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• 首次出现 📅 2026-08-20
• 最近出现 📅 2026-08-20

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📜 相关专利 (70 件)

• 等离子蚀刻电极加工设备
  CN222106589U 🏢 安徽四象半导体材料科技有限公司 📋 安徽四象半导体材料科技有限公司
  本实用新型提供一种等离子蚀刻电极加工设备，包括主轴、工作台、脉冲源，工作台用于定位待成型棒状电极的主轴；主轴上至少设置一个用于电火花钻孔的棒状电极；脉冲源用于在蚀刻电极与棒状电极之间施加电脉冲；工作时，棒状电极端部接近蚀刻电极，棒状电极端部与蚀刻电极间通过放电实现蚀刻电极的表面剥蚀。该等离子蚀刻电极加工设备通过主轴上设置的棒状电极实现了对蚀刻电极上的气孔的电火花剥蚀加工，相比较现有的机械钻孔加工技...
• 一种静电吸附装置及等离子刻蚀机
  CN216054571U 🏢 广东中图半导体科技股份有限公司 📋 广东中图半导体科技股份有限公司
  本实用新型属于静电除尘技术领域，公开了一种静电吸附装置及等离子刻蚀机。静电吸附装置包括电容器箱体，还包括可拆卸地安装于电容器箱体中的第一极板，设置在第一极板上的携取机构，安装于电容器箱体内且与第一极板平行且间隔设置的第二极板，第一极板与第二极板能够连通成闭合电路进行充电，等离子刻蚀机包括上述的静电吸附装置。本用实用新型能够在进行等离子蚀刻前利用较小的充电电压实现两个电极板充电，并利用静电吸附原理实...
• 在衬底上形成多层凸起的方法 於基材上形成多層凸塊之方法
  CN1959531A;TW200725768A 🏢 飞思卡尔半导体公司 📋 飞思卡尔半导体公司
  用于在衬底上形成多层凸起的方法，包含在衬底上沉积第一金属粉末，和有选择地熔化或者回流第一金属粉末的一部分以形成第一凸起。然后在第一凸起上沉积第二金属粉末，并熔化以在第一凸起上形成第二凸起。掩模板配置在衬底上方以选择熔化的金属粉末的部分，通过照射射束熔化金属粉末。在不需要任何湿化学制品的情况下形成多层凸起。
• 一种桥式电路PWM非对称死区控制方法、装置及逆变器
  CN118713459A 🏢 深聪半导体（江苏）有限公司 📋 深聪半导体（江苏）有限公司
  本发明公开一种桥式电路PWM非对称死区控制方法、装置及逆变器，桥式电路中的第一开关管、第二开关管、第三开关管、第四开关管的受控端被配置为分别受控于四组相互独立的PWM控制信号以实现：当直流电源正向供电时，第一PWM控制信号和第三PWM控制信号对所述第一桥臂不进行开关延时，第二PWM控制信号和第四PWM控制信号对所述第二桥臂进行关断提前和开通延时；当直流电源反向供电时，第二PWM控制信号和第四PWM...
• 一种增材制造陶瓷覆铜基板的方法和结构
  CN118678559A 🏢 成都蓉矽半导体有限公司 📋 成都蓉矽半导体有限公司
  本发明提供了一种增材制造陶瓷覆铜基板的方法和结构，涉及功率器件基板制造技术领域，目的是制造出寿命更强、可靠性更高的功率模块，包括以下步骤：通过增材制造技术制备具有导电层拓扑图案的陶瓷基板；对所述陶瓷基板进行表面粗糙化处理；通过增材制造技术打印具有导电层拓扑图案的塑性或刚性掩膜，将所述掩膜安装到所述陶瓷基板；对所述陶瓷基板进行冷喷涂处理。本发明制作的功率模块具有寿命更长、集成度更高且更可靠的优点。
• 阻抗感测系统中的干扰减轻 阻抗感測系統中之干擾抑制
  CN118661430A;TW202345980A 🏢 思睿逻辑国际半导体有限公司 📋 思睿逻辑国际半导体有限公司
  一种系统可以包括：被配置为将驱动信号驱动到输出换能器的驱动电路；被配置为响应于驱动信号而感测与输出换能器相关联的物理量的感测电路；以及被配置为检测系统的干扰的存在并减轻系统中的干扰的影响的干扰检测电路。
• 一种用于去除晶圆表面Ni/Ag镀层的溶液及其应用方法
  CN118530790A 🏢 安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司 📋 安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司
  本发明公开了一种用于去除晶圆表面Ni/Ag镀层的溶液及其应用方法，本发明示出了一种能够高效去除晶圆表面镀层（Ni/Ag）的溶液及其应用方法。相较于现有技术，本发明具有腐蚀效率高、成本低、操作简便、环境友好等优点，适用于半导体制造和后处理工艺中。
• 用于等离子增强型薄膜沉积的炉管
  CN118497718A 🏢 盛美半导体设备(上海)股份有限公司; 盛美半导体设备韩国有限公司; 📋 盛美半导体设备(上海)股份有限公司; 盛美半导体设备韩国有限公司;
  本发明公开了一种用于等离子增强型薄膜沉积的炉管，包括：工艺管，工艺管内构造有反应室和至少一个电离室；供气管，供气管用于输送待电离工艺气体至电离室，待电离工艺气体在电离室内电离后，进入反应室内，以在基板表面沉积相应的薄膜，或者发生吸附反应实现薄膜在基板表面逐层生长；第一电极和第二电极，位于工艺管之内并位于电离室的中部位置，其中，第一电极和/或第二电极由挡板支撑，挡板的一端与对应电极相连，挡板的另一端...
• 等离子蚀刻装置及等离子蚀刻方法
  CN118471897A 🏢 上海邦芯半导体科技有限公司 📋 上海邦芯半导体科技有限公司
  本发明涉及等离子刻蚀技术领域，具体涉及一种等离子蚀刻装置及等离子蚀刻方法。等离子蚀刻装置包括晶圆顶针，该晶圆顶针包括第一区段，第一区段的中央沿着纵向轴线设置有第一通孔，横向设置有侧孔，第一通孔与侧孔相连通。等离子蚀刻装置还包括等离子体源线圈介质窗、等离子体激发线圈、匀气栅网、用于放置晶圆的热台、抽气匀气环、晶圆顶针驱动机构和工艺腔体。本申请还涉及一种等离子蚀刻方法。本文所述的等离子蚀刻装置可以将晶...
• 一种下电极组件和等离子处理装置
  CN118335585A 🏢 中微半导体设备（上海）股份有限公司; 📋 中微半导体设备（上海）股份有限公司;
  本发明公开了一种下电极组件和等离子处理装置。所述下电极包括由导电材料制成的基座，以及设置在基座上方的多区加热板，多区加热板中包括：内包括多个加热单元，每个加热单元用于加热基板的不同区域；本发明的驱动控制电路整体结构简单、成本低且响应速度快，使得加热板中完成一次加热循环的时间很短，减小每个加热单元的温度波动。