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一种金属粉末真空烧结炉
发明专利权授予专利号: CN116900314A
申请人: 沈阳拓普新材料有限公司
发明人: 柳天聪;徐洋洋;曹弥;柳天明;李艳红
申请日期: 2023-09-11
公开日期: 2023-12-19
IPC分类:
B22F3/10
摘要:
本发明涉及合金生产技术领域，尤其是一种金属粉末真空烧结炉，包括炉体，所述炉体底部安装有排蜡管，所述排蜡管内设有清理机构，所述清理机构包括圆环状的第一环件，所述第一环件外壁上铰接有多个刀头，所述刀头可滑动的配合在排蜡管内，所述第一环件外壁上径向固接有多个压缩弹簧，所述压缩弹簧一端抵靠在刀头上，在炉体的排蜡管内设置了用于清理管路内部残留蜡质的刀头，刀头在蜡质薄膜层进行清理时，是通过刀头紧贴管路内壁滑动，对蜡质薄膜层进行刮除的，刀头与管路内壁抵接的刀背上设置有耐磨润滑层，大幅度减少管路内壁与刀背之间摩擦热，以防止蜡质薄膜层受热后重新升华为气态并进行逸散。
主权项:
1.一种金属粉末真空烧结炉，包括炉体（a），所述炉体（a）底部安装有排蜡管（b），其特征在于，所述排蜡管（b）内设有清理机构，所述清理机构包括圆环状的第一环件（19），所述第一环件（19）外壁上铰接有多个刀头（20），所述刀头（20）可滑动的配合在排蜡管（b）内，所述第一环件（19）外壁上径向固接有多个压缩弹簧（21），所述压缩弹簧（21）一端抵靠在刀头（20）上。
一种电子器件及其表面加工方法
实质审查的生效专利号: CN116936499A
申请人: 华为数字能源技术有限公司
发明人: 王广平;洪芳军;陈杰;赵舒然
申请日期: 2023-06-30
公开日期: 2023-10-24
IPC分类:
H01L21/48
摘要:
本申请提供了一种电子器件及其表面加工方法，该电子器件包括散热基底以及与散热基底连接的发热芯片，该方法包括：在散热基底的远离发热芯片的一侧设置第一掩膜体，第一掩膜体具有第一通孔；采用冷喷涂工艺，向第一掩膜体的表面喷涂金属粉末，使金属粉末沉积在第一掩膜体的表面以及第一掩膜体的第一通孔区域；去除第一掩膜体，使得电子器件的表面形成孔隙结构。本申请通过冷喷涂低温制程的优势，对电子器件的表面进行加工处理，增加其表面的孔隙率大小，能够提高电子器件的沸腾换热性能，从而加快电子器件的散热。此外，本申请采用低温制程，能够避免高温制程对电子器件的内部芯片产生的影响，制作稳定性较好，能够进行大规模制作使用。
主权项:
1.一种电子器件的表面加工方法，其特征在于，所述电子器件包括散热基底以及与所述散热基底连接的发热芯片，所述方法包括：在所述散热基底的远离所述发热芯片的一侧设置第一掩膜体，所述第一掩膜体具有第一通孔；采用冷喷涂工艺，向所述第一掩膜体的表面喷涂金属粉末，使金属粉末沉积在所述第一掩膜体的表面以及所述第一掩膜体的第一通孔区域；去除所述第一掩膜体，使得所述电子器件的表面形成孔隙结构。
平整化组合物及其应用
发明专利申请公布专利号: CN118422203A
申请人: 华为技术有限公司
发明人: 马小舟; 金路; 刘强; 范怡平; 张珂
申请日期: 2023-01-31
公开日期: 2024-08-02
IPC分类:
C09G1/02
摘要:
本申请实施例提供一种平整化组合物，该平整化组合物包括溶剂、氧化剂、纳米粒子和端氨基聚醚化合物。其中端氨基聚醚化合物可以作为腐蚀抑制剂，该平整化组合物可以用于金属钨的平整化，有效抑制金属钨的静态腐蚀速度。
主权项:
1.一种平整化组合物，其特征在于，所述平整化组合物包括溶剂、氧化剂、纳米粒子和端氨基聚醚化合物。
光整形系统、光束调制方法及相关装置
发明专利申请公布专利号: CN118244496A
申请人: 华为技术有限公司
发明人: 胡子健;周鹏程;赵东峰
申请日期: 2022-12-23
公开日期: 2024-06-25
IPC分类:
G02B27/10
摘要:
一种光整形系统、光束调制方法及相关装置，应用于激光整形领域。本申请实施例提供的光整形系统包含第一分束器、第一图像传感器和空间光调制器SLM。第一分束器用于分束第一光束得到第二光束和第三光束。第一图像传感器获取第二光束的光束信息，该第二光束的光束信息用于得到第一调制数据，第一调制数据指示目标光束的强度分布和相位。SLM用于根据第一调制数据，基于所述第三光束调制得到第四光束。一方面，由于获取了第三光束的同源光束的信息，SLM在调制时可以更准确地进行调制。另一方面，当目标光束的光束信息不同，对应的调制数据也不同，从而可以调制得到具有不同特征的第四光束，提升了光束整形的灵活性。
主权项:
1.一种光整形系统，其特征在于，包括第一分束器、第一图像传感器和空间光调制器，其中：第一分束器用于分束第一光束，得到第二光束和第三光束，所述第二光束的臂长和所述第三光束的臂长相同；第一图像传感器用于接收所述第二光束并获取所述第二光束的光束信息，所述第二光束的光束信息用于得到第一调制数据，所述第一调制数据用于指示目标光束的强度分布和相位；所述空间光调制器用于根据所述第一调制数据，基于所述第三光束调制得到第四光束。
一种1800MPa级超高强度高韧钢的MIM粉体与MIM成型工艺
发明专利权授予专利号: CN115740427A
申请人: 深圳艾利门特科技有限公司; 华为技术有限公司
发明人: 徐向明; 朱旭; 严登; 梁肖; 代喜凤; 蒋卫红
申请日期: 2022-11-30
公开日期: 2023-03-07
IPC分类:
C22C38/44
摘要:
本发明属于金属粉末注射成型技术领域，尤其涉及一种1800MPa级超高强度高韧钢的MIM粉体与MIM成型工艺。该MIM粉体，由以下重量百分比的金属粉末组成：的C 0.0～0.6％、Cr 2.0～3.5％、Ni 11.0～14.0％、Co 14.0～17.0％、Mo 1.5～2.5％、余量的Fe和杂质，所述MIM粉体的粒径≤50μm。该MIM成型工艺通过对原料成分以及热脱脂和烧结工艺的改进，制备得到屈服强度≥1800MPa，延伸率≥5％，硬度52～58HRC的超高强度高韧钢零件。
主权项:
1.一种1800MPa级超高强度高韧钢的MIM粉体，其特征在于，包括以下重量百分比的金属粉末：C 0.0～0.6％、Cr 2.0～3.5％、Ni 11.0～14.0％、Co 14.0～17.0％和Mo 1.5～2.5％，所述MIM粉体的粒径≤50μm。
一种低成本细晶粒自润滑合金材料及其制备方法
发明专利权授予专利号: CN115780794A
申请人: 合肥工业大学
发明人: 刘大双;孙华为;张雷;魏萍;龙伟民;吴玉程;罗来马
申请日期: 2022-10-26
公开日期: 2024-08-06
IPC分类:
C23C24/10
摘要:
本发明公开一种低成本细晶粒自润滑合金材料及其制备方法，该低成本细晶粒自润滑合金材料包括以下质量百分比的物质组成：20％～40％金刚石破碎粉、0.2％～2％氧化铋、39％～65％镍粉、8％～20％硅锰合金粉和5～25％硼硅铁。本发明通过在粉末混合物中同时添加氧化铋和金刚石破碎粉，一方面依靠金刚石破碎粉原位生成石墨相，另一方面通过氧化铋细化镍基合金组织。同时添加了镍粉、硅锰合金粉、硼硅铁形成熔点适中、成形较好的镍基耐磨合金。因此，高能束制备熔覆层成形良好，熔覆层组织中分布足量石墨相、晶粒细小，减摩耐磨性好。
主权项:
1.一种低成本细晶粒自润滑镍基合金材料，其特征在于，所述低成本细晶粒自润滑镍基合金材料包括金刚石破碎粉、氧化铋和镍基材料，所述镍基材料包括镍粉、硅锰合金粉和硼硅铁粉。
一种波长选择开关及光束调制方法
实质审查的生效专利号: CN118891555A
申请人: 华为技术有限公司
发明人: 闻远辉; 卢特安; 宗良佳
申请日期: 2022-07-14
公开日期: 2024-11-01
IPC分类:
G02B6/293
摘要:
一种WSS及光束调制方法，提升了输出端口(102)的隔离度，降低了输出端口(102)的串扰。WSS包括：端口组件(10)、色散组件(20)、透镜组件(30)、SLM(40)和控制器(50)，端口组件(10)包括输入端口(101)和多个输出端口(102)。色散组件(20)用于将来自输入端口(101)的合波光束分解为多个子波长光束。透镜组件(30)用于将多个子波长光束分别导向SLM(40)的不同区域。SLM(40)用于对多个子波长光束分别进行调制，调制后的多个子波长光束依次通过透镜组件(30)和色散组件(20)向多个输出端口(102)传输。控制器(50)用于调节SLM(40)上像素点对应的相位分布。子波长光束被SLM(40)调制后形成多个衍射级次的光束，目标衍射级次的光束的光场分布与输出端口(102)支持的光场模式匹配，至少一个衍射级次的光束的光场分布与目标衍射级次的光束的光场分布不同。
主权项:
一种波长选择开关WSS，其特征在于，包括：端口组件、色散组件、透镜组件、空间光调制器SLM和控制器，所述端口组件包括输入端口和多个输出端口；所述色散组件用于将来自所述输入端口的合波光束分解为多个子波长光束，并将所述多个子波长光束导向所述透镜组件；所述透镜组件用于将所述多个子波长光束分别导向所述SLM的不同区域；所述SLM用于对所述多个子波长光束分别进行调制，所述子波长光束被所述SLM调制后形成多个衍射级次的光束，其中，目标衍射级次的光束的光场分布与所述输出端口支持的光场模式匹配，至少一个衍射级次的光束的光场分布与所述目标衍射级次的光束的光场分布不同；所述透镜组件还用于将调制后的多个子波长光束导向所述色散组件；所述色散组件还用于对调制后的多个子波长光束进行合波并向所述多个输出端口传输；所述控制器用于调节所述SLM上像素点对应的相位分布。
一种全息三维光学显示系统
实质审查的生效专利号: CN116819771A
申请人: 华为技术有限公司
发明人: 孙鹏
申请日期: 2022-03-21
公开日期: 2023-09-29
IPC分类:
G02B27/01
摘要:
本申请提供了一种全息三维光学显示系统，该全息三维光学显示系统包括：激光器、SLM、光阑、第一透镜和第一BS。在该显示系统中激光器入射至SLM上的光束与SLM反射该光束的反射光之间存在第一夹角，该夹角小于180°；SLM上加载有三维全息图、第二透镜的相位信息。当激光器发出的光束入射在SLM上，光束携带SLM加载的信息通过第一透镜后经过第一BS发射出来。本申请通过将SLM倾斜放置可以在显示系统中减少第二BS，通过将第二透镜的相位信息加载在SLM上可以在显示系统中减少第二透镜，从而减小了显示系统的体积和重量，降低了显示系统的光路复杂度。
主权项:
1.一种全息三维光学显示系统，其特征在于，所述全息三维光学显示系统包括：激光器、空间光调制器SLM、光阑、第一透镜和第一BS，所述激光器入射至所述SLM上的光束与所述SLM反射所述光束的反射光之间存在第一夹角，所述第一夹角小于180°；所述激光器发出的光束入射至所述SLM，所述SLM根据三维全息图和第二透镜的相位信息，对所述光束的相位进行调制得到调制后的光束，所述调制后的光束包括所述三维全息图的相位信息和所述第二透镜的相位信息；所述调制后的光束通过所述光阑和所述第一透镜后，经过所述第一BS后发射出来。
介电陶瓷、介质陶瓷材料、滤波器、射频单元和通信设备
发明专利申请公布专利号: CN116693289A
申请人: 华为技术有限公司
发明人: 塔拉斯·科洛迪亚兹尼; 路标
申请日期: 2022-02-24
公开日期: 2023-09-05
IPC分类:
H01P7/10
摘要:
本申请提供一种介电陶瓷，具有钨青铜结构晶相，包括Ba、Nd、Eu、Ti、Al和O元素，其为Eu元素取代Ba<subgt;6?3x</subgt;Nd<subgt;8+2x</subgt;Ti<subgt;18</subgt;O<subgt;54</subgt;陶瓷中的Nd，且Al元素取代Ba<subgt;6?3x</subgt;Nd<subgt;8+2x</subgt;Ti<subgt;18</subgt;O<subgt;54</subgt;陶瓷中的部分的Ti，其中Eu取代小于等于10％摩尔的Nd。本申请还提供微波介质陶瓷材料、包括该微波介质陶瓷材料的介质滤波器和包括该介质滤波器的射频单元和通信设备。通过Eu元素取代Ba<subgt;6?3x</subgt;Nd<subgt;8+2x</subgt;Ti<subgt;18</subgt;O<subgt;54</subgt;陶瓷中的部分的Nd，且Al元素取代部分的Ti，从而实现介电陶瓷材料优异的综合微波介电性能，具有高的介电常数、高的Qf值、及趋零谐振频率温度系数τ<subgt;f</subgt;。
主权项:
1.一种介电陶瓷，具有钨青铜结构晶相，其特征在于，包括Ba、Nd、Eu、Ti、Al和O元素，其为Eu元素取代Ba6-3xNd8+2xTi18O54陶瓷中的Nd，且Al元素取代Ba6-3xNd8+2xTi18O54陶瓷中的部分的Ti，其中Eu取代小于等于10％摩尔的Nd。
一种Ti合金化低密度高强钢及其制备方法
未知状态专利号: CN114480984A
申请人: 钢铁研究总院; 华为技术有限公司
发明人: 曹文全; 李龙雨; 蔡明; 黄子昕; 王存宇; 俞峰; 徐海峰
申请日期: 2021-12-15
公开日期: 2022-05-13
IPC分类:
C22C38/12
摘要:
一种Ti合金化低密度高强钢及其制备方法，属于低密度钢技术领域。化学质量百分比为：4.5％≥C≥1％，35％≥Mn≥25％，12％≥Al≥8％，10％≥Ti≥1％，余量为Fe和不可避免的杂质，在此基础上添加Mo≤5％、V≤5％、Nb≤0.5％、稀土微合金元素进行强化；微观组织由奥氏体基体和析出相组成，利用TiC析出相在低密度钢中起到细化晶粒作用。通过冶炼、锻造和固溶处理，利用TiC析出相的调控及细化晶粒作用，获得奥氏体基低密度钢，密度≤6.6g/cm3，抗拉强度≥1000MPa。
主权项:
1.一种Ti合金化低密度高强钢，其特征在于，化学质量百分比为：4.5％≥C≥1％，35％≥Mn≥25％，12％≥Al≥8％，10％≥Ti≥1％，余量为Fe和不可避免的杂质，在此基础上添加Mo≤5％、V≤5％、Nb≤0.5％、稀土微合金元素进行强化；微观组织由奥氏体基体和析出相组成，利用TiC析出相在低密度钢中起到细化晶粒作用。
钛合金及其制备方法、钛合金部件、折叠转轴和电子设备
发明专利申请公布专利号: CN116254438A
申请人: 华为技术有限公司
发明人: 纪大伟;蔡明
申请日期: 2021-12-09
公开日期: 2023-06-13
IPC分类:
C22F1/18
摘要:
本申请提供了一种近β钛合金及其制备方法、钛合金部件、折叠转轴和电子设备。该钛合金包括以下组分：Al 5～8％、Mo 4～6％、V 4～6％、Cr 2～4％、Zr 1～3％、M 0.02～2％，余量包括Ti以及不可避免的杂质；其中，M选自B、C、Si或稀土元素中的至少一种。该钛合金具有高强度和高弹性模量的优点，满足折叠转轴的使用要求。
主权项:
1.一种钛合金，其特征在于，按重量百分比计包括以下组分：Al：5～8％；Mo：4～6％；V：4～6％；Cr：2～4％；Zr：1～3％；M：0.02～2％；余量包括Ti以及不可避免的杂质；其中，所述M选自B、C、Si或稀土元素中的至少一种。
一种迁移配置文件的方法及装置
发明专利申请公布专利号: CN118803718A
申请人: 华为技术有限公司
发明人: 范姝男;克里斯托弗·凯万·洛伊;任乾栋
申请日期: 2020-09-01
公开日期: 2024-10-18
IPC分类:
G06F9/451
摘要:
本申请涉及一种迁移配置文件的方法及装置，其中，第一电子设备包括M个eSIM模块的配置文件，响应于对第一迁移界面的操作指令，确定至少一个待迁移配置文件；所述第一迁移界面用于显示所述M个配置文件的迁移；向第二电子设备发送第一消息；所述第一消息包括至少一个迁移信息；所述迁移信息包括以下至少一项：待迁移配置文件的标识，所述待迁移配置文件对应的配置文件服务器的地址，或所述第二电子设备的标识；在所述第一迁移界面上显示所述至少一个待迁移配置文件在所述第一电子设备上迁移准备完成。
主权项:
1.一种迁移配置文件的方法，其特征在于，应用于第一电子设备；所述第一电子设备包括M个电子用户识别eSIM模块的配置文件，M为大于1的正整数；包括：响应于对第一迁移界面的操作指令，确定至少一个待迁移配置文件；所述第一迁移界面用于显示所述M个配置文件的迁移；向第二电子设备发送第一消息；所述第一消息包括至少一个迁移信息；所述迁移信息包括以下至少一项：待迁移配置文件的标识，所述待迁移配置文件对应的配置文件服务器的地址，或所述第二电子设备的标识；在所述第一迁移界面上显示所述至少一个待迁移配置文件在所述第一电子设备上迁移准备完成。
双极化全向天线和无线收发设备
发明专利权授予专利号: CN102142620A
申请人: 华为技术有限公司
发明人: 艾鸣;李建平
申请日期: 2010-12-06
公开日期: 2013-09-11
IPC分类:
H01Q1/24
摘要:
本发明实施例公开了双极化全向天线和无线收发设备。其中，一种双极化全向天线，可包括：至少一个双极化全向辐射器，其中，该双极化全向辐射器包括至少两个双极化单元，该双极化单元包括：金属板和用于反射电磁信号的金属反射板；该双极化单元的金属板上设置有用于辐射电磁信号的第一辐射器和第二辐射器，第一辐射器和第二辐射器构成双极化的电磁信号辐射，第一辐射器和第二辐射器中的至少一个为辐射缝隙；上述至少两个双极化单元在与阵列方向正交的平面以能够共同形成方位面全向覆盖的方式组合摆放，该阵列方向为金属板上的第一辐射器和第二辐射器的连线方向。本发明实施例提供的双极化全向天线和无线收发设备，能够实现信号在方位面的全向覆盖。
主权项:
1.一种双极化全向天线，其特征在于，包括：至少一个双极化全向辐射器，其中，所述双极化全向辐射器包括至少两个双极化单元，所述双极化单元包括：金属板和用于反射电磁信号的金属反射板；其中，所述双极化单元的金属板上设置有用于辐射电磁信号的第一辐射器和第二辐射器，所述第一辐射器和第二辐射器构成双极化的电磁信号辐射，所述第一辐射器和第二辐射器中的至少一个为辐射缝隙；所述至少两个双极化单元在与阵列方向正交的平面以能够共同形成方位面全向覆盖的方式组合摆放，其中，所述阵列方向为所述金属板上的第一辐射器和第二辐射器的连线方向。
金属粉末专利分析
材料体系分布
制备工艺分布
技术领域分布 (IPC分类)
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B22F10/28(3D打印) • B22F9/04(制粉) •
C23C24/10(涂层) • C22C19/05(镍合金) •
B33Y50/02(控制) • C22F1/18(热处理)