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格氏法利用四氯化硅制备苯基三氯硅烷和二苯基二氯硅烷的方法
专利申请权、专利权的转移专利号: CN101693720A
申请人: 杭州师范大学
发明人: 来国桥;李志芳;彭家建;蒋剑雄;华西林
申请日期: 2009-09-15
公开日期: 2012-06-20
IPC分类:
C07F7/12
摘要:
本发明涉及一种格氏法处理四氯化硅的方法。它需要解决的技术问题是，在无溶剂条件下制备苯基格氏试剂进而高选择性地制备苯基三氯硅烷或二苯基二氯硅烷。本发明处理四氯化硅的方法的步骤如下：1)氮气保护下，分别投入Mg和LiCl，或Mg和LiF，或Mg和AlCl3，及氯苯和引发剂，(引发剂溴乙烷或者碘与金属镁的摩尔比是1-5％)，反应制成苯基格氏试剂；2)按苯基格氏试剂和四氯化硅的摩尔比为1∶1(或2∶1)，将四氯化硅加入加有溶剂的苯基格氏试剂中；3)过滤掉反应溶液上的悬浮物；4)常压蒸馏，收集相应馏分，回收氯苯，然后精馏，得到苯基三氯硅烷(或得到二苯基二氯硅烷)。
主权项:
1.一种格氏法利用四氯化硅制备苯基三氯硅烷的方法，其特征在于按如下步骤：1)氮气保护下，在反应釜中，分别投入Mg和LiCl，或Mg和LiF，或Mg和AlCl3，及氯苯和引发剂，充分搅拌反应制成苯基格氏试剂；所述的引发剂为溴乙烷或者碘，引发剂与Mg的摩尔比为1～5％；其中，使用Mg/LiCl体系时，LiCl与Mg的摩尔比为0.5～10％；使用Mg/LiF体系时，LiF与Mg的摩尔比为1～15％；使用Mg/AlCl3体系时，AlCl3与Mg的摩尔比为0.5～15％；2)按苯基格氏试剂和四氯化硅的摩尔比为1∶1，将四氯化硅滴加入苯基格氏试剂中，充分搅拌；滴加完毕后，加热至回流，继续反应，停止加热，冷却至室温；所述的溶剂为甲苯、正己烷或正戊烷；3)过滤掉反应溶液上的悬浮物，滤液转移到第二反应釜；4)常压蒸馏，收集131～133℃的馏分，回收氯苯，然后精馏，得到苯基三氯硅烷。
一种Zn－Mg镁合金钎焊钎料
专利权的终止专利号: CN101653878A
申请人: 北京工业大学
发明人: 蒋建敏;李晓延;马力;贺定勇;崔丽;王智慧;周正;班书英
申请日期: 2009-09-11
公开日期: 2011-07-27
IPC分类:
B23K1/20
摘要:
一种Zn－Mg镁合金钎焊钎料属于镁合金焊接连接技术领域。本发明所提供的Zn－Mg镁合金钎焊钎料的化学成分及其质量百分比为：Mg：4～8％，余量为Zn。本发明所提供的Zn－Mg镁合金钎焊钎料的熔化温度范围为365～396℃，钎焊温度为420～450℃，可适用于固相线温度在450℃以上的镁合金的钎焊。使用该钎料在高频感应钎焊的方式下钎焊AZ31B镁合金，钎焊搭接接头抗剪强度在38～43MPa之间，钎焊对接接头抗拉强度在52～53MPa之间。
主权项:
1.一种Zn-Mg镁合金钎焊钎料，其特征在于，所述钎料的化学成分及其质量百分比为：Mg：4～8％，余量为Zn。
一种Zn－Mg－Al镁合金钎焊钎料
专利权的终止专利号: CN101653879A
申请人: 北京工业大学
发明人: 贺定勇;李晓延;马力;崔丽;蒋建敏;王智慧;周正;班书英
申请日期: 2009-09-11
公开日期: 2011-07-27
IPC分类:
B23K1/20
摘要:
一种Zn－Mg－Al镁合金钎焊钎料属于镁合金焊接连接技术领域。本发明所提供的Zn－Mg－Al镁合金钎焊钎料的化学成分及其质量百分比为：Al：10～13％，Mg：18～20％，余量为Zn。本发明所提供的Zn－Mg－Al镁合金钎焊钎料的熔化温度范围为379～488℃，钎焊温度范围为500～510℃，可适用于固相线温度在510℃以上的镁合金的钎焊。使用该钎料在高频感应钎焊的方式下钎焊AZ31B镁合金，钎焊搭接接头抗剪强度在43～45MPa之间，钎焊对接接头抗拉强度在59～62MPa之间。
主权项:
1.一种Zn-Mg-Al镁合金钎焊钎料，其特征在于，所述钎料的化学成分及其质量百分比为：Al：10～13％，Mg：18～20％，余量为Zn。
一种Mg－Zn镁合金钎焊钎料
发明专利申请公布后的视为撤回专利号: CN101653880A
申请人: 北京工业大学
发明人: 李晓延;贺定勇;马力;蒋建敏;周正;崔丽;王智慧;班书英
申请日期: 2009-09-11
公开日期: 2010-02-24
IPC分类:
B23K1/20
摘要:
一种Mg－Zn镁合金钎焊钎料属于镁合金焊接连接技术领域。本发明所提供的Mg－Zn镁合金钎焊钎料的化学组成及其质量百分比为：Zn：48～51％，余量为Mg。本发明所提供的Mg－Zn镁合金钎焊钎料的熔化温度范围为337～361℃，钎焊温度范围为410～430℃，可适用于固相线温度在430℃以上的镁合金的钎焊。使用该钎料在高频感应钎焊的方式下钎焊AZ31B镁合金，钎焊搭接接头抗剪强度在28～29MPa之间，钎焊对接接头抗拉强度在37～39MPa之间。
主权项:
1.一种Mg-Zn镁合金钎焊钎料，其特征在于，所述钎料的化学组成及其质量百分比为：Zn：48～51％，余量为Mg。
一种Mg－Si高阻尼合金的制备方法
专利权的终止专利号: CN101649408A
申请人: 西北工业大学
发明人: 王锦程;赖云亭;杨根仓;杨长林
申请日期: 2009-09-09
公开日期: 2011-05-25
IPC分类:
C22C23/00
摘要:
本发明涉及一种Mg－Si高阻尼合金的制备方法，其特征在于：以Mg－Si二元合金为基础熔炼，其中Si元素含量为：5～6wt.％Si，余量为Mg；Si以Mg－10wt.％Si的中间合金形式加入，则中间合金含量为50～60wt.％，Mg则采用工业纯镁；采用往复挤压(Reciprocating Extrusion，RE)是大塑性变形方式的一种，是细化晶粒的有效手段之一，且能够使增强颗粒在基体上更加均匀分布，显著消除材料内部的孔隙等缺陷，降低复合材料中空隙和增强相的团聚对材料的割裂作用，减小裂纹产生倾向。
主权项:
1.一种Mg-Si高阻尼合金的制备方法，其特征在于：以Mg-Si二元合金为基础，其中Si元素含量为：5～6wt.％Si，余量为Mg；Si以Mg-10wt.％Si的中间合金形式加入，则中间合金含量为50～60wt.％，Mg则采用工业纯镁；所述的wt为质量分数；具体步骤如下：步骤1：将坩埚预热到250℃，在坩埚内壁刷镁合金熔炼通用的坩埚涂料；步骤2：将坩埚加热到300℃，将工业纯Mg加入坩埚并开始通入CO2+0.5vol％SF6混合气体进行保护；步骤3：继续升温至镁完全熔化后，于730℃加入Mg-10wt.％Si中间合金；步骤4：继续升温至780℃，保温并搅拌使中间合金充分熔化；步骤5：降温至750℃，以0.5wt.％的C2Cl6作为精炼剂精炼3分钟，再通入经充分干燥的Ar气吹洗3-6分钟；步骤6：静置20分钟，并将温度降至720℃，在预热至300℃的石墨型中浇铸成的铸锭；步骤7：将铸锭车削去表皮，机加工成和的棒料；步骤8：将往复挤压模具合模后，在两端的挤压桶中分别装入和的棒料，在300℃、7MPa下用两个阳模在两端加压进行预挤压，并保压30min；步骤9：将模具固定于模具翻转机构上，在320～360℃，用压力机压下U型挤压杆，然后取下U型挤压杆，翻转模具，重新再放上U型挤压杆重复上述挤压过程，完成4道次的往复挤压，挤压压力为7～10MPa，挤压比为12.76∶1；步骤10：待模具冷却后，开模并取出被挤压的Mg-Si合金。
储氢合金及使用该储氢合金的储氢单元
发明专利权授予专利号: CN102596451A
申请人: 株式会社渥美精机
发明人: 内山直树;金井友美;原田和美
申请日期: 2009-09-04
公开日期: 2015-01-07
IPC分类:
B22F1/02
摘要:
本发明可以得到一种储氢合金，其具有由Mg和其它合金(例如Mg2Ni)的混合物形成的储氢基体(2)，以及覆盖该储氢基体(2)表面的催化剂层(3)。由此，该储氢合金兼具Mg所具有的高储氢性能，以及Mg2Ni所具有的高固体扩散性能。吸留在Mg上的氢通过Mg2Ni转移到其它Mg(或Mg2Ni)上。该氢的移动不需要热、压力。由此，可以在室温、大气压下吸留氢。
主权项:
1.一种储氢合金，该储氢合金具有：储氢基体，由镁与镁-镍合金、镁-钛合金、镁-铌合金、镁-锰合金或镁-钴合金的混合物形成，以及催化剂层，该催化剂层覆盖所述储氢基体的表面。
Mg－Si二元合金制备方法
专利权的终止专利号: CN101643861A
申请人: 河南理工大学
发明人: 郭学锋;杨文朋;陈思杰;柳晓婷
申请日期: 2009-09-01
公开日期: 2011-07-20
IPC分类:
C22C23/00
摘要:
一种Mg－Si二元合金制备方法，其特点在于该方法利用石英粉、废旧石英玻璃块、价格低廉的石英砂或普通Na－Ca－Si窗玻璃碎块制备高硅含量的Mg－Si二元合金。通过冶金反应，用Mg将存在于石英粉、石英砂或普通Na－Ca－Si窗玻璃渣中以SiO2化合物形式存在的Si原子置换出来，Si原子通过进一步与镁液反应，生成Mg2Si相，从而制备出高硅含量的Mg－Si二元合金。这种高Si含量的Mg－Si二元合金可进一步用于配制含Si的镁合金，也可以通过该原理，配制含Si的镁合金复合材料，这样就可以解决长期以来在不含Al的镁合金中添加Si的难点。
主权项:
1、一种Mg-Si二元合金制备方法，其特点在于：该方法包括以下步骤：a、熔化镁锭：将镁锭放入坩埚中，加热至熔化；并采用气体或溶剂保护Mg熔液，以防止Mg熔液燃烧；其熔炼温度范围控制在700～730℃；b、添加原料：将SiO2含量＞65％的原料缓慢、持续加入镁熔体中，在添加过程中不断使用石墨或低碳钢工具搅拌熔体，并使镁液与原料中的SiO2完全发生反应，使原料颗粒与镁液充分接触；c、原料中的SiO2与镁液发生剧烈的冶金化学反应，生成疏松的MgO和分布于镁液中的Mg2Si相；d、在反应过程中疏松的MgO会上浮在熔体表面，完全反应后将上浮于熔体表面的MgO熔渣除去，浇铸到模具中得到Mg-Si二元合金。
采用溶胶-凝胶杂化技术制备的超硬不粘硅炊具涂料
发明专利申请公布后的驳回专利号: CN102002268A
申请人: 东莞宜安科技股份有限公司
发明人: 李扬德
申请日期: 2009-09-01
公开日期: 2011-04-06
IPC分类:
C09D1/00
摘要:
本发明公开了一种采用溶胶-凝胶杂化技术制备的超硬不粘硅炊具涂料，其组成为：纳米二氧化硅：30～50％、硅酸化合物：20～40％、镁、钙化合物：5～10％、氯化铵：3～5％、催化剂：0.5～2.0％、助剂：1～4％、硅烷偶联剂：0.5～2.0％、多元有机硅材料：15～25％、无水乙醇：5～10％、蒸馏水：10～20％；它利用溶胶-凝胶法，合成纳米CaO-SiO2粉体，通过Mg对Ca的取代，开发出(Ca，Mg)SiO3纳米粉体材料，再在熔胶中引入低烧助剂先驱体来降低陶瓷的烧结温度，并通过添加适量有机硅材料，调节陶瓷硬化温度，获得能在250℃以下烧结的低温烧结纳米陶瓷涂料。本发明的超硬不粘硅陶瓷涂料附着力强、硬度高、不易划伤、抗冲击、无毒环保，可完全取代铁氟龙不粘涂料。
主权项:
1.一种采用溶胶-凝胶杂化技术制备的超硬不粘硅炊具涂料，按其重量百分比，其组成为：纳米二氧化硅：30～50％、硅酸化合物：20～40％、镁、钙化合物：5～10％、氯化铵：3～5％、催化剂：0.5～2.0％、助剂：1～4％、硅烷偶联剂：0.5～2.0％、多元有机硅材料：15～25％、无水乙醇：5～10％、蒸馏水：10～20％；其中，所述的硅酸化合物为：正硅酸乙酯；所述的助剂为：流平剂、消泡剂；
一种覆铜板结构
专利申请权、专利权的转移专利号: CN101415296A
申请人: 广东汕头超声电子股份有限公司覆铜板厂
发明人: 何志球;黄吉军;郭瑞珂
申请日期: 2008-11-24
公开日期: 2010-06-09
IPC分类:
H05K1/02
摘要:
一种覆铜板结构，包括两层导体层，至少三层位于两层导体层之间的绝缘介质层，至少一层绝缘介质层为改进的绝缘介质层，改进的绝缘介质层由环氧树脂、潜伏型固化剂、固化促进剂、填料组成，各组分的重量百分比含量为：环氧树脂60－90％，潜伏型固化剂1－15％，固化促进剂0.01－0.3％，填料5－25％。所述填料为无机粉末，无机粉末选自结晶硅微粉、氧化铝粉、氢氧化镁粉、氢氧化铝粉、白垩粉、层状硅酸盐粉末、重晶石粉末、海泡石粉、滑石粉、云母粉中至少一种粉末。本发明对照现有技术的有益效果是，制作出来的覆铜板和不含填料的覆铜板性能相差不大，却有效降低了制作成本，并且不需要对生产设备作出特定的修改，有利于推广。
主权项:
1、一种覆铜板结构，包括两层导体层、至少三层位于两层导体层之间的绝缘介质层，其特征在于：至少一层绝缘介质层为改进的绝缘介质层，改进的绝缘介质层由环氧树脂、潜伏型固化剂、固化促进剂、填料组成，各组分的重量百分比含量为：环氧树脂 60-90％，潜伏型固化剂 1-15％，固化促进剂 0.01-0.3％，填料 5-25％。
一种贮氢合金及其制备方法
专利权的终止专利号: CN101212047A
申请人: 比亚迪股份有限公司
发明人: 张法亮
申请日期: 2006-12-31
公开日期: 2010-06-23
IPC分类:
C22C28/00
摘要:
一种贮氢合金，其中，该合金具有通式AxByMaNb所示的组成，式中x＝1，2≤y≤5，0＜a+b≤0.5，a＞0，b＞0，且1≤b/a≤3，A为稀土元素和镁中的一种或几种，B选自钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、锡、铝、钼、硅和硼中的一种或几种，M为钛和/或锆，N为镍；AxBy为合金吸氢主相，MaNb为合金非吸氢相，吸氢主相与非吸氢相间隔分布。采用本发明提供的贮氢合金粉制成的电池循环性能好、放电容量高，电池使用寿命长。
主权项:
1.一种贮氢合金，其特征在于，该合金具有通式AxByMaNb所示的组成，式中x＝1，2≤y≤5，0＜a+b≤0.5，a＞0，b＞0，且1≤b/a≤3，A为稀土元素、镁和钙中的一种或几种，B选自钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、锡、铝、钼、硅和硼中的一种或几种，M为钛和/或锆，N为镍；AxBy为合金吸氢主相，MaNb为合金非吸氢相，吸氢相与非吸氢相间隔分布。
金属粉末专利分析
材料体系分布
制备工艺分布
技术领域分布 (IPC分类)
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B22F10/28(3D打印) • B22F9/04(制粉) •
C23C24/10(涂层) • C22C19/05(镍合金) •
B33Y50/02(控制) • C22F1/18(热处理)