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可变光斑模块化半导体激光熔覆系统
专利权的终止专利号: CN203976918U
申请人: 兰晋
发明人: 兰晋
申请日期: 2014-06-15
公开日期: 2014-12-03
IPC分类:
C23C24/10
摘要:
可变光斑模块化半导体激光熔覆系统，包括半导体激光模块，连接在半导体激光模块下方的光束整形模块、连接在光束整形模块下方的出光口模块；所述半导体激光模块由半导体激光巴条、光束准直系统、隔离镜片组成；所述光束整形模块包括空心的金属支撑件，以及安装在金属支撑件内部的抽匣式X向整形镜组、抽匣式Y向整形镜组和保护镜片；所述空心圆柱状的金属支撑件连通有水冷通道；所述出光口模块为两端开口的倒圆锥形，所述出光口模块的下端开口处外侧连接有送粉臂，所述出光口模块的侧面连接都有除烟装置，所述出光口模块的上部设置有上风刀口，所述出光口模块的下端开口处下部设置有下风刀口。本实用新型可变光斑模块化半导体激光熔覆系统在工作时即可根据工作需要，现场更换不同的镜片模组，在同一焦点处形成不同的光斑，又可根据送粉的方式更换不同的出光口模块。使同一组激光器具有多种功能的选择，适应更广的应用要求。
主权项:
1.可变光斑模块化半导体激光熔覆系统，包括半导体激光模块，连接在半导体激光模块下方的光束整形模块、连接在光束整形模块下方的出光口模块；所述半导体激光模块由半导体激光巴条、光束准直系统、隔离镜片组成；其特征在于所述光束整形模块包括空心的金属支撑件，以及安装在金属支撑件内部的抽匣式X向整形镜组、抽匣式Y向整形镜组和保护镜片；所述空心的金属支撑件连接有水冷通道；所述出光口模块为两端开口的倒圆锥形，所述出光口模块的下端开口处外侧连接有送粉臂，所述出光口模块的侧面连接都有除烟装置，所述出光口模块的上部设置有上风刀口，所述出光口模块的下端开口处下部设置有下风刀口。
改变半导体激光器件芯片慢轴方向光场分布的方法
专利权人的姓名或者名称、地址的变更专利号: CN103872579A
申请人: 北京工业大学
发明人: 尧舜; 高祥宇; 王智勇; 潘飞; 贾冠男; 李峙
申请日期: 2014-03-28
公开日期: 2014-06-18
IPC分类:
H01S5/06
摘要:
改变半导体激光器件芯片慢轴方向光场分布的方法，该方法适用于单元或阵列器件芯片，主要步骤包括：选取单个或多个发光单元具有精细结构的电流注入区的半导体激光单元或阵列器件芯片；将所述一个或各发光单元电流注入区按一定方式进行光刻、蒸镀；根据特定要求，将所述半导体激光单元或阵列器件芯片的电流注入区按照一定的尺寸和形状光刻、蒸镀，使电流注入区更加细化，半导体激光单元或阵列器件芯片慢轴方向光场按所述特定要求分布。本发明直接从半导体激光器的光源入手，实现慢轴方向光场分布的改变，不仅使半导体激光单元或阵列器件芯片获得特定要求的慢轴方向光场分布，提高激光熔覆的效率和熔覆层的硬度，还避免其结构的复杂化。
主权项:
1.改变半导体激光器件芯片慢轴方向光场分布的方法，该方法适用于单元器件芯片，主要步骤包括：选取发光单元具有精细结构的电流注入区的半导体激光单元器件芯片；将所述发光单元电流注入区按一定方式进行光刻、蒸镀；根据特定要求，将所述半导体激光单元器件芯片的电流注入区按照一定的尺寸和形状光刻、蒸镀，使电流注入区更加细化，半导体激光单元器件芯片慢轴方向光场按所述特定要求分布。
制备耐磨耐腐蚀杆件的方法
发明专利申请公布后的视为撤回专利号: CN103695900A
申请人: 中国科学院半导体研究所
发明人: 赵树森; 林学春; 周春阳; 高文焱; 王奕博; 刘发兰
申请日期: 2013-12-27
公开日期: 2014-04-02
IPC分类:
C22C38/54
摘要:
本发明提供了一种制备耐磨耐腐蚀杆件的方法。该方法包括：步骤A，采用不锈钢材料制作杆件基体；步骤B，配置涂层粉末；以及步骤C，采用激光熔覆工艺在杆件基体表层熔覆涂层粉末，制备耐磨耐腐蚀涂层。本发明通过采用激光熔覆的方法在杆件基体表面熔覆一层具备耐磨和耐腐蚀能力的涂层，满足了杆件的强度与耐腐蚀性双重需求，降低了成本。
主权项:
1.一种制备耐磨耐腐蚀杆件的方法，其特征在于，包括：步骤A，采用不锈钢材料制作杆件基体；步骤B，配置涂层粉末；以及步骤C，采用激光熔覆工艺在所述杆件基体表层熔覆所述涂层粉末，制备耐磨耐腐蚀涂层。
消除多道激光熔覆搭接孔洞的方法
发明专利权授予专利号: CN103695901A
申请人: 中国科学院半导体研究所
发明人: 林学春; 赵树森; 周春阳; 高文焱; 王奕博; 刘发兰
申请日期: 2013-12-27
公开日期: 2014-04-02
IPC分类:
C23C24/10
摘要:
本发明提供了一种消除多道激光熔覆搭接孔洞的方法。该方法通过激光功率密度与单道熔覆层宽高比关系，确定最优单道熔覆层宽高比；根据工艺参数与单道熔覆层宽高比关系式，可以计算确定所采用的工艺参数，以及搭接间距，以消除多道激光熔覆的搭接孔洞。本发明消除多道激光熔覆搭接孔洞方法不仅可以消除熔覆层中的搭接孔洞，还可以降低熔覆层开裂敏感性，提高熔覆层寿命。
主权项:
1.一种消除多道激光熔覆搭接孔洞的方法，其特征在于，包括：步骤A，确定单道激光熔覆层宽高比初始值w0／h0，以及激光熔覆基本参数组中各个参数，包括：激光功率P、熔覆粉末密度ρ、激光扫描速度V、激光熔覆功率密度q0、载粉气体种类及流量；步骤B，由所述激光功率P和激光熔覆功率密度q0，确定激光光斑直径d；步骤C，由所述单道激光熔覆层宽高比初始值w0／h0、熔覆粉末密度ρ、激光扫描速度V和激光光斑直径d，确定送粉率；步骤D，利用如下参数对激光熔覆基材进行单道激光熔覆工艺试验，得到单道激光熔覆层，测量单道激光熔覆层的宽度w与高度h的实验值：激光功率P、激光扫描速度V、激光光斑直径d、送粉率、送粉载气种类及流量；步骤E，由单道激光熔覆层的宽度w与高度h的实验值，确定相邻两道熔覆层中心间距，即搭接间距c；以及步骤F，利用如下参数对激光熔覆基材进行激光熔覆，得到消除搭接孔洞的激光熔覆样品：激光熔覆基本参数组中各个参数、激光光斑直径d和搭接间距c。
一种内墙保温涂料
发明专利权授予专利号: CN102993875A
申请人: 海南红杉科创实业有限公司
发明人: 王忠
申请日期: 2012-12-27
公开日期: 2013-03-27
IPC分类:
C09D133/04
摘要:
本发明提供了一种内墙保温涂料，包括以下重量份的组分：5份~45份的水；3份~25份的助剂；3份~55份的无机填料；5份~55份的涂料树脂；1份~30份的掺杂半导体、金属包覆空心微珠和金属粉末。在本发明中，所述掺杂半导体使得墙面具有较低的热辐射吸收和高的蓄热系数，会使墙体面温度升高，增加室内温度，提高了居室的热舒适度；所述金属包覆空心微珠导热系数小，降低了涂料的导热系数，提升了保温涂层对中远红外热射线的阻隔能力；所述金属粉末能够将室内绝大比例的中远红外线热辐射反射回室内，且是被瞬间反射回室内，因此，本发明提供的内墙保温涂料具有较高的保温效果。
主权项:
1.一种内墙保温涂料，包括以下重量份的组分：5份~45份的水；3份~25份的助剂；3份~55份的无机填料；5份~55份的涂料树脂；1份~30份的掺杂半导体、金属包覆空心微珠和金属粉末。
一种半导体激光器
专利权人的姓名或者名称、地址的变更专利号: CN102790351A
申请人: 山东能源机械集团大族再制造有限公司
发明人: 李希勇; 周峰; 杜伯奇; 张延亮; 杨庆东; 苏伦昌; 董春春; 杨帆
申请日期: 2012-08-02
公开日期: 2012-11-21
IPC分类:
H01S5/022
摘要:
本发明提供一种半导体激光器。在该半导体激光器的激光头上沿激光出射方向依次具有二级激光防护镜和保护锥体通孔，二级激光防护镜通过保护锥腔通孔向激光器的外部射出激光，在保护锥体通孔的附近具有气体吹扫装置，来自于气体吹扫装置的气体出口的气流吹扫所述通孔的下方区域，气体吹扫装置的气体出口的气流的前进方向为朝向下方或者水平方向。本发明的半导体激光器，在进行激光熔覆等激光加工过程中，来自于气体吹扫装置的气体出口的气流能够不断地吹扫保护锥体通孔的下方，从而可以将污染物质或者熔融合金飞溅物吹离保护锥体通孔，避免激光防护镜遭受污染或者破坏，同时缓解了从保护锥体通孔出来的气体对预置在工件表面的合金粉末的影响。
主权项:
1.一种半导体激光器，其特征在于，在半导体激光器的激光头上沿激光出射方向依次具有二级激光防护镜和保护锥体通孔，所述二级激光防护镜用于透过激光并通过所述保护锥体通孔向激光器的外部射出激光； 在所述保护锥体通孔的附近具有气体吹扫装置，来自于所述气体吹扫装置的气体出口的气流吹扫所述保护锥体通孔的下方区域，所述气体吹扫装置的气体出口的气流的前进方向为朝向下方或者水平方向。
一种高温无铅无卤锡膏及其制备方法
发明专利申请公布后的驳回专利号: CN102513739A
申请人: 深圳市晨日科技有限公司
发明人: 钱雪行; 资春芳
申请日期: 2011-12-30
公开日期: 2012-06-27
IPC分类:
B23K35/363
摘要:
本发明提供了一种高温无铅无卤锡膏及其制备方法，按重量百分比计，由80%-91%的焊锡粉和20%-9%的助焊膏组成，所述焊锡粉为锡锑镍或锡锑镍锗合金粉。本发明的有益效果是：1.本发明中的锡膏不含铅，环保，代替高铅锡膏用于高温工作的半导体器件特别是功率器件和LED封装、高密度集成电路封装以及需要二次回流电路板的焊接。2.本发明中的锡膏化学性质稳定，抗氧化力强，易储存。3.采用本发明中的高温无铅无卤锡膏焊接后无锡珠、残留物少且呈透明状、表面阻抗高，有效的提高了产品在高温高湿环境下工作的安全性能，镀金、镀银、镀镍器件润湿性好，焊接强度大。4.精密器件采用本发明中的高温无铅无卤锡膏，其针筒点胶工艺出胶均匀流畅，焊接后空洞率低于8%。
主权项:
1.一种高温无铅无卤锡膏，其特征在于，按重量百分比计，由80%-91%的焊锡粉和20%-9%的助焊膏组成，所述焊锡粉为锡锑镍或锡锑镍锗合金粉。
太阳电池正面电极浆料及太阳电池正面电极的制备方法
发明专利申请公布后的驳回专利号: CN102117844A
申请人: 比亚迪股份有限公司
发明人: 谭伟华;刘珍;廖炜;周勇;姜占锋
申请日期: 2009-12-30
公开日期: 2011-07-06
IPC分类:
H01L31/0224
摘要:
本发明为解决太阳电池正面电极厚度不均、与半导体基体的粘结强度不够的技术问题，提供了一种太阳电池正面电极浆料，包括金属粉末、玻璃粉、有机媒质，还包含占正面电极浆料总质量0.01～0.30wt％的无机氧化物粉体，无机氧化物粉体选自ZnO、MgO、SiO2、Al2O3、ZrO2中的至少一种；有机媒质中还含有硅烷类偶联剂和消泡剂；以正面电极浆料总质量为基准，金属粉末占50～85wt％，玻璃粉占0.1～10wt％，其余为有机媒质。本发明还提供一种太阳电池正面电极制备方法：将本发明的正面电极浆料用丝网印刷法印在半导体基体的受光面上，烘干，然后烧结形成太阳电池正面电极；所述烧结过程的峰值温度为755～765℃，所述峰值温度时间为1～3秒。根据本发明的方法得到的太阳电池，正面电极的附着强度平均提高32.5％。
主权项:
1.一种太阳电池正面电极浆料，包括金属粉末、玻璃粉、有机媒质，其特征在于，还包含占正面电极浆料总质量0.01～0.30wt％的无机氧化物粉体，所述无机氧化物粉体选自ZnO、MgO、SiO2、Al2O3、ZrO2中的至少一种；有机媒质中还含有硅烷类偶联剂和消泡剂；以正面电极浆料总质量为基准，所述金属粉末占50～85wt％，所述玻璃粉占0.1～10wt％，其余为有机媒质。
等离子剂量测量的方法及其装置
未知状态专利号: CN102257606A;TW201030793A
申请人: 瓦里安半导体设备公司
发明人: 约瑟·P·迪宰桔雷斯契;提摩太·J·米勒;杰·T·舒尔;克里斯多夫·J·里维特
申请日期: 2009-12-21
公开日期: 2011-11-23
IPC分类:
H01L21/66
摘要:
本发明提供了一种非法拉第离子剂量测量装置，此非法拉第离子剂量测量装置位于等离子处理室中以及包括位于室中的工件上面的感测器。感测器经配置为侦测从曝露于等离子植入制程的工件的表面发射出的次级电子的数量。此感测器输出与已侦测的次级电子的数量成比例的电流信号。电流电路将施加到室中的工件的偏压电流减去从感测器所生成的已侦测的次级电流。这些电流之间的差异提供了在离子植入制程期间，对在原位置所计算出的离子剂量电流进行测量。
主权项:
1.一种等离子处理室中的离子剂量测量装置，所述离子剂量测量装置包括：电源供应器，其连接到位于所述等离子处理室中的工件，所述电源供应器提供偏压电流给所述工件；感测器，其位于所述等离子处理室中的所述工件上，所述感测器经配置为侦测曝露于等离子掺杂的所述工件的表面所发射的次级电子的样本以及输出与已侦测的次级电子的所述样本成比例的电流信号；以及电流电路，所述电流电路经配置为接收根据所述次级电子的样本而生成的所述电流以及被施加到所述工件的所述偏压电流信号，所述电流电路经配置为将所述偏压电流信号减去从所述感测器生成的所述电流信号，以决定与所述工件相关的离子剂量电流。
利用用于大动态范围的双电荷传输的图像传感器以及读取方法
专利权人的姓名或者名称、地址的变更专利号: CN102246510A
申请人: E2V半导体公司
发明人: J·勒孔特
申请日期: 2009-12-10
公开日期: 2017-05-17
IPC分类:
H04N5/355
摘要:
本发明涉及具有有源像素的图像传感器。为了获得宽的动态操作范围，在具有不同值的时段(Ti1，Ti2)期间通过执行双电荷累积来读取所述像素。在采样电容器中对所述第一累积(时段Ti1)的结果进行采样(命令SHS1)，并且在相同的电容器中对所述第二累积(时段Ti2)的结果进行有条件的采样(命令SHS2)。所述第二采样取决于在与较长时段相对应的所述电荷的累积之后对所述列导体的电势的观察；将所述电势与阈值进行比较。如果所述比较表明饱和风险，则收集在较短时段期间收集的信息并且将其保持在所述采样电容器中，以将其与代表所述较长时段和所述较短时段之间的比值的系数相乘。如果所述比较表明不存在饱和风险，则收集在所述较长时段期间收集的信息并且将其保持在所述采样电容器中。所述较短时段原则上是所述第一时段。
主权项:
1.一种用于读取从图像捕获矩阵的像素获取的电荷的方法，其中对于同一行的所述像素中的每一个像素进行同时寻址，以在链接到读取电路的相应列导体(CC)上建立代表通过该像素的光照生成的电荷的电势电平，并且其中像素包括至少一个光电二极管(PD)、电荷存储节点(ND)以及用于将所述存储节点链接到所述列导体或者将所述存储节点与所述列导体隔离的行选择晶体管(T5)，根据下面的操作顺序进行所述光电二极管中电荷的累积以及所述电荷的读取：在第一累积时段Ti1期间在所述光电二极管中进行电荷的累积，在所述第一累积时段结束时进行将这样累积的电荷从所述光电二极管到所述存储节点的第一传输，在与所述第一累积时段不同的第二时段Ti2期间在所述光电二极管中进行电荷的累积，建立所述存储节点(ND)和所述列导体(CC)之间的连接，在所述读取电路的电容器(C1)中对在此时存在于所述列导体上并且由所述第一电荷传输产生的第一电势电平进行第一采样，进行从所述光电二极管到所述存储节点的第二电荷传输，并且随后，对所述电容器中的所采样的电势电平进行模拟-数字转换，所述方法的特征在于，在相同的电容器中，对存在于所述列导体上并且由所述第二电荷传输产生的第二电势电平进行第二条件采样，所述第二采样以存在于所述列导体上的第一或者第二电势电平与预定阈值电平之间的比较结果为条件进行，传输所述比较的结果以确定要应用到所述模拟-数字转换的结果上的乘法因数。
p型SiC半导体
发明专利权授予专利号: CN102224592A
申请人: 丰田自动车株式会社
发明人: 斋藤广明;关章宪;木本恒畅
申请日期: 2009-11-19
公开日期: 2013-05-22
IPC分类:
H01L29/24
摘要:
一种p型SiC半导体，其包括含有作为杂质的Al和Ti的SiC晶体，其中Ti的原子数目浓度等于或小于Al的原子数目浓度。优选Al的浓度和Ti的浓度满足以下关系：(Al的浓度)＞5×1018/cm3；以及0.01％≤(Ti的浓度)/(Al的浓度)≤20％。更优选Al的浓度和Ti的浓度满足以下关系：(Al的浓度)≥5×1018/cm3；以及1×1017/cm3≤(Ti的浓度)≤1×1018/cm3。
主权项:
1.一种p型SiC半导体，其包括含有作为杂质的Al和Ti的SiC晶体，其中Ti的原子数目浓度等于或小于Al的原子数目浓度。
电极、半导体装置、及其制造方法
专利申请权、专利权的转移专利号: CN102187464A
申请人: 本田技研工业株式会社;
发明人: 岩永健介;横山诚一;桥本英喜;野中贤一;佐藤雅;露口士夫
申请日期: 2009-10-06
公开日期: 2014-04-16
IPC分类:
H01L29/43
摘要:
本发明提供了一种在p型SiC半导体上具有Ni/Ti/Al积层结构的电阻性电极的半导体装置，它是一种可以同时优化所述电阻性电极的接触阻抗与面粗度(表面的粗糙程度)两种特性的半导体装置。该半导体装置具有积层结构的电阻性电极(18)，该积层结构的电阻性电极(18)是由在p型碳化硅半导体区域(13)上以镍(Ni)层(21)、钛(Ti)层(22)、铝(Al)层(23)的顺序积层形成的。该电阻性电极(18)包含14～47原子％的镍元素、5～12原子％的钛元素以及35～74原子％的铝元素，同时，镍元素与钛元素的原子比为1～11。
主权项:
1.一种具有p型碳化硅半导体区域以及在该p型碳化硅半导体区域上以镍层、钛层、铝层的顺序积层形成的电阻性电极的半导体装置，其特征在于：所述电阻性电极含有14～47原子％的镍元素、5～12原子％的钛元素、35～74原子％的铝元素，同时，镍元素与钛元素的原子比为1～11。
氮化物半导体装置的制造方法 氮化物半導體裝置之製造方法
专利权的终止专利号: CN101684549A;TW201021338A
申请人: 三菱电机株式会社;
发明人: 大野彰仁;竹见政义;竹見政義
申请日期: 2009-09-24
公开日期: 2013-10-23
IPC分类:
C30B29/38
摘要:
本发明制造具有p型氮化物半导体层的氮化物半导体装置，所述p型氮化物半导体层的结晶性良好、电阻率足够低、且Mg的掺杂效率大于0.3％。使用有机金属化合物作为III族原料、使用氨和肼衍生物作为V族原料、以及使用Mg原料气体作为p型杂质原料，在GaN基板(10)(基板)上形成p型GaN层(12)(p型氮化物半导体层)。此时，使含有III族原料、V族原料和p型杂质原料的原料气体的流速大于0.2m/秒。
主权项:
1.氮化物半导体装置的制造方法，该方法具备：使用有机金属化合物作为III族原料、使用氨和肼衍生物作为V族原料、以及使用Mg原料气体作为p型杂质原料，于基板上形成p型氮化物半导体层的步骤；上述方法的特征在于：在形成上述p型氮化物半导体层时，使含有上述III族原料、上述V族原料和上述p型杂质原料的原料气体的流速大于0.2m/秒。
一种等离子装置以及纳米晶硅薄膜的制作方法
专利权的终止专利号: CN102021514A
申请人: 深圳华映显示科技有限公司;
发明人: 蔡宗惠;林宗颖;廖子杰;彭佳凌;刘家麟;莫启能
申请日期: 2009-09-17
公开日期: 2012-07-25
IPC分类:
C23C14/14
摘要:
本发明适用于半导体设计技术领域，提供了一种等离子装置以及纳米晶硅薄膜的制作方法。其中装置包括：腔体；位于所述腔体中的电弧电极组，所述电弧电极组包括一阳极以及一阴极，所述阴极与阳极之间具有一电弧放电空间，且所述阴极与阳极在彼此相对的一端分别具有一结晶硅靶材，所述结晶硅靶材的电阻率小于0.01欧姆·厘米；以及位于所述腔体中的承载基座，所述承载基座具有一承载面，且所述承载面面向所述电弧放电空间。由于利用了具有结晶硅靶材的电弧电极组，可以以较简易的制程制作出高质量的纳米晶硅薄膜。
主权项:
1.一种等离子装置，其特征在于，所述装置包括：腔体；位于所述腔体中的电弧电极组，所述电弧电极组包括一阳极以及一阴极，所述阴极与阳极之间具有一电弧放电空间，且所述阴极与阳极在彼此相对的一端分别具有一结晶硅靶材，所述结晶硅靶材的电阻率小于0.01欧姆·厘米；以及位于所述腔体中的承载基座，所述承载基座具有一承载面，且所述承载面面向所述电弧放电空间。
焊球印刷装置
专利权的终止专利号: CN101685770A;TW201030868A
申请人: 株式会社日立工业设备技术
发明人: 本间真;向井范昭;川边伸一郎;五十岚章雄;桥本尚明
申请日期: 2009-09-11
公开日期: 2011-10-26
IPC分类:
H01L21/60
摘要:
本发明公开了一种焊球印刷装置。最近，形成在半导体芯片的电极部的焊料凸点微小化，在使用焊球进行印刷的情况下，焊球也微小化。因此，要求高精度对印刷焊球进行印刷。本发明中，在用于焊球印刷的印刷头部，替代以往的涂刷器，设置具备多个半螺旋形状的线材的焊球填充部件，通过以规定的推压力向掩模面推压，在由线材形成的空间部向焊球施加旋转力，以此，焊球被适度分散，焊球被压入掩模开口部。
主权项:
1.一种焊球印刷机，所述焊球印刷机具备对在电极极板上印刷有助焊剂的基板从形成在掩模面上的开口部供给焊球并进行印刷的焊球供给头，其特征在于，上述焊球供给头是通过设置下述部件而构成，即，贮藏焊球的焊球贮藏部、用于从焊球贮藏部向掩模面供给规定量的焊球的筛网状体、将从上述焊球贮藏部的上述筛网状体供给的焊球向掩模面的开口部供给的由半螺旋形状的多个线材形成的焊球填充部件、在上述焊球填充部件的前后，为了在填充焊球的同时，刮取多余的焊球而由半螺旋状的多个线材形成在与掩模面接触的一侧的焊球刮取部件。
一种溅射靶材的制造方法
未知状态专利号: CN101748361A
申请人: 上海广电电子股份有限公司
发明人: 陈科;林明通
申请日期: 2008-12-11
公开日期: 2010-06-23
IPC分类:
C23C14/06
摘要:
本发明公开一种溅射靶材的制造方法，涉及半导体器件技术领域；所要解决的是制造多组分、低成本、低熔点、不易开裂、大尺寸的溅射靶材的技术问题；该溅射靶材的制造方法，其特征在于，1)将制造溅射靶材所需的金属粉末和金属氧化物粉末按比例混合；2)将混合后的金属粉末和金属氧化物粉末在模具中压制成靶材的形状；3)将压制好的靶材进行脱气处理，然后进行烧结，烧结的环境是在真空或惰性气氛中，烧结的温度为金属的平均熔点的70-80％。本发明的溅射靶材的制造方法具有多组分，低成本，低熔点，不易开裂的，能制造大尺寸靶材的特点。
主权项:
1.一种溅射靶材的制造方法，其特征在于，1)将制造溅射靶材所需的金属粉末和金属氧化物粉末混合；2)将混合后的金属粉末和金属氧化物粉末在模具中压制成靶材的形状；3)将压制好的靶材进行脱气处理，然后进行烧结，烧结的环境是在真空或惰性气氛中，烧结的温度为金属的平均熔点的70-80％。
一种等离子刻蚀残留物清洗液
发明专利权授予专利号: CN101827927A
申请人: 安集微电子(上海)有限公司
发明人: 刘兵;彭洪修;于昊
申请日期: 2008-10-20
公开日期: 2012-06-13
IPC分类:
H01L21/302
摘要:
本发明公开了一种等离子刻蚀残留物清洗液，其含有：二甲亚砜、多元醇单烷基醚、水、氟化物、多氨基有机胺、氨基酸和叔胺。本发明的清洗液清洗能力强，可有效去除金属线(Metal)、通道(Via)和金属垫(Pad)晶圆上的等离子刻蚀残留物，而且对非金属材料(如SiO2、离子增强四乙氧基硅烷二氧化硅(PETEOS)、硅和低介质材料等)和部分金属材料(如Ti、Al和Cu)等有较小的腐蚀速率，可适用于批量浸泡式、批量旋转喷雾式和单片旋转式的清洗方式，具有较大操作窗口，在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。
主权项:
权利要求 1. 一种等离子体刻蚀残留物清洗液， 其特征在于含有： 二甲亚砜、 多元醇 单垸基醚、 水、 氟化物、 多氨基有机胺、 氨基酸和叔胺。 2. 如权利要求 1所述的等离子体刻蚀残留物清洗液， 其特征在于： 所述的 二甲亚砜的含量为质量百分比 1~75%。 3. 如权利要求 1所述的等离子体刻蚀残留物清洗液， 其特征在于： 所述的 多元醇单垸基醚为乙二醇单垸基醚、 二乙二醇单烷基醚、 丙二醇单垸基 醚、 二丙二醇单烷基醚和三丙二醇单烷基醚中的一种或多种。 4. 如?1利要求 3所述的等离子体刻蚀残留物清洗液， 其特征在于： 所述的 乙二醇单垸基醚为乙二醇单甲醚、 乙二醇单乙醚和乙二醇单丁醚中的一 种或多种； 所述的二乙二醇单烷基醚为二乙二醇单甲醚、 二乙二醇单乙 醚和二乙二醇单丁醚中的一种或多种； 所述的丙二醇单垸基醚为丙二醇 单甲醚、 丙二醇单乙醚和丙二醇单丁醚中的一种或多种； 所述的二丙二 醇单烷基醚为二丙二醇单甲醚、 二丙二醇单乙醚和二丙二醇单丁醚中的 一种或多种； 所述的三丙二醇单'烷基醚为三丙二醇单甲醚。 5. 如权利要求 1所述的等离子体刻蚀残留物清洗液， 其特征在于： 所述的 多元醇单垸基醚的含量为质量百分比 1~70%。 6. 如权利要求 1所述的等离子体刻蚀残留物清洗液， 其特征在于： 所述的 氟化物选自氟化氢、 氟化铵、 氟化氢铵、 四甲基氟化铵和三羟乙基氟化 铵中的一种或多种。 7. 如权利要求 1所述的等离子体刻蚀残留物清洗液， 其特征在于： 所述的 氟化物的含量为质量百分比 0.01~20%。 8. 如权利要求 1所述的等离子体刻蚀残留物清洗液， 其特征在于： 所述的 水的含量为质量百分比 15~65%。 9. 如权利要求 1 所述的等离子体刻蚀残留物清洗液， 其特征在于： 所述的 多氨基有机胺为二乙烯三胺、 五甲基二乙烯三胺和多乙烯多胺中的一种 或多种。 10.如权利要求 1所述的等离子体刻蚀残留物清洗液， 其特征在于： 所述的 多氨基有机胺的含量为质量百分比 0.1?20%。 11.如权利要求 1所述的等离子体刻蚀残留物清洗液， 其特征在于： 所述的 氨基酸为 2-氨基乙酸、 2-氨基苯甲酸、 亚氨基二乙酸、 氨三乙酸和乙二 胺四乙酸中的一种或多种。 12.如权利要求 1所述的等离子体刻蚀残留物清洗液， 其特征在于： 所述的 氨基酸的含量为质量百分比 0.1~10%。 13.如权利要求 1所述的等离子体刻蚀残留物清洗液， 其特征在于： 所述的 叔胺为三乙胺、 三丙胺、 N， N-二甲基乙醇胺、 N， N-甲基乙基乙醇胺、 N -甲基二乙醇胺和三乙醇胺中的一种或多种。 14.如权利要求 1所述的等离子体刻蚀残留物清洗液， 其特征在于： 所述的 叔胺的含量为质量百分比 0.1~20%。
熔锥光纤相向交叉耦合外腔半导体激光器
专利权的终止专利号: CN101364707A
申请人: 北京工业大学
发明人: 王智勇;丁鹏;左铁钏
申请日期: 2008-10-08
公开日期: 2010-06-02
IPC分类:
H01S5/14
摘要:
本发明是一种熔锥光纤相向交叉耦合外腔半导体激光器，属于半导体激光器领域。包括半导体激光列阵(1)、快轴准直透镜(2)、对准固定套(3)、熔锥光纤耦合器(4)和输出固定套(5)。本发明采用将半导体激光列阵发光单元与光纤一一对应的方法，使半导体激光耦合进光纤束，通过光纤束熔融拉锥的方法实现激光束之间的耦合，提高了耦合效率。本发明将光纤束分成两部分，将两部分交叉排列，方向为相向，耦合光直接进入相应的发光单元，无需外腔反馈镜，结构简单，反馈损耗低。
主权项:
1、熔锥光纤相向交叉耦合外腔半导体激光器，其特征在于：包括沿光束的传播方向依次放置的半导体激光列阵(1)、快轴准直透镜(2)、熔锥光纤耦合器(4)和输出固定套(5)；半导体激光列阵(1)的输出端面镀增透膜，发光单元发出的激光束，经过快轴准直透镜(2)准直后，耦合进入熔锥光纤耦合器(4)，熔锥光纤耦合器(4)由数根光纤集束而成，光纤数目与半导体激光列阵(1)的发光单元数目相等，将熔锥光纤耦合器(4)中的光纤分成数目相等的两部分，两部分沿相向的方向交叉排列在一起，使相邻光纤中的激光束的传播方向相反，对交叉部分熔融拉锥，形成熔锥区(6)；熔锥光纤耦合器(4)的输出端与输出固定套(5)相连，激光束从输出固定套(5)输出。
焊接装置及焊接方法 接合裝置及接合方法
专利权的终止专利号: CN101897012A;TW200926321A
申请人: 株式会社新川;
发明人: 前田徹;歌野哲弥;寺本章伸;前田徹 MAEDA, TORU
申请日期: 2008-10-07
公开日期: 2012-02-22
IPC分类:
H01L21/60
摘要:
在焊接装置(10)中，包括：内部保持惰性气体气氛的室(12)；第一等离子枪(20)，安装在室(12)中，将等离子化气体照射置于室(12)内的衬底(41)和半导体芯片(42)，进行焊接点和电极的表面处理；第二等离子枪(30)，安装在室(12)中，将等离子化气体照射位于室(12)内的毛细管(17)前端的初始球(19)或引线(18)，进行初始球(19)或引线(18)的表面处理；焊接处理部(100)，在室(12)内将经表面处理的初始球(19)、引线(18)焊接在经表面处理的焊接点及电极上。由此，有效地进行电极、焊接点及引线双方的表面清洁。
主权项:
1.一种焊接装置，通过插入穿通焊接工具的引线，对焊接对象进行焊接处理，其特征在于，包括：室，使得内部保持惰性气体气氛；第一等离子枪，安装在室中，将气体等离子体照射置于室内的焊接对象，进行焊接对象的表面处理；第二等离子枪，安装在室中，将气体等离子体照射位于室内的焊接工具前端的初始球和引线的某一方或双方，进行初始球和引线的某一方或双方的表面处理；焊接处理部，在室内将经表面处理的初始球和引线的某一方或双方焊接在经表面处理的焊接对象上。
用于等离子处理设备的喷头电极总成的温度控制模块 電漿處理設備的噴淋頭電極組件用之溫度控制模組;
专利权的终止专利号: CN101809717A;TW200922388A
申请人: 朗姆研究公司;
发明人: 拉金德尔·德辛德萨;漢沙 羅金 DHINDSA, RAJINDER
申请日期: 2008-09-24
公开日期: 2012-10-10
IPC分类:
H01L21/304
摘要:
一种用于半导体材料等离子处理室的喷头电极总成的温度控制模块包括：加热器板，适于固定于该喷头电极总成的顶部电极的顶面，并且提供热量至该顶部电极以控制该顶部电极的温度；冷却板，适于固定于该喷头电极总成的顶板的一个表面并与之隔热，以及冷却该加热器板并控制该顶部电极和加热器板之间的热传导；以及至少一个热力壅塞，适于控制该加热器板和该冷却板之间的热传导。
主权项:
1.一种用于半导体材料等离子处理室的喷头电极总成的温度控制模块，该温度控制模块包括：加热器板，具有适于固定于该喷头电极总成的顶部电极的顶面的底面，该顶部电极具有暴露于等离子的底面，该加热器板包括至少一个加热器适于提供热量至该顶部电极以控制该顶部电极的温度；冷却板，具有适于固定于形成该等离子处理室顶壁的顶板的底面并与之隔热的顶面，该冷却板适于控制该加热器板的温度以及控制该加热器板和该顶部电极之间的热传导；以及至少一个导电导热热力壅塞，位于该加热器板的顶面和该冷却板的底面之间并与它们接触，该至少一个热力壅塞适于控制该加热器板与该冷却板之间的热传导。
金属粉末专利分析
材料体系分布
制备工艺分布
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C23C24/10(涂层) • C22C19/05(镍合金) •
B33Y50/02(控制) • C22F1/18(热处理)