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静压出流显影喷嘴
发明专利申请公布后的驳回专利号: CN104166318A
申请人: 清华大学深圳研究生院
发明人: 刘学平; 徐强; 王汉; 向东; 刘睿; 段广洪
申请日期: 2014-09-09
公开日期: 2014-11-26
IPC分类:
G03F7/30
摘要:
一种静压出流显影喷嘴，它包括：主体、隔板和盖板，所述主体呈长条状，主体内沿长边方向设置储液槽，所述储液槽由上槽部和下槽部构成，上槽部的宽度大于下槽部的宽度在二者连结部形成台阶，台阶的长边沿成型有外高内低的引流面，下槽部的底部设置若干出流小孔，下槽部侧壁靠近两端处分别设置下槽部的排气孔，所述上槽部构成喷嘴的一级流道，下槽部构成喷嘴的二级流道；所述隔板设置于所述储液槽内的台阶上，隔板上于所述引流面上方设置过流缝；所述盖板密封装配于所述储液槽的口部。采用上述静压出流方式及排气孔结构，显著提高了喷涂的稳定性和均匀性。
主权项:
1.一种静压出流显影喷嘴，其特征在于，包括：主体，呈长条状，主体内沿长边方向设置储液槽，所述储液槽由上槽部和下槽部构成，上槽部的宽度大于下槽部的宽度在二者连结部形成台阶，台阶的长边沿成型有外高内低的引流面，下槽部的底部设置若干出流小孔，下槽部侧壁靠近两端处分别设置下槽部的排气孔，所述上槽部构成喷嘴的一级流道，下槽部构成喷嘴的二级流道；隔板，设置于所述储液槽内的台阶上，隔板上于所述引流面上方设置过流缝；以及盖板，密封装配于所述储液槽的口部。
一种FPC和塑胶外壳连接部位镀层结构
专利权的终止专利号: CN203680924U
申请人: 深圳市金源康实业有限公司
发明人: 胡栋明
申请日期: 2013-12-27
公开日期: 2014-07-02
IPC分类:
B32B15/08
摘要:
本实用新型涉及一种FPC和塑胶外壳连接部位镀层结构，该结构由内到外依次包括塑料基底层、第一金属粉末-胶水混合层、带小孔的FPC连接部位、第二金属粉末-胶水混合层、酸性光亮镀铜层、镀金层，带小孔的FPC连接部位通过小孔连接第一金属粉末-胶水混合层和第二金属粉末-胶水混合层。本实用新型实现了FPC和塑料外壳的紧密结合，节约了空间，这两方面的改进使得本实用新型FPC和塑胶外壳连接部位镀层结构具有外观光亮、结合牢固，占用空间小的效果。
主权项:
1.一种FPC和塑胶外壳连接部位镀层结构，其特征在于：所述FPC和塑胶外壳连接部位镀层结构由内到外依次包括塑料基底层、第一金属粉末-胶水混合层、带小孔的FPC连接部位、第二金属粉末-胶水混合层、酸性光亮镀铜层、镀金层，所述带小孔的FPC连接部位通过小孔连接第一金属粉末-胶水混合层和第二金属粉末-胶水混合层，所述带小孔的FPC连接部位的小孔直径为0.5毫米到3毫米，所述第一金属粉末-胶水混合层的厚度为200微米到300微米，所述第二金属粉末-胶水混合层的厚度为200微米到300微米，所述酸性光亮镀铜层的厚度为30微米到50微米，所述镀金层的厚度为15微米到35微米。
片式元件端头包封浆料及片式元件的制备方法
发明专利权授予专利号: CN103632781A
申请人: 深圳顺络电子股份有限公司
发明人: 王军; 包汉青; 黄飞
申请日期: 2013-12-13
公开日期: 2014-03-12
IPC分类:
H01C7/04
摘要:
本发明公开了一种片式元件端头包封浆料及片式元件的制备方法，其中包封浆料包括按质量百分比计的35-45%金属粉末、15-25%高分子树脂、20-35%碳酸钙和10-20%有机溶剂，并混合而成；片式元件的制备方法包括片式元件的包封过程，即：将包封浆料包封在片式元件的端头。本发明所公开的包封浆料化学物理性能稳定性好，封接性能好，粘度适中；将该包封浆料包封在片式元件端头制成的片式元件，解决了片式元件端头保护的工艺难题，使制出的片式元件的1%精度合格率得到提高。
主权项:
1.一种片式元件端头包封浆料，其特征在于，包括按质量百分比计的35-45%金属粉末、15-25%高分子树脂、20-35%碳酸钙和10-20%有机溶剂，并混合而成。
一种高温无铅无卤锡膏及其制备方法
发明专利申请公布后的驳回专利号: CN102513739A
申请人: 深圳市晨日科技有限公司
发明人: 钱雪行; 资春芳
申请日期: 2011-12-30
公开日期: 2012-06-27
IPC分类:
B23K35/363
摘要:
本发明提供了一种高温无铅无卤锡膏及其制备方法，按重量百分比计，由80%-91%的焊锡粉和20%-9%的助焊膏组成，所述焊锡粉为锡锑镍或锡锑镍锗合金粉。本发明的有益效果是：1.本发明中的锡膏不含铅，环保，代替高铅锡膏用于高温工作的半导体器件特别是功率器件和LED封装、高密度集成电路封装以及需要二次回流电路板的焊接。2.本发明中的锡膏化学性质稳定，抗氧化力强，易储存。3.采用本发明中的高温无铅无卤锡膏焊接后无锡珠、残留物少且呈透明状、表面阻抗高，有效的提高了产品在高温高湿环境下工作的安全性能，镀金、镀银、镀镍器件润湿性好，焊接强度大。4.精密器件采用本发明中的高温无铅无卤锡膏，其针筒点胶工艺出胶均匀流畅，焊接后空洞率低于8%。
主权项:
1.一种高温无铅无卤锡膏，其特征在于，按重量百分比计，由80%-91%的焊锡粉和20%-9%的助焊膏组成，所述焊锡粉为锡锑镍或锡锑镍锗合金粉。
一种金属微零件成形模具及其成形方法
专利权的终止专利号: CN102000805A
申请人: 深圳大学
发明人: 伍晓宇;徐平;程蓉;罗烽;梁雄;彭太江
申请日期: 2010-12-27
公开日期: 2012-08-29
IPC分类:
B22D23/06
摘要:
一种金属微零件成形方法，其特征在于包括以下步骤：制作微型腔模具，凸、凹模相互绝缘并分别与焊接电源的两极连接；将金属粉末填充入模具型腔内；凸、凹模合模后压实金属粉末；接通焊接电源将金属粉末瞬间熔化；切断焊接电源，即可开模取出成形的微零件。本发明与现有技术对比的有益效果是：金属材料在封闭的模具型腔内部利用电阻热快速加热至溶化状态，然后通过合模压力使金属粉末充实模具型腔，吸收铸造成形流动性好的优点，型腔填充效果好；瞬间成形过程中，金属粉末材料分别在热塑性、半固态和液态等多种状态和合模压力下填充成形，所成形的微零件致密度高，机械性能好。
主权项:
1.一种金属微零件成形模具，包括：凸模和凹模，其特征在于：所述凹模底部设有可将模腔内成形件顶出的顶块；所述凸模由电极材料或嵌有电极材料的非电极材料制成；所述凹模和顶块两部件中至少一件由电极材料制成或由嵌有电极材料的非电极材料制成；所述凸模和凹模或顶块的电极材料部位分别与焊接电源的两极连接；所述凸模与凹模之间相互绝缘。
货柜数据中心及其电磁干扰抑制装置
专利权的终止专利号: CN102573430A
申请人: 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;
发明人: 蒋文凯
申请日期: 2010-12-16
公开日期: 2016-08-10
IPC分类:
H05K5/02
摘要:
一种电磁干扰抑制装置，用以隔离容室与外界通过该容室上的供线缆穿过的线孔所形成的电磁干扰，所述电磁干扰抑制装置包括供所述线缆穿过的金属筒体及填满该筒体与线缆之间的金属粉末，该金属筒体的一端密封连接于所述容室的线孔内。一种货柜数据中心，其包括货柜及开设于货柜上的供线缆穿过的线孔，还包括安装于所述货柜的线孔处的上述电磁干扰抑制装置。上述货柜数据中心在线孔处安装电磁干扰抑制装置，可以将货柜内外隔离开，一方面是避免电磁波进出货柜；另一方面是减少货柜内部的冷气外泄，有利于货柜内的温湿度控制；再一方面是避免外界的昆虫由线孔进入货柜内部。
主权项:
1.一种电磁干扰抑制装置，用以隔离容室与外界通过该容室上的供线缆穿过的线孔所形成的电磁干扰，其特征在于：所述电磁干扰抑制装置包括供所述线缆穿过的金属筒体及填满该筒体与线缆之间的金属粉末，该金属筒体的一端密封连接于所述容室的线孔内。
对宏基因组16S高可变区V6进行测序聚类分析的方法
发明专利申请公布后的驳回专利号: CN102477460A
申请人: 深圳华大基因科技有限公司;
发明人: 刘晓;周宏伟;栗东芳
申请日期: 2010-11-24
公开日期: 2012-05-30
IPC分类:
C12Q1/68
摘要:
本发明公开一种对宏基因组16S高可变区V6进行测序聚类分析的方法，该方法包括：提取微生物DNA；通过引物对宏基因组16S rDNA的高可变区V6进行PCR，并为每个样品加上标签序列；把不同样品的PCR产物进行混合；对混合后的PCR产物进行Solexa建库法建库；使用Solexa测序工具对高可变区V6的文库进行双末端pair-end测序，得到原始的测序数据；对测序数据进行筛选，以过滤掉低质量的数据；利用重叠群的关系对高可变区V6的全长序列进行组装；通过标签序列把reads分配到对应的样品上；通过对reads进行分类分析，以实现使用高可变区的测序对微生物群体进行高通量和精准的分类。
主权项:
1.一种对宏基因组16S高可变区V6进行测序聚类分析的方法，其特征在于，所述方法包括：提取微生物的脱氧核糖核酸DNA；通过引物对宏基因组16S核糖体脱氧核糖核酸rDNA的高可变区V6进行聚合酶链式反应PCR，并为每个样品加上标签序列；把不同样品的PCR产物进行混合；对混合后的PCR产物进行Solexa建库法建库；使用Solexa测序工具对所述高可变区V6的文库进行双末端pair-end测序，得到原始的测序数据；对所述测序数据进行筛选，以过滤掉低质量的数据；利用重叠群的关系对所述高可变区V6的全长序列进行组装；通过标签序列把reads分配到对应的样品上；通过对所述reads进行分类分析，以实现使用所述高可变区的测序对微生物群体进行高通量的分类。
一种正交双极化全向天线
未知状态专利号: CN102104202A
申请人: 摩比天线技术(深圳)有限公司
发明人: 刘前昌
申请日期: 2009-12-21
公开日期: 2014-06-11
IPC分类:
H01Q21/24
摘要:
本发明适用于移动通讯，提供了一种正交双极化全向天线，其包括：支撑柱和设于所述支撑柱的至少三个±45°正交双极化单元，所述至少三个±45°正交双极化单元处于同一水平面，所述至少三个±45°正交双极化单元围绕所述支撑柱的轴心等距等夹角分布。所述至少三个±45°正交双极化单元组成一个组合双极化全向辐射单元。所述组合双极化辐射单元实现了±45°正交双极化水平面全向辐射，满足移动通讯的极化分集要求。若在所述支撑柱的轴向设多个相同的组合双极化全向辐射单元可以组成高增益双极化全向天线。此外带金属底座的组合双极化全向辐射单元特别适用于室内覆盖。
主权项:
1.一种正交双极化全向天线，其特征在于，所述正交双极化全向天线包括支撑柱和设于所述支撑柱的至少三个±45°正交双极化单元，所述至少三个±45°正交双极化单元处于同一平面，所述至少三个±45°正交双极化单元围绕所述支撑柱的轴心等距等夹角分布。
等离子照明灯控制装置
专利权的终止专利号: CN101720161A
申请人: 深圳市世纪安耐光电科技有限公司
发明人: 李众学;翁广斌
申请日期: 2009-12-16
公开日期: 2013-02-27
IPC分类:
H05B41/36
摘要:
本发明公开了一种等离子照明灯控制装置，包括射频激励源、射频功率放大电路和开关电源单元，等离子照明灯控制装置设有微控制器单元，微控制器单元的射频激励源信号控制输出端与射频激励源的控制端连接，由微控制器单元根据等离子灯的发光特性控制射频激励源输出信号的频率，微控制器单元根据信号源检波电路输出的信号和激活等离子体需要输出的功率要求控制自动衰减控制电路对射频激励源输出信号衰减的幅度，本发明结合了等离子体的发光特性，提高了等离子灯的发光质量，使等离子灯被激发后发出的光源更接近于自然光，而且使等离子灯的启动更加稳定以及连续稳定发光。
主权项:
1.一种等离子照明灯控制装置，包括射频激励源、射频功率放大电路和开关电源单元，其特征在于：所述等离子照明灯控制装置设有微控制器单元，微控制器单元包括微控制器MCU、A/D模块、D/A模块和EEPROM，射频激励源的输出端通过信号源检波电路与微控制器单元的A/D模块接口连接，由微控制器单元对射频激励源输出信号的能量进行检测，射频激励源的输出端还连接有自动衰减控制电路，自动衰减控制电路的输出端上连接有自动电平控制电路，自动电平控制电路的输出端与所述射频功率放大电路的输入端相连，射频功率放大电路的输出端上连接有输出信号检波电路，输出信号检波电路的第一输出端经负反馈放大电路与自动电平控制电路的负反馈控制信号输入端相连，输出信号检波电路的第二输出端与微控制器单元的A/D模块接口相连，微控制器单元的D/A模块接口与自动衰减控制电路的控制信号输入端相连，微控制器单元的射频激励源信号控制输出端与射频激励源的控制端连接，由微控制器单元控制射频激励源输出信号的频率，微控制器单元根据信号源检波电路输出的信号和激活等离子体需要输出的功率要求控制自动衰减控制电路对射频激励源输出信号衰减的幅度。
纳米增强无铅复合钎料
发明专利申请公布后的视为撤回专利号: CN101716707A
申请人: 深圳市亿铖达工业有限公司;
发明人: 何鹏;马鑫;安晶;陈胜;吕晓春;钱乙余
申请日期: 2009-11-26
公开日期: 2010-06-02
IPC分类:
B23K35/26
摘要:
纳米增强无铅复合钎料，它涉及一种复合钎料。本发明解决了现有的Sn-58Bi无铅钎料存在的力学强度低、脆性大的问题。本发明纳米增强无铅复合钎料由金属化修饰后的碳纳米管和Sn-58Bi无铅钎料制成；本发明纳米增强无铅复合钎料还可以由纳米Ag和Sn-58Bi无铅钎料合金粉制成。本发明的纳米增强无铅复合钎料力学强度高、脆性小。
主权项:
1.纳米增强无铅复合钎料，其特征在于纳米增强无铅复合钎料按照重量份数比由0.01～0.1份的金属化修饰后的碳纳米管和0.9～0.99份的Sn-58Bi无铅钎料制成。
含碳元素的LiFe1-xMxPO4化合物及制备方法
专利权的保全及其解除专利号: CN102064317A
申请人: 深圳市比克电池有限公司;
发明人: 相江峰
申请日期: 2009-11-13
公开日期: 2014-11-19
IPC分类:
H01M4/1397
摘要:
本发明公开了一种新化合物LiFe1-xMxPO4/C，M为Mn、Co、Ni、Al或V，0≤x≤1。本发明还公开了含有上述新化合物的锂离子电池正极材料以及该化合物的制备方法。本发明的LiFe1-xMxPO4/C化合物具有优异的电化学性能，其在制备采用低热固相反应法，过程简单，合成温度较低，所用材料价格低廉，便于大规模生产。
主权项:
1.含碳元素的LiFe1-xMxPO4化合物，M为Mn、Co、Ni、Al或V，0≤x≤1。
等离子灯具光源结构的制造方法
专利权的终止专利号: CN101699610A
申请人: 深圳市世纪安耐光电科技有限公司
发明人: 李众学;翁广斌
申请日期: 2009-11-06
公开日期: 2011-03-16
IPC分类:
H01J65/04
摘要:
本发明涉及一种等离子灯具光源结构的制造方法，其特征在于：所述等离子灯具的制造方法包括以下步骤：1)采用压铸铝材质制作好压铸铝外壳；2)采用模具加工出多孔陶瓷基座；3)安装电极，将等离子灯泡装入到灯腔中，使两电极正对等离子灯泡的两侧，然后在多孔陶瓷基座的灯腔内注入高温粘接剂；4)对高温粘接剂进行固化；5)将连接有等离子灯泡的多孔陶瓷基座装于压铸铝外壳内；6)采用导线将电源接口通过多孔陶瓷基座的侧壁上的孔道与多孔陶瓷基座内的两电极相连接。本发明具有操作简单，方便易行，可以提高生产效率的优点。
主权项:
1.一种等离子灯具光源结构的制造方法，其特征在于：所述等离子灯具的制造方法包括以下步骤：1)采用压铸铝材质制作半封闭的压铸铝外壳，在压铸铝外壳的侧壁上具有一个供电源通入的电源入口；2)先通过模具加工出陶瓷基座胚体，在陶瓷基座胚体的上部具有一个内凹的敞口的灯腔，在陶瓷基座胚体的的下部具有一个安装电源线的孔道且在灯腔与孔道之间设有两个电极孔，其中陶瓷基座胚体采用的是内部具有大量彼此相通并与材料表面也相贯通的孔道结构的陶瓷材料，陶瓷基座胚体经高温烧结而成多孔陶瓷基座；3)在两个电极孔内各装入一个电极，两电极的上端伸入到灯腔中，将等离子灯泡装入到灯腔中，使两电极正对等离子灯泡的两侧，然后在多孔陶瓷基座的灯腔内注入高温粘接剂，等离子灯泡独立粘合在多孔陶瓷基座上，等离子灯泡本身无导线连接；4)对高温粘接剂进行固化；5)将连接有等离子灯泡的多孔陶瓷基座装于压铸铝外壳内；6)采用导线将电源接口通过多孔陶瓷基座的侧壁上的孔道与多孔陶瓷基座内的两电极相连接。
一种等离子装置以及纳米晶硅薄膜的制作方法
专利权的终止专利号: CN102021514A
申请人: 深圳华映显示科技有限公司;
发明人: 蔡宗惠;林宗颖;廖子杰;彭佳凌;刘家麟;莫启能
申请日期: 2009-09-17
公开日期: 2012-07-25
IPC分类:
C23C14/14
摘要:
本发明适用于半导体设计技术领域，提供了一种等离子装置以及纳米晶硅薄膜的制作方法。其中装置包括：腔体；位于所述腔体中的电弧电极组，所述电弧电极组包括一阳极以及一阴极，所述阴极与阳极之间具有一电弧放电空间，且所述阴极与阳极在彼此相对的一端分别具有一结晶硅靶材，所述结晶硅靶材的电阻率小于0.01欧姆·厘米；以及位于所述腔体中的承载基座，所述承载基座具有一承载面，且所述承载面面向所述电弧放电空间。由于利用了具有结晶硅靶材的电弧电极组，可以以较简易的制程制作出高质量的纳米晶硅薄膜。
主权项:
1.一种等离子装置，其特征在于，所述装置包括：腔体；位于所述腔体中的电弧电极组，所述电弧电极组包括一阳极以及一阴极，所述阴极与阳极之间具有一电弧放电空间，且所述阴极与阳极在彼此相对的一端分别具有一结晶硅靶材，所述结晶硅靶材的电阻率小于0.01欧姆·厘米；以及位于所述腔体中的承载基座，所述承载基座具有一承载面，且所述承载面面向所述电弧放电空间。
旋转开关及具有该旋转开关的角度侦测装置
发明专利申请公布后的驳回专利号: CN101728110A
申请人: 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;
发明人: 卢俊男;蔡智翔;杨胜涵
申请日期: 2008-10-30
公开日期: 2010-06-09
IPC分类:
H01H19/08
摘要:
一种旋转开关，其包括一个旋转件及一个固定件。旋转件包括一个第一接触电极及一个第二接触电极。固定件包括一个第一电极区及多个第二电极区。第一电极区分布在第一接触电极绕旋转件的旋转中心在固定件上旋转所覆盖的区域。第二电极区分布在第二接触电极绕旋转件的旋转中心在固定件上旋转所覆盖的区域。固定件的第一电极区通过旋转件的第一接触电极及第二接触电极与其中一个第二电极区电性连接。旋转开关的旋转件通过旋转一定的角度使第一电极区通过第一接触电极及第二接触电极与多个第二电极区对应导通，结构简单、角度侦测的准确性高。本发明还提供了一种具有该旋转开关的角度侦测装置。
主权项:
1.一种旋转开关，其包括一个旋转件及一个固定件，所述旋转件包括一个第一接触电极及一个第二接触电极，所述固定件包括一个第一电极区及多个第二电极区，所述第一电极区分布在所述第一接触电极绕所述旋转件的旋转中心在所述固定件上旋转所覆盖的区域，所述第二电极区分布在所述第二接触电极绕所述旋转件的旋转中心在所述固定件上旋转所覆盖的区域，所述固定件的第一电极区通过所述旋转件的第一接触电极及所述第二接触电极与其中一个第二电极区电性连接。
基板表面平坦化系统及基板表面平坦化方法
专利权的终止专利号: CN101636041A
申请人: 富葵精密组件（深圳）有限公司;
发明人: 蔡崇仁;黄昱程;张宏毅;林承贤
申请日期: 2008-07-24
公开日期: 2011-05-11
IPC分类:
H05K3/00
摘要:
一种基板表面平坦化系统，用于进行基板表面平坦化，其包括光学检查装置、覆盖层形成装置以及抛光装置。所述光学检查装置用于扫描得到所述基板表面的影像，并从基板表面的凹陷中筛选出尺寸大于一预定值的凹陷，即特定凹陷。所述覆盖层形成装置用于在所述特定凹陷内形成覆盖层。所述抛光装置用于抛光基板表面覆盖层以外的部分，以提高基板表面的平坦度。本技术方案还提供一种使用该基板表面平坦化系统进行基板表面平坦化的方法。
主权项:
1.一种基板表面平坦化系统，用于进行基板表面平坦化，其包括：光学检查装置，其用于扫描得到所述基板表面的影像，并从基板表面的凹陷中筛选出尺寸大于一预定值的凹陷，即特定凹陷；覆盖层形成装置，其用于在所述特定凹陷内形成覆盖层；抛光装置，其用于抛光基板表面覆盖层以外的部分，以提高基板表面的平坦度。
导热膏及使用该导热膏的电子装置
专利权的终止专利号: CN1978580A
申请人: 富准精密工业（深圳）有限公司;
发明人: 郑景太;郑年添
申请日期: 2005-12-09
公开日期: 2010-09-29
IPC分类:
H01L23/42
摘要:
一种电子装置，包括一发热电子元件、一用于对该发热电子元件散热的散热元件及填充于该发热电子元件与散热元件之间的导热膏，该导热膏包括占5～15％质量百分比的基体，占50～90％质量百分比的热导填充物，该基体在25℃时的粘度为50～50,000cs，该热导填充物为平均粒径均为2～20μm的球形锡粉与记忆合金粉至少其中之一种。
主权项:
1.一种导热膏，包括占5～15％质量百分比的基体及占50～90％质量百分比的填充于基体内的热导填充物，该热导填充物为平均粒径均为2～20μm的球形锡粉与记忆合金粉至少其中之一种。
金属粉末专利分析
材料体系分布
制备工艺分布
技术领域分布 (IPC分类)
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B22F10/28(3D打印) • B22F9/04(制粉) •
C23C24/10(涂层) • C22C19/05(镍合金) •
B33Y50/02(控制) • C22F1/18(热处理)