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一种抑制Ti3AlC2分解用Ni掺杂Ti3AlC2/Cu复合材料及其制备方法
专利申请权、专利权的转移专利号: CN113512658A
申请人: 西安交通大学
发明人: 王怡然;翟文彦;李鸿江;高义民
申请日期: 2021-06-17
公开日期: 2022-06-07
IPC分类:
C22C9/00
摘要:
本发明公开了一种抑制Ti3AlC2分解用Ni掺杂Ti3AlC2/Cu复合材料及其制备方法，在Cu基体中掺杂不同含量的Ni元素抑制Ti3AlC2陶瓷在高温下扩散分解，然后通过球磨、冷压、烧结、烧结、复压和复烧后，获得Ti3AlC2未分解的Ni掺杂Ti3AlC2/Cu复合材料。本发明通过加入Ni元素掺杂之后，Ti3AlC2/Cu复合材料组织由Ti3AlC2、TiCx、NixAl、NixTi和α?铜基体组成，随着Ti3AlC2陶瓷的体积分数的增加，组织形貌由增强相细小弥散分布转变网状连续分布，孔洞数量和体积相比与传统Ti3AlC2/Cu复合材料得到了减少，特别是当Ti3AlC2体积分数大于40％时，孔洞减少显著。通过Ni元素掺杂之后在增强相晶界处生成了NixAl和NixTi化合物，抑制了Al元素的扩散，有效抑制Ti3AlC2陶瓷的高温分解，为Ti3AlC2/Cu复合材料的大规模推广提供了一种可行的制备方法。
主权项:
1.一种抑制Ti3AlC2分解用Ni掺杂Ti3AlC2/Cu复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、将Ti3AlC2粉末、Ni粉和Cu粉混合后进行球磨处理；S2、将球磨处理后的粉末装入模具中进行冷压和烧结处理；S3、将烧结完成的块体进行复压和复烧处理，获得含量10Vol.％～45Vol的Ti3AlC2未分解Ni掺杂Ti3AlC2/Cu复合材料。
促进钛合金增材制造柱状晶向等轴晶转变和组织细化方法
发明专利权授予专利号: CN113976909A
申请人: 西安交通大学
发明人: 张林杰;王祥;宁杰;罗锡柱
申请日期: 2021-05-28
公开日期: 2022-11-25
IPC分类:
C22C14/00
摘要:
本发明公开了一种促进钛合金增材制造柱状晶向等轴晶转变和组织细化方法，包括以下步骤：在沉积各道次金属前，在待沉积位置表面均匀涂覆一层微米级Fe元素醇基悬浊液，待醇集溶剂挥发后，在惰性气体保护气氛下进行该道次金属沉积，直至各道次金属沉积完成为止，通过Fe元素促进钛合金增材制造柱状晶向等轴晶转变及形成超细微观组织，该方法促进钛合金增材制造柱状晶向等轴晶转变和组织细化。
主权项:
1.一种促进钛合金增材制造柱状晶向等轴晶转变和组织细化方法，其特征在于，包括以下步骤：在沉积各道次金属前，在待沉积位置表面均匀涂覆一层微米级Fe元素醇基悬浊液，待醇集溶剂挥发后，在惰性气体保护气氛下进行该道次金属沉积，直至各道次金属沉积完成为止，通过Fe元素促进钛合金增材制造柱状晶向等轴晶转变及形成超细微观组织。
一种陶瓷与高温合金复合构件及其制造方法
实质审查的生效专利号: CN113277856A
申请人: 西安交通大学
发明人: 杨强;崔晓涵;王富;李涤尘;李鸣杰;王迎鑫
申请日期: 2021-05-26
公开日期: 2021-08-20
IPC分类:
B22F10/28
摘要:
本发明公开了一种陶瓷与高温合金复合构件及其制造方法，陶瓷与高温合金复合构件中，陶瓷基体和高温合金基体之间通过物理连接结构连接；物理连接结构包括：陶瓷基体上设置的用于与高温合金基体连接的第一物理连接结构，以及高温合金基体上设置的用于与陶瓷基体连接的第二物理连接结构；过渡层设置于陶瓷基体与高温合金基体的连接界面上。本发明通过一体化3D打印成形，得到陶瓷与高温合金复合构件的成型体；对成型体表面进行去粉处理、强化烧结，得到陶瓷与高温合金复合构件。本发明在陶瓷/高温合金的结合部位引入了连接结构，采用物理铰接的方式在陶瓷/高温合金连接的冶金结合之外，再增加一种机械咬合，从而实现陶瓷/高温合金的双重强化连接。
主权项:
1.一种陶瓷与高温合金复合构件，其特征在于，包括陶瓷基体、过渡层和高温合金基体，陶瓷基体和高温合金基体之间通过物理连接结构连接；所述物理连接结构包括：陶瓷基体上设置的用于与高温合金基体连接的第一物理连接结构，以及高温合金基体上设置的用于与陶瓷基体连接的第二物理连接结构；所述过渡层设置于陶瓷基体与高温合金基体的连接界面上。
径向静压轴承径向回转精度评价方法及系统
发明专利申请公布后的驳回专利号: CN113094832A
申请人: 西安交通大学苏州研究院;
发明人: 查俊;李超
申请日期: 2021-04-08
公开日期: 2021-07-09
IPC分类:
G06F30/17
摘要:
本发明一种径向静压轴承径向回转精度评价方法，首先分析出影响径向静压轴承的主要几何误差，然后根据径向静压轴承的几何误差和空间位置关系建立油膜间隙函数，再联立封油面的雷诺方程、油垫压力边界条件、流量连续条件、转轴的动力学方程建立径向静压轴承的误差模型，求解模型得到径向静压轴承的偏心率和偏位角，根据偏心率和偏位角计算出径向静压轴承在笛卡尔坐标系下的旋转轴的轴心轨迹，以轴心轨迹的最小外接圆的直接作为径向静压轴承的径向回转精度，从而可以得到径向静压轴承的几何误差与径向回转误差之间的映射关系，将回转精度进行量化，实现客观评价，从而为径向静压轴承的设计提供理论指导。
主权项:
1.径向静压轴承径向回转精度评价方法，其特征在于，包括，选取影响径向静压轴承径向回转精度的几何误差；根据径向静压轴承的几何误差和空间位置关系建立油膜间隙函数；根据径向静压轴承的设计参数建立径向静压轴承封油面的雷诺方程、流量连续方程和回转轴的动力学平衡方程；联立上述油膜间隙函数、封油面的雷诺方程、流量连续方程和动力学方程得到径向静压轴承的误差模型，求解得到偏心率和偏位角；根据偏心率和偏位角，计算得到径向静压轴承在笛卡尔坐标系下的旋转轴的轴心轨迹，以轴心轨迹的最小外接圆的直径作为径向轴承的径向回转精度，进行回转精度的定量评价。
一种应用于等离子喷涂的含铝的金属粉末
实质审查的生效专利号: CN112095070A
申请人: 西安交通大学
发明人: 李长久; 张黎; 雒晓涛; 李成新
申请日期: 2020-10-20
公开日期: 2020-12-18
IPC分类:
C23C4/134
摘要:
本发明实施例公开了一种应用于等离子喷涂的含铝的金属粉末，涉及高温等离子体应用技术领域，该金属粉末包括含铝元素的基础合金和以不同形式存在于所述含铝元素的基础合金中的碳源，当所述金属粉末在大气氛围下被高温等离子射流加热至≤2000℃时，所述含铝元素的基础合金中的铝元素优先被氧化，形成氧化铝；当所述金属粉末在大气氛围下被高温等离子射流加热至＞2000℃时，一部分所述碳源优先被氧化，形成碳氧化合物挥发，另一部分所述碳源将所述氧化铝还原为铝单质。该金属粉末在大气氛围下被高温等离子射流加热至超过2000℃的熔融粒子后，喷涂到需要保护的材质的基体表面上可以形成涂层质量一致性且均匀的含铝涂层。
主权项:
1.一种应用于等离子喷涂的含铝的金属粉末，其特征在于，包括：含铝元素的基础合金，以不同形式存在于所述含铝元素的基础合金中的碳源，其中：当所述金属粉末在大气氛围下被高温等离子射流加热至≤2000℃时，所述含铝元素的基础合金中的铝元素优先被氧化，形成氧化铝；当所述金属粉末在大气氛围下被高温等离子射流加热至＞2000℃时，一部分所述碳源优先被氧化，形成碳氧化合物挥发，另一部分所述碳源将所述氧化铝还原为铝单质。
一种复合增减材加工成形装置及方法
发明专利申请公布后的驳回专利号: CN111957968A
申请人: 西安交通大学; 西安增材制造国家研究院有限公司
发明人: 陈祯; 张树哲; 邹亚桐; 卢秉恒; 韦继翀; 刘亮; 雷云佩
申请日期: 2020-09-03
公开日期: 2020-11-20
IPC分类:
B22F3/105
摘要:
本发明公开了一种复合增减材加工成形装置及方法，通过在工作台板上设置铺粉刮刀，工作台板上开设有通孔，工作台板下端固定有与工作台板通孔连通的成形缸体，成形缸体内设有能够在成型缸体内上下移动的活塞组件，活塞组件上设有打印基板，工作台板上通过铺粉刮刀能够将打印粉料铺设在打印基板上，利用多类型激光协同复合扫描系统与能够在工作台板上增材成形的铺粉刮刀系统形成能够同时增减材装置，采用脉冲激光冲击加工零件表面，能有效调控零件在长时间交替热作用下的残余应力状态，从而减少零件翘曲变形，提高成形质量，能够在增材成形过程中消除增材制造参与应力的问题，同时不需要分离空间，可在一个氛围空间下完成增减材，提高了生产效率。
主权项:
1.一种复合增减材加工成形装置，其特征在于，包括工作台板(10)以及设置于工作台板(10)上的铺粉刮刀(11)，工作台板(10)上开设有通孔，工作台板(10)下端固定有与工作台板(10)通孔连通的成形缸体(2)，成形缸体(2)内设有能够在成型缸体(2)内上下移动的活塞组件(35)，活塞组件(35)上设有打印基板(6)，工作台板(10)上通过铺粉刮刀(11)能够将打印粉料铺设在打印基板(6)上，工作台板(10)上端设有多类型激光协同复合扫描系统，多类型激光协同复合扫描系统的扫描激光能够作用于打印基板(6)上的打印粉料进行打印成型。
一种增减材和激光冲击强化复合的金属丝材增材制造工艺
发明专利申请公布后的驳回专利号: CN111558810A
申请人: 西安交通大学
发明人: 黄科; 井龑东; 席乃园; 方学伟; 张琦; 卢秉恒
申请日期: 2020-05-13
公开日期: 2020-08-21
IPC分类:
B23P15/00
摘要:
一种增减材和激光冲击强化复合的金属丝材增材制造工艺，先建模，利用切片分层软件对模型进行分层和路径规划；然后开始增材制造，进行第一层材料在增材制造基板上的堆叠和凝固；再进行第一层的减材铣削，铣刀将工件表面铣削平整，并将四周铣削至目标尺寸；然后进行激光冲击强化前的准备工作，通过自动化约束层?吸收层敷设设备，在工件表面敷设吸收层铝箔，并且固定约束层玻璃；再进行第一层的激光冲击强化处理；去除玻璃以及铝箔，进行下一层材料的堆叠和凝固，重复直至试样制备完毕；本发明将激光冲击强化和增减材制造技术相结合，在激光冲击强化处理过程中引入约束层和吸收层，提升激光冲击强化处理的效果。
主权项:
1.一种增减材和激光冲击强化复合的金属丝材增材制造工艺，其特征在于，包括以下步骤：1)通过计算机CAD软件三维建模，利用增材制造系统专用切片分层软件对模型进行分层和路径规划；2)开始增材制造过程，进行第一层材料在增材制造基板上的堆叠和凝固；3)进行第一层的减材铣削过程，铣刀将工件表面铣削平整，并将四周铣削至目标尺寸；4)进行激光冲击强化前的准备工作，通过自动化约束层-吸收层敷设设备，在工件表面敷设吸收层铝箔，并且固定约束层玻璃；5)进行第一层的激光冲击强化处理；6)去除玻璃以及铝箔，进行下一层材料的堆叠和凝固；7)重复步骤3)-6)直至试样制备完毕。
一种旁轴送粉装置
发明专利权授予专利号: CN110938818A
申请人: 西安交通大学
发明人: 王豫跃;李长久;杨冠军
申请日期: 2019-12-20
公开日期: 2024-06-07
IPC分类:
C23C24/10
摘要:
本发明公开了一种旁轴送粉装置，属于激光增材制造技术领域，其激光光束方向与送粉腔的送粉方向之间的夹角为5°～45°，在该夹角范围内的激光光束方向与送粉腔的送粉方向相互配合使得激光束的能量大部分用于加热熔化和加速飞行中的粉末粒子，只有极少量的光束能量会加热基体，避免了基体被过度加热而大幅降低稀释率，减小了基体变形量和稀释率，可以大幅度提高粉末利用率和加工效率，保证涂层的有效成分不受基体材料的影响从而提高涂层的耐蚀抗磨效果，并且该夹角范围内的激光光束方向与送粉腔的送粉方向相互配合可以实现超高速激光熔覆加工并在基材表面形成强冶金结合的涂层，提高涂层和基材之间的结合强度和激光熔覆效率。
主权项:
1.一种旁轴送粉装置，其特征在于，所述旁轴送粉装置包括装置本体和固定在所述装置本体上的连接装置，其中，所述连接装置用于将所述旁轴送粉装置与其他部件相固定，所述装置本体上设置有送粉腔，所述送粉腔与竖直面之间的夹角为5°～45°。
一种金属增材制造的在线热处理工艺
发明专利权授予专利号: CN110434332A
申请人: 西安交通大学
发明人: 黄科;井龑东;席乃园;方学伟;张琦;卢秉恒
申请日期: 2019-08-09
公开日期: 2020-07-28
IPC分类:
B22F3/105
摘要:
一种金属增材制造的在线热处理工艺，先通过计算机CAD软件三维建模，利用增材制造系统专用切片分层软件模型进行分层和路径规划；然后开始增材制造过程，进行第一层材料在基板上的堆叠和凝固；再对第一层材料进行激光冲击强化并确保冲击影响层深度大于单层堆积层的厚度；然后进行下一层材料的堆叠和凝固，通过调节增材制造过程参数及打印层层厚，使得堆叠过程中产生的热量对前述打印层进行实现在线热处理；再次进行激光冲击强化；重复打印及激光冲击强化直至零件制备完毕；本发明将激光冲击强化和增材制造技术相结合，实时热处理改善构件微观组织，并且改善增材制造部件的内应力情况。
主权项:
1.一种金属增材制造的在线热处理工艺，其特征在于，包括以下步骤：1)通过计算机CAD软件三维建模，利用增材制造系统专用切片分层软件模型进行分层和路径规划；2)开始增材制造过程，进行第一层材料在基板上的堆叠和凝固；3)对第一层材料进行激光冲击强化并确保冲击影响层深度大于单层堆积层的厚度；4)进行下一层材料的堆叠和凝固，通过调节增材制造过程参数及打印层层厚，使得堆叠过程中产生的热量对前述打印层进行实现在线热处理，其热处理区域包括重熔区和再结晶区，当热量足够高时就能够使得之前具有较多位错的部位再结晶形成较小的等轴晶，而重熔区则由于再次凝固产生局部粗晶；5)再次进行激光冲击强化并确保影响层深度超过步骤4)中打印层厚度及该过程中释放热量对前一打印层造成的熔融区以及再结晶区域深度之合；6)重复步骤4)和步骤5)直至零件制备完毕，整个工件内部的微观组织和残余应力得到改善，当再次进行下一层材料堆叠时，已有的最后一层中也会产生再结晶，并且根据需求通过控制输入热量来决定所要产生的再结晶区域的大小。
抑制3D打印或焊接的单晶高温合金再结晶的热处理方法
发明专利权授予专利号: CN110079752A
申请人: 西安交通大学
发明人: 陈凯; 黄润秋
申请日期: 2019-05-07
公开日期: 2019-08-02
IPC分类:
C22C19/05
摘要:
本发明公开了一种抑制3D打印或焊接的单晶高温合金再结晶的热处理方法，属于增材制造和金属热处理领域。本发明包括以下步骤：清除3D打印或焊接单晶高温合金的表面残留合金粉末与杂晶层，将3D打印或焊接单晶高温合金去应力退火以在不发生再结晶的前提下释放内部的残余应力，在必要温度下保温必要时长后，将经过去应力退火的3D打印或焊接单晶高温合金进行标准热处理，使得3D打印或焊接单晶高温合金的强化相γ′相长大到预定尺寸并有序排列。本发明可用于改善3D打印或焊接单晶高温合金组织与性能，基于该方法可以开发出3D打印或焊接单晶高温合金的后续热处理。
主权项:
1.一种抑制3D打印或焊接的单晶高温合金再结晶的热处理方法，所述方法包括以下步骤：第一步骤(S100)中，清理附着在3D打印或焊接单晶高温合金的内壁与表面的合金粉末，并去除表面的杂晶层；第二步骤(S200)中，将3D打印或焊接单晶高温合金去应力退火以在不发生再结晶的前提下释放3D打印或焊接单晶高温合金内部的残余应力，在必要温度下保温必要时长；第三步骤(S300)中，将经过去应力退火的3D打印或焊接单晶高温合金进行标准热处理使得3D打印或焊接单晶高温合金的强化相γ′相长大到预定尺寸并有序排列。
钛合金薄壁叶片激光熔覆低应力局部定向冷却修复方法
发明专利申请公布后的视为撤回专利号: CN104046983A
申请人: 西安交通大学
发明人: 魏正英;杜军;卢秉恒;陈祯;赵光喜
申请日期: 2014-06-26
公开日期: 2014-09-17
IPC分类:
C23C24/10
摘要:
本发明公开了一种钛合金薄壁叶片激光熔覆低应力局部定向冷却修复方法，在薄壁叶片缺损修复点周围预先粘接一定量的铁粉，利用金属熔化相变潜热非稳态局部高效吸热原理，激光熔覆过程中产生的高温使钛合金粉末熔化，热量向薄壁叶片周围传导，使铁粉熔化，铁粉熔化需要吸收大量的热，从而降低了薄壁叶片熔覆过程中过度受热、变形、过烧和烧穿。同时，通过铁粉进行局部定向冷却，影响区小，熔覆层微观组织均匀，晶粒细化，显著减少内应力和裂纹，有效的提高钛合金薄壁叶片的修复成型质量，熔覆层比等离子体熔覆层有更高的硬度，应力应变小，裂纹和气孔少，结合强度高。
主权项:
1.一种钛合金薄壁叶片激光熔覆低应力局部定向冷却修复方法，其特征在于，包括以下步骤：1)将铁粉与粘结剂混合均匀，得到铁粉混合物；2)在损伤的钛合金薄壁叶片(3)上粘贴铁粉混合物(8)，其中铁粉混合物粘贴在距离钛合金薄壁叶片(3)缺损修复点(4)3～8mm处，呈环形分布，且缺损修复点(4)的面积与铁粉混合物的粘贴面积之比为1：(1～2)；3)将粘贴了铁粉混合物后的钛合金薄壁叶片(3)放入充满惰性气体的手套箱(7)内，用送粉器(5)将修复用的钛合金粉末输送到钛合金薄壁叶片(3)的缺损修复点(4)上，同时激光器(6)发射激光使缺损修复点(4)上的钛合金粉末熔化，形成熔池(9)，然后停止输送钛合金粉末和激光照射，自然冷却至室温，完成钛合金薄壁叶片的激光熔覆；4)采用喷砂机对激光熔覆后的钛合金薄壁叶片(3)进行表面处理，除去钛合金薄壁叶片(3)上粘贴的铁粉混合物，即完成对钛合金薄壁叶片激光熔覆低应力局部定向冷却修复。
一种闭式静压导轨
发明专利申请公布后的视为撤回专利号: CN101829904A
申请人: 西安交通大学;
发明人: 赵万华;陈耀龙;何仲赟;薛飞;位文明;卢秉恒
申请日期: 2010-01-26
公开日期: 2010-09-15
IPC分类:
B23Q1/01
摘要:
一种闭式静压导轨，包括底座以及设置在底座上的滑块，底座的上表面自下而上依次设置有水平支撑导轨和竖直支撑导轨，滑块镶嵌在由底座、水平支撑导轨和竖直支撑导轨形成的凹槽内，且滑块的上表面与竖直支撑导轨的下表面间设置静压油腔，滑块的下表面与底座的上表面间设置静压油腔，滑块的侧表面与水平支撑导轨的侧表面间设置静压油腔。本发明闭式静压导轨避免了具有一定深宽比的沟槽结构，各主要精度面均为平面结构，可进行修研，从而降低了导轨加工的难度，同时，由于该导轨及底座均采用花岗岩材料，其热稳定性较好，从而保证了导轨的精度。该闭式静压导轨的直线度误差可达0.1μm/100mm，导轨的水平方向和竖直方向的刚度均大于10000N/μm。
主权项:
1.一种闭式静压导轨，包括底座(3)以及设置在底座(3)上的滑块(4)，其特征在于：底座(3)的上表面自下而上依次设置有水平支撑导轨(2)和竖直支撑导轨(1)，滑块(4)镶嵌在由底座(3)、水平支撑导轨(2)和竖直支撑导轨(1)形成的凹槽内，且滑块(4)的上表面与竖直支撑导轨(1)的下表面间设置静压油腔(6)，滑块(4)的下表面与底座(3)的上表面间设置静压油腔(5)，滑块(4)的侧表面与水平支撑导轨(2)的侧表面间设置静压油腔(7)。
一种SiC陶瓷与高温合金的连接方法
专利权的终止专利号: CN101717270A
申请人: 西安交通大学
发明人: 刘桂武;乔冠军;卢天健;帕索里尼·阿尔贝托;瓦伦扎·法必西欧;默罗·玛丽亚·路易贾
申请日期: 2009-11-27
公开日期: 2012-05-23
IPC分类:
C04B37/02
摘要:
本发明涉及陶瓷与高温合金的连接方法，公开了一种SiC陶瓷与高温合金的连接方法，具体包括以下步骤：(1)制备Ni-Si膏剂；(2)前处理SiC陶瓷、高温合金和制作Mo片；(3)涂敷Ni-Si膏剂；(4)装配及高温连接。本发明可实现SiC陶瓷与高温合金之间的低反应高温连接，并且工艺简单、经济，可规模化生产，制备的连接件结构可靠，可用于承载和高温应用的场合。
主权项:
1.一种SiC陶瓷与高温合金的连接方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)制备Ni-Si膏剂：将Ni-Si合金粉末滚混球磨、过筛，装入玻璃瓶中，再加入草酸乙二酯和胶棉溶液，搅拌至少30min，制成Ni-Si膏剂，待用；(2)前处理SiC陶瓷、高温合金和制作Mo片：将SiC陶瓷的连接面依次磨平、抛光、清洗和干燥；将高温合金的连接面依次磨平、清洗和干燥；再裁剪加工Mo片与SiC陶瓷的连接面大小相适应，并清洗和干燥；(3)涂敷Ni-Si膏剂：在SiC陶瓷的连接面涂敷Ni-Si膏剂层，或在Mo片的一个表面涂敷Ni-Si膏剂层，然后晾干；(4)装配及高温连接：将Mo片置于SiC陶瓷和高温合金的连接面之间，Ni-Si膏剂层位于Mo片和SiC陶瓷之间，并施压固定，然后在真空炉中加热至1330～1400℃，保温5～30min，冷却至室温，即可。
一种纳米稀土氧化物掺杂钼－硅－硼合金的制备方法
专利权的终止专利号: CN101397617A
申请人: 西安交通大学
发明人: 孙军;张国君;杨双平;孙院军;刘刚;江峰
申请日期: 2008-10-28
公开日期: 2010-11-24
IPC分类:
C22C27/04
摘要:
本发明公开了一种纳米稀土氧化物掺杂钼－硅－硼合金的制备方法，以稀土二钼酸铵为原料，采用焙烧和氢气还原的方法得到含有稀土氧化物的钼合金粉末，向该粉末中添加硅粉和硼粉并进行球磨处理后，在真空热压烧结炉中进行热压烧结使其致密化，烧结温度为：1600－1800℃，烧结压强为：45－55MPa，烧结时间为：5－10小时。本发明的制备方法简单易行，所制备的钼－硅－硼合金中稀土氧化物颗粒的尺寸细小，平均颗粒尺寸小于100nm，且所制备的钼－硅－硼合金具有强度高的特点。
主权项:
1、一种纳米稀土氧化物掺杂钼-硅-硼合金的制备方法，其特征在于，其步骤如下：以稀土二钼酸铵为原料，首先称取含稀土氧化物质量分数为0.3-2.5％的稀土二钼酸铵晶体粉末；然后将稀土二钼酸铵粉末焙解和还原，焙解工艺为：温度为550-650℃，时间1-2h，所通氢气的压强为0.3-0.5Pa，流量为0.5-1.0m3/h；还原工艺为：温度为900-1050℃，时间2-3h，所通氢气的压强为0.3-0.5Pa，流量为1-1.5m3/h；称取还原后所得到的钼合金粉质量，并向钼合金粉中添加硅粉和硼粉，所添加硅粉和硼粉的质量百分数分别占总质量分数，即含稀土氧化物的钼合金粉、硅粉和硼粉的质量的0.5-14.4wt％和0.5-4.3wt％，之后进行混合和球磨处理，球磨时间为12-24h；将球磨后的混合粉料在真空热压烧结炉中进行热压烧结使其致密化，烧结温度为：1600-1800℃，烧结压强为：45-55MPa，烧结时间为：5-10h，即得到纳米稀土氧化物掺杂钼-硅-硼合金材料。
一种钼－硅－硼合金的制备方法
专利权的终止专利号: CN101397613A
申请人: 西安交通大学
发明人: 孙军;张国君;杨双平;孙院军;江峰;刘刚
申请日期: 2008-10-28
公开日期: 2010-09-15
IPC分类:
C22C27/04
摘要:
本发明公开了一种钼－硅－硼合金的制备方法，以钼粉、硅粉、硼粉为原料，合金粉末经过均匀混合处理后，在电弧熔炼炉中进行熔炼，熔炼工作电流为700－800A，将熔炼后的块体进行粉碎和退火处理，退火温度为：1200－1300℃，时间为：0.5－1.5小时，然后将退火处理后的合金粉末在放电等离子烧结炉中进行烧结，烧结温度为：1400－1600℃，烧结时间：2－5分钟，烧结压强为：10－30MPa。本发明所制备的钼－硅－硼合金具有方法简单，速度快的特点，且本发明所制备的钼－硅－硼合金，具有组织致密、强度和延展性高的特点。
主权项:
1、一种钼-硅-硼合金的制备方法，其特征在于，步骤如下：以钼粉、硅粉、硼粉为原料，其中硅粉和硼粉的质量百分比分别为10.0-14.5％和1.0-4.5％，其余为钼粉；合金粉末经过均匀混合处理后，在电弧熔炼炉中进行熔炼，熔炼工作电流为700-800A，再将熔炼后的块体进行粉碎和退火处理，退火温度为：1200-1300℃，时间为：0.5-1.5小时；随后将退火处理后的合金粉体装入石墨模具中，把模具在放电等离子烧结炉中进行烧结，烧结时采用氩气气氛保护，升温速度为50-500℃/min，烧结温度为：1400-1600℃，烧结轴向压强为：10-30MPa，烧结保温时间：2-5min；烧结后随炉冷却到400-500℃后取出模具，在空气中冷却至室温，脱模后将得到的烧结体加工去除表层0.3-0.5mm，即得到钼-硅-硼合金材料。
一种含有纳米稀土氧化物钼合金粉的制备方法
专利权的终止专利号: CN101327520A
申请人: 西安交通大学
发明人: 孙军;张国君;孙院军;刘刚;江峰;丁向东
申请日期: 2008-07-25
公开日期: 2011-06-01
IPC分类:
B22F9/22
摘要:
本发明公开了一种含有纳米稀土氧化物的钼合金粉制备方法，该方法以稀土二钼酸铵晶体为原料，采用焙烧和氢气还原的方法得到含有纳米尺度稀土氧化物和钼金属的混合粉末，该钼合金粉中稀土氧化物的尺度范围为30－80nm，均匀弥散分布在钼粉基体上，钼粉颗粒尺寸细小，晶粒费氏粒度为1.0－4.0μm。本发明所制备的含有纳米稀土氧化物掺杂钼合金粉，具有工艺简单、成本低、稀土氧化物细小且分布均匀等优点，为制备高强度和高韧性的钼合金材料提供了保证。
主权项:
1、一种含有纳米稀土氧化物钼合金粉的制备方法，其特征在于，步骤如下：将稀土二钼酸铵晶体粉末焙解，焙解在氢气保护气氛炉中进行，温度为：360-390℃，时间1-3h，所通氢气的压强为0.3-0.5Pa，流量为0.5-1.0m3/h；对焙解后的物料进行球磨、过筛处理，要求混合粉末粒度小于60μm；对焙解过筛后的粉料进行二段还原处理，一段还原的温度为430-530℃，时间1-1.5h，所通氢气的压强为0.3-0.5Pa，流量为0.5-1.0m3/h；二段还原的温度为900-1100℃，所通氢气的压强为0.3-0.5Pa，流量为0.5-1.0m3/h，时间1-1.5h，即得到含有纳米稀土氧化物的钼合金粉。
一种纳米稀土氧化物掺杂钼合金的制备方法
专利权的终止专利号: CN101328550A
申请人: 西安交通大学
发明人: 孙军;张国君;孙院军;刘刚;江峰;丁向东
申请日期: 2008-07-25
公开日期: 2010-06-23
IPC分类:
C22F1/18
摘要:
本发明公开了一种纳米稀土氧化物掺杂钼合金的制备方法，该方法以稀土二钼酸铵晶体为原料，采用焙烧和氢气还原的方法得到钼合金粉末，将还原后的粉体在180－200MPa压强下冷等静压压制成型，成型后的坯料在1100－1300℃的马弗炉中进行预烧结，之后在1600－1900℃的真空中频感应烧结炉中烧结，烧结时间10－24小时。烧结后的材料可采用常规机加工方法制备满足需要的钼合金杆材或板材等不同形状的材料和制品。本发明所制备的含有纳米稀土氧化物的钼合金，具有高的强度、延展性和韧性，用途广泛。
主权项:
1、一种纳米稀土氧化物掺杂钼合金的制备方法，其特征在于：该方法包含以下步骤：将稀土二钼酸铵粉末焙解和还原，焙解和还原工艺采用两段法进行，即将焙解和一段还原过程合二为一，工艺为：温度为390-560℃，时间1-1.5h，所通氢气的压强为0.3-0.5Pa，流量为0.5-1.0m3/h；对一段还原后的粉料进行二段还原处理，工艺为：温度为930-980℃，时间2-3h，所通氢气的压强为0.3-0.5Pa，流量为1-1.5m3/h；还原后的钼合金粉经过150-200目筛筛分；筛分后的钼合金粉体在180-200MPa下冷等静压压制成型，保压时间为10-20min，成型后的坯料在马弗炉中进行预烧结，烧结温度为1100-1300℃，烧结时间为0.5-1.5h，之后在真空中频感应烧结炉中烧结，烧结温度1600-1900℃，烧结时间10-24h，烧结后随炉自然冷却降温；将烧结后的坯料进行压力加工使之总变形量大于80％，变形后进行去应力退火处理，退火温度：1100-1250℃，保温时间0.5-1h。
金属粉末专利分析
材料体系分布
制备工艺分布
技术领域分布 (IPC分类)
💡 技术分类说明： 悬停在图表柱子上查看：
B22F10/28(3D打印) • B22F9/04(制粉) •
C23C24/10(涂层) • C22C19/05(镍合金) •
B33Y50/02(控制) • C22F1/18(热处理)