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空气静压电主轴的保护方法和装置、切割机
专利权的终止专利号: CN102476315A
申请人: 北京中电科电子装备有限公司
发明人: 贾月明;王明权;杨云龙;王兵锋;李战伟;常亮
申请日期: 2010-11-25
公开日期: 2015-11-25
IPC分类:
B23B19/02
摘要:
本发明公开了一种空气静压电主轴的保护装置和方法、切割机，该装置包括单向阀和气体容器，其中，单向阀设置于气体提供部与气体容器之间，其中，单向阀允许来自气体提供部的气体进入气体容器中，并且用于防止气体容器中的气体流向气体提供部；气体容器与空气静压电主轴的气路入口连通，用于将气体提供部经单向阀输入的气体提供给空气静压电主轴的气路入口。通过本发明，在气体提供部出现异常或气体泄漏等其他原因导致提供的气体气压过低、甚至供气停止的情况下，保护空气静压电主轴，同时能够避免工件被损坏，提高了工件加工过程的可靠性，降低了成本。
主权项:
1.一种空气静压电主轴的保护装置，用于对由气体提供部向空气静压电主轴提供的气流进行控制，其特征在于，所述保护装置包括单向阀和气体容器，其中，所述单向阀设置于所述气体提供部与所述气体容器之间，其中，所述单向阀允许来自所述气体提供部的气体进入所述气体容器中，并且用于防止所述气体容器中的气体流向所述气体提供部；所述气体容器与所述空气静压电主轴的气路入口连通，用于将所述气体提供部经所述单向阀输入的气体提供给空气静压电主轴的气路入口。
钕铁硼工件的机械镀的表面处理方法
发明专利权授予专利号: CN102477553A
申请人: 北京中科三环高技术股份有限公司;
发明人: 胡振辉;白晓刚;潘广麾
申请日期: 2010-11-25
公开日期: 2015-05-20
IPC分类:
C23C24/04
摘要:
本发明提供一种钕铁硼工件的干法机械镀的表面处理方法。所述干法机械镀的表面处理方法包括如下步骤：(1)采用常用脱脂剂对钕铁硼工件进行脱脂，再用自来水逆流冲洗，以除去钕铁硼工件表面的油污；(2)使用常用除锈剂对脱脂后的钕铁硼工件进行除锈；和(3)将除锈后的钕铁硼工件、柔性研磨料和合金粉的质量比为20-100∶25-50∶1-4投入到机械镀专用滚筒中，对钕铁硼工件进行机械镀。本发明的方法可以在室温下进行，具有能耗小、成本低、工艺简单、配方多样、操作方便、生产效率高、无氢脆现象、环境污染小等特点。
主权项:
1.一种钕铁硼工件的干法机械镀的表面处理方法，所述干法机械镀的表面处理方法包括如下步骤：(1)采用常用脱脂剂对钕铁硼工件进行脱脂，再用自来水逆流冲洗，以除去钕铁硼工件表面的油污；(2)使用常用除锈剂对脱脂后的钕铁硼工件进行除锈；和(3)将除锈后的钕铁硼工件、柔性研磨料和合金粉的质量比为20-100∶25-50∶1-4投入到机械镀专用滚筒中，对钕铁硼工件进行机械镀。
等离子处理装置
发明专利权授予专利号: CN102859664A
申请人: SPP科技股份有限公司
发明人: 林靖之;富阪贤一
申请日期: 2010-11-25
公开日期: 2015-03-11
IPC分类:
H01L21/3065
摘要:
本发明涉及一种可将覆盖基板的外周侧缘部上表面的保护构件高精度地定位的等离子处理装置。等离子处理装置（1）包括：处理腔室（11）；基台（21），载置基板（K）；气体供给装置（45），供给处理气体；等离子生成装置（50），将处理气体等离子化；高频电源（55），对基台（21）供给高频电力；环状且为板状的保护构件（31），形成为环状且为板状，构成为可载置在基台（21）的外周部，并且当载置在基台（21）的外周部时，利用内周侧缘部覆盖基板（K）的外周侧缘部上表面；支撑构件（35），支撑保护构件（31）；及升降气缸（30），使基台（21）升降。在保护构件（31）的下表面上形成设置在节圆上的至少3个第1突起（33），当保护构件（31）载置在基台（21）上时，所述第1突起（33）与基台（21）的外周部卡合，且该节圆的中心与保护构件（31）的中心轴在同一轴上。
主权项:
1.一种等离子处理装置，包括：处理腔室，具有闭塞空间；基台，配设在所述处理腔室内，载置基板，并且以与载置的基板相比外周部更向外侧突出的方式形成；吸附机构，吸附并固定载置在所述基台上的基板；气体供给机构，将处理气体供给至所述处理腔室内；等离子生成机构，将供给至所述处理腔室内的处理气体等离子化；排气机构，排出所述处理腔室内的气体，而对内部进行减压；及电力供给机构，对所述基台供给高频电力；其特征在于，该等离子处理装置包括：保护构件，形成为环状且为板状，且构成为可载置在所述基台的外周部，并且当载置在所述基台的外周部时，利用内周侧缘部，在与所述基台上的基板之间形成着间隙的状态下覆盖该基板的外周侧缘部上表面；支撑机构，配设在所述处理腔室内，且支撑所述保护构件；及升降机构，使所述基台及支撑机构中的其中之一升降，在该升降过程中，将由所述支撑机构支撑的保护构件载置在所述基台的外周部；且在所述保护构件的下表面，当该保护构件载置在所述基台上时与所述基台的外周部卡合的至少3个第1突起形成在第1节圆上，所述第1节圆的中心与所述保护构件的中心轴设定在同一轴上。
数控静压转台的精度检测装置及方法
专利申请权、专利权的转移专利号: CN102012204A
申请人: 南京工业大学;
发明人: 黄筱调;于春建;洪荣晶;方成刚
申请日期: 2010-11-24
公开日期: 2011-12-21
IPC分类:
G01B5/14
摘要:
一种数控静压转台的精度检测装置，包括主导轨恒流静压油腔的泄漏量检测装置，包括反向间隙及芯轴间隙检测装置、包括芯轴外圆与底座主导轨安装垂直度检测装置。一种数控静压转台的精度检测方法，a)包括检测主导轨恒流静压油腔的泄漏量的步骤；b)包括检测反向间隙的步骤；c)包括检测芯轴间隙的步骤；d)包括检测芯轴外圆与底座主导轨安装垂直度的步骤。本发明主要针对转台浮起量、反向间隙、芯轴间隙及垂直度等影响转台分度精度及重复定位精度的关键指标，提供检测装置和方法。本发明的转台精度测试方法简单可靠，装置操作方便，为转台精度测试和调整提供依据；本发明的精度测试装置及方法同样适合于其他转台和数控装备。
主权项:
1.一种数控静压转台的精度检测装置，其特征在于：包括主导轨恒流静压油腔的泄漏量检测装置，主导轨恒流静压油腔的泄漏量检测装置包括控制多头泵电机转速的变频器、控制主导轨恒流静压油腔进油量的多头泵；还包括反向间隙及芯轴间隙检测装置，反向间隙及芯轴间隙检测装置包括架设在于花盘边缘的圆周方向的第一百分表、用于监控蜗杆支架轴向跳动的第二百分表和用于监控蜗杆支架径向跳动的第三百分表；还包括芯轴外圆与底座主导轨安装垂直度检测装置，芯轴外圆与底座主导轨安装垂直度检测装置包括架设在主导轨上侧并与主导轨面接触的百分表，在立车刀架上架设的百分表支架，在百分表支架上架有2块水平设置并与芯轴圆柱表面接触的百分表。
医用CoCrMo合金表面离子氮化方法
发明专利申请公布后的视为撤回专利号: CN102031482A
申请人: 中国矿业大学
发明人: 张磊;王庆良;董建东;张绪平;孙彦敏
申请日期: 2010-11-24
公开日期: 2011-04-27
IPC分类:
C23C8/36
摘要:
一种医用CoCrMo合金表面离子氮化方法，首先对水砂纸打磨的CoCrMo(钴铬钼)合金表面后进行抛光，酒精和去离子水超声波清洗，烘干备用；其次用氩气对作为基体的CoCrMo(钴铬钼)合金进行清洗；最后利用离子氮化技术以纯NH3(氨气)作为气源，在CoCrMo(钴铬钼)合金表面形成一种氮化物陶瓷层。其氮化层成分由致密的纳米结构的Cr2N(氮化二铬)和CrN(氮化铬)化合物组成，在一定程度上提高了CoCrMo(钴铬钼)合金的表面硬度；氮化层深入到CoCrMo(钴铬钼)合金的晶界中，与基体形成交织的网状结构。本发明工艺简单，易于推广，可有效提高CoCrMo(钴铬钼)合金的抗磨损性能，减少毒性Co(钴)和Cr(铬)离子的释放及引起的失效问题，在生物医用等领域具有巨大的应用潜力。
主权项:
1.一种医用CoCrMo合金表面离子氮化方法，其特征是包括以下步骤：a、将医用CoCrMo（钴铬钼）合金表面先用不同型号的多种水砂纸依次打磨，然后通过机械抛光的方法降低CoCrMo（钴铬钼）合金的表面粗糙度至15nm以下；b、将抛光后的CoCrMo（钴铬钼）合金浸入酒精溶剂中超声波清洗，以除去合金表面污物，之后放入烘干炉中烘干；c、将干燥后的医用CoCrMo（钴铬钼）合金放入离子氮化炉的反应室中，对反应室进行抽真空，当反应室的气压低于0.1Pa时，向反应室中通入氩气，对医用CoCrMo（钴铬钼）合金进行溅射清洗，清洗在反应室升温的过程中同步进行，当升温达到预定的离子氮化温度后，停止溅射清洗；d、抽出反应室中的氩气，向反应室中通入NH3(氨气)，控制反应室气体压力、离子氮化温度、放电电压、电流密度，保温8~10小时后，炉冷至100℃出炉。
一种取代铜酸洗工艺的处理铜及铜合金表面的抛光液
发明专利申请公布后的视为撤回专利号: CN102051620A
申请人: 温州奥洋金属表面处理有限公司
发明人: 欧阳名化
申请日期: 2010-11-24
公开日期: 2011-05-11
IPC分类:
C23F3/04
摘要:
本发明涉及一种取代铜酸洗工艺的处理铜及铜合金表面的抛光液。该抛光液由下列组分组成：双氧水10～40%、有机光亮剂1-5%，双氧水稳定剂3-10%及余量的水，所述的各组分按体积百分比计。该抛光液不含有硫酸、铬酸、硝酸、盐酸，通过化学抛光将铜或其合金的表面进行平滑化，同时在进行化学抛光的表面给予充分的光泽。
主权项:
1.一种取代铜酸洗工艺的处理铜及铜合金表面的抛光液，其特征在于：该抛光液由下列组分组成：双氧水10～40%、有机光亮剂1-5%，双氧水稳定剂3-10%及余量的水，所述的各组分按体积百分比计。
一种大重型数控静压回转台
发明专利权授予专利号: CN102059558A
申请人: 南京工大数控科技有限公司
发明人: 黄筱调;洪荣晶;于春建;方成刚
申请日期: 2010-11-24
公开日期: 2013-02-13
IPC分类:
B23Q1/25
摘要:
本发明以恒流静压闭式导轨进行轴向卸荷和定位，以恒流对置油腔进行径向定位，以径向阻尼油缸进行锁紧并施加库仑摩擦阻尼，以双导程蜗轮蜗杆进行精密分度，以圆光栅构成全闭环控制系统；转台分度精度和重复定位精度高、承载大、刚性强，能够实现任意角度的精确定位并能承受强力切削载荷。本发明的大重型数控静压回转台主要包括6大部件：支撑部件、分度旋转部件、闭式导轨部件、蜗杆部件、圆光栅全闭环部件及径向锁紧部件。本发明的加工装配工艺能够有效提高静压转台的精度和生产效率，降低制造成本，满足国内大型高档数控机床产业化对大重型数控静压回转台的需求。
主权项:
1.一种大重型数控静压回转台，其特征在于包括支撑部件、闭式导轨部件、蜗杆部件、圆光栅全闭环部件和径向锁紧部件；所述支撑部件由底座（4）及芯轴（1）组成；分度旋转部件由花盘（3）、蜗轮毂（2）、蜗轮（6）及蜗轮压盖（7）组成；闭式导轨部件由反向预载导轨动圈（8）及定圈（9）组成；蜗杆部件由蜗杆（12）及蜗杆支架（11）组成；圆光栅全闭环部件由圆光环支架（14）、圆光环（15）、读数头（16）及读数头支架（17）组成；径向锁紧部件由径向锁紧油缸（5）、导向套（18）和阻尼铜块（19）组成。
等离子处理装置 電漿處理裝置
发明专利权授予专利号: CN102076162A;TW201143553A
申请人: 东京毅力科创株式会社;
发明人: 山泽阳平;松本直树;岩崎征英;奥西直彦;山澤陽平;松本直樹;奧西直彥
申请日期: 2010-11-24
公开日期: 2013-05-29
IPC分类:
H05H1/46
摘要:
本发明提供一种等离子处理装置。该装置对于从处理容器内的高频电极和其他电子构件进入到供电线、信号线等线路中来的高频噪声，能够将并联谐振频率任意错开地进行调整，从而能够高效且稳定可靠地阻断不同频率的高频噪声中的所有高频噪声。滤波器(102(1))在圆筒形的外导体(110)中，与该外导体(110)同轴地收容有线圈(104(1))，在线圈(104(1))与外导体(110)之间与该线圈(104(1))和外导体(110)同轴地设置有环状构件(122)。优选环状构件(122)是在与外导体(110)的轴线方向正交的平面上呈圆环状地延伸的板体，优选环状构件(122)由铜、铝等导体构成，且与外导体(110)电连接而与线圈(104(1))电绝缘。
主权项:
1.一种等离子处理装置，该装置将高频电源与配置在用于进行等离子处理的处理容器内的高频电极电连接，且在用于将加热电源和设置在上述高频电极的发热体电连接的供电线上设置有滤波器，该滤波器用于使经由上述发热体进入到该供电线中的规定频率的高频噪声衰减或阻止该高频噪声，上述滤波器包括：一个线圈，其构成上述供电线的一部分；筒形的外导体，其用于收容或包围上述线圈，且与上述线圈成对地形成特性阻抗固定的分布常数线路，上述分布常数线路利用与上述线圈的卷绕长度相对应的有规律的多个频率构成并联谐振，该多个并联谐振频率中的一个频率与上述高频噪声的频率一致或相近，由此对上述高频噪声的频率施加足够高的阻抗。
聚四氟乙烯或改性聚四氟乙烯烧结的热静压设备
发明专利申请公布后的驳回专利号: CN102476445A
申请人: 浙江中能防腐设备有限公司
发明人: 王仁和
申请日期: 2010-11-24
公开日期: 2012-05-30
IPC分类:
B29C51/10
摘要:
本发明公开了一种聚四氟乙烯或改性聚四氟乙烯烧结的热静压设备，包括压制工件的高压容器、承压框架、支承高压容器的支座、承压框架的行走机构和导轨，所述承压框架设置于框架座上，所述框架座与导轨滑动连接，所述高压容器设于支座上，所述高压容器包括筒体、上塞、下塞和隔热屏，所述上塞和下塞分别设于筒体的上端和下端，所述隔热屏设于筒体内，所述筒体内设有加热装置和冷却装置。
主权项:
1.聚四氟乙烯或改性聚四氟乙烯烧结的热静压设备，其特征在于，包括压制工件的高压容器、承压框架、支承高压容器的支座、承压框架的行走机构和导轨，所述承压框架设置于框架座上，所述框架座与行走机构连接，所述行走机构与导轨滑动连接，所述框架座与导轨滑动连接，所述高压容器设于支座上，所述高压容器包括筒体、上塞、下塞和隔热屏，所述上塞和下塞分别设于筒体的上端和下端，所述隔热屏设于筒体内，所述筒体内设有加热装置和冷却装置。
聚四氟乙烯粉末或改性聚四氟乙烯粉末冷等静压成型及热等静压烧结方法
发明专利申请公布后的驳回专利号: CN102476453A
申请人: 浙江中能防腐设备有限公司
发明人: 王仁和
申请日期: 2010-11-24
公开日期: 2012-05-30
IPC分类:
B29C43/18
摘要:
本发明为一种聚四氟乙烯粉末或改性聚四氟乙烯粉末冷等静压成型及热等静压烧结方法，包括如下步骤：a.将需要贴衬的金属或非金属放入模具，在需要贴衬的部位放置聚四氟乙烯粉末，或是改性聚四氟乙烯粉末；b.将步骤a得到的物体放入高压容器内密闭，注入高压液体至所需压力，得到一件致密的由聚四氟乙烯粉末或是改性聚四氟乙烯粉末紧贴于金属或非金属面制品，泄压开启压力容器取出制品，放置24h—48h，以消除冷等压产生的应力；c.把步骤b得到的制品放入热等静压烧结设备内，抽真空后以每小时一个定量的压力增压至需要的压力；d.以可控的速率加热至375℃，同时控制压力的稳定；e.可控的冷却速率冷却至35℃左右，同时控制压力的稳定；f.将烧结好的制品取出。
主权项:
1.聚四氟乙烯粉末或改性聚四氟乙烯粉末冷等静压成型及热等静压烧结方法，其特征在于，包括如下步骤：a.将需要贴衬的金属或非金属放入模具，在需要贴衬的部位放置聚四氟乙烯粉末，或是改性聚四氟乙烯粉末；b.将步骤a得到的物体放入高压容器内密闭，注入高压液体至所需压力，得到一件致密的由聚四氟乙烯粉末或是改性聚四氟乙烯粉末紧贴于金属或非金属面的制品，泄压开启压力容器取出制品，放置24h——48h，以消除冷等压产生的应力；c.把步骤b得到的制品放入热等静压烧结设备内，抽真空后以每小时一个定量的压力增压至需要的压力；d.以可以控制的速度加热至375℃，加热时间根据烧结制品的要求，同时控制压力的稳定；e.以可以控制的速度冷却至35℃左右，冷却时间根据烧结制品的要求，同时控制压力的稳定；f.将烧结好的制品取出。
对宏基因组16S高可变区V6进行测序聚类分析的方法
发明专利申请公布后的驳回专利号: CN102477460A
申请人: 深圳华大基因科技有限公司;
发明人: 刘晓;周宏伟;栗东芳
申请日期: 2010-11-24
公开日期: 2012-05-30
IPC分类:
C12Q1/68
摘要:
本发明公开一种对宏基因组16S高可变区V6进行测序聚类分析的方法，该方法包括：提取微生物DNA；通过引物对宏基因组16S rDNA的高可变区V6进行PCR，并为每个样品加上标签序列；把不同样品的PCR产物进行混合；对混合后的PCR产物进行Solexa建库法建库；使用Solexa测序工具对高可变区V6的文库进行双末端pair-end测序，得到原始的测序数据；对测序数据进行筛选，以过滤掉低质量的数据；利用重叠群的关系对高可变区V6的全长序列进行组装；通过标签序列把reads分配到对应的样品上；通过对reads进行分类分析，以实现使用高可变区的测序对微生物群体进行高通量和精准的分类。
主权项:
1.一种对宏基因组16S高可变区V6进行测序聚类分析的方法，其特征在于，所述方法包括：提取微生物的脱氧核糖核酸DNA；通过引物对宏基因组16S核糖体脱氧核糖核酸rDNA的高可变区V6进行聚合酶链式反应PCR，并为每个样品加上标签序列；把不同样品的PCR产物进行混合；对混合后的PCR产物进行Solexa建库法建库；使用Solexa测序工具对所述高可变区V6的文库进行双末端pair-end测序，得到原始的测序数据；对所述测序数据进行筛选，以过滤掉低质量的数据；利用重叠群的关系对所述高可变区V6的全长序列进行组装；通过标签序列把reads分配到对应的样品上；通过对所述reads进行分类分析，以实现使用所述高可变区的测序对微生物群体进行高通量的分类。
组合件的制造方法及用该制造方法制造的脚架 組合件的製造方法及應用該製造方法的腳架
发明专利申请公布后的视为撤回专利号: CN102705637A;TW201219123A
申请人: 兆利科技工业股份有限公司
发明人: 柯文松;陈志铭;陳志銘
申请日期: 2010-11-24
公开日期: 2012-10-03
IPC分类:
H05K5/02
摘要:
本发明的组合件制造方法是先将第一结构件用冲压方式成型，并将第二结构件采用金属粉末注射成型或压铸成型，再将第一结构件与第二结构件用激光焊接结合成一体。而应用该制造方法的脚架包括冲压成型的支撑件以及金属粉末注射成型或压铸成型的连接件，且该连接件与支撑件用激光焊接结合成一体。这样，将已知一体成型的脚架改用两个结构件结合，来解决缩小及表面砂孔的外观质量问题，可大幅提高生产良率并降低成本。
主权项:
1.一种组合件的制造方法，将第一结构件用冲压方式成型，并将第二结构件采用金属粉末注射成型或压铸成型，再将该第一结构件与第二结构件用激光焊接结合成一体。
医用CoCrMo合金表面制备高硬度类金刚石薄膜方法
专利权的终止专利号: CN101967626A
申请人: 中国矿业大学
发明人: 孙彦敏;王庆良;沈涵;张绪平;张磊
申请日期: 2010-11-24
公开日期: 2012-09-05
IPC分类:
C23C16/27
摘要:
一种医用CoCrMo合金表面制备高硬度类金刚石薄膜方法，首先用H2(氢气)气对抛光清洗过的CoCrMo(钴铬钼)合金进行溅射清洗；利用常规射频等离子增强化学气相沉积以SiH4(硅烷)和H2(氢气)为气源，在CoCrMo合金表面沉积Si(硅)膜过渡层；而后采用常规射频等离子增强化学气相沉积以CH4(甲烷)和H2(氢气)为气源，在Si(硅)膜过渡层上制备出DLC膜。本发明制备的膜基之间呈锯齿状结合特征，表明膜基之间有良好的结合性能，克服了因结合性差造成界面承载能力弱的缺点；同时制备的DLC膜含有较高含量的sp3C键，可获得高硬度的DLC膜，有效提高了DLC膜的抗磨损性能。此外本发明具有工艺简单，成本低的优势，在生物材料的表面改性技术领域具有巨大的应用潜力。
主权项:
1.一种医用CoCrMo合金表面制备高硬度类金刚石薄膜方法，其特征在于包括以下步骤：a．将医用CoCrMo（钴铬钼）合金表面用不同型号的水砂纸依次打磨后抛光处理，使其表面粗糙度降至15nm以下，之后将其浸入酒精溶剂中进行超声波清洗，除去合金表面污物后放入烘箱中烘干；b．将干燥后的医用CoCrMo（钴铬钼）合金放入化学气相沉积反应室，对反应室进行抽真空，当反应室气压低于10-4Pa时，通入H2（氢气），控制H2（氢气）流量、反应气压和射频功率，对反应室内的医用CoCrMo（钴铬钼）合金进行溅射清洗5min；c．抽出反应室内的H2（氢气），当反应室气压低于10-4Pa时，向反应室通入SiH4（硅烷）和H2（氢气），控制SiH4（硅烷）和H2（氢气）的流量、反应气压、射频功率、沉积温度和沉积时间，采用常规的射频等离子增强化学气相沉积法在医用CoCrMo（钴铬钼）合金基体表面沉积Si（硅）薄膜，形成Si（硅）薄膜过渡层；d．抽出反应室内的SiH4（硅烷）和H2（氢气），当反应室气压低于10-4Pa时，向反应室通入CH4（甲烷）和H2（氢气），控制CH4（甲烷）和H2（氢气）的流量、反应气压、射频功率、沉积温度和沉积时间，采用常规的射频等离子增强化学气相沉积法在沉积过Si（硅）薄膜过渡层的基体表面上得到高硬度的类金刚石（DLC）薄膜。
高强韧性激光熔敷涂层用铁基合金粉末
专利权的终止专利号: CN101974724A
申请人: 上海交通大学
发明人: 黄坚;姚成武;李铸国;吴毅雄
申请日期: 2010-11-24
公开日期: 2012-07-18
IPC分类:
C23C24/10
摘要:
一种合金材料技术领域的高强韧性激光熔敷涂层用铁基合金粉末，其组分含量为：0.60％～1.00％的C、0.35％～0.70％的Si、0.30％～0.60％的Mn、5.00％～7.00％的Cr、2.50％～4.00％的Ni、1.50％～2.50％的Mo、1.00％～1.50％的W、0.70％～1.00％的V、0.20％～0.40％的Ti、0.50％～0.70％的B、0.20％～0.40％的Nb、0.10％～0.30％的Ce，余量为Fe，本发明具有在无需预热和后热处理的条件下即可获得大面积无裂纹的铁基激光熔敷合金涂层，熔覆合金层硬度高，达到62HRC～67HRC，屈服强度达到1700MPa～2000MPa。
主权项:
1.一种高强韧性激光熔敷涂层用铁基合金粉末，其特征在于，其组分的重量百分比含量依次为：0.60％～1.00％的C、0.35％～0.70％的Si、0.30％～0.60％的Mn、5.00％～7.00％的Cr、2.50％～4.00％的Ni、1.50％～2.50％的Mo、1.00％～1.50％的W、0.70％～1.00％的V、0.20％～0.40％的Ti、0.50％～0.70％的B、0.20％～0.40％的Nb、0.10％～0.30％的Ce，余量为Fe，各组分的重量之和为100％。
表面包覆立方晶氮化硼基超高压烧结材料制切削工具
发明专利权授予专利号: CN102120268A
申请人: 三菱综合材料株式会社
发明人: 高冈秀充;西山满康;冈田义一;佐伯卓司
申请日期: 2010-11-23
公开日期: 2014-11-12
IPC分类:
C23C14/06
摘要:
本发明提供一种表面包覆cBN切削工具，硬质包覆层在高硬度材料的高速断续切削加工中，发挥优异的耐熔敷性、耐崩刀性、耐磨性。(a)为具有如下珩磨形状工具基体，即从前刀面方向观察珩磨的宽度为0.03～0.3mm，且珩磨角度与前刀面形成的角度为10～35度的范围内，在具有如上珩磨形状的cBN制工具基体上形成硬质包覆层的表面包覆cBN切削工具中，(b)下部层由(Ti、Al)N层构成，(c)上层部由(Ti、Al)N层与TiN层的交替叠层结构构成，(d)上层部的最外层在珩磨面与后刀面的棱线部以外的区域设为(Ti、Al)N层，另一方面，珩磨面与后刀面的棱线部中，不存在最外层，而露出形成有上述(Ti、Al)N层与TiN层的交替叠层截面结构，由此谋求耐熔敷性、耐崩刀性、耐磨性的提高。
主权项:
1.一种表面包覆立方晶氮化硼基超高压烧结材料制切削工具，在由含有50～85体积％的立方晶氮化硼的立方晶氮化硼基超高压烧结材料构成的工具基体表面上，蒸镀形成由下部层和上部层构成的硬质包覆层，其特征在于，(a)上述工具基体具有珩磨形状，所述珩磨形状从前刀面方向观察珩磨的宽度为0.03～0.3mm，珩磨角度与前刀面形成的角度为10～35度的范围内，(b)上述硬质包覆层的下部层由Ti与Al的复合氮化物层构成，所述Ti和Al的复合氮化物层以如下组合式表示时，具有原子比X为0.3～0.6的0.5～4μm的平均层厚，组合式：(Ti1-XAlX)N(c)上述硬质包覆层的上部层由各自一层平均层厚为0.03～0.3μm的薄层A与薄层B的交替叠层结构构成，上述薄层A为上述Ti与Al的复合氮化物层，上述薄层B为Ti的氮化物层，(d)上述上部层的最外层除了珩磨面与后刀面的棱线部以外由平均层厚为0.1～0.8μm的上述Ti与Al的复合氮化物层构成，另一方面，珩磨面与后刀面的棱线部中，不存在上述最外层，而露出形成有上述薄层A与薄层B的交替叠层截面结构。
一种硬面齿轮的修复方法
文件的公告送达专利号: CN102294566A
申请人: 武汉开明高新科技有限公司
发明人: 张开明;林全意
申请日期: 2010-11-23
公开日期: 2013-03-20
IPC分类:
C23C24/10
摘要:
本发明涉及一种硬面齿轮的修复技术，具体公开了一种硬面齿轮的修复方法，可用于水泥厂、钢厂、导弹部队、化工、铁路、石油、矿山、电厂、烧结厂、球团矿厂、轧钢厂、化肥厂等行业。本发明通过结合层→过渡层→工作层→加工层采用不同的材料熔敷的方式，能解决1～300毫米以上深的断层厚度的修复。因此，采用本发明可快速修复好硬面齿轮，将由硬面齿轮损坏带来的经济损失降到最低。
主权项:
1.一种硬面齿轮的修复方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)去除待修复的硬面齿轮的损伤部位的油污层、疲劳层、以及锈斑层；(2)将所述硬面齿轮送入中频炉内匀速升温加热至280℃～400℃后出炉；(3)用角向砂轮机的抛光片对经过步骤(2)加热处理的硬面齿轮进行抛光，并用丙酮、氢氧化钠、或碳酸钠清洗创面去除杂质；(4)将以铬、镍为基体的珠光体材料与酸性焊丝一起熔敷形成5毫米厚的结合层；(5)将碳化钨、锰、镍、碳、铁、钒、铬组成的合金粉熔敷在所述结合层中形成过渡层，掺入的所述合金粉厚度与所述过渡层厚度比为：2％～3％；(6)将钴、碳化钨、铬、镍、钼组成的合金粉熔敷在所述过渡层中形成工作层，所述掺入的合金粉厚度0.10～0.15毫米，所述工作层厚度大于等于5毫米；(7)将铁、碳、硅、铬、镍组成的合金粉熔敷在所述工作层上形成加工层，所述掺入的合金粉厚度0.10～0.15毫米，所述加工层厚度为5毫米至10毫米；(8)再次将硬面齿轮送进中频炉匀速升温加热至280℃～400℃后出炉，自然冷却到常温。
双调节静压不平衡煤粉等速取样系统及其方法
专利权的终止专利号: CN102095605A
申请人: 山东电力研究院
发明人: 侯凡军;周新刚;郝卫东;郭玉泉;刘福国
申请日期: 2010-11-22
公开日期: 2012-12-19
IPC分类:
G01N1/14
摘要:
本发明涉及一种双调节静压不平衡煤粉等速取样系统及其方法，它结构简单，使用方便，可真正实现自动等速取样，极大提高了煤粉取样的准确性，得到真实可靠的煤粉浓度和煤粉细度的测试数据，使锅炉的燃烧调整做到有根据，避免盲目调整。其结构为：它包括静压取样装置，静压取样装置通过电加热取样管路和取样阀与电加热分离设备连接，电加热分离设备通过取样管路与双调节装置连接，双调节装置入口与压缩气源连接；同时压缩气源还通过差压获取装置与静压取样装置连接；控制器分别控制双调节装置和差压获取装置。
主权项:
1.一种双调节静压不平衡煤粉等速取样系统，其特征是，它包括静压取样装置，静压取样装置通过电加热取样管路和取样阀与电加热分离设备连接，电加热分离设备通过取样管路与双调节装置连接，双调节装置入口与压缩气源连接；同时压缩气源还通过差压获取装置与静压取样装置连接；控制器分别控制双调节装置和差压获取装置。
有色尖晶石电光陶瓷
发明专利申请公布后的视为撤回专利号: CN102180662A
申请人: 肖特股份公司
发明人: 伊冯娜·门克;彼得·布劳姆;乌尔里希·波伊谢特;冈野吉雄
申请日期: 2010-11-22
公开日期: 2011-09-14
IPC分类:
C04B35/50
摘要:
记载了一种透明、多晶陶瓷。该陶瓷包含通式为AxCuByDvEzFw微晶，其中：A和C选自由Li+、Na+、Be2+、Mg2+、Ca2+、Sr2+、Ba2+、Al3+、Ga3+、In3+、C4+、Si4+、Ge4+、Sn2+/4+、Sc3+、Ti4+、Zn2+、Zr4+、Mo6+、Ru4+、Pd2+、Ag2+、Cd2+、Hf4+、W4+/6+、Re4+、Os4+、Ir4+、Pt2+/4+、Hg2+及其混合物组成的组，B和D选自由Li+、Na+、K+、Mg2+、Al3+、Ga3+、In3+、Si4+、Ge4+、Sn4+、Sc3+、Ti4+、Zn2+、Y3+、Zr4+、Nb3+、Ru3+、Rh3+、La3+、Lu3+、Gd3+及其混合物组成的组，E和F主要选自由S、Se和O的二价阴离子及其混合物组成的组。x、u、y、v、z和w满足如下通式：0.125＜(x+u)/(y+v)≤0.55，z+w＝4；并且至少95重量％的微晶表现为对称的、尖晶石型立方晶体结构，条件是当A＝C＝Mg2+且B＝D＝Al3+时，E和F不同时为O，且其中电光陶瓷额外掺杂100ppm至20原子％的至少一种光学活性阳离子，其选自由Ce3+、Sm2+/3+、Eu2+/3+、Nd3+、Er3+、Yb3+、Co2+、Cr2+/3+/6+、V3+/4+、Mn2+、Fe2+/3+、Ni2+和Cu2+组成的组。
主权项:
1.一种包含通式为AxCuByDvEzFw的微晶的电光陶瓷，其中：A和C选自由Li+、Na+、Be2+、Mg 2+、Ca2+、Sr2+、Ba2+、Al3+、Ga3+、In3+、C4+、Si4+、Ge4+、Sn2+/4+、Sc3+、Ti4+、Zn2+、Zr4+、Mo6+、Ru4+、Pd2+、Ag2+、Cd2+、Hf4+、W4+/6+、Re4+、Os4+、Ir4+、Pt2+/4+、Hg2+及其混合物组成的组，B和D选自由Li+、Na+、K+、Mg2+、Al3+、Ga3+、In3+、Si4+、Ge4+、Sn4+、Sc3+、Ti4+、Zn2+、Y3+、Zr4+、Nb3+、Ru3+、Rh3+、La3+、Lu3+、Gd3+及其混合物组成的组，E和F主要选自由S、Se和O的二价阴离子及其混合物组成的组，x、u、y、v、z和w满足下式：0.125＜(x+u)/(y+v)≤0.55z+w＝4并且至少95重量％的微晶表现为对称的、尖晶石型立方晶体结构，条件是当A＝C＝Mg2+且B＝D＝Al3+时，E和F不同时为O，且其中电光陶瓷额外掺杂100ppm至20原子％的至少一种光学活性阳离子，所述光学活性阳离子选自由Ce3+、Sm 2+/3+、Eu2+/3+、Nd3+、Er3+、yb3+、Co2+、Cr2+/3+/6+、V3+/4+、Mn2+、Fe2+/3+、Ni2+和Cu2+组成的组。
固体电解电容器 固體電解電容
发明专利权授予专利号: CN102396040A;TW201129468A
申请人: 帝化株式会社;
发明人: 杉原良介;鹤元雄平;藤原一都;鶴元雄平
申请日期: 2010-11-22
公开日期: 2013-01-16
IPC分类:
H01G9/028
摘要:
本发明提供了一种ESR较低且耐热性优异，在高温条件下使用的可靠性较高的固体电解电容器。在电容器元件的电介质层上，形成以2-烷基-2，3-二氢-噻吩并[3，4-b][1，4]二噁英作为单体进行氧化聚合而合成的第一导电性高分子层、在其上形成以2，3-二氢-噻吩并[3，4-b][1，4]二噁英或以2，3-二氢-噻吩并[3，4-b][1，4]二噁英和2-烷基-2，3-二氢-噻吩并[3，4-b][1，4]二噁英的混合物作为单体进行氧化聚合而合成的第二导电性高分子层，将这些第一导电性高分子层的形成和第二导电性高分子层的形成交替重复必要的次数，由这些第一导电性高分子和第二导电性高分子构成固体电介质，制备固体电解电容器。
主权项:
1.一种固体电解电容器，其在具有钽、铝、铌等阀金属的多孔体和由上述阀金属的氧化涂膜构成的电介质层的电容器元件的电介质层上，具有由导电性高分子构成的固体电解质，其特征在于：上述固体电解质由第一导电性高分子和第二导电性高分子构成，其中，将以2-烷基-2，3-二氢-噻吩并[3，4-b][1，4]二噁英作为单体进行氧化聚合而合成的第一导电性高分子层，和以2，3-二氢-噻吩并[3，4-b][1，4]二噁英或以2，3-二氢-噻吩并[3，4-b][1，4]二噁英和2-烷基-2，3-二氢-噻吩并[3，4-b][1，4]二噁英的混合物作为单体进行氧化聚合而合成的第二导电性高分子层彼此交替层叠至少一层，上述第一导电性高分子层中的一层在上述电容器元件的电介质层上形成。
一种高温合金多联空心涡轮叶片的制备工艺
专利权的终止专利号: CN101992268A
申请人: 沈阳工业大学
发明人: 毛萍莉;姜卫国;刘鸣;刘正;王国欣;董媛
申请日期: 2010-11-20
公开日期: 2012-09-05
IPC分类:
B22C9/04
摘要:
一种高温合金多联空心涡轮叶片的制备工艺，包括：(1)将多联叶片分解成多个叶片单元，制备各单元叶片的叶身蜡模，其中叶身带有陶瓷型芯；带有陶瓷型芯的单元叶身蜡模采用注射成形方式成形，注射温度为63℃-68℃，压力为0.3-0.5MPa,注射时间为10-30秒,保压时间为10-30秒。(2)将各带有陶瓷型芯的单元叶身蜡模放入多联模具中注蜡一次成型，制得多联空心叶片蜡模；(3)多联空心叶片蜡模经涂料、脱蜡、烧结、浇注、清理、脱芯工序，最后得到高温合金多联空心涡轮叶片铸件。
主权项:
1.一种高温合金多联空心涡轮叶片的制备工艺，其特征在于：所述工艺包括：（1）将多联叶片分解成多个叶片单元，制备各单元叶片的叶身蜡模，其中叶身带有陶瓷型芯；带有陶瓷型芯的单元叶身蜡模采用注射成形方式成形，注射温度为63℃-68℃，压力为0.3-0.5MPa,注射时间为10-30秒,保压时间为10-30秒；（2）将各带有陶瓷型芯的单元叶身蜡模放入多联模具中注蜡一次成型，制得多联空心叶片蜡模；（3）多联空心叶片蜡模经涂料、脱蜡、烧结、浇注、清理、脱芯工序，最后得到高温合金多联空心涡轮叶片铸件。
金属粉末专利分析
材料体系分布
制备工艺分布
技术领域分布 (IPC分类)
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B22F10/28(3D打印) • B22F9/04(制粉) •
C23C24/10(涂层) • C22C19/05(镍合金) •
B33Y50/02(控制) • C22F1/18(热处理)
