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筛选条件
13586
专利总数
金属3D打印粉末相关6472
主要申请人
企业/机构/个人2026
最新数据
持续更新中专利搜索结果 关键词: "半导体"
排序:
高频等离子CVD装置与高频等离子CVD法以及半导体薄膜制造法 高頻電漿ＣＶＤ裝置與高頻電漿ＣＶＤ法及半導體薄膜製造法
发明专利申请公布后的视为撤回专利号: CN101897005A;TW200929338A
申请人: 村田正义
发明人: 村田正义;村田正義 MURATA, MASAYOSHI
申请日期: 2008-09-08
公开日期: 2010-11-24
IPC分类:
H01L21/205
摘要:
与构成串联型薄膜硅太阳能电池的制造用的VHF等离子CVD装置的等离子产生源有关，其目的在于提供能够抑制驻波的影响以及在一对电极之间以外产生的有害等离子的产生、并且抑制供给电力的在这一对电极之间以外的消耗的大面积·均匀的VHF等离子CVD装置以及方法。该等离子CVD装置以及方法，其特征在于：具有下述结构，将配置于电极上的互相相对的位置的第1以及第2给电点之间的距离设定为使用电力的波长的二分之一的整数倍，通过供给从2台能够脉冲调制的相位可变2输出的高频电源输出的在时间上分离的脉冲电力，在时间上交替产生波腹的位置与该第1以及第2给电点的位置一致的第1驻波和波节的位置与该第1以及第2给电点的位置一致的第2驻波。
主权项:
1.一种高频等离子CVD装置，该高频等离子CVD装置利用等离子在配置于真空容器的基板的表面上形成薄膜，其特征在于：具有高频电力供给单元，在所述高频电力供给单元中，被配置于电极的端部的第1给电点与被配置于处于电力波的传播上与该第1给电点为相对点关系的位置的第2给电点的间隔被设定为考虑了波长缩短率的使用电力的波长λ的二分之一的整数n倍，即nλ/2，并且在时间上交替产生波腹的位置与该第1以及第2给电点的位置一致的第1驻波和波节的位置与该第1以及第2给电点的位置一致的第2驻波。
用低温精密回蚀和钝化过程制备的具有选择性发射极的晶体硅光伏电池
发明专利申请公布后的视为撤回专利号: CN102105999A
申请人: 达伊4能量有限公司
发明人: 利奥尼德·B·鲁宾;布拉姆·萨德利克;亚历山大·奥西波夫
申请日期: 2008-07-28
公开日期: 2011-06-22
IPC分类:
H01L31/0216
摘要:
在光伏(PV)晶体硅半导体晶片中形成选择性发射极的方法，包括在晶片的前侧面上形成掩模以在前侧面上产生遮蔽和未遮蔽区域。在前侧面的未遮蔽区域电化学形成第一氧化硅层，使得氧化硅层至少延伸至晶片的发射极中的盲区。除去掩模并回蚀第一氧化硅层直至基本除去全部第一氧化硅层。然后在前侧面上电化学形成第二氧化硅层，使得第二氧化硅层具有足够的厚度以钝化前侧面。所述方法可选择性地包括：通过在没有半导体结的PV晶体硅半导体晶片的未遮蔽区域中电化学形成的第一氧化硅层扩散掺杂剂从而形成发射极，然后回蚀第一氧化硅层并用电化学形成的第二氧化硅层钝化。
主权项:
1.一种在光伏晶体硅半导体晶片中形成选择性发射极的方法，所述光伏晶体硅半导体晶片具有：前侧面和后侧面、所述前侧面和后侧面之间的结以及所述结和所述前侧面之间的发射极，其中所述发射极具有扩散的掺杂剂浓度分布，使得所述发射极具有直接位于所述前侧面下方的盲区以及邻近所述盲区的掺杂剂浓度减少区，其中所述盲区中所述扩散的掺杂剂浓度相对恒定，而在所述掺杂剂浓度减少区中所述扩散的掺杂剂浓度减少，所述方法包括：在所述前侧面上形成掩模以在所述前侧面上产生遮蔽和未遮蔽区域；在所述前侧面的所述未遮蔽区域电化学形成第一氧化硅层，使得所述氧化硅层至少延伸至所述发射极中的盲区；除去所述掩模；回蚀所述第一氧化硅层直至基本除去全部所述第一氧化硅层；和在所述回蚀之后，在前侧面上电化学形成第二氧化硅层，所述第二氧化硅层具有足够的厚度以钝化所述前侧面。
在衬底上形成多层凸起的方法 於基材上形成多層凸塊之方法
发明专利申请公布后的驳回专利号: CN1959531A;TW200725768A
申请人: 飞思卡尔半导体公司
发明人: 萧喜铭;周安乐;黎戈;蕭喜銘;周安樂
申请日期: 2006-10-31
公开日期: 2010-09-21
IPC分类:
G03F7/16
摘要:
用于在衬底上形成多层凸起的方法，包含在衬底上沉积第一金属粉末，和有选择地熔化或者回流第一金属粉末的一部分以形成第一凸起。然后在第一凸起上沉积第二金属粉末，并熔化以在第一凸起上形成第二凸起。掩模板配置在衬底上方以选择熔化的金属粉末的部分，通过照射射束熔化金属粉末。在不需要任何湿化学制品的情况下形成多层凸起。
主权项:
1.一种用于在衬底上形成双层凸起的方法，包括：在衬底上沉积第一金属粉末；熔化第一金属粉末以形成第一凸起；在至少第一凸起上方沉积第二金属粉末；和熔化第二金属粉末以在第一凸起上形成第二凸起，其中第一凸起和第二凸起形成双层凸起。
金属粉末专利分析
材料体系分布
制备工艺分布
技术领域分布 (IPC分类)
💡 技术分类说明： 悬停在图表柱子上查看：
B22F10/28(3D打印) • B22F9/04(制粉) •
C23C24/10(涂层) • C22C19/05(镍合金) •
B33Y50/02(控制) • C22F1/18(热处理)