您好！我是Ada，PowderSight智能助手。
💡 我可以帮您：
• 查询价格（如"镍价"）
• 搜索产品（如"搜索TC4"）
• 推荐材料（如"散热材料"）
• 介绍平台（如"会员对比"）
试试输入"帮助"查看更多功能！
金属3D打印粉末专利数据库
技术专利分析，助力材料研发与创新
按材料体系搜索
按制备工艺搜索
筛选条件
13586
专利总数
金属3D打印粉末相关6472
主要申请人
企业/机构/个人2026
最新数据
持续更新中专利搜索结果 关键词: "先导"
排序:
一种氧化锡锌陶瓷靶材及其制备方法
发明专利申请公布专利号: CN118930249A
申请人: 先导薄膜材料（广东）有限公司
发明人: 顾德盛; 张兴宇; 罗斯诗; 李开杰; 王奇峰
申请日期: 2024-08-14
公开日期: 2024-11-12
IPC分类:
C23C14/08
摘要:
本发明属于半导体靶材技术领域，公开了一种氧化锡锌陶瓷靶材的制备方法，包含如下步骤：先将二氧化锡粉末、氧化锌粉末混合后，加入纯水、分散剂、粘结剂再混合、搅拌，研磨，得到混合浆料；再将混合浆料经喷雾干燥、均质后，得到氧化锡锌粉末；然后将氧化锡锌粉末进行模压、冷等静压成型，得到氧化锡锌靶坯；将氧化锡锌靶坯进行高温烧结后，得到氧化锡锌靶材；最后将氧化锡锌靶材装入模具，封口、脱气、热等静压处理，去除模具后得到氧化锡锌陶瓷靶材；此外，本申请还公开了一种氧化锡锌陶瓷靶材，通过上述制备方法制得。
主权项:
1.一种氧化锡锌陶瓷靶材的制备方法，其特征在于，所述制备方法包含如下步骤：步骤1：将二氧化锡粉末、氧化锌粉末混合后，加入纯水、分散剂、粘结剂混合、搅拌，研磨，得到混合浆料；步骤2：将混合浆料经喷雾干燥、均质后，得到氧化锡锌粉末；步骤3：将氧化锡锌粉末进行模压、冷等静压成型，得到氧化锡锌靶坯；步骤4：将氧化锡锌靶坯进行高温烧结后，得到氧化锡锌靶材；步骤5：将氧化锡锌靶材装入模具，封口、脱气、热等静压处理，去除模具后得到氧化锡锌陶瓷靶材；其中，所述步骤1中二氧化锡粉末与氧化锌粉末的质量比为90～95：5～10；所述步骤2中氧化锡锌粉末的粒径D50为0.5～2μm。
一种银铅合金粉体及其制备方法
实质审查的生效专利号: CN118268578A
申请人: 先导薄膜材料（广东）有限公司
发明人: 张绍桢;沈文兴;白平平;肖翀
申请日期: 2024-03-15
公开日期: 2024-07-02
IPC分类:
C22C5/06
摘要:
本申请属于合金粉体制备技术领域，公开了一种银铅合金粉体的制备方法，该方法先将质量比为0.8～1.2：0.8～1.2的银锭和铅锭置于熔炼室内熔化，得到银铅混合液，再将银铅混合液转移至雾化室并在惰性气体或氮气的气氛下雾化制粉、冷却，得到中间粉体，最后将中间粉体过筛、均质，得到银铅合金粉体，通过上述方法制得的银铅合金粉末一方面由于通过雾化制粉获得，具有晶粒细化、组分均匀和固溶度高的特点，同时通过对喷嘴孔径、雾化压力的优化，进一步提升了银铅合金粉末的球形率和粒径分布均匀程度，此外，本申请公开了一种银铅合金粉体。
主权项:
1.一种银铅合金粉体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：将质量比为0.8～1.2：0.8～1.2的银锭和铅锭置于熔炼室内熔化，得到银铅混合液；步骤2：将步骤1制得的银铅混合液转移至雾化室并在惰性气体或氮气的气氛下雾化制粉、冷却，得到中间粉体，且在雾化制粉过程中，雾化压力为30～40Bar，喷嘴孔径为1.5mm～3.5mm；步骤3：将步骤2制得的中间粉体过筛、均质，得到银铅合金粉体。
一种大尺寸平面靶冷等静压的方法
实质审查的生效专利号: CN117774420A
申请人: 先导薄膜材料（广东）有限公司
发明人: 李叶;李帅;蔡常基;余芳;李明鸿
申请日期: 2023-12-11
公开日期: 2024-03-29
IPC分类:
B30B9/00
摘要:
本发明涉及ITO平面靶成型技术领域，公开了一种大尺寸平面靶冷等静压的方法，将靶坯、PE板交替堆叠并压紧，使靶坯两侧面均与PE板贴合，进行冷等静压加工；PE板的洛氏硬度为30～60。本发明通过对PE板的硬度进行选择，能够在冷等静压时，缓冲靶材与靶材之间的作用力，避免因为PE板的硬度太低或太高所导致的靶材变形、靶材开裂的问题。
主权项:
1.一种大尺寸平面靶冷等静压的方法，其特征在于，将靶坯、PE板交替堆叠并压紧，使靶坯两侧面均与PE板贴合，进行冷等静压加工；所述PE板的洛氏硬度为30～60。
一种混合离子导体材料及制备方法和应用
发明专利权授予专利号: CN117105197A
申请人: 溧阳天目先导电池材料科技有限公司
发明人: 王朔;张子健;刘柏男;陆浩;褚赓;罗飞
申请日期: 2023-10-25
公开日期: 2024-01-12
IPC分类:
H01M10/0567
摘要:
本发明公开了一种混合离子导体材料及制备方法和应用,混合离子导体材料的化学通式为L<subgt;1+x+y</subgt;M<subgt;x</subgt;N<subgt;2?x</subgt;R<subgt;x</subgt;(ZO<subgt;4</subgt;)<subgt;3</subgt;，其中0≤x≤3，6.5＜y≤36，且6.5＜y/(1+x)≤9；混合离子导体材料通过在制备过程中添加碱金属物质与原料发生反应获得；碱金属物质包括：含有离子Li<supgt;+</supgt;、Na<supgt;+</supgt;、K<supgt;+</supgt;、Rb<supgt;+</supgt;或Cs<supgt;+</supgt;的化合物中的一种或多种；将混合离子导体材料应用于二次电池中，第一次循环的交点位于0.4V?0.6V，第二圈循环的交点位于0.6V?0.8V，副反应比容量为50mAh/g?200mAh/g，明显降低电化学反应平台电位减少了副反应比容量，提高了电池的能量密度。
主权项:
1.一种混合离子导体材料，其特征在于，所述混合离子导体材料的化学通式为L1+x+yMxN2-xRx(ZO4)3，其中0≤x≤3，6.5＜y≤36，且6.5＜y/(1+x)≤9；L元素的离子包括：Li+、Na+、K+、Rb+、Cs+、H+、H3O+、NH4+、Mg2+、Ca2+、Sr2+、Ba2+、Cu+、Cu2+、Ag+、Pb2+、Cd2+、Mn2+、Co2+、Ni2+、Zn2+、Al3+、Ln3+、Zr4+、Ge4+、Hf 4+中的一种或多种；M元素的离子包括：Cd2+、Mn2+、Co2+、Ni2+、Zn2+、Fe3+、Sc3+、Ti3+、V3+、Cr3+、Al3+、In3+、Ga3+、Y3+、Ln3+、Sn4+、Si4+、Ti4+、Zr4+、Ge4+、Hf 4+、V5+、Nb5+、Ta5+、Sb5+、As5+中的一种或多种；N元素的离子包括：Cd2+、Mn2+、Co2+、Ni2+、Zn2+、Fe3+、Sc3+、Ti3+、V3+、Cr3+、Al3+、In3+、Ga3+、Y3+、Ln3+、Sn4+、Si4+、Ti4+、Zr4+、Ge4+、Hf 4+、V5+、Nb5+、Ta5+、Sb5+、As5+中的一种或多种；Z元素包括：B、P、S、Si、Ge、As、Sb、Po、Te中的一种或多种；R元素包括: La、Ce、Pr、Nd、Y中的一种或多种；所述混合离子导体材料通过在制备过程中添加碱金属物质与原料发生反应获得；所述碱金属物质包括：含有离子Li+、Na+、K+、Rb+或Cs+的化合物中的一种或多种；所述原料为所述含L元素的离子、含M元素的离子、含N元素的离子、含R元素的离子、含Z元素的离子的材料组成；所述混合离子导体材料在室温下的离子传导率大于等于3×10-3S/cm，电子电导率大于等于10-2S/cm；所述混合离子导体材料用于二次电池中；所述二次电池在第一次循环的交点位于0.4V-0.6V，第二圈循环的交点位于0.6V-0.8V，所述二次电池的副反应比容量为50mAh/g-200mAh/g。
一种冷等静压机的物料承载装置
实用新型专利权授予专利号: CN221165557U
申请人: 先导薄膜材料（安徽）有限公司
发明人: 高建成; 何龙伟; 张莉兰; 汪强; 钟小华
申请日期: 2023-09-15
公开日期: 2024-06-18
IPC分类:
B66C1/10
摘要:
本实用新型公开了一种冷等静压机的物料承载装置，包括承载架、背板架和限位机构，承载架的顶端设置有吊钩组件，背板架设置在承载架的两侧，背板架的顶部转动连接承载架，限位机构自上至下间隔设置在背板架上，通过限位机构将多个平面靶材堆叠紧压在背板架上。平面靶材物料装载过程中，多个平面靶材依次堆叠在背板架上，通过在承载架两侧设置背板架，背板架和承载架组成的主体架强度高，满足承载抗变形安全性需求，两侧背板架可以提升承载平面靶材物料装载量，大装载量的平面靶材物料吊运至C I P高压缸内时，可以提升高压缸内部空间物料利用率，以满足平面靶坯成型承载装置对承载量、操作简捷性、吊装方便性、安全性的需求。
主权项:
1.一种冷等静压机的物料承载装置，其特征在于，包括：承载架(1)，所述承载架(1)的顶端设置有吊钩组件(10)；背板架(2)，设置在所述承载架(1)的两侧，所述背板架(2)的顶部转动连接所述承载架(1)；限位机构，自上至下间隔设置在所述背板架(2)上，通过所述限位机构将多个平面靶材(3)堆叠紧压在所述背板架(2)上。
一种锌镉氧靶材及其制备方法
实质审查的生效专利号: CN117185799A
申请人: 先导薄膜材料（广东）有限公司
发明人: 文崇斌;朱刘;童培云
申请日期: 2023-09-11
公开日期: 2023-12-08
IPC分类:
C23C14/08
摘要:
本申请属于靶材生产技术领域，公开了一种锌镉氧靶材的制备方法，该方法通过一次混料、一次烧结、二次混料、热等静压的制备方式，得到了一种相对密度良好的锌镉氧靶材，并且，该方法通过在一次烧结过程中进行补氧烧结，一定程度抵消了热等静压过程中石墨模具提供的还原气氛所消耗的氧气，使得在锌镉氧靶材的制备过程中，氧含量更加容易控制，此外，本申请还公开了一种锌镉氧靶材。
主权项:
1.一种锌镉氧靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：将氧化锌粉末、氧化镉粉末按90～99.9：0.1～10的质量比混合，得到一次混合粉末；步骤2：将步骤1制得的混合粉末置于管式气氛炉中烧结，得到烧结块体；其中，烧结过程中通入氧气，氧气的流量为5～10L/min，烧结过程的升温速率为10～15℃/min，烧结温度为900～1000℃；步骤3：将步骤2的烧结块体破碎、过筛，得到二次混合粉末；步骤4：将二次混合粉末真空热压2.5～4h，随后冷却、脱模、机加工，得到锌镉氧靶材。
一种氧化锌钛钇粉体、靶材及粉体、靶材的制备方法
实质审查的生效专利号: CN117185798A
申请人: 先导薄膜材料（广东）有限公司
发明人: 顾德盛;邵学亮;李开杰;张兴宇;罗斯诗
申请日期: 2023-09-11
公开日期: 2023-12-08
IPC分类:
C23C14/08
摘要:
本发明属于氧化物靶材技术领域，公开了一种氧化锌钛钇粉体、靶材及粉体、靶材的制备方法，该制备方法包括如下步骤：步骤1：将氧化钇粉末、氧化钛粉末、纯水和第一分散剂经过混合、预分散后进行湿法研磨得到浆料一；步骤2：向浆料一中加入氧化锌粉末、纯水和第二分散剂经过混合、预分散后进行湿法研磨得到浆料二；步骤3：向浆料二中加入粘结剂经过混合、预分散后进行湿法研磨得到浆料三；步骤4：将浆料三依次进行气水联合雾化造粒、混料和筛分，得到氧化锌钛钇粉体；其中所述步骤4中气水联合雾化造粒的气雾化的气压为0.6?0.8MPa，气体喷射方向与竖直向下方向的夹角为30?50°；水雾化的水压为50?150MPa，水的喷射方向与竖直向下方向的夹角为30?50°。
主权项:
1.一种氧化锌钛钇粉体的制备方法，其特征在于，具体包括如下步骤：步骤1：将氧化钇粉末、氧化钛粉末、纯水和第一分散剂经过混合、预分散后进行湿法研磨得到浆料一；步骤2：向浆料一中加入氧化锌粉末、纯水和第二分散剂经过混合、预分散后进行湿法研磨得到浆料二；步骤3：向浆料二中加入粘结剂经过混合、预分散后进行湿法研磨得到浆料三；步骤4：将浆料三依次进行气水联合雾化造粒、混料和筛分，得到氧化锌钛钇粉体；其中所述步骤4中气水联合雾化造粒的气雾化的气压为0.6-0.8MPa，气体喷射方向与竖直向下方向的夹角为30-50°；水雾化的水压为50-150MPa，水的喷射方向与竖直向下方向的夹角为30-50°。
一种NiCr合金靶材的制备方法
实质审查的生效专利号: CN117070904A
申请人: 先导薄膜材料（安徽）有限公司
发明人: 朱庆全;刘联平;陆维镇;欧海琳;马国成
申请日期: 2023-09-11
公开日期: 2023-11-17
IPC分类:
B22F9/04
摘要:
本发明公开了一种NiCr合金靶材的制备方法，属于粉末冶金技术领域，本发明的制备方法：S1按重量百分比计，N i粉用量为38?42wt％，Cr粉用量为58?62wt％；S2锆球与原料重量比为1:6投入混粉桶中充入氩气后在球磨机上进行混粉；S3将N i Cr合金粉装模完成后进炉预压，预压至5?8MPa后保压5?10m i n后泄压；抽真空至10Pa以下，共经历三段升温至1150?1200℃后，保温匀速加压至30?40MPa,烧结后即得N i Cr合金靶坯，磨床加工得到尺寸合适的N i Cr合金靶材。本发明所制备的N i Cr合金靶材氧含量低，相对密度高，晶粒粒度均匀，有效保证溅射膜的质量。
主权项:
1.一种NiCr合金靶材的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、原料配制：按重量百分比计，Ni粉用量为38-42wt％，Cr粉用量为58-62wt％；S2、球磨混粉：锆球与原料在氩气氛围下球磨得到NiCr合金粉，混粉期间每30min取下混粉桶上下摇晃2-3min；S3、热压烧结：NiCr合金粉装模后进炉预压，预压至5-8MPa后保压5-10min后泄压；抽真空至10Pa以下，一段升温至580-650℃，二段升温至1020-1060℃，三段升温至1150-1200℃，保温匀速加压至30-40MPa,烧结90-140min后得到靶坯，磨床加工后即得NiCr合金靶材。
一种铋碲硒合金靶材的制备方法
实质审查的生效专利号: CN116516304A
申请人: 先导薄膜材料（广东）有限公司
发明人: 苏紫珊;蔡新志;熊平尚;童培云;朱刘
申请日期: 2023-04-24
公开日期: 2023-08-01
IPC分类:
C23C14/06
摘要:
本申请公开了一种铋碲硒合金靶材的制备方法，属于靶材制备技术领域。该方法包括以下步骤：将原料Bi、原料Te和原料Se按Bi<subgt;2</subgt;Te<subgt;3?x</subgt;Se<subgt;x</subgt;，x＝0.15?0.5配料进行熔炼，所得铋碲硒合金锭进行气雾化，得到平均粒径小于45μm的铋碲硒合金粉体；将铋碲硒合金粉体进行分步热压烧结，得到铋碲硒合金靶材；第一次热压烧结的条件包括：烧结温度为180?360℃，烧结压力为15?20MPa；第二次热压烧结的条件包括：烧结温度为320?360℃，烧结压力为12?15MPa。本申请通过分步烧结，并且控制分步烧结的参数，以获得晶粒尺寸小且均匀，致密度和纯度高的铋碲硒合金靶材，本发明的方法简单，适合大规模工业化生产。
主权项:
1.一种铋碲硒合金靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：制备铋碲硒合金粉体：将原料Bi、原料Te和原料Se按Bi2Te3-xSex，x＝0.15-0.5配料进行熔炼，所得铋碲硒合金锭进行气雾化，得到平均粒径小于45μm的铋碲硒合金粉体；制备铋碲硒合金靶材：将铋碲硒合金粉体进行分步热压烧结，得到铋碲硒合金靶材；第一次热压烧结的条件包括：烧结温度为180-360℃，烧结压力为15-20MPa；第二次热压烧结的条件包括：烧结温度为320-360℃，烧结压力为12-15MPa。
一种基于PM流量控制器的内反馈静压油膜厚度控制方法
实质审查的生效专利号: CN116237780A
申请人: 北京工业大学
发明人: 刘志峰;苏哲;杨聪彬;程艳红;张涛
申请日期: 2023-03-12
公开日期: 2023-06-09
IPC分类:
B23Q1/00
摘要:
本发明公开了一种基于PM流量控制器的内反馈静压油膜厚度控制方法，构成该方法的装置包括：第一油箱、第二油箱、粗滤油器、油泵、伺服电机、精滤油器、单向阀、先导型电磁溢流阀、PM流量控制器、导轨、第一节流器、第二节流器、上静压油垫、径向静压油垫、下静压油垫和静压工作台；利用PM流量控制器的优势，实现当负载增大时，油腔压力随之增大，流量通过控制也增大；反之，当负载减小时，油腔压力随之减小，流量也减小。PM流量控制器对流量的调节仅仅是依靠压差来使金属薄膜产生相应的变形来进行控制，不需要外部能量输入或电子控制，能够保证油膜在静压系统工作情况下能够长时间保持恒定，且工作稳定可靠，确保静压转台高效稳定长时间运行。
主权项:
1.一种基于PM流量控制器的内反馈静压油膜厚度控制装置，其特征在于：包括：第一油箱、第二油箱、粗滤油器、油泵、伺服电机、精滤油器、单向阀、先导型电磁溢流阀、PM流量控制器、导轨、上静压油垫、径向静压油垫、下静压油垫和静压工作台；PM流量控制器的结构包括：本体、毛细沟槽、节流口、薄膜、稳压腔室和节流台；PM流量控制器包括第一PM流量控制器和第二PM流量控制器；所述导轨安装于静压转台中间位置，导轨右侧通过转台底座支承实现稳定，导轨左侧上方安装上静压油垫、下方安装下静压油垫，径向安装径向静压油垫，三个油垫通过供油实现对静压工作台的静压支承；所述第一油箱中由伺服电机控制油泵经过粗滤油器抽出液压油，油液经精滤油器、先导型电磁溢流阀、单向阀到达分油口；经分油口分为两路，分别流经第一PM流量控制器和第二PM流量控制器；所述先导型电磁溢流阀与第二油箱连接；流入第一PM流量控制器和第二PM流量控制器的液压油，到达本体底部的进油口后分为两股油流，其中一股流经由本体侧面的毛细沟槽及节流口后进入薄膜上方的调压室，另外一股油由本体内部的两个环状矩形沟槽后又分为两部分，其中一部分经由轴向孔进入薄膜下方的稳压腔室，再经环状节流台后从出油口流出，另一部分再经由两个环状毛细沟槽后，与前述的通过环状节流台那部分油流会合一起从出口处流出。
冷等静压模具
实质审查的生效专利号: CN116214679A
申请人: 先导薄膜材料（广东）有限公司
发明人: 高日旭;李帅;刘文杰;余芳;李明鸿;李叶
申请日期: 2023-01-04
公开日期: 2023-06-06
IPC分类:
B28B7/00
摘要:
本发明涉及靶材成型技术领域，特别是涉及一种冷等静压模具。包括成型单元、模具帽和模具轴，成型单元开设有开孔和具有开口的容纳腔，开孔和容纳腔相对封闭设置，模具轴的上下两端分别通过模垫限位于容纳腔，模具轴、模垫和成型单元围成模具腔，模具帽密封开口，且与成型单元可拆卸连接。其有益效果在于：模具轴的上下两端分别通过模垫限位于容纳腔，可以帮助稳定模具轴在容纳腔内的姿态，避免防止靶胚成型后偏心；成型单元开设有与容纳腔相对封闭设置的开孔，便于液压油顺利进入，可提高做冷等静压工艺时原料的受力均匀性，使冷等静压工艺处理后靶材密度分布均匀，且有利于本发明在烧结时各方向收缩均匀。
主权项:
1.一种冷等静压模具，其特征在于，包括成型单元、模具帽和模具轴，所述成型单元开设有开孔和具有开口的容纳腔，所述开孔和所述容纳腔相对封闭设置，所述模具轴的上下两端分别通过模垫限位于所述容纳腔，所述模具轴、所述模垫和所述成型单元围成模具腔，所述模具帽密封所述开口，且与所述成型单元可拆卸连接。
铍铜和工具钢的扩散焊接方法
专利申请权、专利权的转移专利号: CN115815773A
申请人: 先导薄膜材料有限公司
发明人: 张壮壮;马国成;欧海玲;徐铸;童培云
申请日期: 2022-12-15
公开日期: 2023-03-21
IPC分类:
B23K20/26
摘要:
本发明属于及金属材料的连接技术领域，公开了一种铍铜和工具钢的扩散焊接方法。包括以下步骤：（1）将铍铜和工具钢焊接面打磨抛光平整，然后洗净；（2）将铍铜和工具钢装入包套中进行装配；（3）将装配好的包套送入真空脱气炉，温度设置为300~350℃，在此过程中对包套进行抽真空，至真空度达到1×10?3pa；（4）将脱完气的包套装入热等静压设备中，然后进行热等静压，保护性气体作为压力介质，热压温度为600~650℃，压力为100~130Mpa，保温保压时间2~4h；（5）热等静压完成后随炉降温，然后出炉，将包套割开，得到铍铜?工具钢扩散焊接成品。本发明制得的铍铜?工具钢扩散焊接成品得焊接面结合率较高，并具备很好的抗拉强度。
主权项:
1.一种铍铜和工具钢的扩散焊接方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）将铍铜和工具钢焊接面打磨抛光平整，然后洗净；（2）将铍铜和工具钢装入包套中进行装配；（3）将装配好的包套送入真空脱气炉，温度设置为300~350℃，在此过程中对包套进行抽真空；（4）将脱完气的包套装入热等静压设备中，然后进行热等静压，保护性气体作为压力介质，热压温度为600~650℃，压力为100~130Mpa，保温保压时间2~4h；（5）热等静压完成后随炉降温，然后出炉，将包套割开，得到铍铜-工具钢扩散焊接成品。
用于热等静压设备铜电极脱出的夹具
实用新型专利权授予专利号: CN219767956U
申请人: 先导薄膜材料（安徽）有限公司
发明人: 徐铸; 马国成; 童培云; 朱刘
申请日期: 2022-12-12
公开日期: 2023-09-29
IPC分类:
B25B11/00
摘要:
本实用新型属于工装夹具设计领域，公开了一种用于热等静压设备铜电极脱出的夹具。包括提拉结构、动力元件和支撑结构，所述支撑结构包括底座和支撑件，所述支撑件用于支撑所述底座；所述提拉结构包括连接件、导向件和顶板，所述顶板和所述连接件分别设置在所述导向件的上下两端，所述连接件与电极可拆卸连接，所述导向件用于引导所述连接件上下移动；所述动力元件通过推动所述顶板带动所述连接件相对所述底座上下移动。本实用新型的夹具结构简单，在脱出铜电极时不必人工拔取，也不会造成中心偏离导致电极损伤的情况，既减少了人力，也增加了电极的使用寿命。
主权项:
1.一种用于热等静压设备铜电极脱出的夹具，其特征在于，包括提拉结构（1）、动力元件（2）和支撑结构（3），所述支撑结构（3）包括底座（31）和支撑件（32），所述支撑件（32）用于支撑所述底座（31）；所述提拉结构（1）包括连接件（11）、导向件（12）和顶板（13），所述顶板（13）和所述连接件（11）分别设置在所述导向件（12）的上下两端，所述连接件（11）与电极可拆卸连接，所述导向件（12）用于引导所述连接件（11）上下移动；所述动力元件（2）通过推动所述顶板（13）带动所述连接件（11）相对所述底座（31）上下移动。
一种半导体用GaSb靶材的制备方法
发明专利权授予专利号: CN114657400A
申请人: 先导薄膜材料（广东）有限公司
发明人: 沈文兴;白平平;谢小豪;童培云
申请日期: 2022-03-01
公开日期: 2023-02-17
IPC分类:
B22F9/04
摘要:
一种半导体用GaSb靶材的制备方法。本发明提供锑化镓靶材的制备方法，包括：以高纯Ga和Sb颗粒为原料，于手套箱中装入石英管内，石英管抽真空后进行焊接密封；将石英管放入摇摆炉进行熔炼，在合金熔点以上将石英管取出急冷得锑化镓合金锭；将锑化镓合金锭破碎成合金颗粒，将合金颗粒和锆球装入充有保护气体的球磨罐中，向球磨罐中充入保护气体、密封后，进行球磨制粉得到锑化镓合金粉；将锑化镓合金粉进行预压得到锑化镓合金坯体，再经真空热压烧结得到合金毛坯，经加工后得到锑化镓合金靶材。所制备的靶材致密度高、纯度高、成分均匀性好、氧含量低，能很好地满足需求，克服了现有方法制备锑化镓靶材存在的难以破碎所需粉体、制备的材料中容易产生杂相、出现游离物等问题。
主权项:
1.一种半导体用GaSb靶材的制备方法，其特征在于，包括：S1、采用高纯Ga颗粒、Sb颗粒为原料，将原料于手套箱中装入石英管内，并将石英管抽真空后进行焊接密封；S2、将焊接好的石英管放入摇摆炉中，固定好后进行熔炼，熔炼完成后，在合金熔点以上将石英管取出后进行急冷，得到GaSb合金锭；S3、取出GaSb合金锭，经洁净处理后，将GaSb合金锭破碎成合金颗粒，然后将合金颗粒和锆球装入充有保护气体的球磨罐中，再向球磨罐中充入保护气体、密封后，进行球磨制粉，经筛粉得到所需粒径的GaSb合金粉；S4、将GaSb合金粉放入模具中，进行预压，得到锑化镓合金坯体，再进行真空热压烧结，得到锑化镓合金毛坯，经研磨和加工后得到锑化镓合金靶材。
一种镍基合金靶材的制备方法
发明专利权授予专利号: CN114293159A
申请人: 先导薄膜材料（广东）有限公司
发明人: 王兰; 黄宇彬; 童培云; 朱刘
申请日期: 2021-12-15
公开日期: 2022-04-08
IPC分类:
C22C19/05
摘要:
本发明公开了一种镍基合金靶材的制备方法，属于金属靶材制备领域。该方法包括以下步骤：首先将铝和钇一同置于真空熔炼炉内的坩埚里，进行熔炼得到铝钇中间合金熔液，然后浇铸到模具中得到铝钇中间合金；其次将铝钇中间合金、镍、铬、硅与硼一同置于真空熔炼炉内的坩埚里，进行熔炼得到镍铬铝钇硅硼熔液，然后浇铸到模具中得到镍基六元合金实心圆锭坯；最后将镍基六元合金实心圆锭坯依次进行热等静压处理、热挤压处理、退火、校直冷却、机加工后，得到镍铬铝钇硅硼管靶。该方法大幅度提高了镍基合金的致密度，细化晶粒，克服了高、低熔点物的偏析问题，同时有效地降低了氧含量，缩孔，气孔等问题。
主权项:
1.一种镍基合金靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将铝和钇一同置于真空熔炼炉内的坩埚里，进行熔炼得到铝钇中间合金熔液，然后浇铸到模具中得到铝钇中间合金；(2)将铝钇中间合金、镍、铬、硅与硼一同置于真空熔炼炉内的坩埚里，进行熔炼得到镍铬铝钇硅硼熔液，然后浇铸到模具中得到镍基六元合金实心圆锭坯；(3)将步骤(2)所得镍基六元合金实心圆锭坯置于热等静压炉中进行热等静压处理；(4)将步骤(3)所得镍基六元合金实心圆锭坯进行热挤压处理，得到镍铬铝钇硅硼管坯；(5)将步骤(4)所得镍铬铝钇硅硼管坯依次进行退火、校直冷却、机加工后，得到镍铬铝钇硅硼管靶。
一种高温还原ITO废靶制备铟锡合金的方法
专利申请权、专利权的转移专利号: CN114231743A
申请人: 广东先导稀材股份有限公司
发明人: 刘鸿飞;李继;洪明浩;殷亮;朱刘
申请日期: 2021-11-11
公开日期: 2022-10-21
IPC分类:
C22B7/00
摘要:
本发明公开了一种高温还原ITO废靶制备铟锡合金的方法，通过将块状ITO废靶进行破碎成颗粒，再将ITO废靶颗粒、还原剂和特定的造渣剂混合均匀，然后投入电弧炉中，进行还原熔炼，ITO废靶颗粒中的铟和锡进入合金液层，ITO废靶颗粒中的氧通过与还原剂反应脱除，杂质进入渣层；还原熔炼结束后，将炉内的铟锡合金和熔渣倒入铸锭模具中；待铸锭模具的温度降低后，捞出渣料，待冷却后获得铟锡合金和熔炼渣。本发明的方法不仅工艺简单、能耗低、生产成本低、生产效率高、而且在处理量达到吨级以上的水平的同时能够确保获得高的金属直收率，获得的铟锡合金纯度高，具有可观的工业应用前景。
主权项:
1.一种高温还原ITO废靶制备铟锡合金的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、将块状ITO废靶进行破碎，得到ITO废靶颗粒；S2、将ITO废靶颗粒、还原剂和造渣剂混合均匀，然后投入电弧炉中，进行还原熔炼，ITO废靶颗粒中的铟和锡进入合金液层，ITO废靶颗粒中的氧通过与还原剂反应脱除；所述造渣剂由石英砂、石灰和氧化铝组成；所述造渣剂中，石英砂、石灰和氧化铝的重量比为45～60∶25～40∶15～20；S3、还原熔炼结束后，将炉内的铟锡合金和熔渣倒入铸锭模具中；S4、待铸锭模具的温度降低后，捞出熔炼渣，待冷却后获得铟锡合金。
一种P型热电材料GeSi靶材及其制备方法
发明专利权授予专利号: CN113897503A
申请人: 先导薄膜材料（广东）有限公司
发明人: 沈文兴;白平平;童培云
申请日期: 2021-09-15
公开日期: 2022-10-04
IPC分类:
B22F9/04
摘要:
本发明公开了一种P型热电材料GeSi靶材及其制备方法，涉及合金靶材技术领域，所述制备方法包括如下步骤：(1)将锗颗粒、硅颗粒放入磁悬浮感应熔炼炉中加热至熔化，保温，水冷，得到锗硅合金锭；(2)破碎锗硅合金锭，球磨，得到锗硅合金粉，加入硼粉，所述硼粉占锗硅合金粉的质量分数为0.3～1.5％，均质，得到掺硼锗硅合金粉；(3)将掺硼锗硅合金粉放入模具中，在真空热压炉中预压以排除模具中的空气，得到掺硼锗硅合金坯体；关闭炉门，抽真空，升温至1300～1400℃后保温，保温30～60min后加压，压力为30～35MPa，保温保压60～90min，降压，冷却，得到所述GeSi靶材。由本发明所述方法制备的GeSi靶材的相对密度均可达到98％以上，氧含量低于500ppm，电阻率小于0.001Ω·cm，组分均匀。
主权项:
1.一种P型热电材料GeSi靶材的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)将锗颗粒、硅颗粒放入磁悬浮感应熔炼炉中加热至熔化，保温，水冷，得到锗硅合金锭；(2)破碎锗硅合金锭，球磨，得到锗硅合金粉，加入硼粉，所述硼粉占锗硅合金粉的质量分数为0.3～1.5％，均质，得到掺硼锗硅合金粉；(3)将掺硼锗硅合金粉放入模具中，在真空热压炉中预压以排除模具中的空气，得到掺硼锗硅合金坯体；关闭炉门，抽真空，升温至1300～1400℃后保温，保温30～60min后加压，压力为30～35MPa，保温保压60～90min，降压，冷却，得到所述GeSi靶材。
一种含有金属元素梯度掺杂的负极材料及其应用
发明专利权授予专利号: CN112271277A
申请人: 溧阳天目先导电池材料科技有限公司
发明人: 殷营营;刘柏男;罗飞;李泓
申请日期: 2020-09-27
公开日期: 2023-07-18
IPC分类:
H01M4/36
摘要:
本发明涉及一种含有金属元素梯度掺杂的负极材料及其应用，其中，负极材料包括具有金属元素M梯度掺杂的颗粒状氧化亚硅/M复合材料；所述氧化亚硅的通式为SiOx，其中0<x<2；所述金属元素M包括Na、Mg、Al、Li、Mn、Fe、Co、Ni、Cu或Zn中的一种或几种；所述负极材料中，金属元素M的含量从表面到核心逐渐减少，呈连续浓度梯度的掺杂分布；所述氧化亚硅/M复合材料的化学通式为SiMyOz，其中0<y<10，0<z<10。
主权项:
1.一种含有金属元素梯度掺杂的负极材料，其特征在于，所述负极材料包括具有金属元素M梯度掺杂的颗粒状氧化亚硅/M复合材料；所述氧化亚硅的通式为SiOx，其中0<x<2；所述金属元素M包括Na、Mg、Al、Li、Mn、Fe、Co、Ni、Cu或Zn中的一种或几种；所述负极材料中，金属元素M的含量从表面到核心逐渐减少，呈连续浓度梯度的掺杂分布；所述氧化亚硅/M复合材料的化学通式为SiMyOz，其中0<y<10，0<z<10。
锗锑碲粉体、靶材的制备方法
发明专利申请公布后的视为撤回专利号: CN110342473A
申请人: 先导薄膜材料（广东）有限公司
发明人: 沈文兴; 白平平; 朱刘; 童培云; 肖翀
申请日期: 2019-07-23
公开日期: 2019-10-18
IPC分类:
C01B19/00
摘要:
本发明涉及一种锗锑碲粉体的制备方法，其包括如下步骤：S1、二元合金合成；S2、粉碎制粉；S3、均质混料；S4、三元合金粉体合成。本发明同时提出一种锗锑碲靶材的制备方法。本发明提出一种锗锑碲合金、靶材的制备方法，所制备得到的锗锑碲合金的收率大于98%；所制备得到的靶材相对密度大于98%，靶材纯度为4N或以上，相对密度高、组分均匀、微观缺陷少。
主权项:
1.一种锗锑碲粉体的制备方法，其特征在于：其包括如下步骤：S1、二元合金合成：在保护气体保护作用下，取一定比例的Ge粉和Te粉、Sb粒和Te粉分别放入第一石英舟、第二石英舟内，将第一石英舟、第二石英舟分别放入管式炉中，采用阶梯升温保温方式进行加热，分别反应形成GeTe合金和Sb2Te3合金；S2、粉碎制粉：在保护气体保护作用下，将GeTe合金和Sb2Te3合金采用粉碎机破碎，得到GeTe和Sb2Te3合金粉体；S3、均质混料：按比例分别取S2所破碎得到的GeTe合金粉体和Sb2Te3合金粉体于PV桶中混合，再放入一定量的锆球于PV桶中，然后通入保护气体以排除PV桶中的空气，采用电工胶带密封PV桶，之后将PV桶放到球磨机上均质6~8h；S4、三元合金粉体合成：取S3中的均质粉体放入第三石英舟内，放入管式炉中采用阶梯升温保温方式进行加热，加热反应形成Ge2Sb2Te5合金，然后打粉、筛分得到Ge2Sb2Te5合金粉体。
金属粉末专利分析
材料体系分布
制备工艺分布
技术领域分布 (IPC分类)
💡 技术分类说明： 悬停在图表柱子上查看：
B22F10/28(3D打印) • B22F9/04(制粉) •
C23C24/10(涂层) • C22C19/05(镍合金) •
B33Y50/02(控制) • C22F1/18(热处理)