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主要申请人
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持续更新中专利搜索结果 关键词: "电子科技大学"
排序:
渐变Al组分AlGaN/GaN肖特基二极管及其制备方法
发明专利申请公布后的驳回专利号: CN108520899A
申请人: 西安电子科技大学
发明人: 许晟瑞;王学炜;郝跃;张进成;毕臻;艾丽霞;李文;吕玲
申请日期: 2018-06-08
公开日期: 2018-09-11
IPC分类:
H01L29/872
摘要:
本发明公开了一种渐变Al组分AlGaN/GaN异质结肖特基势垒二极管的制备方法，主要解决现有肖特基二极管的二维电子气浓度低的问题。其自下而上包括：衬底、重掺杂n型非极性GaN外延层和轻掺杂n型AlGaN层，且重掺杂n型非极性GaN外延层上设有由金属Ti/Al/Ti/Au材料制作的欧姆接触电极，轻掺杂n型渐变Al组分AlGaN层上设有由金属Ni/Au材料制作的肖特基接触电极，其特征在于，轻掺杂n型AlGaN层中的Al组分是由下到上从0.01至1非线性变化。本发明提高了肖特基二极管异质结处二维电子气的浓度，从而提高了器件的速度，可用作高频、低压、大电流整流二极管或小信号检波二极管。
主权项:
1.一种渐变Al组分AlGaN/GaN肖特基二极管，其自下而上包括：衬底(1)、重掺杂n型非极性GaN外延层(2)和轻掺杂n型AlGaN层(3)，且重掺杂n型非极性GaN外延层(2)上设有由金属Ti/Al/Ti/Au材料制作的欧姆接触电极(4)，轻掺杂n型渐变Al组分AlGaN层(3)上设有由金属Ni/Au材料制作的肖特基接触电极(5)，其特征在于，轻掺杂n型AlGaN层(3)中的Al组分是由下到上从0.01至1非线性变化。
一种强散射材料的光热效应测量系统及其测量方法
专利权的终止专利号: CN108760645A
申请人: 电子科技大学
发明人: 成祎珊; 张希仁; 杨立峰; 彭真明; 冉啟锐
申请日期: 2018-05-29
公开日期: 2018-11-06
IPC分类:
G01N21/17
摘要:
本发明公开了一种强散射材料的光热效应测量系统及其测量方法，涉及材料无损检测技术领域，本发明包括计算机、函数信号发生器、激光器、用于放置待测材料的测试平台、聚光组件、与计算机电连接的信号反馈组件、光路转换器和空间光调制器SLM，光路转换器与激光器设置于同一水平高度上，空间光调制器SLM与计算机电连接，测试平台设置于光路转换器的正下方，聚光组件用于聚集调制变化的激光照射到样件后由于存在光热效应，样件出现温度涨落与红外辐射，将经被测材料产生的辐射信号收集反射至信号反馈组件，本发明采用空间光调制器SLM进行波前调控，补偿散射相位，从而提高吸收效应，减小材料特性测量中的强散射，增强了材料表面的红外辐射信号。
主权项:
1.一种强散射材料的光热效应测量系统，包括计算机(1)、与计算机(1)电连接的函数信号发生器(2)、与函数信号发生器(2)电连接的激光器(3)、用于放置待测材料的测试平台(11)、聚光组件以及分别与计算机(1)和函数信号发生器(2)电连接的信号反馈组件，其特征在于：还包括光路转换器(5)和空间光调制器SLM(6)，所述光路转换器(5)与激光器(3)设置于同一水平高度上，用于使激光器(3)发出的激光束射入空间光调制器SLM(6)中，空间光调制器SLM(6)与计算机(1)电连接，测试平台(11)设置于光路转换器(5)的正下方，聚光组件用于聚集经空间光调制器SLM(6)补偿相位后的激光信号入射到被测材料上，并且将经被测材料反射后的辐射信号收集反射至信号反馈组件，通过信号反馈组件将辐射信号信息传送至计算机(1)。
基于Ni膜退火向SiC注Si的石墨烯纳米带制备方法
专利权的终止专利号: CN102683183A
申请人: 西安电子科技大学
发明人: 郭辉; 张克基; 张玉明; 张凤祁; 赵艳黎; 雷天民
申请日期: 2012-05-16
公开日期: 2012-09-19
IPC分类:
C23C14/48
摘要:
本发明公开了一种基于Ni膜退火向SiC注Si的石墨烯纳米带制备方法，主要解决现有技术制备的石墨烯表面不光滑、连续性不好，且导致制作器件时由于光刻工艺使石墨烯中的电子迁移率降低的问题。其实现步骤是：先对SiC样片进行标准清洗；再在清洗后的SiC样片上选取注入区，并注入Si离子；然后将SiC样片置于外延炉中，加热至1200-1300℃，保持恒温时间为30-90min,注入区的SiC热解生成碳膜；然后在Si基体上电子束沉积350-600nm厚的Ni膜；再将生成的碳膜样片置于Ni膜上，并将它们一同置于Ar气中，在温度为900-1200℃下退火10-20min，使碳膜重构成石墨烯纳米带。本发明工艺简单，安全性高，注入区的SiC热解温度降低，且生成的石墨烯纳米带表面光滑，连续性好，可用于制作微电子器件。
主权项:
1.一种基于Ni膜退火向SiC注Si的石墨烯纳米带制备方法，包括以下步骤：（1）对SiC样片进行清洗，以去除表面污染物；（2）在清洗后的SiC样片中的指定区域，注入能量为15-30keV，剂量为5×1014~5×1017cm-2的Si离子；（3）将注入Si离子后的SiC样片放入压强为0.5~1×10-6Torr的外延炉中，并向其中通入Ar气，再加热至1200-1300℃，保持恒温时间为30-90min，使指定区域的SiC热解生成碳膜；（4）在Si衬底样片上采用电子束沉积350-600nm厚的Ni膜；（5）将生成的碳膜样片置于Ni膜上，再将它们一同置于外延炉中，并向外延炉中通入Ar气，在温度为900-1200℃下退火10-20分钟，使碳膜依附在Ni膜上重构成石墨烯纳米带，最后从石墨烯纳米带样片上取开Ni膜。
金属粉末专利分析
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B22F10/28(3D打印) • B22F9/04(制粉) •
C23C24/10(涂层) • C22C19/05(镍合金) •
B33Y50/02(控制) • C22F1/18(热处理)