压泵（62）的加压等级信息；所述加压等级信息包括一级加压信息、二级加压信息、三级加压信息和四级加压信息，其中，一级加压信息、二级加压信息、三级加压信息和四级加压信息的加压压力值依次递减。
基于PN异质结的氮化铝真空探测器及其制备方法
实质审查的生效专利号: CN118231511A
申请人: 中国科学院半导体研究所
发明人: 赵德刚;孙兆兰;杨静;梁锋;刘宗顺;陈平
申请日期: 2024-04-02
公开日期: 2024-06-21
IPC分类:
H01L31/109
摘要:
本发明提供一种基于PN异质结的氮化铝真空探测器及其制备方法，包括：蓝宝石衬底；在蓝宝石衬底上依次叠置的氮化铝缓冲层、氮化铝外延层和P型铝镓氮层；氮化铝层、二氧化硅绝缘膜和第一Ti/Al/Ti/Au层沿第一方向并列覆盖于P型铝镓氮层上，其中第一方向为垂直于叠置方向；Ni/Au电极，设置在氮化铝层上；第二Ti/Al/Ti/Au层，设置于Ni/Au电极上。该装置受表面态影响小，能在不外加偏压的条件下工作，提高了氮化铝真空探测器的响应性能。
主权项:
1.一种基于PN异质结的氮化铝真空探测器，其特征在于，包括：蓝宝石衬底(1)；在所述蓝宝石衬底(1)上依次叠置的氮化铝缓冲层(2)、氮化铝外延层(3)和P型铝镓氮层(4)；氮化铝层(5)、二氧化硅绝缘膜(6)和第一Ti/Al/Ti/Au层(7)沿第一方向并列覆盖于所述P型铝镓氮层(4)上，其中所述第一方向为垂直于所述叠置方向；Ni/Au电极(8)，设置在所述氮化铝层(5)上；第二Ti/Al/Ti/Au层(9)，设置于所述Ni/Au电极(8)上。
发光二极管及其制备方法
实质审查的生效专利号: CN118380518A
申请人: 京东方华灿光电（苏州）有限公司
发明人: 从颖;姚振;龚逸品;梅劲
申请日期: 2024-03-29
公开日期: 2024-07-23
IPC分类:
H01L33/00
摘要:
本公开实施例提供了一种发光二极管及其制备方法，属于半导体技术领域。该制备方法包括：采用第一生长温度且持续第一生长时间，形成具有第一Mg掺杂浓度的第一GaN层；采用第二生长温度且持续第二生长时间，形成具有第二Mg掺杂浓度的第二GaN层；采用第三生长温度且持续第三生长时间，形成具有第三Mg掺杂浓度的第三GaN层；采用第四生长温度且持续第四生长时间，形成具有第四Mg掺杂浓度的第四GaN层；第一生长温度至第四生长温度逐渐升高，第一生长时间至第三生长时间逐渐增加，第一Mg掺杂浓度至第四Mg掺杂浓度逐渐升高。本公开实施例能保证LED的质量较好的同时，提高LED的发光效率。
主权项:
1.一种发光二极管的制备方法，其特征在于，包括：在N型半导体层(30)上形成发光层(40)；在所述发光层(40)的远离所述N型半导体层(30)的一侧形成P型半导体层(60)；其中，所述在所述发光层(40)的远离所述N型半导体层的一侧形成P型半导体层(60)，包括：采用第一生长温度且持续第一生长时间，在所述发光层(40)的远离所述N型半导体层(30)的一侧形成具有第一Mg掺杂浓度的第一GaN层(61)，并对所述第一GaN层(61)进行退火；采用第二生长温度且持续第二生长时间，在所述第一GaN层(61)上形成具有第二Mg掺杂浓度的第二GaN层(62)，并对所述第二GaN层(62)进行退火；采用第三生长温度且持续第三生长时间，在所述第二GaN层(62)上形成具有第三Mg掺杂浓度的第三GaN层(63)，并对所述第三GaN层(63)进行退火；采用第四生长温度且持续第四生长时间，在所述第三GaN层(63)上形成具有第四Mg掺杂浓度的第四GaN层(64)；所述第一生长温度至所述第四生长温度逐渐升高，所述第一生长时间至所述第三生长时间逐渐增加，所述第一Mg掺杂浓度至所述第四Mg掺杂浓度逐渐升高。
一种感应预热辅助铝钢异质材料激光熔钎焊方法和装置
实质审查的生效专利号: CN117983923A
申请人: 上海工程技术大学
发明人: 杨瑾; 吴凌清; 窦天宇; 应纯志; 王非凡; 张华; 高延峰
申请日期: 2024-03-22
公开日期: 2024-05-07
IPC分类:
B23K3/00
摘要:
本发明公开了一种感应预热辅助铝钢异质材料激光熔钎焊方法和装置，装置包括安装夹具、感应加热装置和激光熔钎焊机构，激光熔钎焊机构包括激光发射器、送丝机构和送气机构；感应加热装置包括控制箱、柔性连接线、感应加热线圈；方法包括待焊工件预处理后，先采用感应加热线圈作为预热热源，降低焊缝周围区域在焊接过程中的温度梯度变化，再设置焊接工艺参数对工件进行搭接焊接。本发明充分发挥感应加热和激光焊接的优势，实现异种金属的可靠连接，既保证焊接质量，又减小激光热输从而降低金属间化合物的生成，是一种以感应加热作为辅助热源的激光熔钎焊接方法，解决异种材料接头之间裂纹倾向的问题。
主权项:
1.一种感应预热辅助铝钢异质材料激光熔钎焊装置，其特征在于，包括感应加热装置和激光熔钎焊机构，其中：所述激光熔钎焊机构包括激光发射器、送丝机构和送气机构；所述激光发射器为半导体激光器，激光热源能量呈平顶光分布，激光热源分布均匀，用于发射激光对工件进行激光熔钎焊；所述送丝机构和送气机构安装在所述激光发射器上分别用于输送焊丝和保护气；所述感应加热装置采用双线圈内循环水冷结构，包括控制箱、柔性连接线、安装夹具和感应加热线圈；所述控制箱用于调节感应加热工艺参数和供电；所述控制箱与所述感应加热线圈以所述柔性连接线连接；所述感应加热线圈通过所述安装夹具固定在所述激光发射器上，与所述控制箱柔性连接；所述感应加热线圈位于焊接移动方向的前端且位于激光聚焦点的前方，先对待焊工件感应预热后进行激光熔钎焊焊接；且所述感应加热线圈与待焊工件上表面有间隙。
基于纳米焊丝浅层熔覆的多波长激光改性焊接装置及方法
发明专利权授予专利号: CN117840614A
申请人: 南京航空航天大学
发明人: 占小红;赵艳秋;马超;李悦;王建峰;吴会强
申请日期: 2024-03-07
公开日期: 2024-05-07
IPC分类:
B23K26/046
摘要:
本发明公开了基于纳米焊丝浅层熔覆的多波长激光改性焊接装置及方法，该装置包括控制系统、激光焊接系统、光纤?半导体激光束控制系统、焊丝选型?送丝系统。根据母材?焊丝型号?接头强度匹配关系，控制系统反馈焊丝选型信号至焊丝选型?送丝系统，送丝机与焊丝输出装置将选型焊丝传输至焊枪。光斑尺寸较大的半导体激光束在前，实施半导体激光?填丝浅层熔覆，将改性纳米焊丝熔覆于焊缝表面，填平焊件表面间隙；光纤激光束在后，完成基于纳米焊丝浅层熔覆的激光改性焊接。本发明能够实现焊丝快速选型与输出，节省焊丝装/拆操作时间，并且解决传统激光填丝焊接对中厚板焊接结构间隙敏感性高、焊接过程熔滴过渡稳定性差等问题。
主权项:
1.基于纳米焊丝浅层熔覆的多波长激光改性焊接装置，其特征在于，包括通过连接线与控制系统连接的激光焊接系统、光纤-半导体激光控制系统和焊丝选型-送丝系统，激光焊接系统包括光纤-半导体激光焊接头；光纤-半导体激光控制系统包括设置在光纤-半导体激光焊接头中相互独立的半导体激光传输系统和光纤激光传输系统，半导体激光传输系统和光纤激光传输系统能够分别自光纤-半导体激光焊接头中向下输出平行的半导体激光束和光纤激光束；焊丝选型-送丝系统包括送丝机、焊丝盘、焊丝输出装置、焊丝枪和焊枪固定装置，焊丝盘至少有两个，焊丝盘设置在送丝机中；焊丝输出装置设置在送丝机的一侧，送丝机中所有的焊丝送入焊丝输出装置中由其选择送出单根焊丝；焊丝枪通过焊枪固定装置安装在光纤-半导体激光焊接头的一侧，焊丝输出装置焊丝枪连接并在工作时向焊丝枪送出单根焊丝。
一种填充6LiF的半绝缘GaN微沟槽型中子探测器
实用新型专利权授予专利号: CN222070841U
申请人: 江西誉鸿锦材料科技有限公司; 东华理工大学
发明人: 赖兴阳; 邹继军; 邓文娟; 邵春林; 钟耀宗; 葛子琪; 吴粤川; 彭增涛
申请日期: 2024-03-06
公开日期: 2024-11-26
IPC分类:
G01T3/08
摘要:
本实用新型公开了一种填充<supgt;6</supgt;LiF的半绝缘GaN微沟槽型中子探测器，该探测器包括半绝缘GaN自支撑衬底、组合掩模层或者光刻胶掩模层、Si<subgt;3</subgt;N<subgt;4</subgt;钝化层、微沟槽结构、正面肖特基接触金属电极、背面欧姆接触金属电极以及正面填充的<supgt;6</supgt;LiF中子转换层材料，中子将从正面肖特基接触金属电极入射；在中子探测的过程中，正面的微沟槽结构极大的增加了GaN材料与中子转换层的接触面积，从而可有效提高各向同性发射的带电粒子进入半导体材料的概率；半绝缘GaN自支撑衬底厚度为200～400μm，能够保证在中子探测过程中所产生的二级带电粒子能够将能量完全损失在GaN材料内，极大的提高了探测效率；再加上第三代半导体GaN其宽禁带、高位阈能等优秀的物理、化学特性，使得GaN较Si、GaAs等材料在高温高压、强辐射等恶劣环境下表现出更加优异的性能。
主权项:
1.一种填充6LiF的半绝缘GaN微沟槽型中子探测器，其特征在于，包括半绝缘GaN自支撑衬底(1)，所述半绝缘GaN自支撑衬底(1)上沉积有组合掩模层或者光刻胶掩模层，沉积有组合掩模层或者光刻胶掩模层的半绝缘GaN自支撑衬底(1)上刻蚀有微沟槽结构(5)，微沟槽结构(5)表面沉积有Si3N4钝化层(6)，利用光刻工艺和RIE干法刻蚀刻蚀掉部分Si3N4钝化层(6)作为正面沉积肖特基接触金属区域，而后利用电子束蒸镀工艺在正面肖特基区域依次沉积Ni/Au以形成正面肖特基金属电极(7)，在半绝缘GaN自支撑衬底(1)背面利用磁控溅射镀膜工艺依次沉积Ti/Al/Ti/TiN以形成背面欧姆金属电极(8)；最后，将6LiF中子转换材料填充至正面微沟槽内以进行中子反应，且中子将从正面肖特基金属电极入射。
一种三代半导体用等静压石墨舟
发明专利权授予专利号: CN117711998A
申请人: 福建福碳新材料科技有限公司
发明人: 吕尊华;纪斌;冯奕钰
申请日期: 2024-02-05
公开日期: 2024-04-26
IPC分类:
H01L21/673
摘要:
本发明涉及石墨舟技术领域，具体是涉及一种三代半导体用等静压石墨舟，包括若干个一号石墨片和二号石墨片，还包括承托台、水平滑动机构、限位件、等距调节机构和若干组连接件，水平滑动机构包括若干对石墨片载具，每个石墨片载具上均设有若干个控距块，每组连接件均包括若干个陶瓷控距件，本装置通过水平滑动机构中的石墨片载具来实现一号石墨片和二号石墨片的自由滑动，且通过限位件限制若干对石墨片载具的最终位移行程，并以此使初始状态下相邻的一号石墨片和二号石墨片的间距相同且为最小值，以此便于后续对若干个一号石墨片和二号石墨片进行统一的等距调节。
主权项:
1.一种三代半导体用等静压石墨舟，包括若干个一号石墨片（1）和二号石墨片（2），每个一号石墨片（1）和二号石墨片（2）均呈竖直，一号石墨片（1）和二号石墨片（2）交错分布，且石墨舟的最外侧为两个一号石墨片（1），其特征在于，还包括承托台（3）、水平滑动机构（4）、限位件（5）、等距调节机构（6）和若干组连接件，水平滑动机构（4）包括若干对石墨片载具，每对石墨片载具均沿水平方向与承托台（3）滑动连接，每个一号石墨片（1）和二号石墨片（2）均分别对应其中一对石墨片载具，每个石墨片载具上均设有若干个控距块（7），限位件（5）设于水平滑动机构（4）的末端，限位件（5）用于限制若干对石墨片载具的最终位移行程，并以此使相邻两个石墨片载具上的控距块（7）相互抵触，此时相邻的一号石墨片（1）和二号石墨片（2）的间距相同且为最小值，等距调节机构（6）设于水平滑动机构（4）的下方，等距调节机构（6）用于等距调节若干对石墨片载具的间距，通过若干组连接件将若干个一号石墨片（1）和二号石墨片（2）固定相连，每组连接件均包括若干个陶瓷控距件（8），每个陶瓷控距件（8）均设于相邻一号石墨片（1）和二号石墨片（2）之间，陶瓷控距件（8）用于在调距后将相邻一号石墨片（1）和二号石墨片（2）的间距锁定。
一种快恢复二极管及其制备方法
实质审查的生效专利号: CN117936379A
申请人: 深圳芯智向电子科技有限公司
发明人: 何欢;张伟;叶向华
申请日期: 2024-01-25
公开日期: 2024-04-26
IPC分类:
H01L29/861
摘要:
本发明公开了一种快恢复二极管及其制备方法，涉及半导体芯片制造技术领域，包括N+衬底以及N?外延层，所述介质层的顶部覆盖有金属层，所述P?阳极的表面设置有AlSi合金层，AlSi合金层用于降低金属层和P?阳极的接触电动势。本发明通过加厚N?外延层表面的介质层至15000A±1000A，在表面加厚介质层的阻挡下，选择相应注入能量和注入剂量后，在P?阳极的表面注入Al，形成Al层，通过此种工艺，沉积正面金属时，接触孔内的Al浓度较常规工艺高很多，进而抑制了P?阳极内的Si材料向正面金属层内的析出，另外接触孔内形成的AlSi合金，一定程度上降低了表面金属和阳极的接触电动势，降低了二极管的导通压降，提升二极管性能。
主权项:
1.一种快恢复二极管制备方法，其特征在于：所述制备方法包括以下步骤：S1：在N+衬底上生长N-外延层，并加厚N-外延层表面的介质层至15000A±1000A；S2：在介质层的阻挡下，选择相应注入能量和注入剂量后，在P-阳极的表面注入Al形成Al层；S3：基于干法刻蚀工艺刻蚀部分介质层完成二极管表面清洗；S4：基于热退火工艺对表面清洗后二极管进行热退火，使P-阳极表面注入的Al离子与P-阳极的Si材料形成立方晶系的AlSi合金；S5：在热退火后的二极管表面沉积Pt层，并完成Pt层的热扩散；S6：在二极管表面形成阳极金属，完成快恢复二极管的制备。
一种汽车电路板用半导体引线框架及其制备工艺
实质审查的生效专利号: CN118098984A
申请人: 江苏恒盈电子科技有限公司
发明人: 殷华强;曹刚;李昌峰;徐建岳
申请日期: 2024-01-24
公开日期: 2024-05-28
IPC分类:
H01L21/48
摘要:
本发明涉及引线框架技术领域，具体为一种汽车电路板用半导体引线框架及其制备工艺。具体包括以下步骤：步骤一：对铜片基体依次进行电解除油、酸洗、等离子清洗，得到预处理引线框架，备用；步骤二：使用激光熔覆将熔覆料熔覆到预处理引线框架上，得到引线框架A；步骤三：使用电泳沉积将石墨烯量子点沉积到引线框架A，经退火，得到引线框架B；步骤四：将引线框架B放在镀银液中进行镀银处理，得到汽车电路板用半导体引线框架。本发明制备的半导体引线框架各层之间结合力强，其强度、导电性、耐腐蚀性能得到有效增强，能够长期有效的应用于汽车电路板。
主权项:
1.一种汽车电路板用半导体引线框架的制备工艺，其特征在于：包括以下步骤：步骤一：对铜片基体依次进行电解除油、酸洗、等离子清洗，得到预处理引线框架，备用；步骤二：使用激光熔覆将熔覆料熔覆到预处理引线框架上，得到引线框架A；步骤三：使用电泳沉积将石墨烯量子点沉积到引线框架A，经退火，得到引线框架B；步骤四：将引线框架B放在镀银液中进行镀银处理，得到汽车电路板用半导体引线框架。
一种激光熔覆高熵合金离子渗氮复合涂层及其制备方法
实质审查的生效专利号: CN118086891A
申请人: 河北光兴半导体技术有限公司; 北京盛达众安科技有限公司
发明人: 刘晓飞;胡恒广;闫冬成;张广涛;刘泽文;杨懿;李彩霞;闫俊龙;叶润;王存麒;马俊卿
申请日期: 2024-01-23
公开日期: 2024-05-28
IPC分类:
C23C24/10
摘要:
本发明涉及高性能金属粉末材料技术领域，公开了一种激光熔覆高熵合金离子渗氮复合涂层及其制备方法。该制备方法包括以下步骤：(1)将含有Al、Co、Cr、Fe、Ni、Ti的配合料接触混合，得到合金粉体，然后将合金粉体涂覆在预处理后的基体材料表面，得到沉积基底；(2)在保护气体存在下，将沉积基底进行激光熔覆，形成熔覆层；(3)在氮气和氢气存在下，将熔覆层进行离子渗氮处理。该制备方法制备得到的激光熔覆高熵合金离子渗氮复合涂层在保证涂层成型良好、塑韧性良好的前提下，既避免材料的浪费、降低成本，又具有高熵合金优异的性能，其表面硬度高达1200HV<subgt;0.2</subgt;以上。
主权项:
1.一种激光熔覆高熵合金离子渗氮复合涂层的制备方法，其特征在于，该制备方法包括以下步骤：(1)将含有Al、Co、Cr、Fe、Ni、Ti的配合料接触混合，得到合金粉体，然后将所述合金粉体涂覆在预处理后的基体材料表面，得到沉积基底；Al、Co、Cr、Fe、Ni、Ti的摩尔比为0.25-1：1：1：1：1：0.75-1.25；所述配合料的颗粒平均直径为48-75μm；(2)在保护气体存在下，将所述沉积基底进行激光熔覆，形成熔覆层；所述激光熔覆的条件包括：激光功率为2-3kW，熔覆速度为200-400mm/min，搭接率为25-35％；(3)在氮气和氢气存在下，将所述熔覆层进行离子渗氮处理；所述离子渗氮处理的条件包括：压力为300-500Pa，温度为500-600℃，时间为5-12h。
一种多孔Ni/NiO微球复合材料以及制备方法与其应用
实质审查的生效专利号: CN117772206A
申请人: 江西师范大学
发明人: 钟声亮;陈煜均;张天锦;王雷;张航
申请日期: 2024-01-22
公开日期: 2024-03-29
IPC分类:
B01J35/39
摘要:
本发明属于光催化分解水制氢领域，具体涉及一种多孔Ni/NiO微球复合材料以及制备方法与其应用。所述Ni/NiO复合材料呈多孔微球状，球形直径为2～2.5μm。制备方法：将镍盐和尿素溶解在去离子水中，搅拌均匀；将混合溶液转移至反应釜中，在水热温度110～130℃下反应19～21h；待冷却至室温后洗涤沉淀物，干燥得到绿色的镍前驱体；在惰性气氛下，将镍前驱体在350～450℃下退火2～3h，所得产物即为多孔Ni/NiO微球复合材料。制备的Ni/NiO复合材料含有丰富的氧空位，可用作光催化分解水制氢的助催化剂，与CdS半导体光催化剂形成Ni/NiO/CdS异质结时，可明显提高复合材料的光催化析氢性能。
主权项:
1.一种多孔Ni/NiO微球复合材料，其特征在于，该复合材料形貌为多孔微球状，直径为2～2.5μm，其中Ni和NiO均为立方相。
一种溅射靶材焊接加工设备及其方法
实质审查的生效专利号: CN117920998A
申请人: 光微半导体材料（宁波）有限公司
发明人: 吕培聪;黄天乐;董利达
申请日期: 2024-01-12
公开日期: 2024-04-26
IPC分类:
B28B21/82
摘要:
本发明涉及旋转溅射靶材的焊接加工方法技术领域，具体为一种溅射靶材焊接加工设备及方法，包括同轴设置的弹性外模与刚性内模，弹性外模与刚性内模之间形成容纳待成型粉料的管形模腔，围绕弹性外模的外侧壁向外依次排列有与该弹性外模同轴设置的收缩模、等静压模及刚性支撑模，通过在弹性外模的外侧壁向外依次排列有与该弹性外模同轴设置的收缩模、等静压模及刚性支撑模，利用刚性支撑模在填充成型份料时，对弹性外模进行支撑，而在等静压时，利用收缩模对弹性外模进行限位支撑，而等静压模则用于对弹性外模施加等静压，并且等静压模对收缩模的均匀收缩进行限位，还对收缩模的刚性进行补充，维持旋转溅射靶材形状的规则。
主权项:
1.一种溅射靶材焊接加工设备，包括同轴设置的弹性外模(1)与刚性内模(2)，其特征在于：所述弹性外模(1)与所述刚性内模(2)之间形成容纳待成型粉料的管形模腔(10)，该管形模腔(10)的两端通过密封塞(11)进行密封；围绕所述弹性外模(1)的外侧壁向外依次排列有与该弹性外模(1)同轴设置的收缩模(3)、等静压模(4)及刚性支撑模(5)，所述弹性外模(1)、收缩模(3)、等静压模(4)及刚性支撑模(5)均置于支撑座(12)上；所述收缩模(3)为带状可收缩结构，且该收缩模(3)围绕所述弹性外模(1)同轴收缩；所述等静压模(4)围绕所述收缩模(3)设置，该等静压模(4)为可膨胀收缩的囊状结构，且该等静压模(4)内充入等静压介质膨胀后，挤压所述弹性外模(1)收缩；所述刚性支撑模(5)围绕所述等静压模(4)设置，所述管形模腔(10)填充待成型粉料时，所述刚性支撑模(5)对所述弹性外模(1)提供刚性支撑限位。
一种碳化硅通孔结构及其制备方法
发明专利权授予专利号: CN117476582A
申请人: 深圳基本半导体有限公司
发明人: 温正欣;韩晓宁;田丽欣;张学强
申请日期: 2023-12-28
公开日期: 2024-03-29
IPC分类:
H01L21/768
摘要:
本申请提供了一种碳化硅通孔结构，包括依次层叠设置的阻挡层、浸润层、种子层、填充层和抗反射层；所述阻挡层包括第一Ti层和第一TiN层；所述浸润层的材质为Ti；所述种子层的材质为Al；所述填充层包括Cu和Al；其中，所述Cu的含量为0.1?1.0%；所述抗反射层包括第二Ti层和第二TiN层。通过设置材质为Ti的浸润层和第二Ti层，将Al材质的种子层与填充层夹在中间，从而生成TiAl<subgt;3</subgt;，减少了Al原子沿电流方向的定向迁移，增加了机械稳定性，解决了碳化硅通孔在填充时易产生缺陷的问题。
主权项:
1.一种碳化硅通孔结构，其特征在于，包括依次层叠设置的阻挡层、浸润层、种子层、填充层和抗反射层；所述阻挡层包括第一Ti层和第一TiN层；所述浸润层的材质为Ti；所述种子层的材质为Al；所述填充层包括Cu和Al；其中，所述Cu的含量为0.1-1.0%；所述抗反射层包括第二Ti层和第二TiN层。
一种三代半导体用等静压石墨舟连接结构
发明专利权授予专利号: CN117476511A
申请人: 福建福碳新材料科技有限公司
发明人: 吕尊华;冯奕钰;冯于驰
申请日期: 2023-12-28
公开日期: 2024-03-26
IPC分类:
H01L21/687
摘要:
本发明涉及石墨舟技术领域，具体是涉及一种三代半导体用等静压石墨舟连接结构，包括导热板，以及安装在导热板周侧的壳体边框，壳体边框底部设置有若干个用于连接散热基板的安装孔，壳体边框的两端均设置有两个夹持块，夹持块安装在驱动单元的工作端，壳体边框的长度方向两侧设置有隔热腔，隔热腔外侧中部滑动安装把手，本技术方案通过驱动单元驱动夹持块向内移动贴合石墨舟，驱动单元还可以驱动把手外移，在导热板传递热量的过程中实现把手和壳体边框的分离，避免把手被加热，从而在石墨舟散热结束后，工作人员可以立刻手持把手进行复位，对连接结构进行搬运，无需等待其降温，提高工作效率。
主权项:
1.一种三代半导体用等静压石墨舟连接结构，包括用于放置石墨舟的导热板（1），以及安装在导热板（1）周侧的壳体边框（2），壳体边框（2）底部设置有若干个用于连接散热基板的安装孔（21），其特征在于，壳体边框（2）的长度方向的两端均设置有两个夹持块（3），夹持块（3）安装在驱动单元（4）的工作端，驱动单元（4）驱动夹持块（3）对导热板（1）上的石墨舟进行夹持固定；壳体边框（2）的长度方向两侧设置有隔热腔（22），隔热腔（22）外侧中部滑动安装把手（5），把手（5）通过内侧的第二导向杆（51）插装在隔热腔（22）上，第二导向杆（51）沿壳体边框（2）的宽度方向水平延伸，隔热腔（22）上设置有套筒（221），把手（5）内侧设置有与套筒（221）截面形状大小相同的连接支撑块（52），连接支撑块（52）插装在套筒（221）内，驱动单元（4）驱动夹持块（3）向内移动贴合石墨舟时，驱动单元（4）驱动把手（5）外移至连接支撑块（52）脱离套筒（221）。
一种铋碲合金分离方法
实质审查的生效专利号: CN117778758A
申请人: 浙江能鹏半导体材料有限责任公司
发明人: 请求不公布姓名
申请日期: 2023-12-28
公开日期: 2024-03-29
IPC分类:
C22B9/02
摘要:
本发明公开了一种铋碲合金分离方法，该方法是将铋碲合金放置在坩埚中进行低温真空蒸馏；所述坩埚内部通过石墨筛板分隔成上下两层，所述铋碲合金放置在石墨筛板上，待真空蒸馏完成后，石墨筛板上残留物为粗碲，坩埚底部聚集物为粗铋；粗铋进行高温真空蒸馏，挥发物经过收集得到纯碲，残留物为纯铋；粗碲进行高温氧化，氧化混合产物先进行低温氢还原回收纯碲，再进行高温氢还原回收纯铋。该方法能够实现铋和碲的高效分离，得到3N(99.9％)以上金属铋以及3N(99.9％)以上纯碲，且该方法操作简单，耗能低、效率高，对环境友好，有利于工业化生产。
主权项:
1.一种铋碲合金分离方法，其特征在于：包括以下步骤：1)将铋碲合金放置在坩埚中进行低温真空蒸馏；所述坩埚内部通过石墨筛板分隔成上下两层，所述铋碲合金放置在石墨筛板上，待真空蒸馏完成后，石墨筛板上残留物为粗碲，坩埚底部聚集物为粗铋；2)所述粗铋进行高温真空蒸馏，挥发物经过收集得到纯碲，残留物为纯铋；3)所述粗碲进行高温氧化，氧化混合产物先进行低温氢还原回收纯碲，再进行高温氢还原，回收纯铋。
一种用于多芯片封装的等离子清洗机
实质审查的生效专利号: CN117564028A
申请人: 浙江亚芯微电子股份有限公司
发明人: 赵炯毅;徐江
申请日期: 2023-12-27
公开日期: 2024-02-20
IPC分类:
B08B13/00
摘要:
本发明提供一种用于多芯片封装的等离子清洗机，包括：等离子清洗机本体，所述等离子清洗机本体清洗腔的两侧均设置有升降装置，两个所述升降装置的表面均设置有翻转组件，所述等离子清洗机本体清洗腔的底部活动安装有抽拉板。本发明，同步启动两个电动推杆，可对半导体芯片的两端进行夹持，拧动两个旋钮螺栓，对其进行固定，同步启动两个旋转电机，使半导体芯片进行缓慢翻转，通过等离子清洗机本体内部的离子发射器对半导体芯片进行清洗，同步启动两个正反电机，正反电机运作并使半导体芯片位于放置盒的上方，同步启动两个电动推杆，使得芯片掉落到放置盒的内部，拉出抽拉板对半导体芯片进行取出。
主权项:
1.一种用于多芯片封装的等离子清洗机，其特征在于，包括：等离子清洗机本体(1)，所述等离子清洗机本体(1)一侧的顶部安装有控制终端(101)，所述等离子清洗机本体(1)的表面通过铰链安装有活动门(102)，所述活动门(102)的表面安装有观察窗(103)，所述活动门(102)表面的一侧固定安装有把手(104)，所述等离子清洗机本体(1)底部的四端均安装有移动轮(105)，所述等离子清洗机本体(1)内部清洗腔的底部开设有两个活动槽(106)，两个所述活动槽(106)内壁的两侧均连接有滑杆(107)，所述等离子清洗机本体(1)内部清洗腔内壁的两侧均开设有限位槽(108)，所述等离子清洗机本体(1)内部清洗腔的两侧均设置有升降装置(2)，两个所述升降装置(2)的表面均设置有翻转组件(3)，所述等离子清洗机本体(1)内部清洗腔的底部活动安装有抽拉板(4)，所述抽拉板(4)的内腔活动安装有放置盒(5)，所述放置盒(5)的两侧均安装有提手(501)。
散热器铝鳍片免电镀钎焊料及制备方法及散热器生产工艺
实质审查的生效专利号: CN117548899A
申请人: 海普半导体（洛阳）有限公司
发明人: 闫焉服; 李自强; 吴丰; 蒲植
申请日期: 2023-12-26
公开日期: 2024-02-13
IPC分类:
B23K35/40
摘要:
本发明介绍了一种散热器铝鳍片免电镀钎焊料及制备方法及散热器生产工艺。本发明省去传统铜铝散热器制造过程中铝鳍片电镀工序，不仅减少了污染，缩短了生产流程，而且降低了制造成本；免电镀钎焊料解决了铜铝软钎焊料使用中铝合金不润湿的问题，提高焊接质量，保证散热器使用效果；且焊接后只需用水清洗，避免有机溶剂的使用。
主权项:
1.一种散热器铝鳍片免电镀钎焊料，其特征在于：包括重量百分比为70%-93%的Sn-Bi合金粉和重量百分比为7%-30%的助焊剂；所述助焊剂包括重量百分比为13-25%的活化剂、重量百分比为70-85％的溶剂、重量百分比为1%-5％的消泡剂、重量百分比为0.1%-5%的表面活性剂、重量百分比为0.1%-1%的抗氧剂、重量百分比为0.1%-1%的缓蚀剂和重量百分比为0.1%-5%的成膜剂。
一种用于芯片的金属电极及其制作方法
发明专利权授予专利号: CN117448819A
申请人: 墨卓生物科技（浙江）有限公司
发明人: 郑涵睿;裴颢;郑文山
申请日期: 2023-12-22
公开日期: 2024-03-19
IPC分类:
H01L21/48
摘要:
本发明提供一种用于芯片的金属电极及其制作方法，属于半导体技术领域；其制备工艺包括以下步骤：熔炼金属原料制备合金棒；等离子束熔化并快速冷却固化制备合金粉末；预处理芯片并真空蒸镀锆层、铟层和铝层；制备镍层并激光熔覆合金粉末。本发明通过以纯铜、纯镍、纯锡、纯锌以及铜和硅、铝、锆的中间合金为原料制备合金棒，再将该合金棒制成合金粉末，然后通过激光熔覆将其熔覆在镍层表面，作为保护层，该保护层的导电性能和纯铜相当，但是具有比纯铜保护层更好的耐腐蚀性和耐磨性，从而能够达到延长金属电极使用寿命的效果。
主权项:
1.一种用于芯片的金属电极的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：熔炼金属原料制备合金棒将纯铜、纯镍、纯锡、Cu-10Si、Cu-30Al、Cu-50Zr和纯锌熔化，再加入冰晶石和氟化钙精炼剂，变搅拌边捞渣，再注入模具中，冷却后，得到合金棒；S2：等离子束熔化并快速冷却固化制备合金粉末将上述合金棒接通电流并通过转轴带动其高速转动，然后向转动的合金棒发射等离子束，将其熔化，形成液滴并抛出，快速冷却固化后，得到合金粉末；S3：预处理芯片并真空蒸镀锆层、铟层和铝层将芯片进行预处理，再通过电子束蒸发真空镀膜机在预处理后的芯片表面真空蒸镀锆层，经过激光毛化处理后，再继续蒸镀铟层和铝层，得到复合金属层电极；S4：制备镍层并激光熔覆合金粉末在上述复合金属层电极表面通过磁控溅射制备镍层，然后将上述合金粉末激光熔覆在镍层表面，退火后，得到金属电极。
一种LED芯片粗化方法及LED芯片
发明专利权授予专利号: CN117438515A
申请人: 江西乾照半导体科技有限公司
发明人: 曹金如;李晓静;乔元鹏;辛天骄;马英杰;徐晶;朱万祥;韩效亚
申请日期: 2023-12-21
公开日期: 2024-03-29
IPC分类:
H01L33/22
摘要:
本发明提供一种LED芯片粗化方法及LED芯片，该方法通过基于n?AlGaInP粗化层上层叠的图形化电极，将n?AlGaInP粗化层表面分区，以形成关于图形化电极对称的多个待粗化区域，其中，远离图形化电极的待粗化区域为初始待粗化区域，靠近图形化电极的待粗化区域为终止待粗化区域，初始待粗化区域和终止待粗化区域之间为中间待粗化区域；由初始待粗化区域朝终止待粗化区域，依次对各待粗化区域进行粗化处理，形成由图形化电极向外，粗化高度逐渐降低的n?AlGaInP粗化层，具体的，从远离图形化电极的待粗化区域开始依次对划分的多个粗化区域进行粗化，大大增加了粗化面积，提升了出光效率。
主权项:
1.一种LED芯片粗化方法，其特征在于，用于对LED芯片的n-AlGaInP粗化层进行粗化，所述方法包括：基于n-AlGaInP粗化层上层叠的图形化电极，将n-AlGaInP粗化层表面分区，以形成关于图形化电极对称的多个待粗化区域，其中，远离图形化电极的待粗化区域为初始待粗化区域，靠近图形化电极的待粗化区域为终止待粗化区域，初始待粗化区域和终止待粗化区域之间为中间待粗化区域；由初始待粗化区域朝终止待粗化区域，依次对各待粗化区域进行粗化处理，形成由图形化电极向外，粗化高度逐渐降低的n-AlGaInP粗化层。
金属粉末专利分析
材料体系分布
制备工艺分布
技术领域分布 (IPC分类)
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B22F10/28(3D打印) • B22F9/04(制粉) •
C23C24/10(涂层) • C22C19/05(镍合金) •
B33Y50/02(控制) • C22F1/18(热处理)