金属3D打印粉末专利数据库

表面镀金的复合金属粉体及其制备方法

发明专利申请公布

专利号: CN118808639A

申请人: 长春黄金研究院有限公司

发明人: 庞亿; 王洪超; 高健宝

申请日期: 2024-09-19

公开日期: 2024-10-22

IPC分类: B22F1/17

摘要:

本发明提供了一种表面镀金的复合金属粉体及其制备方法，属于金属粉末制备技术领域。本发明通过采用气雾化制粉和液相化学镀覆相结合的工艺进行复合金属粉体的制备。其中，气雾化制粉工艺在保证金属基体粉末分散性和球形度的基础上可进一步提高细粉产品收率。另一方面，通过协同控制液相化学镀中各成分的添加方式、添加顺序、浓度及溶液pH可有效防止反应体系中单独生成微米金颗粒，进而保证在金属基体粉末表面包覆均匀、致密的金涂层。本发明制备得到的复合金属粉体材料粒径为15~50μm，金涂层厚度不到1μm，可广泛应用于制备半导体封装、柔性电路、传感器、厚膜混合电路等所用的导电填料，且可进一步降低高端电子填料的生产成本。

主权项:

1.一种表面镀金的复合金属粉体的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1.采用气雾化制粉工艺将纯金属原料制备成第一微米金属粉末；S2.对步骤S1制备的第一微米金属粉末进行筛分处理，得到第二微米金属粉末；S3.液相化学镀覆：将步骤S2得到的第二微米金属粉末加入碱液中进行碱化处理，然后再依次加入氯金酸溶液和葡萄糖溶液，在反应过程中加入pH调节剂将反应体系的pH值控制在8~12，充分反应后得到第三微米金属粉末；S4.将步骤S3得到的第三微米金属粉末进行固液分离、洗涤和干燥，获得表面镀金的复合金属粉末。

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变径聚焦组件、射频加速段及离子注入机

实质审查的生效

专利号: CN118712039A

申请人: 青岛四方思锐智能技术有限公司

发明人: 宋韵洋;张喻召;张丛

申请日期: 2024-08-29

公开日期: 2024-09-27

IPC分类: H01J37/317

摘要:

本发明属于半导体技术领域，公开了一种变径聚焦组件、射频加速段及离子注入机，变径聚焦组件包括多个沿离子束流运动方向排布的聚焦单元，多个聚焦单元极性交变排布，多个聚焦单元上的离子束通道半径沿离子束流运动方向逐渐减小，最后方的聚焦单元上的离子束通道半径大于或等于变径聚焦组件下游的加速器上的离子束通道半径。射频加速段包括聚束组件、上述变径聚焦组件和加速器。离子注入机包括离子源、质量分析器和上述射频加速段。本发明可以将通过聚束组件而产生径向过度发散的离子束进行整形，减少离子束扩散造成的损失，提高离子束的传输效率，且能适用于所有质荷比的离子。

主权项:

1.一种变径聚焦组件，其特征在于，包括多个沿离子束流运动方向排布的聚焦单元，多个所述聚焦单元极性交变排布，多个聚焦单元上的离子束通道半径沿离子束流运动方向逐渐减小，最后方的聚焦单元上的离子束通道半径大于或等于变径聚焦组件下游的加速器上的离子束通道半径。

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一种氧化锡锌陶瓷靶材及其制备方法

发明专利申请公布

专利号: CN118930249A

申请人: 先导薄膜材料（广东）有限公司

发明人: 顾德盛; 张兴宇; 罗斯诗; 李开杰; 王奇峰

申请日期: 2024-08-14

公开日期: 2024-11-12

IPC分类: C23C14/08

摘要:

本发明属于半导体靶材技术领域，公开了一种氧化锡锌陶瓷靶材的制备方法，包含如下步骤：先将二氧化锡粉末、氧化锌粉末混合后，加入纯水、分散剂、粘结剂再混合、搅拌，研磨，得到混合浆料；再将混合浆料经喷雾干燥、均质后，得到氧化锡锌粉末；然后将氧化锡锌粉末进行模压、冷等静压成型，得到氧化锡锌靶坯；将氧化锡锌靶坯进行高温烧结后，得到氧化锡锌靶材；最后将氧化锡锌靶材装入模具，封口、脱气、热等静压处理，去除模具后得到氧化锡锌陶瓷靶材；此外，本申请还公开了一种氧化锡锌陶瓷靶材，通过上述制备方法制得。

主权项:

1.一种氧化锡锌陶瓷靶材的制备方法，其特征在于，所述制备方法包含如下步骤：步骤1：将二氧化锡粉末、氧化锌粉末混合后，加入纯水、分散剂、粘结剂混合、搅拌，研磨，得到混合浆料；步骤2：将混合浆料经喷雾干燥、均质后，得到氧化锡锌粉末；步骤3：将氧化锡锌粉末进行模压、冷等静压成型，得到氧化锡锌靶坯；步骤4：将氧化锡锌靶坯进行高温烧结后，得到氧化锡锌靶材；步骤5：将氧化锡锌靶材装入模具，封口、脱气、热等静压处理，去除模具后得到氧化锡锌陶瓷靶材；其中，所述步骤1中二氧化锡粉末与氧化锌粉末的质量比为90～95：5～10；所述步骤2中氧化锡锌粉末的粒径D50为0.5～2μm。

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一种利用三溴化砷合成砷化铟外延薄膜晶片的工艺

发明专利申请公布

专利号: CN119008381A

申请人: 济源海煜科技有限公司

发明人: 聂林涛; 申志兵; 田斌; 周于溪; 朱江; 杨艳; 常争争

申请日期: 2024-08-07

公开日期: 2024-11-22

IPC分类: H01L21/205

摘要:

本发明公开一种利用三溴化砷合成砷化铟外延薄膜晶片的工艺，属于半导体材料技术领域。该工艺包括以下步骤：(1)将反应管中的空气置换为氢气；将锑化铟衬底放置在反应管中，并在锑化铟衬底的表面均匀放置小粒径的铟粒；(2)对锑化铟衬底及铟粒加热，使得铟粒熔化，并均匀地附着在锑化铟衬底表面；(3)加热液态三溴化砷储罐，使得液态三溴化砷气化，并通过氢气引入到反应管中；(4)对反应管加热，使得小粒径铟粒、三溴化砷和氢气发生反应，在锑化铟衬底上生成砷化铟；(5)冷却得到砷化铟外延薄膜晶片成品。本发明采用液态三溴化砷为原料，减少了对上游原材料高纯砷的依赖，降低了生产成本；所制得砷化铟外延薄膜晶片的厚度也有显著提升。

主权项:

1.一种利用三溴化砷合成砷化铟外延薄膜晶片的工艺，其特征在于，采用三溴化砷合成砷化铟外延薄膜晶片的装置，该装置包括反应管、高压氢气储罐和液态三溴化砷储罐；高压氢气储罐通过氢气输送管道与反应管的进口端连接，液态三溴化砷储罐通过三溴化砷气体输送管道与氢气输送管道连接；在液态三溴化砷储罐的外侧设置有第一加热元件；在反应管的外侧设置有第二加热元件，在反应管的内部设置有托架，在托架处设置有第三加热元件，反应管的出口端连接废气输出管道；该工艺包括以下步骤：(1)高压氢气储罐中的氢气通过氢气输送管道输送至反应管中，将反应管中的空气完全置换；将锑化铟衬底放置在托架上，并在锑化铟衬底的表面放置铟粒；(2)利用第三加热元件对锑化铟衬底及铟粒加热，使得铟粒熔化，并均匀地附着在锑化铟衬底表面；(3)通过第一加热元件加热液态三溴化砷储罐，使得液态三溴化砷储罐中的液态三溴化砷气化；气化后的三溴化砷通过氢气引入到反应管中；(4)通过第二加热元件对反应管进行加热，加热至400-450℃，使得铟粒、三溴化砷和氢气发生反应，在锑化铟衬底上生成砷化铟；反应产生的溴化氢通过废气输出管道排出；(5)反应完成后，向反应管中持续通入常温氢气，冷却至室温，得到砷化铟外延薄膜晶片成品。

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一种桥式电路PWM非对称死区控制方法、装置及逆变器

实质审查的生效

专利号: CN118713459A

申请人: 深聪半导体（江苏）有限公司

发明人: 周伟达;刘珂;王海;喻宏波;司帅帅;孙金周;陆游;李平花

申请日期: 2024-07-29

公开日期: 2024-09-27

IPC分类: H02M1/38

摘要:

本发明公开一种桥式电路PWM非对称死区控制方法、装置及逆变器，桥式电路中的第一开关管、第二开关管、第三开关管、第四开关管的受控端被配置为分别受控于四组相互独立的PWM控制信号以实现：当直流电源正向供电时，第一PWM控制信号和第三PWM控制信号对所述第一桥臂不进行开关延时，第二PWM控制信号和第四PWM控制信号对所述第二桥臂进行关断提前和开通延时；当直流电源反向供电时，第二PWM控制信号和第四PWM控制信号对所述第二桥臂不进行开关延时，第一PWM控制信号和第三PWM控制信号对所述第一桥臂进行关断提前和开通延时。由于非对称死区控制防范对供电导流开关管不做关断提前和导通延时，从根本上保证PWM采样冲量守恒，确保输出电压幅度恒定，THD明显减小。

主权项:

1.一种桥式电路PWM非对称死区控制方法，所述桥式电路至少包括第一桥臂、第二桥臂，所述第一桥臂上配置有第一开关管和第三开关管，所述第二桥臂上配置有第二开关管和第四开关管，所述第一开关管的第一端连接所述第三开关管的第一端，所述第一开关管的第二端连接所述第二开关管的第一端，所述第三开关管的第二端连接所述第四开关管的第一端，所述第二开关管的第二端连接所述第四开关管的第二端，其特征在于，所述第一开关管、第二开关管、第三开关管、第四开关管的受控端被配置为分别受控于四组相互独立的PWM控制信号以实现：当直流电源正向供电时，第一PWM控制信号和第三PWM控制信号对所述第一桥臂不进行开关延时，第二PWM控制信号和第四PWM控制信号对所述第二桥臂进行关断提前和开通延时；当直流电源反向供电时，第二PWM控制信号和第四PWM控制信号对所述第二桥臂不进行开关延时，第一PWM控制信号和第三PWM控制信号对所述第一桥臂进行关断提前和开通延时。

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一种增材制造装置

发明专利申请公布

专利号: CN118682150A

申请人: 深圳希禾增材技术有限公司

发明人: 张帆;周威云;和相荣

申请日期: 2024-07-18

公开日期: 2024-09-24

IPC分类: B22F10/28

摘要:

本申请提供一种增材制造装置，该增材制造装置包括控制模块、激光模块和铺粉模块，该控制模块控制激光模块和铺粉模块，所述激光模块包括能够生成的小光斑的光纤激光模块和生成大光斑的半导体激光模块。所述光纤激光模块通过振镜扫描方式熔融待加工粉末。而半导体激光模块并没有振镜，不进行扫描，直接对铺粉模块的成型工作台上的整个成型区域进行加热，为待加工粉末提供预热的温度场。由于所述半导体激光模块没有振镜等结构，本申请的增材制造装置整体系统结构相较现有技术更简单、更容易操作，且同样可实现近似环形复合激光加工的效果。

主权项:

1.一种增材制造装置，其特征在于,包括控制模块(1)、激光模块(2)和铺粉模块(3)，该控制模块(1)控制激光模块(2)和铺粉模块(3)；所述激光模块(2)包括能够生成的小光斑的光纤激光模块(10)和生成大光斑的半导体激光模块(20)；所述铺粉模块(3)具有一成型工作台(31)；所述光纤激光模块(10)依次包括第一激光光源(11)、扩束准直镜(12)、振镜(13)、场镜(14)，通过振镜(13)扫描及场镜(14)聚焦后辐照至铺粉模块(3)的成型工作台(31)上；所述半导体激光模块(20)包括第二激光光源(21)和整形透镜(22)，所述第二激光光源(21)通过整形透镜(22)对光束进行整形后辐照区域覆盖成型工作台(31)上的全部区域；该半导体激光模块(20)生成的光斑的尺寸大于光纤激光模块(10)生成的光斑的尺寸，半导体激光模块(20)生成的激光的能量密度低于光纤激光模块(10)生成的激光的能量密度。

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等离子蚀刻装置及等离子蚀刻方法

实质审查的生效

专利号: CN118471897A

申请人: 上海邦芯半导体科技有限公司

发明人: 张朋兵;王兆祥;涂乐义;梁洁;唐乐;顾橙蕾

申请日期: 2024-07-10

公开日期: 2024-08-09

IPC分类: H01L21/687

摘要:

本发明涉及等离子刻蚀技术领域，具体涉及一种等离子蚀刻装置及等离子蚀刻方法。等离子蚀刻装置包括晶圆顶针，该晶圆顶针包括第一区段，第一区段的中央沿着纵向轴线设置有第一通孔，横向设置有侧孔，第一通孔与侧孔相连通。等离子蚀刻装置还包括等离子体源线圈介质窗、等离子体激发线圈、匀气栅网、用于放置晶圆的热台、抽气匀气环、晶圆顶针驱动机构和工艺腔体。本申请还涉及一种等离子蚀刻方法。本文所述的等离子蚀刻装置可以将晶圆稳定地放置于热台上，避免滑片，且可以避免在晶圆背面形成顶针印记。

主权项:

1.一种等离子蚀刻装置，其特征在于，所述等离子蚀刻装置包括晶圆顶针，所述晶圆顶针包括第一区段，所述第一区段的中央沿着纵向轴线设置有第一通孔，横向设置有侧孔，所述第一通孔与所述侧孔相连通。

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一种增材制造陶瓷覆铜基板的方法和结构

实质审查的生效

专利号: CN118678559A

申请人: 成都蓉矽半导体有限公司

发明人: 仵金玲;高巍;戴茂州

申请日期: 2024-06-25

公开日期: 2024-09-20

IPC分类: H05K3/12

摘要:

本发明提供了一种增材制造陶瓷覆铜基板的方法和结构，涉及功率器件基板制造技术领域，目的是制造出寿命更强、可靠性更高的功率模块，包括以下步骤：通过增材制造技术制备具有导电层拓扑图案的陶瓷基板；对所述陶瓷基板进行表面粗糙化处理；通过增材制造技术打印具有导电层拓扑图案的塑性或刚性掩膜，将所述掩膜安装到所述陶瓷基板；对所述陶瓷基板进行冷喷涂处理。本发明制作的功率模块具有寿命更长、集成度更高且更可靠的优点。

主权项:

1.一种增材制造陶瓷覆铜基板的方法，其特征在于，包括以下步骤：通过增材制造技术制备表面具有导电层拓扑图案的陶瓷基板；对所述陶瓷基板进行覆铜表面的粗糙化处理；通过增材制造技术打印具有导电层拓扑图案的塑性或刚性掩膜，将所述掩膜安装到所述陶瓷基板；对所述陶瓷基板进行冷喷涂处理。

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一种Ni3Mo3N-CdS复合光催化剂及其制备方法和应用

发明专利申请公布

专利号: CN118751268A

申请人: 宁德师范学院

发明人: 陈鹭;颜桂炀

申请日期: 2024-06-13

公开日期: 2024-10-11

IPC分类: B01J35/39

摘要:

本发明公开了一种Ni<subgt;3</subgt;Mo<subgt;3</subgt;N?CdS复合光催化剂及其制备方法和应用，涉及半导体制氢光催化剂技术领域，所述Ni<subgt;3</subgt;Mo<subgt;3</subgt;N?CdS复合光催化剂是由金属间隙氮化物Ni<subgt;3</subgt;Mo<subgt;3</subgt;N与以六方晶系硫化镉制备原料共热熔剂反应而制得，制得的Ni<subgt;3</subgt;Mo<subgt;3</subgt;N?CdS复合光催化剂以六方晶系硫化镉为基底、金属间隙氮化物Ni<subgt;3</subgt;Mo<subgt;3</subgt;N负载于硫化镉表面。本发明通过特定金属间隙氮化物Ni<subgt;3</subgt;Mo<subgt;3</subgt;N负载硫化镉纳米棒表面的复合光催化剂在可见光下的产氢活性可达到6.56mmol·g<supgt;?1</supgt;·h<supgt;?1</supgt;，是纯CdS活性的25倍，且该复合材料在420nm下的表观量子效率为17.25％。

主权项:

1.一种Ni3Mo3N-CdS复合光催化剂，其特征在于，所述Ni3Mo3N-CdS复合光催化剂是由金属间隙氮化物Ni3Mo3N与以六方晶系硫化镉制备原料共热熔剂反应而制得，制得的Ni3Mo3N-CdS复合光催化剂以六方晶系硫化镉为基底、金属间隙氮化物Ni3Mo3N负载于硫化镉表面。

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一种半导体用等静压石墨坩埚打磨控制系统

发明专利权授予

专利号: CN118322048A

申请人: 江苏宏基高新材料股份有限公司

发明人: 杨程;周大伟;杨捷;沈永辉;王雪诚

申请日期: 2024-06-12

公开日期: 2024-09-17

IPC分类: B24B51/00

摘要:

本申请涉及一种半导体用等静压石墨坩埚打磨控制系统，涉及等静压石墨的技术领域，包括打磨箱、控制模块、打磨模块、喷淋模块和负压模块，打磨模块用于对坩埚表面进行打磨，喷淋模块用于对坩埚表面进行喷淋，打磨箱的下方设置排出管，排出管上设有三通阀，负压模块通过三通阀的一出口和打磨箱相连通，控制模块控制打磨模块对坩埚进行打磨，并控制负压模块对打磨箱内进行抽吸，使得打磨箱内处于负压，在打磨完成后，控制喷淋模块对坩埚表面进行喷淋，并控制三通阀切换，使得喷淋液从三通阀的另一出口排出。本申请具有能够减低粉尘飘散至车间的概率的优点。

主权项:

1.一种半导体用等静压石墨坩埚打磨控制系统，其特征在于：包括打磨箱、控制模块、打磨模块、喷淋模块和负压模块，打磨模块用于对坩埚表面进行打磨，喷淋模块用于对坩埚表面进行喷淋，打磨箱的下方设置排出管，排出管上设有三通阀，负压模块通过三通阀的一出口和打磨箱相连通，控制模块控制打磨模块对坩埚进行打磨，并控制负压模块对打磨箱内进行抽吸，使得打磨箱内处于负压，在打磨完成后，控制喷淋模块对坩埚表面进行喷淋，并控制三通阀切换，使得喷淋液从三通阀的另一出口排出；还包括烘干模块，在喷淋完成后，控制模块控制三通阀切换，并控制烘干模块对坩埚表面进行热风吹拂，同时控制负压模块工作，对打磨箱内的气体进行抽吸，使打磨箱处于负压状态；还包括转移模块，在喷淋完成后，控制模块控制烘干模块对坩埚的外表面进行烘干，在外表面烘干完成后，控制模块发送信号至转移模块，转移模块响应控制模块的信号，将坩埚翻转，使得坩埚的开口向下，烘干模块对坩埚内部进行烘干；在对坩埚内部进行烘干时，分为高速低温阶段和低速高温阶段，高速低温阶段的风速大于低速高温阶段的风速，高速低温阶段的气体温度小于低速高温阶段的气体温度；在高速低温阶段，烘干模块从坩埚的开口处移动至坩埚的底部，在低速高温阶段，烘干模块停留在坩埚的底部达到预设时间后，烘干模块向坩埚的开口处移动。

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一种下电极组件和等离子处理装置

发明专利权授予

专利号: CN118335585A

申请人: 中微半导体设备（上海）股份有限公司;

发明人: 王红军;周晓锋;杜琨;高鹏;周俊;张辉

申请日期: 2024-06-11

公开日期: 2024-09-27

IPC分类: H01J37/32

摘要:

本发明公开了一种下电极组件和等离子处理装置。所述下电极包括由导电材料制成的基座，以及设置在基座上方的多区加热板，多区加热板中包括：内包括多个加热单元，每个加热单元用于加热基板的不同区域；本发明的驱动控制电路整体结构简单、成本低且响应速度快，使得加热板中完成一次加热循环的时间很短，减小每个加热单元的温度波动。

主权项:

1.一种下电极组件，包括：导电材料制成的基座，以及设置在所述基座上方的多区加热板，所述多区加热板包括：绝缘材料制成的基板，所述基板包括多个加热单元，所述加热单元用于加热基板的不同区域；所述多个加热单元被基板下方的m根第一驱动控制线和n根第二驱动控制线驱动，其中每根第一驱动控制线用于连接到一个功率调整开关，每根第二驱动控制线用于连接到一个区域扫描开关，所述加热板中独立加热的加热单元数大于m×n且小于等于2m×n，所述基座上设置有多个通孔，使得所述m根第一驱动控制线和n根第二驱动控制线从加热板底部向下延伸并穿过所述通孔到达所述下电极组件下方，所述m根第一驱动控制线和n根驱动控制线之一用于接收下电极组件下方的脉冲式加热电压，所述加热电压在正加热电压和负加热电压之间变化；其中所述加热单元数大于100个，所述第一驱动控制线数m大于10，第二驱动控制线n大于5。

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改进等静压石墨的方法及其制备得到的等静压石墨

发明专利权授予

专利号: CN118271090A

申请人: 湖南德智新材料有限公司

发明人: 廖家豪;耿茂富;窦坤鹏;柴攀;万强

申请日期: 2024-05-31

公开日期: 2024-07-26

IPC分类: C04B35/528

摘要:

本发明涉及半导体领域，具体涉及一种改进等静压石墨的方法及其制备得到的等静压石墨。本发明的方法制备得到的等静压石墨具有较高的抗折强度、抗压强度、体积密度和热导率，并具有较低的气孔率。

主权项:

1.一种改进等静压石墨的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：（1）将等静压石墨成品进行清洗、烘干；（2）将烘干后的所述等静压石墨成品置于第一容器中；（3）将树脂前驱体加入至第二容器中，静置24h-72h，将所述第二容器加热至30℃-50℃；所述树脂前驱体包括元素N和/或元素B；（4）对所述第一容器抽真空，将所述第二容器中的所述树脂前驱体吸入所述第一容器中，通入氩气，保持压力为0.5MPa-1MPa，静置300min-720min；（5）将步骤（4）处理后的所述等静压石墨成品放置于第一加热设备中，通入氩气，使压力为0.5MPa-1MPa，以8℃/min-12℃/min的升温速率升温至40℃-60℃，保温2h-6h；以8℃/min-12℃/min的升温速率升温至60℃-90℃，保温2h-6h；以1℃/min-6℃/min的升温速率升温至90℃-150℃，保温8h-12h；以1℃/min-6℃/min的升温速率升温至160℃-200℃，保温8h-12h，冷却至室温；（6）以步骤（4）和步骤（5）为一个周期，重复所述周期2次-5次；（7）将步骤（6）得到的所述等静压石墨成品置于第二加热设备中煅烧。

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一种用于去除晶圆表面Ni/Ag镀层的溶液及其应用方法

发明专利申请公布

专利号: CN118530790A

申请人: 安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司

发明人: 王刚;邵毅;左鹏;韩五静

申请日期: 2024-05-31

公开日期: 2024-08-23

IPC分类: H01L21/3213

摘要:

本发明公开了一种用于去除晶圆表面Ni/Ag镀层的溶液及其应用方法，本发明示出了一种能够高效去除晶圆表面镀层（Ni/Ag）的溶液及其应用方法。相较于现有技术，本发明具有腐蚀效率高、成本低、操作简便、环境友好等优点，适用于半导体制造和后处理工艺中。

主权项:

1.一种用于去除晶圆表面Ni/Ag镀层的溶液及其应用方法，其特征是：该溶液的组成如下：硝酸：作为主要氧化剂，浓度为20-30wt%；氯化钠：浓度为5-10wt%，用于增强银的溶解度；硫酸：浓度为5-10wt%，提供酸性环境，促进镍的溶解；氟化氢：浓度为1-3wt%，用于防止氧化物在晶圆表面再次形成；去离子水：余量，用于稀释溶液至所需浓度；应用方法步骤如下：步骤1，溶液准备：按照上述配方，在搅拌条件下，依次将硝酸、氯化钠、硫酸和氟化氢加入去离子水中，充分混合均匀，得到去镀溶液；步骤2，晶圆准备：将待处理的晶圆置于洁净环境中，确保表面无大颗粒杂质；步骤3，浸泡处理：将晶圆浸入预先配制的去镀溶液中，浸泡时间为5-10分钟，期间保持轻微的搅拌以促进溶液接触；步骤4，中和清洗：将处理后的晶圆取出，立即用大量去离子水冲洗，彻底洗净残留溶液，然后用稀氢氧化钠溶液中和表面残余的酸液；步骤5，干燥：使用无水酒精冲洗晶圆，随后在洁净环境下晾干或使用氮气吹干。

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一种半导体硅片生产用等静压石墨的生产工艺

实质审查的生效

专利号: CN118637915A

申请人: 江苏宏基高新材料股份有限公司

发明人: 周大伟;杨捷;杨程;沈永辉;王雪诚

申请日期: 2024-05-30

公开日期: 2024-09-13

IPC分类: C04B35/626

摘要:

本发明公开了一种半导体硅片生产用等静压石墨的生产工艺，针对现有的混合粉碎需要使用多台设备，影响加工效果的问题，现提出如下方案，其包括以下步骤：S1：将石油焦和沥青倒入混合粉碎装置中，进行混合混捏，得到混合料，混合粉碎装置对混合料进行粉碎，得到混合粉料；S2：将混合粉料压缩成型并吊入等静压机等静压处理，接着进行焙烧和浸渍处理，循环两次得到半导体硅片生产用等静压石墨半成品，将原料倒入混合罐的内部，然后使用混合架进行搅动混合，进行混合混捏，使用连接管将混合罐内部的原料导入粉碎罐的内部，粉碎刀对粉碎罐内部的原料进行粉碎，保障粉末状态，有利于原料后续的加工。

主权项:

1.一种半导体硅片生产用等静压石墨的生产工艺，包括，其特征在于，包括以下步骤：S1：将石油焦和沥青倒入混合粉碎装置中，进行混合混捏，得到混合料，混合粉碎装置对混合料进行粉碎，得到混合粉料；S2：将混合粉料压缩成型并吊入等静压机等静压处理，接着进行焙烧和浸渍处理，循环两次得到半导体硅片生产用等静压石墨半成品；S3：半导体硅片生产用等静压石墨半成品石墨化加工60小时～70小时得到等静压石墨；混合粉碎装置包括混合罐(1)，混合罐(1)的右侧螺栓连接有传动箱(2)，传动箱(2)的底部螺栓连接有粉碎罐(3)，混合罐(1)的出料端和粉碎罐(3)的进料端之间连通有连接管(4)；混合罐(1)的内部转动套接有转轴(5)，转轴(5)的表面螺栓连接有混合架(6)，粉碎罐(3)的内部转动套接有转杆(7)，转杆(7)的表面螺栓连接有粉碎刀(8)，混合罐(1)底部的左侧和粉碎罐(3)左侧的底端之间螺栓连接有支撑架(9)，粉碎罐(3)底部的右侧铰接有底座(10)，转杆(7)的顶端键连接有动力机构，动力机构的左侧铰接有驱动机构。

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一种Sr/Mg共掺杂LaAlO3电解质材料电池的制备方法

未知状态

专利号: CN118231719A

申请人: 内蒙古科学技术研究院;

发明人: 卜二军;朱成军;于江宇;朱德才;张英博;牛耀辉

申请日期: 2024-05-20

公开日期: 2024-06-21

IPC分类: C01F7/02

摘要:

本发明提供了一种Sr/Mg共掺杂LaAlO<subgt;3</subgt;电解质材料电池的制备方法，包括以下步骤：利用Al(NO<subgt;3</subgt;)<subgt;3</subgt;·9H<subgt;2</subgt;O、La(NO<subgt;3</subgt;)<subgt;3</subgt;·6H<subgt;2</subgt;O、Sr(NO<subgt;3</subgt;)<subgt;2</subgt;、Mg(NO<subgt;3</subgt;)<subgt;2</subgt;为原料，柠檬酸和EDTA作为络合剂，采用溶胶凝胶法制备LSAM电解质材料；利用Ba(NO<subgt;3</subgt;)<subgt;2</subgt;、Zr(NO<subgt;3</subgt;)<subgt;4</subgt;·5H<subgt;2</subgt;O、Ce(NO<subgt;3</subgt;)<subgt;3</subgt;·6H<subgt;2</subgt;O、YN<subgt;3</subgt;O<subgt;9</subgt;·6H<subgt;2</subgt;O以及柠檬酸和EDTA，采用溶胶凝胶法制备BaCe<subgt;0.7</subgt;Zr<subgt;0.1</subgt;Y<subgt;0.2</subgt;O<subgt;3</subgt;(BCZY)质子导体；制备电极材料，将Ni<subgt;0.8</subgt;Co<subgt;0.15</subgt;Al<subgt;0.05</subgt;LiO<subgt;2?δ</subgt;(NCAL)浆料涂抹在泡沫Ni上，制备固体氧化物燃料电池电极材料；以Ni?NCAL为对称电极，La<subgt;1?x</subgt;Sr<subgt;x</subgt;Al<subgt;0.95</subgt;Mg<subgt;0.05</subgt;O<subgt;3?δ</subgt;作为电解质，制作出电池Ni?NCAL/LSAM/NCAL?Ni或电池Ni?NCAL/BZCY/LSAM/BZCY/NCAL?Ni。本发明通过采用Sr、Mg共掺杂LaAlO<subgt;3</subgt;得到La<subgt;1?</subgt;<subgt;x</subgt;Sr<subgt;x</subgt;Al<subgt;0.95</subgt;Mg<subgt;0.05</subgt;O<subgt;3?δ</subgt;氧化物，x=0.05,0.1,0.15,0.2，从而达到通过适当的元素掺杂，将宽带隙半导体应用在先进燃料电池的离子导体中的目的。

主权项:

1.一种Sr/Mg共掺杂LaAlO3电解质材料电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：S1、制备电解质材料LSAM，利用Al(NO3)3·9H2O、La(NO3)3·6H2O 、Sr(NO3)2、Mg(NO3)2为原料，柠檬酸和EDTA作为络合剂，采用溶胶凝胶法制备LSAM电解质材料；S2、制备质子导体BZCY，利用Ba(NO3)2、Zr(NO3)4·5H2O、Ce(NO3)3·6H2O、YN3O9·6H2O以及柠檬酸和EDTA，采用溶胶凝胶法制备BaCe0.7Zr0.1Y0.2O3 (BCZY)质子导体；S3、制备电极材料，将Ni0.8Co0.15Al0.05LiO2-δ，即NCAL浆料涂抹在泡沫Ni上制备出固体氧化物燃料电池电极材料；S4、制备电池，以Ni-NCAL为电极，La1-xSrxAl0.95Mg0.05O3-δ作为电解质，制作出电池Ni-NCAL/LSAM/NCAL-Ni或电池Ni-NCAL/BZCY /LSAM/BZCY /NCAL-Ni。

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一种靶材与背板的焊接方法

实质审查的生效

专利号: CN118287806A

申请人: 沈阳睿昇精密制造有限公司

发明人: 姚力军;董志清;马宗才;张良进

申请日期: 2024-05-15

公开日期: 2024-07-05

IPC分类: B23K20/26

摘要:

本发明属于半导体制造技术领域，公开了一种靶材与背板的焊接方法。此靶材和背板的焊接方法包括以下步骤：提供靶材和背板，将靶材和背板装配好后放入包套内；将包套焊接密封，并检查焊接后包套的气密性；通过包套抽气管连接抽气装置，对包套进行抽气，以使得包套内真空；将包套抽气管伸入电磁感应加热头内加热以使部分包套抽气管变软，使用液压钳将变软部分的包套抽气管压扁以形成密封段，剪去多余包套抽气管后将断口焊接密封；将包套放置入热等静压炉中进行热等静压扩散焊接。通过使用电磁感应加热头来加热包套抽气管，节省加热时间，有利于保护环境。降低了火灾和爆炸的风险，有效保护工作人员的人身安全。

主权项:

1.一种靶材与背板的焊接方法，其特征在于，包括：S1、提供靶材和背板，将所述靶材和所述背板装配好后放入包套内；S2、将所述包套焊接密封，并检查焊接后所述包套的气密性；S3、通过包套抽气管连接抽气装置，对所述包套进行抽气，以使得所述包套内真空；S4、将所述包套抽气管伸入电磁感应加热头内加热以使部分所述包套抽气管变软，使用液压钳将变软部分的所述包套抽气管压扁以形成密封段，剪去多余所述包套抽气管后将断口焊接密封；S5、将所述包套放置入热等静压炉中进行热等静压扩散焊接。

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一种提高内流道结构焊缝成形质量的双波长激光增材焊接方法

实质审查的生效

专利号: CN118371851A

申请人: 北京工业大学;

发明人: 杨胶溪;王枭健;杨剑锋;胡庆生;徐海洋;姜娟

申请日期: 2024-05-08

公开日期: 2024-07-23

IPC分类: B23K26/21

摘要:

本发明提出了一种提高内流道结构焊缝成形质量的双波长激光增材焊接方法，能够降低对大功率激光的需求，提高焊接质量可控性，解决内流道结构焊缝成型质量问题。本发明通过送粉补偿的激光打底焊接方式，配合半导体激光器的高效焊接和平均光斑，改善厚板焊接为薄板焊接配合激光增材的复合模式，减少热变形、热裂纹及焊接飞溅。双波长半导体激光器提高了激光吸收率和焊缝质量。本发明可改善焊件的防氧化、防变形和散热。同时送入少量同类粉末进行材料补偿，促进焊缝双面成型，减少焊接缺陷。

主权项:

1.一种提高内流道结构焊缝成形质量的双波长激光增材焊接方法，其特征在于步骤如下：(1)在垂直母材与待焊路径的平面开Y型坡口；(2)利用机械加工的方式打磨坡口平整；(3)将待焊件夹持固定，接入氩气作为焊接保护气环境；(4)采用机器手配合集成在同一焊接工作头的两种波长激光器；具体为：蓝光波长400-480nm，光斑尺寸0.8mm；半导体激光波长900-1000nm，光斑尺寸1mm同时进行焊接，激光加工时序为：先蓝光、后半导体激光同时进行的形式，焦点光斑圆心相对距离0.9mm；蓝光激光功率500-1300W，半导体激光功率1000-1800W，扫描速度10-18mm/s，聚焦采用负离焦形式，离焦量为-1mm，同轴氩气流量5-15L/min；(5)采用机器手配合送粉器、半导体激光器波长900-1000nm和熔覆工作头，激光功率1200-1800W，光斑尺寸5mm，扫描速度4-8mm/s，同轴氩气流量5-15L/min，粉末粒径53-120μm，送粉速率8-20g/min，多道搭接率30％-50％，对焊件沿坡口路径进行激光熔覆增材，直至填满坡口路径；(6)利用机械加工的方式打磨焊件表面，直至去除增材余量，完成整体焊接。

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一种光通信的LED半导体装置及其制备方法

发明专利权授予

专利号: CN118102767A

申请人: 浙江大学

发明人: 金一政;鲁修远;邓云洲

申请日期: 2024-04-23

公开日期: 2024-08-16

IPC分类: H10K50/805

摘要:

本发明公开了一种光通信的LED半导体装置及其制备方法，该LED半导体装置包括：基底；第一电极，该第一电极沿第一方向设置于基底上；发光二极管堆叠结构，该发光二级管堆叠结构位于第一电极上；绝缘材料层，该绝缘材料层位于基底和第一电极上，且包裹发光二极管的侧面，绝缘材料层上表面的高度高于发光二极管上表面的高度；第二电极，该第二电极沿第二方向沉积在绝缘材料层和发光二极管堆叠结构的上表面，所述第二方向与第一方向不平行。该LED半导体装置具有较高的响应速度、发光效率和稳定性。

主权项:

1.一种光通信的LED半导体装置，其特征在于，包括：基底；第一电极，所述第一电极沿第一方向设置于所述基底上；发光二极管堆叠结构，所述发光二级管堆叠结构位于所述第一电极上；绝缘材料层，所述绝缘材料层位于所述基底和所述第一电极上，且包裹所述发光二极管堆叠结构的侧面，所述绝缘材料层上表面的高度高于所述发光二极管堆叠结构上表面的高度；第二电极，所述第二电极沿第二方向设置在所述绝缘材料层和所述发光二极管堆叠结构的上表面，所述第二方向与所述第一方向不平行。

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发光二极管及发光二极管制作方法

实质审查的生效

专利号: CN118380521A

申请人: 京东方华灿光电（苏州）有限公司

发明人: 王世俊;赵秀梅;宋木;李彤;邢振远;王洪占

申请日期: 2024-04-15

公开日期: 2024-07-23

IPC分类: H01L33/02

摘要:

本公开公开了一种发光二极管及发光二极管制作方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管包括：依次层叠第一半导体层、多量子阱层、Mg阻挡层和第二半导体层，所述Mg阻挡层与所述第一半导体层的掺杂类型相同，所述第二半导体层为Mg掺杂层。

主权项:

1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：依次层叠第一半导体层(10)、多量子阱层(11)、Mg阻挡层(12)和第二半导体层(13)，所述Mg阻挡层(12)与所述第一半导体层(10)的掺杂类型相同，所述第二半导体层(13)为Mg掺杂层。

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一种槽间距可调的三代半导体用等静压石墨槽舟

发明专利权授予

专利号: CN118039537A

申请人: 福建福碳新材料科技有限公司

发明人: 吕尊华;冯于驰;冯奕钰

申请日期: 2024-04-15

公开日期: 2024-06-25

IPC分类: H01L21/673

摘要:

本发明涉及石墨槽舟技术领域，具体是涉及一种槽间距可调的三代半导体用等静压石墨槽舟，包括：调节台、底板、两个调节板、纵向升降机构、传动机构以及横向等距伸缩机构，纵向升降机构包括设置于底板上的举升器、定位横杆、若干根第一横杆、若干个上铰接板和两个伸缩套杆，传动机构，包括两个旋转套筒和旋转杆，横向等距伸缩机构，包括两个交叉连杆、若干根第二横杆、若干个下铰接板以及若干个限位板，本发明的石墨槽舟中的V型槽的尺寸大小能够自由调节，适用不同的生产需要，提高生产效率，节约成本。

主权项:

1.一种槽间距可调的三代半导体用等静压石墨槽舟，其特征在于，包括：调节台（1），所述调节台（1）具有两个能独立转动旋转输出端；底板（4），呈水平状态设置；两个调节板（8），呈对称状态活动设置于底板（4）的两端；纵向升降机构，包括设置于底板（4）上的举升器（11）、设置于底板（4）中部上方的定位横杆（23）、若干根第一横杆（17）、若干个上铰接板（18）和两个伸缩套杆（22），若干根第一横杆（17）关于底板（4）竖直中心面呈对称状态等间隔分为两组，每根第一横杆（17）上分别转动设置有两个上铰接板（18），所述伸缩套杆（22）设置于定位横杆（23）的两端，每根第一横杆（17）的两端均与伸缩套杆（22）相连，所述举升器（11）具有一个能在竖直方向上伸缩的举升输出端，所述定位横杆（23）与举升器（11）的举升输出端传动相连，所述举升器（11）与调节台（1）其中一个旋转输出端传动相连；传动机构，包括两个呈对称状态通过轴座转动设置于底板（4）下方的旋转套筒（32）和与每个旋转套筒（32）转动相连的旋转杆（33），每个旋转杆（33）与对应的旋转套筒（32）通过螺纹相连，每个旋转杆（33）的一端与一个调节板（8）固定相连，两个旋转套筒（32）与调节台（1）的另一个旋转输出端传动相连；横向等距伸缩机构，包括两个交叉连杆（39）、若干根第二横杆（34）、若干个下铰接板（35）以及若干个限位板（37），两个交叉连杆（39）呈对称状态设置于底板（4）上，若干根第二横杆（34）关于底板（4）竖直中心面呈对称状态等间隔分为两组，每根第二横杆（34）上分别转动设置有两个下铰接板（35），每个所述上铰接板（18）与一个下铰接板（35）相互滑动配合，相邻的两个上铰接板（18）与下铰接板（35）构成V型槽，每个交叉连杆（39）的一端与一个调节板（8）相连另一端与底板（4）中部相连，每个第一横杆（17）与第二横杆（34）交错设置，每个交叉连杆（39）上相邻的两个交叉点分别与第一横杆（17）和第二横杆（34）相连。

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筛选条件

专利搜索结果关键词: "半导体"

表面镀金的复合金属粉体及其制备方法

变径聚焦组件、射频加速段及离子注入机

一种氧化锡锌陶瓷靶材及其制备方法

一种利用三溴化砷合成砷化铟外延薄膜晶片的工艺

一种桥式电路PWM非对称死区控制方法、装置及逆变器

一种增材制造装置

等离子蚀刻装置及等离子蚀刻方法

一种增材制造陶瓷覆铜基板的方法和结构

一种Ni3Mo3N-CdS复合光催化剂及其制备方法和应用

一种半导体用等静压石墨坩埚打磨控制系统

一种下电极组件和等离子处理装置

改进等静压石墨的方法及其制备得到的等静压石墨

一种用于去除晶圆表面Ni/Ag镀层的溶液及其应用方法

一种半导体硅片生产用等静压石墨的生产工艺

一种Sr/Mg共掺杂LaAlO3电解质材料电池的制备方法

一种靶材与背板的焊接方法

一种提高内流道结构焊缝成形质量的双波长激光增材焊接方法

一种光通信的LED半导体装置及其制备方法

发光二极管及发光二极管制作方法

一种槽间距可调的三代半导体用等静压石墨槽舟

金属粉末专利分析

材料体系分布

制备工艺分布

技术领域分布 (IPC分类)

专利类型分布

法律状态分布

金属粉末技术趋势

专利申请趋势 (2005-2024)

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