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专利搜索结果 关键词: "北京理工大学"

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面向增材制造的一体化自支撑蒙皮点阵结构及其设计方法
实质审查的生效

专利号: CN118886075A

申请人: 北京理工大学
发明人: 贾贺然; 段晟昱; 雷红帅; 王潘丁; 赵则昂
申请日期: 2024-09-11
公开日期: 2024-11-01
IPC分类: G06F30/10
摘要:
本发明涉及一种面向增材制造的一体化自支撑蒙皮点阵结构及其设计方法,该方法通过以正交、均匀排布六面体单元对三维设计域进行离散,然后对每个离散单元进行判断并分类为边界六面体和非边界六面体,并将边界六面体均匀划分为多个次级六面体,对每个非边界六面体及次级六面体进行点阵胞元填充,完成填充后再以蒙皮作为修剪面对点阵芯层进行修剪,并在修剪后与蒙皮装配,得到面向增材制造的一体化自支撑蒙皮点阵结构的设计模型。该方法在保证支撑结构几何连接性的前提下,实现自支撑一体化设计,保证结构内部的支撑结构与点阵芯层的几何连接及载荷传递。设计过程相对简单,为增材制造蒙皮点阵结构的设计带来极大便利,具有十分重要的工程应用价值。
主权项:
1.一种面向增材制造的一体化自支撑蒙皮点阵结构设计方法,其特征在于,包括以下步骤:以正交、均匀排布六面体单元对蒙皮点阵结构的三维设计域空间进行离散;离散后,对每个离散单元进行判断并分类为:边界六面体和非边界六面体;将所述边界六面体均匀划分为多个次级六面体;每个所述非边界六面体和每个所述次级六面体各自均为一个设计域单元,对每个设计域单元进行点阵胞元填充,相邻两个设计域单元内的点阵胞元具有满足支撑需要的连接,所填充的点阵胞元中,任意两个节点之间距离小于增材制造工艺所允许的最大跨距;完成点阵胞元填充后,再以蒙皮作为修剪面对点阵芯层进行修剪;将蒙皮与修剪后的点阵芯层装配,得到面向增材制造的一体化自支撑蒙皮点阵结构的设计模型。
一种钛合金构件的海绵钛原位增材制造方法
发明专利申请公布

专利号: CN118789074A

申请人: 北京理工大学
发明人: 刘长猛;白富友;郁泽清;李昌远
申请日期: 2024-08-22
公开日期: 2024-10-18
IPC分类: B23K103/14
摘要:
本发明公开了一种钛合金构件的海绵钛原位增材制造方法,涉及钛合金构件制备技术领域,包括以下步骤:S1,将钛合金基板放置在工作台上,且在四周围设围挡,在钛合金基板上均匀平铺一层海绵钛;S2,在钛合金基板及围挡罩外罩设气体保护罩,气体保护罩内部营造保护气氛;S3,焊枪位于海绵钛上方且位于气体保护罩内,焊枪按照设置的规划路径移动,通过对位于规划路径上的海绵钛进行熔融沉积使其最终形成沉积层;S4,待焊枪完成该沉积层后,以该沉积层为基础继续向其上方铺设一层新的海绵钛;S5,重复S3~S4步骤,直至形成钛合金构件的半成品;半成品经后处理形成最终的钛合金构件。实现制备大尺寸且低成本的钛合金构件。
主权项:
1.一种钛合金构件的海绵钛原位增材制造方法,其特征在于:包括以下步骤:S1,将钛合金基板放置在工作台上,且在所述钛合金基板四周围设围挡,并在所述钛合金基板上均匀平铺一层海绵钛;S2,在所述工作台上罩设气体保护罩,所述气体保护罩将所述钛合金基板及所述围挡罩在其内部,所述气体保护罩内部营造保护气氛;S3,将电弧增材制造设备的焊枪设置在所述气体保护罩内,所述焊枪位于所述海绵钛上方,且所述焊枪按照设置的规划路径移动,通过对位于规划路径上的所述海绵钛进行熔融沉积使其最终形成沉积层;S4,待所述焊枪完成该所述沉积层后,以该所述沉积层为基础继续向其上方铺设一层新的海绵钛;S5,重复S3~S4步骤,直至形成钛合金构件的半成品;所述半成品经后处理形成最终的钛合金构件。
一种基于理论模型的铝合金点阵结构增材制造方法
实质审查的生效

专利号: CN118839442A

申请人: 北京理工大学
发明人: 刘长猛; 符瑞; 韩骁
申请日期: 2024-08-12
公开日期: 2024-10-25
IPC分类: G06F30/17
摘要:
本申请公开了一种基于理论模型的铝合金点阵结构增材制造方法,涉及增材制造与点阵成形领域,该方法包括:建立无支撑铝合金点阵杆的热传导模型;建立无支撑铝合金点阵杆熔池的力学模型;基于所述热传导模型和所述力学模型确定增材制造无支撑铝合金点阵热输入与杆长度之间的关系曲线;基于所述关系曲线,采用WA?DED技术制备不同角度和不同直径的无支撑铝合金点阵杆,并制备铝合金点阵结构。本申请实现了无支撑铝合金点阵结构的连续成形,提高了电弧定向能量沉积点阵结构的效率。
主权项:
1.一种基于理论模型的铝合金点阵结构增材制造方法,其特征在于,包括:建立无支撑铝合金点阵杆的热传导模型;建立无支撑铝合金点阵杆熔池的力学模型;基于所述热传导模型和所述力学模型确定增材制造无支撑铝合金点阵热输入与杆长度之间的关系曲线;基于所述关系曲线,采用WA-DED技术制备不同角度和不同直径的无支撑铝合金点阵杆;基于不同角度和不同直径的无支撑铝合金点阵杆制备铝合金点阵结构。
基于DMD强度调制和SLM相位调制的复合光调制系统及方法
实质审查的生效

专利号: CN118838045A

申请人: 北京理工大学
发明人: 徐可米; 董树敏; 赵维谦; 雷雨昊; 邱丽荣
申请日期: 2024-08-08
公开日期: 2024-10-25
IPC分类: G02B27/46
摘要:
本发明涉及基于DMD强度调制和SLM相位调制的复合光调制系统及方法,属于光学调控技术领域,应用于飞秒激光技术领域。本发明实现方法为:1、飞秒激光器发射光束至扩束镜得到扩束光,扩束光发射至光束准直系统得到准直平行光,准直平行光经反射镜反射通过两个光阑后入射到DMD微镜阵列上;2、利用上位机像素化编程控制DMD强度调制和SLM相位调制,最终得到强度?相位调制后空间光;3、调制后空间光分别通过第一、二4f系统后聚焦在工作台上,由三维高精度运动台联动控制实现飞秒激光技术的应用。在本发明中DMD强度调制帧率、对比度、光强承载力高,SLM相位调制精度高,两个4f系统提高了系统的稳定性和传输光质量,整个系统实现了高质量强度?相位独立调制。
主权项:
1.基于DMD强度调制和SLM相位调制的复合光调制系统,其特征在于:包括飞秒激光器(1)、扩束镜(2)、光束准直系统(3)、反射镜(4)、光阑(5)、DMD(6)、第一4f系统(7)、SLM(8)、第二4f系统(9)、高精度三维位移台(10);所述DMD(6)用于对比度像素化振幅调制;DMD(6)包含由微镜组成的微镜阵列、数字信号处理器和DMD(6)的驱动电路,每个微镜用于独立倾斜来反射光线;数字信号处理器用于将图像、图形信息转换为二进制数据并对应于DMD(6)上的微镜位置的像素点,利用输入的二进制数据确定倾斜方向;DMD(6)驱动电路根据输入的数据控制微镜的倾斜角度,微镜通过电静力作用实现倾斜分为开状态和关状态方向倾斜;开状态为微镜有倾斜使光线反射到目标表面;关状态为开状态的反方向使光线反射到光吸收器;DMD(6)利用动态调制光线实现视频和动态图像的投影;进而实现强度调制;所述第一4f系统(7)和第二4f系统(9)是利用4f系统的两次透镜傅里叶变换的特征实现的,具有固定光程差、提高系统稳定性的作用;4f系统基于透镜两次傅里叶变换的特性使光场发生空间域和频域之间的转换,在频域时用于滤出在傅里叶面的衍射级次并在像面实现非调制光干扰减弱和复振幅光场调控;当4f系统前后焦距相等时,像面和物面的光场区域大小比为1:1;当前后焦距不等时,像面和物面的光场区域缩放比为f2/f1,实现像面大小调控;所述SLM(8)用于改变入射光的相位差分布;液晶空间光调制器感光面由液晶分子组成的像素元组成,呈一维或二维分布周期性排列;SLM(8)利用加载电压控制电场下的液晶排列方式,从而改变入射光光程差用于调控区域内的相位差分布进而实现相位调制;光路为:飞秒激光器(1)发射光束至扩束镜(2)得到扩束光,扩束光发射至光束准直系统(3)得到准直平行光,准直平行光经反射镜(4)反射通过两个光阑(5)后入射DMD(6)上,反射镜(4)与两个光阑(5)用于控制射入DMD(6)的光束入射角,经DMD(6)强度调制后的具有可编程像素化强度参数的平行光束通过第一4f系统(7)射入SLM(8)进行相位调制后生成调制后的强度和相位复合调制的空间光,将强度和相位复合调制的空间光通过第二4f系统(9)后与高精度三维位移台(10)联动控制进行飞秒激光技术的应用。
基于稀疏静压数据的离心压气机壁面静压流场重构方法
实质审查的生效

专利号: CN118886363A

申请人: 北京理工大学
发明人: 胡晨星; 彭璟宇; 李旭辉; 田冉; 郑思宇
申请日期: 2024-08-06
公开日期: 2024-11-01
IPC分类: G06F30/28
摘要:
本发明公开了基于稀疏静压数据的离心压气机壁面静压流场重构方法,包括:基于离心压气机的三维数值仿真模型获取多种预设工况下的仿真定常压力场数据并进行本征正交分解,以提取壁面静压模态;基于仿真定常压力场数据和壁面静压模态,对离心压气机的壁面静压流场进行多次初始重构,并选择最优重构模式下所对应的最优测点分布;根据最优测点分布,布置稀疏压力传感器,提取稀疏采样数据;根据稀疏采样数据和壁面静压模态,对离心压气机的壁面静压流场进行最终重构。该方法通过多次重构流场修正了仿真结果,解决了离心压气机轮缘在真实运行环境中测点密集布置困难的问题,有助于促使离心压气机的三维数值仿真模型提升细节还原程度。
主权项:
1.基于稀疏静压数据的离心压气机壁面静压流场重构方法,其特征在于,包括如下步骤:S1、构建离心压气机的三维数值仿真模型;并基于所述三维数值仿真模型获取多种预设工况下的仿真定常压力场数据;S2、对所述仿真定常压力场数据进行本征正交分解,以提取壁面静压模态;S3、基于所述仿真定常压力场数据和所述壁面静压模态,对所述离心压气机的壁面静压流场进行多次初始重构,并选择最优重构模式下所对应的最优测点分布;S4、根据所述最优测点分布,布置稀疏压力传感器,获取稀疏采样数据;S5、根据所述稀疏采样数据和所述壁面静压模态,对所述离心压气机的壁面静压流场进行最终重构。
一种氢源识别方法和氢源识别仪器
发明专利申请公布

专利号: CN118794924A

申请人: 北京理工大学
发明人: 邵建锟;郭丁;王成
申请日期: 2024-07-30
公开日期: 2024-10-18
IPC分类: G01N21/39
摘要:
本发明涉及一种氢源识别方法和氢源识别仪器,在真空样品室内充入样品氢气,利用激光吸收光谱法检测样品中CO2与CH4及其他痕量成分浓度,分别与预先设定的CO2与CH4一级和二级阈值和其他成分阈值对比,快速判定氢气来源,将各组分的浓度值、氢气纯度和氢气种类显示在仪器上。本发明的氢气识别方法和仪器的基本策略,是具有创造性的氢源识别策略。本发明采用激光吸收光谱测量技术测量氢气组分浓度,可实现痕量级高时频的气体浓度检测。利用激光吸收光谱测量技术的氢源识别仪器采用非接触式测量手段,可实现零消耗、零污染的组分浓度检测。
主权项:
1.一种氢源识别方法,其特征在于,按如下步骤进行:S1:将封闭的样品室(11)抽至真空;S2:将待测氢气抽入所述样品室(11)中;S3:利用激光吸收光谱法,测量待测氢气中CO2与CH4的浓度;S4:如果样品中CO2和CH4浓度分别小于CO2一级浓度阈值和CH4一级浓度阈值,则样品氢气的来源为电解水制氢;如果CH4浓度大于CH4一级浓度阈值,且CO2浓度小于CO2一级浓度阈值,则样品氢气的来源为天然气热解制氢;如果CO2浓度大于CO2一级浓度阈值且小于CO2二级浓度阈值,则样品氢气的来源为蓝氢;如果CO2浓度大于CO2二级浓度阈值,则样品氢气的来源为灰氢或棕氢;S5:排空所述样品室(11)内的气体。
一种双硅烷-聚叠氮缩水甘油醚包覆铝锂合金粉、制备方法及其应用
发明专利申请公布

专利号: CN118808635A

申请人: 北京理工大学
发明人: 王硕;王海洋;邹美帅;徐康程;付泓迪;朱华强
申请日期: 2024-06-26
公开日期: 2024-10-22
IPC分类: B22F1/102
摘要:
本发明涉及一种双硅烷?聚叠氮缩水甘油醚包覆铝锂合金粉、制备方法及其应用,属于含能材料技术领域。通过带有环氧基团的环氧基硅烷及氟原子数≥9的氟硅烷与合金粉表面的脱水缩合形成Al?O?Si键,加之两种硅烷之间的缩聚反应所形成的Si?O?Si键,可在合金粉表面形成一层致密的包覆膜,在提高合金粉储存稳定性的同时,也赋予了其一定的可修饰化功能,再经过聚叠氮缩水甘油醚与环氧基硅烷之间的开环加成反应,构筑第二层包覆膜结构,显著提高了合金粉的能量性能。包覆后的铝锂合金粉具有良好的稳定性、疏水性以及较高的能量水平,可作为金属燃料用于固体推进剂中,提高推进剂的能量释放性能与燃烧性能。
主权项:
1.一种双硅烷-聚叠氮缩水甘油醚包覆铝锂合金粉,其特征在于:铝锂合金粉表面的包覆物为氟原子数≥9的氟硅烷、环氧基硅烷和GAP,氟硅烷水解后形成的羟基与铝锂合金粉表面的游离羟基之间的脱水缩合形成Al-O-Si键,F原子与Al之间形成范德华力,使氟硅烷包覆在铝锂合金粉表面;环氧基硅烷通过Al-O-Si键与铝锂合金粉连接,同时氟硅烷与环氧基硅烷缩聚形成Si-O-Si键紧密包覆在铝锂合金粉表面;GAP通过端羟基与环氧基硅烷上的环氧基团开环加成接枝在最外层,最终形成具有双层包覆层的铝锂合金粉。
一种多材料打印过程界面缺陷与演化预报方法
实质审查的生效

专利号: CN118395893A

申请人: 北京理工大学
发明人: 李玮洁;李营;杜东海
申请日期: 2024-04-30
公开日期: 2024-07-26
IPC分类: G06F30/28
摘要:
本发明公开了一种多材料打印过程界面缺陷与演化预报方法,包括以下步骤:S1、建立多材料打印热?流耦合模型;S2、搭建缺陷检测与实时监测系统;S3、采集打印过程中的实时数据并进行处理和分析;S4、建立缺陷演化模型,实现多材料打印过程中界面缺陷的精准预报。本发明采用上述一种多材料打印过程界面缺陷与演化预报方法,能够实现激光选取熔融工艺(SLM)制备多材料结构界面缺陷演化的预报,进而指导工艺调控,减小多材料结构界面处缺陷,提高构件可靠性,从而实现高精尖端产品高品质,低成本制造。
主权项:
1.一种多材料打印过程界面缺陷与演化预报方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、建立多材料打印热-流耦合模型;S2、搭建缺陷检测与实时监测系统;S3、采集打印过程中的实时数据并进行处理和分析;S4、建立缺陷演化模型,实现多材料打印过程中界面缺陷的精准预报。
一种酸蚀预处理去除铝锂合金表面氧化层的方法
实质审查的生效

专利号: CN118422210A

申请人: 北京理工大学
发明人: 王硕; 刘炫验; 邹美帅; 付泓迪; 徐康程
申请日期: 2024-04-29
公开日期: 2024-08-02
IPC分类: B22F1/145
摘要:
本发明涉及一种酸蚀预处理去除铝锂合金表面氧化层的方法,属于含能材料技术领域。将A酸和B酸加入正己烷和乙醇的混合溶液中,充分搅拌混合均匀后,得到酸蚀液;将铝锂合金粉加入酸蚀液中分散均匀,搅拌混合10~50min,离心、洗涤、干燥,得到去除表面氧化层的铝锂合金粉。经处理过的铝锂合金粉的锂含量相比于原粉没有明显的降低,且此处理没有改变铝锂合金粉的锂含量和性能。另外,处理后氧化层的大幅度减少也提高了粉体的燃烧性能。
主权项:
1.一种酸蚀预处理去除铝锂合金表面氧化层的方法,其特征在于:方法步骤包括:(1)配制酸蚀液:将A酸和B酸加入正己烷和乙醇的混合溶液中,充分搅拌混合均匀后,得到酸蚀液;(2)将铝锂合金粉加入酸蚀液中分散均匀,搅拌混合10~50min,离心、洗涤、干燥,得到去除表面氧化层的铝锂合金粉;其中,A酸为次磷酸、柠檬酸、偏磷酸、植酸和硼酸中的一种以上;B酸为磷酸、三氯乙酸和苯甲酸中的一种以上。
一种基于LC-SLM的变焦稳像光学系统
实质审查的生效

专利号: CN118131498A

申请人: 北京理工大学
发明人: 郝群;刘林;程阳;曹杰;邢浩月
申请日期: 2024-04-22
公开日期: 2024-06-04
IPC分类: G02F1/29
摘要:
本发明涉及一种基于LC?SLM的变焦稳像光学系统,包括沿第一光轴分布的第一透镜组和第一LC?SLM以及沿第二光轴分布的第二LC?SLM、第二透镜组以及成像装置,第一光轴平行于第二光轴;其中,运动目标能够沿第一光轴发出出射光线至第一LC?SLM,经第一LC?SLM反射至第二LC?SLM后,沿第二光轴入射至成像装置;通过控制第一LC?SLM和第二LC?SLM分别加载不同相位分布,以实现变焦和实现稳像。本发明采用LC?SLM形成相位可变的透镜,实现变焦稳像一体化,具有快速变焦、无噪声等优点。
主权项:
1.一种基于LC-SLM的变焦稳像光学系统,其特征在于,包括沿第一光轴分布的第一透镜组和第一LC-SLM以及沿第二光轴分布的第二LC-SLM、第二透镜组以及成像装置,所述第一光轴平行于所述第二光轴;其中,运动目标能够沿所述第一光轴发出出射光线至所述第一LC-SLM,经所述第一LC-SLM反射至所述第二LC-SLM后,沿所述第二光轴入射至所述成像装置;通过控制所述第一LC-SLM和所述第二LC-SLM分别加载不同焦距的相位分布,以实现变焦;通过控制所述出射光线与所述第一光轴之间形成夹角,以改变所述第一LC-SLM和所述第二LC-SLM加载的相位,且通过控制所述第一LC-SLM和所述第二LC-SLM加载的相位分布,以实现稳像。
一种多电弧增材制造机床
实质审查的生效

专利号: CN118237698A

申请人: 北京理工大学
发明人: 刘长猛;孙济奇;许瀚文;齐江珉;李昌远
申请日期: 2024-04-22
公开日期: 2024-06-25
IPC分类: B23K9/04
摘要:
本发明公开了一种多电弧增材制造机床,属于增材制造技术领域,包括打印平台,打印平台上设有至少一个龙门架,龙门架包括横梁、滑块以及立架,横梁横跨打印平台的宽度方向,横梁通过X轴移动机构能够沿打印平台的长度方向移动,滑块滑动连接在横梁上,滑块通过Y轴移动机构能够沿横梁移动,立架竖向滑动连接在滑块上,立架通过Z轴移动机构沿滑块移动,立架上固定连接有打印安装架,打印安装架上设有用于在打印平台上打印的电弧增材打印组件,电弧增材打印组件呈阵列排布。一种多电弧增材制造机床,具有呈阵列排布的电弧增材打印组件,可同时生产多个零件,在不大改工艺情况下,将单电弧增材改为多电弧增材,从而成倍地提高传统电弧增材效率。
主权项:
1.一种多电弧增材制造机床,其特征在于,包括打印平台,所述打印平台上设有至少一个龙门架,所述龙门架包括横梁、滑块以及立架,所述横梁横跨所述打印平台的宽度方向,所述横梁通过X轴移动机构能够沿所述打印平台的长度方向移动,所述滑块滑动连接在所述横梁上,所述滑块通过Y轴移动机构能够沿所述横梁移动,所述立架竖向滑动连接在所述滑块上,所述立架通过Z轴移动机构能够竖向移动,所述立架上固定连接有打印安装架,所述打印安装架上设有用于在所述打印平台上打印的电弧增材打印组件,所述电弧增材打印组件呈阵列排布。
基于液晶空间光调制器的紧凑型快照式高光谱成像系统及方法
实质审查的生效

专利号: CN118329798A

申请人: 北京理工大学
发明人: 宋维涛;张冲;刘文璟;马诗宁;黄一帆;刘越;王涌天
申请日期: 2024-04-15
公开日期: 2024-07-12
IPC分类: G06F17/15
摘要:
本发明公开了一种基于液晶空间光调制器的紧凑型快照式高光谱成像系统及方法,基于液晶空间光调制器,实现了覆盖整个可见光范围的快照式二维高光谱成像系统,分辨率为10nm,通道数为31;LESHI利用训练好的光谱重构模型,将CMOS彩色相机捕获的3通道RGB图像重构为高光谱图像;摒弃了传统的光谱仪扫描式结构,成像速度快,光吞吐量大;LESHI的基础结构仅通过一个偏振片、一个分束器、一个空间光调制器、一个CMOS成像传感器、一个图形计算单元构成,成像结构紧凑,简化了常规光谱仪的成像复杂元件;LESHI利用LCoS?SLM加载相位调制图的方式模拟制造的DOE,以实现光的相位调制和聚焦;该系统提高了衍射成像光谱相位调制的精度,解决了理想设计的高精度DOE与实际制作DOE的误差。
主权项:
1.一种基于液晶空间光调制器的紧凑型快照式高光谱成像系统,其特征在于,包括光源、空间光调制器LCoS-SLM、彩色CMOS相机以及图像处理单元;被测样品接收来自光源的照射,生成的光谱信息由空间光调制器LCoS-SLM接收,并根据加载在LCoS-SLM液晶显示屏上的相位调制图模拟二元衍射光学元件DOE,实现对光谱进行调制,后反射进入彩色CMOS相机;彩色CMOS相机获得三通道RGB图像;图像处理单元将该三通道RGB图像还原为31通道离散光谱图像。
一种氟硅烷-邻苯二酚共包覆的铝锂合金粉、制备方法及其应用
实质审查的生效

专利号: CN118271142A

申请人: 北京理工大学
发明人: 邹美帅;付泓迪;王硕;刘炫验;李晓东
申请日期: 2024-04-03
公开日期: 2024-07-02
IPC分类: C06B33/02
摘要:
本发明涉及一种氟硅烷?邻苯二酚共包覆的铝锂合金粉、制备方法及其应用,属于含能材料技术领域。首先采用氟原子数小于等于九的第一氟硅烷和氟原子数大于九的第二氟硅烷复合后对铝锂合金粉进行包覆,然后采用邻苯二酚进行二次包覆,使邻苯二酚充分进入复合氟硅烷包覆层的裂缝中,得到氟硅烷?邻苯二酚共包覆的铝锂合金粉。邻苯二酚可进入复合氟硅烷包覆层的缝隙或缺口处,一定程度上修补复合氟硅烷包覆层,使得包覆层更加致密,大大提高了其储存性能,在储存一定时间内包覆层不发生明显脱落,具有较好的长期稳定性,且成品粉较细腻,可以很好改善合金粉的团聚现象。此外,还具有一定的疏水性能,提高了合金粉在液相中的稳定性。
主权项:
1.一种氟硅烷-邻苯二酚共包覆的铝锂合金粉,其特征在于:首先采用氟原子数小于等于九的第一氟硅烷和氟原子数大于九的第二氟硅烷复合后对铝锂合金粉进行包覆,然后采用邻苯二酚进行二次包覆,使邻苯二酚充分进入复合氟硅烷包覆层的裂缝中,得到氟硅烷-邻苯二酚共包覆的铝锂合金粉;其中,铝锂合金粉中锂的质量分数为6%以上,第一氟硅烷和第二氟硅烷的总量为所述铝锂合金粉质量的20%~50%,第一氟硅烷和第二氟硅烷的质量比为1:1.25~3.5,邻苯二酚的质量为所述铝锂合金粉质量的1%~5%。
一种Mg-MOF-74的合成方法
实质审查的生效

专利号: CN118165284A

申请人: 北京理工大学
发明人: 刘贺磊; 江晓彤; 白丽菊
申请日期: 2024-03-18
公开日期: 2024-06-11
IPC分类: C08G83/00
摘要:
本发明涉及一种Mg?MOF?74的合成方法,包括如下步骤:将可溶性镁盐和有机配体溶于溶剂中,获得混合液1;再将水和混合液1按0?0.08:1的体积比混合均匀,获得混合液2;将所述混合液2于120?200℃反应8?36h后,固液分离,洗涤,获得粗品;将所述粗品用第二低碳醇浸泡后,真空干燥,获得Mg?MOF?74产品。本发明的合成方法实现了对Mg?MOF?74的高结晶度、高产率、高吸附性能、形貌可控合成,避免使用了致癌溶剂调节剂及刺激性有机溶剂,只采用水即成功调控了Mg?MOF?74的形貌,合成了尺寸适中且具有球形形貌的Mg?MOF?74材料,获得了高CO<subgt;2</subgt;吸附性能的Mg?MOF?74材料,有利于提高Mg?MOF?74材料在气体吸附领域的应用价值。
主权项:
1.一种Mg-MOF-74的合成方法,其特征在于,包括如下步骤:S1、将可溶性镁盐和有机配体溶于溶剂中,获得混合液1;再将水和混合液1按0-0.08:1的体积比混合均匀,获得混合液2;其中,所述有机配体为2,5-二羟基对苯二甲酸;所述溶剂由N,N-二甲基甲酰胺、第一低碳醇混合而成;所述第一低碳醇为甲醇、乙醇、丙醇中的一种或几种;所述混合液1中Mg2+的浓度为23-30mmol/L,有机配体的浓度为8-12mmol/L;S2、将所述混合液2于120-200℃反应8-36h后,固液分离,洗涤,获得粗品;S3、将所述粗品用第二低碳醇浸泡后,真空干燥,获得Mg-MOF-74产品;其中,所述第二低碳醇为甲醇、乙醇、丙醇中的一种或几种。
一种NbZrTi系难熔高熵合金锥形薄壁件的热挤压成型方法
实质审查的生效

专利号: CN117900363A

申请人: 北京理工大学
发明人: 靳柯;张健;王本鹏;马续奎;薛云飞
申请日期: 2024-03-12
公开日期: 2024-04-19
IPC分类: C22F1/18
摘要:
本发明涉及一种NbZrTi系难熔高熵合金锥形薄壁件的热挤压成型方法,属于合金技术领域。通过对熔炼后得到的合金铸锭进行均匀化退火处理,然后在铸锭表面涂覆一层高温抗氧化涂层并进行加热处理,之后再高温热挤压成型,最后进行分步再结晶退火,获得表面质量高、无缺陷、组织细小的难熔高熵合金锥形薄壁件。
主权项:
1.一种NbZrTi系难熔高熵合金锥形薄壁件的热挤压成型方法,其特征在于:方法步骤包括:(1)在惰性气体保护下,将NbZrTi系难熔高熵合金中各组元对应的金属单质按照原子百分比混合,经熔炼后得到合金铸锭;(2)将所述合金铸锭进行真空均匀化退火处理,得到退火态合金铸锭;(3)在所述退火态合金铸锭表面涂覆一层氧化钇基高温抗氧化涂层,然后放入热处理炉中在合金单相区温度内加热并保温30~120min,得到坯料,随即将所述坯料放入预热后的挤压模具中,挤压成型,得到毛坯件;其中,预热温度为200~400℃,预热时间为30min以上;高温抗氧化涂层厚度=(锥形薄壁件的表面积÷退火态铸锭的表面积)×(50~150)μm;(4)在带有加热感应线圈和测温功能的局部热处理装置中将所述毛坯件进行分步再结晶退火,第一步再结晶退火位置为薄壁件上部,退火温度为合金熔点的0.5~0.7倍,保温时间为30~60min,保温结束后水冷;第二步再结晶退火位置为薄壁件下部,退火温度比第一步再结晶退火温度高100~300℃,保温时间为60~120min,保温结束后水冷;经机械加工后,得到一种NbZrTi系难熔高熵合金锥形薄壁件。
一种飞行器用增材制造点阵舵面的设计方法
实质审查的生效

专利号: CN118114371A

申请人: 北京理工大学; 大连理工大学
发明人: 陶然; 沈千晔; 周胜; 时光辉; 武文华
申请日期: 2024-02-29
公开日期: 2024-05-31
IPC分类: G06F30/15
摘要:
本发明提供一种飞行器用增材制造点阵舵面的设计方法,包括如下步骤:建立舵面结构的几何模型,并对所述几何模型进行有限元网格划分,以划分为一阶单元;将划分后的所述几何模型转化为孤立节点的网格模型;所述网格模型包括多个三维体单元;基于单元形函数,在各三维体单元上设立与单个单元节点相同的点阵杆几何模型;去除三维体单元,以得到舵面结构内部的随型点阵骨架结构。本发明提供的飞行器用增材制造点阵舵面的设计方法,能够实现非规则结构内部所有点阵单胞完整,解决传统点阵建模方法使用规则阵列点阵与异形结构布尔运算获得的点阵边界单胞不完整的问题,进而实现飞行器用增材制造点阵舵面高效承载以及高质量制备的问题。
主权项:
1.一种飞行器用增材制造点阵舵面的设计方法,其特征在于,包括:建立舵面结构的几何模型,并对所述几何模型进行有限元网格划分,以划分为一阶单元;将划分后的所述几何模型转化为孤立节点的网格模型;所述网格模型包括多个三维体单元;基于单元形函数,在各三维体单元上设立与单个单元节点相同的点阵杆几何模型;去除三维体单元,以得到舵面结构内部的随型点阵骨架结构。
一种低钼当量的低成本轻质超高强钛合金及其制备方法
实质审查的生效

专利号: CN117926077A

申请人: 北京理工大学
发明人: 徐舜;应家尧;范群波;杨林;潘士伟;张飞;高宇航;李梅琴;李苒;程兴旺
申请日期: 2024-01-23
公开日期: 2024-04-26
IPC分类: C22F1/18
摘要:
本发明公开了一种低钼当量的低成本轻质超高强钛合金及其制备方法,属于钛合金技术领域。所述合金的各元素质量百分比为:Al:6%~8%、Mo:0.5%~1.5%、V:0.5%~1.5%、Cr:0.5%~2%、Zr:0.5%~3%、C:0.1%~0.5%、余量为Ti以及不可避免的杂质。本发明还公开了一种低钼当量的低成本轻质超高强钛合金的制备方法。本发明利用密度较低的间隙元素C和α稳定元素Al作为主要强化元素,取代或减少使用常规高密度或高成本的Mo、V、W、Fe、Nb、Mn等β稳定元素,同时利用Cr元素细化时效析出的次生α相,制备出低钼当量的低成本轻质超高强钛合金,其强度和塑性优于传统高钼当量高强钛合金,同时密度和原料成本也显著降低,具有重要的工程应用意义。
主权项:
1.一种低钼当量的低成本轻质超高强钛合金,其特征在于:所述钛合金的各组成元素重量百分比为:Al:6.0~8.0%;Mo:0.5~1.5%;V:0.5~1.5%;Cr:0.5%~2%;Zr:0.5~3%;C:0.1%~0.5%,所述钛合金的钼当量远低于传统高强钛合金,这使得所述钛合金的原料成本和密度远低于传统高强钛合金,且同时具有超高强度和良好的塑性。
一种高塑性的亚稳β钛合金及其制备方法
实质审查的生效

专利号: CN117926076A

申请人: 北京理工大学
发明人: 徐舜;李梅琴;范群波;程兴旺;潘士伟;张飞;应家尧;杨林
申请日期: 2024-01-22
公开日期: 2024-04-26
IPC分类: C22F1/18
摘要:
本发明属于钛合金技术领域,涉及一种高塑性的亚稳β钛合金及其制备方法,高塑性的亚稳β钛合金以质量百分比计,包括以下元素:Mo 5~6.5%,Cr 4~5.5%,Sn 0.8~3.2%,余量为Ti和不可避免的杂质。所述合金的制备方法包括真空电弧熔炼、真空均匀化处理、热轧变形及固溶空冷处理。本发明的合金及制备方法通过合金元素的配合,可以实现固溶空冷后超过30%的高塑性,得到优异塑性和中强度的钛合金材料,而不发生塑性大幅下降,避免了采用固溶水淬方式获取高塑性亚稳β钛合金时的高应力及易形变等问题,有利于亚稳β钛合金的工程应用推广。
主权项:
1.一种高塑性的亚稳β钛合金,其特征在于,以所述材料的原料组成成分总质量为100%计,各成分及其质量百分数为:Mo 5~6.5%,Cr 4~5.5%,Sn 0.8~3.2%,余量为Ti。
一种与打印平面垂直的连续纤维增强陶瓷基复合材料增材制造成型方法
实质审查的生效

专利号: CN118146015A

申请人: 北京理工大学
发明人: 何汝杰; 李增产; 王文清; 高雄; 苏茹月; 陈晓彤; 陈婧祎
申请日期: 2024-01-16
公开日期: 2024-06-07
IPC分类: C04B35/82
摘要:
本发明属于复合材料成型技术领域,涉及一种与打印平面垂直的连续纤维增强陶瓷基复合材料增材制造成型方法。本发明首先将连续纤维以垂直于打印平面的方向固定;然后将陶瓷粉体、水、分散剂、粘结剂混合球磨,得到分散均匀的混合浆料;接着利用增材制造设备打印复合材料坯体;再经过烘干、碳化。之后进行浸渍、固化、烧结,并重复进行浸渍、固化、烧结对其进行致密化处理,最终获得复合材料。本发明的成型方法实现了复合材料中二维平面基体引入第三维度连续纤维的制备,适合各种在空间中与打印平面垂直的连续纤维增强陶瓷基复合材料的增材制造制备。
主权项:
1.一种与打印平面垂直的连续纤维增强陶瓷基复合材料增材制造成型方法,其特征在于,步骤包括:将连续纤维的一端以垂直于打印平面的方向固定,将混合浆料采用增材制造技术中材料挤出的方法打印在垂直的连续纤维周围,逐层打印后形成在空间中与打印平面垂直的连续纤维增强陶瓷基复合材料坯体;待所述坯体成型后进行干燥处理,接着进行碳化处理,之后进行真空浸渍、固化处理和烧结处理,并重复真空浸渍、固化处理和烧结处理5~8次即得所述与打印平面垂直的连续纤维增强陶瓷基复合材料。
基于加权反馈复振幅约束的高质量激光图案化加工方法
实质审查的生效

专利号: CN117850187A

申请人: 北京理工大学
发明人: 姜澜;李韬拥;李晓炜;王志鹏;张向宇
申请日期: 2024-01-10
公开日期: 2024-04-09
IPC分类: G03H1/16
摘要:
本发明涉及基于加权反馈复振幅约束的高质量激光图案化加工方法,属于激光应用技术领域。本发明将加工图案与特定相位相乘得到目标复振幅光场,并进行傅里叶逆变换,将逆变换结果按照入射光振幅分布情况进行振幅限制,傅里叶变换后得到全息光场,对加工图案区域进行振幅加权反馈的复振幅约束,对周围背景区域进行能量加权反馈约束,重复上述步骤,得到最终的相位图。随后将相位图加载在空间光调制器上获得整形加工光场。相比传统计算方法,本方案通过额外相位约束消除了相位不匹配导致的散斑噪声,通过振幅加权反馈因子提高了算法的收敛能力,通过能量加权反馈因子精准调控加工所用能量效率,显著提高了单次曝光图案的加工一致性和能量稳定性,具有很强的适用性。
主权项:
1.基于加权反馈复振幅约束的高质量激光图案化加工方法,其特征在于:步骤一、创建待加工图案对应的目标振幅矩阵和目标相位矩阵;根据加工光路中空间光调制器液晶单元大小、聚焦物镜分辨率、物镜通光孔径物理参数,得到SLM平面离散空间坐标系uov和全息面离散空间坐标系xoy;将待加工图案代入全息面坐标系xoy中获得全息面目标振幅矩阵Aaim(x,y),其中待加工区域标记为1,其他背景区域标记为0;根据目标振幅矩阵中待加工图案区域像素大小,构建含有相位调控因子k的二次相位函数,代入SLM平面坐标系xoy中得到目标相位矩阵其中M和N分别为目标振幅矩阵中待加工区域在x和y方向上的像素长度;i为虚数;步骤二、创建初始化全息面光场矩阵;光场矩阵内含有振幅矩阵和相位矩阵两项信息,将目标振幅矩阵Aaim(x,y)中待加工图案区域元素值赋给全息面振幅矩阵Aout(x,y)中对应元素;引入背景区域振幅,设置为0.2;将目标相位矩阵元素值赋值给全息面相位矩阵则全息面光场矩阵Eout(x,y)的表达式为:其中,exp()代表以e为底的指数函数;步骤三、创建初始化振幅反馈矩阵M和能量反馈因子η:M1(x,y)=1,η1=η0其中,下标数字1代表振幅反馈矩阵M和能量反馈矩阵η的更新次数为1,η0为加工区域的目标能量效率;步骤四、使用振幅反馈矩阵M和能量反馈因子η对全息面光场矩阵Eout(x,y)内的振幅项Aout(x,y)进行加权反馈振幅约束,获得修正后全息面振幅矩阵A′out(x,y):其中,下标j数字代表振幅反馈矩阵M和能量反馈矩阵η的更新次数为第j次,和分别为待加工区域和背景区域求和的算子;步骤五、对全息面光场进行相位约束;使用目标相位矩阵元素值替换全息面光场矩阵Eout(x,y)中相位项在待加工图案区域内对应元素值,最终获得修正后全息面光场矩阵E′out(x,y):步骤六、计算全息面光场矩阵E′out(x,y)反向衍射到SLM平面处对应的SLM平面光场矩阵;对E′out(x,y)进行傅里叶逆变换,得到SLM平面光场矩阵Ein(u,v);使用实际入射激光的振幅矩阵A0替换Ein(u,v)中的振幅项;得到修正后SLM平面光场矩阵E′in(u,v):其中,F-1(x)为傅里叶逆变换算子,||为对应振幅项的取模算子;步骤七、计算SLM平面光场衍射到全息面处的全息光场矩阵;对SLM平面光场E′in(u,v)进行傅里叶变换,得到更新后的全息光场矩阵Eout(x,y):Eout(x,y)=F[E′in(u,v)]其中,F(x)为傅里叶变换算子;步骤八、更新振幅反馈矩阵M;基于全息光场矩阵Eout(x,y)内振幅项Aout(x,y)的波动情况,更新振幅反馈矩阵在待加工区域内的元素值,则更新后的振幅反馈矩阵M为:其中,<>代表对符号内矩阵元素取平均值;步骤九、更新能量反馈因子η;基于全息光场矩阵在待加工图案区域内的光强能量与周围背景区域光强能量的比值,更新能量反馈因子η:其中,∑()为求和算子;步骤十、重复步骤四至九,直到全息面光场均匀度满足加工需求;计算完成后,基于SLM平面相位矩阵生成全息图,将全息图加载在空间光调制器内获得高均匀度加工光场,最终获得高质量的激光加工图案。

金属粉末专利分析

材料体系分布
制备工艺分布
技术领域分布 (IPC分类)
💡 技术分类说明: 悬停在图表柱子上查看: B22F10/28(3D打印) • B22F9/04(制粉) • C23C24/10(涂层) • C22C19/05(镍合金) • B33Y50/02(控制) • C22F1/18(热处理)
专利类型分布
法律状态分布

主要申请人分析

主要申请人专利数量