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专利搜索结果 关键词: "SLM"

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双向概率性的自然语言重写和选择
发明专利权授予

专利号: CN109635270A

申请人: 声音猎手公司
发明人: 冯鹿;邢博纳
申请日期: 2018-09-29
公开日期: 2023-03-07
IPC分类: G06F17/28
摘要:
本公开涉及双向概率性的自然语言重写和选择。语音识别系统根据前向和后向统计语言模型(SLM)二者来在具有低概率的位置处执行令牌的插入、删除和替换编辑,以产生重写令牌序列。可以产生多个重写,并且分数取决于根据SLM的令牌的概率。可以根据自然语言语法来解析重写令牌序列以产生进一步加权的分数。可以使用基于树的搜索算法来迭代地重写令牌序列以找到最佳重写。输入令牌序列到重写令牌序列的映射可以被存储在缓存中,并且可以通过使用所缓存的重写(当存在时)来绕过搜索最佳重写。对产生相同的新的重写令牌序列的各种初始令牌序列的分析可用于改进自然语言语法。
主权项:
1.一种计算机实现的方法,用于在向用户提供查询结果时重写用户查询的输入令牌序列,所述方法包括:通过计算机网络从在远程客户端设备上执行的应用接收来自系统用户的用户查询,所述查询包括所述输入令牌序列;根据前向统计语言模型,确定所述输入令牌序列中的多个令牌的前向概率;根据后向统计语言模型,确定所述输入令牌序列中的多个令牌的后向概率;在具有低后向概率的第一令牌之后并且具有低前向概率的相邻第二令牌之前的位置处插入新令牌,以创建新的重写令牌序列;处理所述新的重写令牌序列以产生结果;以及向所述系统用户提供指示所述处理的结果的响应。
一种隔热及抗冲击结构件的增材制备方法
发明专利权授予

专利号: CN110883334A

申请人: 陕西千山航空电子有限责任公司
发明人: 邹亮; 陈军
申请日期: 2018-09-11
公开日期: 2020-03-17
IPC分类: B29C64/118
摘要:
本发明公开了一种具有隔热及抗冲击结构件的增材制备方法,主要选择粒径为18?45μm的高强合金钢金属粉末和粒径为20?25nm的二氧化硅粉末,并选择热塑性聚合物作为基体,高强碳纤维丝作为丝芯,然后加热使得热塑性聚合物基体至熔融状态,使碳纤维通过熔融热塑性聚合物,冷却后得到碳纤维复合材料丝材。通过激光熔融技术、熔融沉积技术、碳纤维复合材料成形、粉体填充制备结构件中各组成部分。通过碳纤维复合材料结构件组装、隔热件组装、粉体清理等后处理最终制备一种隔热及抗冲击结构件。本发明制备方法具有操作简单,制得的结构件隔热和抗冲击综合性能高,同时减轻了重量,节约了生产周期,提高了生产效率。
主权项:
1.一种隔热及抗冲击结构件的增材制备方法,其特征在于,该制备方法包括:步骤一、制备碳纤维复合材料丝材;步骤二、打印隔热金属结构件:设计隔热金属结构件模型,模型材料为合金钢金属,具有填充有二氧化硅的多孔结构;将隔热金属结构件模型导入SLM选择性激光熔融设备,在X、Y、Z方向上运动进行逐层打印成形隔热金属结构件;其中,合金钢金属粉末的打印条件为:控制铺粉系统每次铺30μm-90μm厚度的粒径为18μm-45μm的合金钢金属粉末;控制激光器功率在500W-2000W之间,控制激光光斑直径在70μm-80μm之间,控制打印速度为2m/s-3m/s;二氧化硅粉末的打印条件为:控制铺粉系统每次铺粉80μm-250μm厚度的粒径为20nm-70nm的二氧化硅混合物粉末,控制激光器功率为50w-100w,控制激光光斑直径在200μm-400μm之间,控制打印速度为5m/s-8m/s的;步骤三、制备碳纤维复合材料结构件:a)、设计碳纤维复合材料结构件3D模型,使用CAD软件进行分层,并设计运行轨迹;b)、将a)中的碳纤维复合材料结构件3D模型导入熔融沉积制造FDM设备,控制挤出速度为0.3-0.8m/min,喷嘴依据运行轨迹在X、Y、Z三轴方向上逐层打印,形成碳纤维复合材料结构件。步骤四、在步骤二中制备的隔热金属结构件内壁涂抹胶黏剂,将步骤三中制备好的碳纤维结构件放置其中,并使用胶黏剂填充缝隙,经固化成型后,完成隔热及抗冲击结构件的制备。
一种钨基零部件的成形方法
专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更

专利号: CN108907214A

申请人: 北京科技大学
发明人: 章林; 李星宇; 曲选辉; 秦明礼; 张百成; 王道宽; 王光华; 龙莹; 李晓东
申请日期: 2018-08-16
公开日期: 2018-11-30
IPC分类: B33Y50/02
摘要:
一种钨基零部件的成形方法,首先采用喷雾热解法和氢还原预烧结法,制备出高纯净度、化学成分均匀的钨铼合金粉末。然后采用两次气流磨技术改善钨铼合金粉末状态,随后在氢气氛围下进行还原,最终制备出的钨铼合金粉末具有近球形和一定孔隙度、低氧含量的特点,在成形阶段能更利于形成均匀的多孔结构。同时,通过计算机建模软件设计出复杂形状的工件示意图以及最优的加工策略,导出打印文件实现建模。最后在SLM选区激光熔化设备制备出复杂形状的多孔钨铼合金多孔零部件。该发明显著优化了原料粉末和增材制造加工工艺,制备出的多孔钨基零件组织结构均匀、合金氧含量≤0.02%、孔隙度为30~35%、开孔隙度占总孔隙度98%以上。
主权项:
1.一种钨基零部件的成形方法,其特征在于:以高纯偏钨酸铵和高铼酸铵为原料,采用喷雾热解法和氢还原法制备出高纯净度钨铼合金粉末;采用两次气流磨处理得到分散均匀、粒度分布窄的近球形钨铼合金粉末;同时,通过计算机建模软件设计出复杂形状的工件示意图以及控制扫描速度、扫描间距、扫描层厚和扫描方向,导出打印文件;接着,在SLM选区激光熔化设备制备出最终复杂形状的多孔钨铼合金零部件,具体步骤为:步骤一、设计钨铼合金中元素Re的含量为1~24wt.%,以高纯偏钨酸铵和高铼酸铵为原料,将此混合物溶解于去离子水(40-100g/L),然后进行喷雾热解过程,进料速率为500~1000ml/h,雾化压力为80~120kPa,干燥温度在90~100℃,得到前驱体混合粉末;步骤二、将前驱体混合粉末放入管式炉中通入高纯氢气进行还原,还原温度为650~1000℃、升温速率为5~10℃/min,还原时间为60~120min,得到还原前驱体粉末,将还原前驱体粉末在1000~1300℃于氢气气氛中进行合金化和预烧结,得到低氧含量的喷雾热解钨铼合金粉末,粉末氧含量≤0.05%,粒径为10~15μm,孔隙度为20~35%;步骤三、采用对喷式气流磨装置,对喷雾热解钨铼合金粉末进行两次气流磨处理;第一次气流磨实现粉末的分散和破碎;第二次气流磨使粉末表面更加圆滑,进一步提高粉末的流动性;两次气流磨均采用氮气作为研磨介质,使研磨腔内氧含量≤0.05%,最终得到气流磨处理粉末;步骤四、将气流磨后的钨铼合金粉末分别放入管式炉中通入高纯氢气进行还原,还原温度为500~800℃、升温速率为5℃/min、还原时间为10~20min,得到低氧含量的近球形钨粉和钨铼合金粉末,氧含量≤0.01%;步骤五、首先用Magic Materialia软件绘制零件三维示意图,然后在Build Processor建模软件设置加工参数,导出模型文件;采用90°旋转交替网格式扫描的方式进行激光扫描;步骤六、根据实际应用对孔隙度的要求,将不同粒径的气流磨处理的钨铼合金粉末进行粒径搭配,不同粒径的粉末混合均匀后进行选区激光熔化成形;首先在钨基板铺上层厚约为50μm的粉末,并对基板进行预热,预热温度为200℃,在建造室内充入高纯氩气进行保护,建造室内氧含量≤0.05%,每一层粉末经激光扫描后有80~160s的自然冷却时间,以减少坯体的内应力,实现全程全自动打印成形,最终得到复杂形状的多孔钨铼基合金零部件。
一种SLM3D打印机
发明专利权授予

专利号: CN108687347A

申请人: 吉林大学
发明人: 王文权;刘亮;李雅倩
申请日期: 2018-07-13
公开日期: 2024-05-28
IPC分类: B22F3/105
摘要:
本发明公开了一种SLM3D打印机,包括气体保护箱以及设置在气体保护箱外壁的计算机,气体保护箱内设置铺粉成型工作台,铺粉成型工作台的上方设置有两组X轴运动机构,两组X轴运动机构均连接有同一个Y轴运动机构,铺粉成型工作台上依次插装有送粉缸、铺粉成型缸以及粉末回收缸,铺粉成型缸内设置有打印基板,打印基板的一侧设置有可驱动打印基板在铺粉成型缸内Z向移动的Z向运动机构,每一组X轴运动机构上均设置有可在打印基板上进行激光选区融化的激光熔覆装置以及改善金属组织与力学性能的激光热处理装置。本发明具有以下有益效果:这种打印机可防止金属凝固的过程中产生裂纹,进而提高成品率;同时可提高3D打印速度,以适于大规模生产。
主权项:
1.一种SLM3D打印机,包括气体保护箱(1)以及设置在气体保护箱(1)外壁的计算机(2),其特征是:所述气体保护箱(1)内设置铺粉成型工作台(3),所述铺粉成型工作台(3)的上方设置有两组X轴运动机构(4),两组所述X轴运动机构(4)均连接有同一个Y轴运动机构(5),所述铺粉成型工作台(3)上依次插装有送粉缸(6)、铺粉成型缸(7)以及粉末回收缸(8),所述铺粉成型缸(7)内设置有打印基板(9),所述打印基板(9)的一侧设置有可驱动打印基板(9)在铺粉成型缸(7)内Z向移动的Z向运动机构(10),每一组所述X轴运动机构(4)上均设置有可在打印基板(9)上进行激光选区融化的激光熔覆装置(11)以及改善金属组织与力学性能的激光热处理装置(12);所述送粉缸(6)内设置有用以将送粉缸(6)内的原材料粉末送到铺粉成型工作台(3)表面的送粉装置(13),所述铺粉成型工作台(3)上设置有铺粉装置(14),溢出的原材料粉末在所述铺粉装置(14)带动下进入铺粉成型缸(7),并均匀平铺在所述成型工作台表面,多余的原材料粉末在所述铺粉装置(14)带动下进入粉末回收缸(8),所述粉末回收缸(8)内设置有粉末筛分装置(15),所述送粉缸(6)的上方设置有可对送粉缸(6)进行定量供粉操作的供粉装置(16)。
一种研究分子光异构化的装置
发明专利权授予

专利号: CN108760637A

申请人: 金华职业技术学院
发明人: 傅晶晶; 张向平
申请日期: 2018-07-13
公开日期: 2018-11-06
IPC分类: G01N21/63
摘要:
本发明涉及光谱化学领域,一种研究分子光异构化的装置,包括电喷雾装置、离子聚束器、离子门、激光器、偏向电极组、直线电极组、八极离子引导器、四极质量过滤器、探测器、真空腔、漂移腔、气体进口和出口,所述偏向电极组具有十九个环形电极,相邻的环形电极之间夹角为五度,直线电极组具有二十个环形电极,偏向电极组II的环形电极具有通孔,激光器III发射的激光能够通过所述通孔沿z负方向进入漂移区域;激光器I发射的激光束能够通过偏向电极组I进入漂移区域,激光器II发射的激光束能够通过直线电极组II进入漂移区域;电喷雾装置由外管、内管、挡板、进气口和液体入口组成,外管和内管均为圆柱形并为同轴嵌套构型,外管和内管之间为液体通道。
主权项:
1.一种研究分子光异构化的装置,主要包括电喷雾装置(1)、离子聚束器I(2)、离子门I(3)、激光器I(4)、偏向电极组I(5)、直线电极组I(6)、离子门II(7)、激光器II(8)、直线电极组II(9)、偏向电极组II(10)、离子聚束器II(11)、激光器III(12)、八极离子引导器(13)、四极质量过滤器(14)、探测器(15)、真空腔(16)、漂移腔(17)、气体进口(18)和气体出口(19),xyz为三维坐标系,所述离子聚束器I(2)、离子门I(3)、偏向电极组I(5)、直线电极组I(6)、离子门II(7)、直线电极组II(9)、偏向电极组II(10)和离子聚束器II(11)依次连接,所述离子聚束器I(2)、离子门I(3)、偏向电极组I(5)、直线电极组I(6)、离子门II(7)、直线电极组II(9)、偏向电极组II(10)和离子聚束器II(11)均位于所述漂移腔(17)内部,所述偏向电极组I(5)、直线电极组I(6)、直线电极组II(9)和偏向电极组II(10)均由内径为四十毫米的环形电极组成,所述偏向电极组I(5)、直线电极组I(6)、直线电极组II(9)和偏向电极组II(10)的环形电极中心形成的空间为漂移区域,所述漂移腔(17)具有起始端和末端,所述起始端和末端均具有一个小孔用于通过离子束流,所述气体进口(18)位于漂移腔(17)末端的侧壁,所述气体出口(19)位于漂移腔(17)起始端的侧壁,所述气体进口(18)依次连接有质量流量控制器和储气罐,储气罐中装有缓冲气体,缓冲气体为氮气或氦气,通过质量流量控制器能够控制漂移腔(17)中的缓冲气体流量,缓冲气体从气体出口(19)排出漂移腔(17),缓冲气体流量典型值为0.3SLM,能够形成一个通过离子聚束器I(2)的气体逆流,并能够阻止中性分子特别是电喷雾溶液中的溶剂分子进入漂移区域,漂移腔(17)具有放气阀,通过调节缓冲气流流量和所述放气阀的开与关的频率,能够控制漂移区域中的气压,所述气压典型值为1000帕斯卡,所述电喷雾装置(1)位于漂移腔(17)的起始端外一侧,所述真空腔(16)位于漂移腔(17)的末端外一侧,所述八极离子引导器(13)、四极质量过滤器(14)和探测器(15)依次线性排列地位于真空腔(16)内部,所述真空腔(16)的起始端具有一个小孔用于通过离子束流,真空腔(16)连接有真空泵组,所述真空泵组能够对所述真空腔(16)抽真空,真空度优于10-5mbar,当电喷雾装置(1)产生待测分子的离子后,离子依次经过所述离子聚束器I(2)、离子门I(3)、偏向电极组I(5)、直线电极组I(6)、离子门II(7)、直线电极组II(9)、偏向电极组II(10)、离子聚束器II(11)、八极离子引导器(13)和四极质量过滤器(14)到达探测器(15),从而形成离子束流路径,其特征是:所述偏向电极组I(5)和偏向电极组II(10)分别均具有十九个环形电极,环形电极垂直于yz平面,相邻的环形电极之间的夹角为五度,所述偏向电极组I(5)中,离子束流先通过的十个环形电极的中心位于yz平面内、且位于半径为五十毫米的1/8圆周上,并以顺时针方向等间距地排列,离子束流接下来通过的九个环形电极的中心位于yz平面内、且位于半径五十毫米的1/8圆周上,并以逆时针方向等间距地排列,所述偏向电极组II(10)中,离子束流先通过的十个环形电极的中心位于yz平面内、且位于半径为五十毫米的1/8圆周上,并以顺时针方向等间距地排列,离子束流接下来通过的九个环形电极的中心位于yz平面内、且位于半径五十毫米的1/8圆周上,并以逆时针方向等间距地排列;所述偏向电极组I(5)和偏向电极组II(10)中相邻的环形电极之间均串联有一兆欧姆电阻来分压,所述偏向电极组I(5)和偏向电极组II(10)分别通过两个高压电源来提供电压;直线电极组I(6)和直线电极组II(9)分别均具有二十个环形电极,环形电极垂直于yz平面,偏向电极组II(10)的环形电极具有通孔,激光器III(12)发射的激光能够通过所述通孔沿z负方向进入漂移区域;激光器I(4)发射的激光束能够通过所述偏向电极组I(5)进入漂移区域,激光器II(8)发射的激光束能够通过所述直线电极组II(9)进入漂移区域;离子聚束器I(2)由五十块厚度为一毫米的金属环形电极组成,包括十个内径为四十毫米的环形电极和沿z正方向内径为从四十毫米线性减小至二毫米的四十个环形电极,相邻金属环形电极用一毫米厚的绝缘片隔开;漂移区域末端连接的离子聚束器II(11)由四十个沿z正方向内径为从四十毫米线性减少至二毫米的环形电极组成;所述电喷雾装置(1)由外管(1-1)、内管(1-2)、挡板(1-3)、进气口(1-4)和液体入口(1-5)组成,所述挡板(1-3)能够将所述内管(1-2)的一侧端口密封,所述外管(1-1)和内管(1-2)均为圆柱形,外管(1-1)的内径为3000微米,内管(1-2)的外径为2700微米,所述外管(1-1)和内管(1-2)为同轴嵌套构型,所述外管(1-1)和内管(1-2)之间为液体通道,进气口(1-4)和液体入口(1-5)分别连接外管(1-1)外壁并与所述液体通道连通,外管(1-1)内壁具有分散的沿外管轴向的凹槽,所述凹槽能够使得液体在局部形成突出状以增大局域电场。
一种研究分子光异构化的方法
发明专利权授予

专利号: CN108760638A

申请人: 金华职业技术学院
发明人: 傅晶晶; 张向平
申请日期: 2018-07-13
公开日期: 2018-11-06
IPC分类: G01N21/63
摘要:
本发明涉及光谱化学领域,一种研究分子光异构化的方法,采用多种光激发模式研究气相的分子离子的光异构化,能够在质谱阶段前进行同分异构物选择并对产物中的同分异构物进行鉴别,具有多种光激发模式;能够用于研究分子离子的光分解,能够同时从迁移速率和质量两方面来鉴别其带电产物;本发明特殊的电喷雾方法能够喷射出较为均匀的雾化液滴,喷射头具有环状的液体通道,液体以薄层的形状被施加上高电压,从而能够喷射出较为均匀的雾化液滴,提高进入漂移区域的离子包的质量。
主权项:
1.一种研究分子光异构化的方法,研究分子光异构化的装置主要包括电喷雾装置(1)、离子聚束器I(2)、离子门I(3)、激光器I(4)、偏向电极组I(5)、直线电极组I(6)、离子门II(7)、激光器II(8)、直线电极组II(9)、偏向电极组II(10)、离子聚束器II(11)、激光器III(12)、八极离子引导器(13)、四极质量过滤器(14)、探测器(15)、真空腔(16)、漂移腔(17)、气体进口(18)和气体出口(19),xyz为三维坐标系,所述离子聚束器I(2)、离子门I(3)、偏向电极组I(5)、直线电极组I(6)、离子门II(7)、直线电极组II(9)、偏向电极组II(10)和离子聚束器II(11)依次连接,所述离子聚束器I(2)、离子门I(3)、偏向电极组I(5)、直线电极组I(6)、离子门II(7)、直线电极组II(9)、偏向电极组II(10)和离子聚束器II(11)均位于所述漂移腔(17)内部,所述偏向电极组I(5)、直线电极组I(6)、直线电极组II(9)和偏向电极组II(10)均由内径为四十毫米的环形电极组成,所述偏向电极组I(5)、直线电极组I(6)、直线电极组II(9)和偏向电极组II(10)的环形电极中心形成的空间为漂移区域,所述漂移腔(17)具有起始端和末端,所述起始端和末端均具有一个小孔用于通过离子束流,所述气体进口(18)位于漂移腔(17)末端的侧壁,所述气体出口(19)位于漂移腔(17)起始端的侧壁,所述气体进口(18)依次连接有质量流量控制器和储气罐,储气罐中装有缓冲气体,缓冲气体为氮气或氦气,通过质量流量控制器能够控制漂移腔(17)中的缓冲气体流量,缓冲气体从气体出口(19)排出漂移腔(17),缓冲气体流量典型值为0.3SLM,能够形成一个通过离子聚束器I(2)的气体逆流,并能够阻止中性分子特别是电喷雾溶液中的溶剂分子进入漂移区域,漂移腔(17)具有放气阀,通过调节缓冲气流流量和所述放气阀的开与关的频率,能够控制漂移区域中的气压,所述气压典型值为1000帕斯卡,所述电喷雾装置(1)位于漂移腔(17)的起始端外一侧,所述真空腔(16)位于漂移腔(17)的末端外一侧,所述八极离子引导器(13)、四极质量过滤器(14)和探测器(15)依次线性排列地位于真空腔(16)内部,所述真空腔(16)的起始端具有一个小孔用于通过离子束流,真空腔(16)连接有真空泵组,所述真空泵组能够对所述真空腔(16)抽真空,真空度优于10-5mbar,当电喷雾装置(1)产生待测分子的离子后,离子依次经过所述离子聚束器I(2)、离子门I(3)、偏向电极组I(5)、直线电极组I(6)、离子门II(7)、直线电极组II(9)、偏向电极组II(10)、离子聚束器II(11)、八极离子引导器(13)和四极质量过滤器(14)到达探测器(15),从而形成离子束流路径;所述偏向电极组I(5)和偏向电极组II(10)分别均具有十九个环形电极,环形电极垂直于yz平面,相邻的环形电极之间的夹角为五度,所述偏向电极组I(5)中,离子束流先通过的十个环形电极的中心位于yz平面内、且位于半径为五十毫米的1/8圆周上,并以顺时针方向等间距地排列,离子束流接下来通过的九个环形电极的中心位于yz平面内、且位于半径五十毫米的1/8圆周上,并以逆时针方向等间距地排列,所述偏向电极组II(10)中,离子束流先通过的十个环形电极的中心位于yz平面内、且位于半径为五十毫米的1/8圆周上,并以顺时针方向等间距地排列,离子束流接下来通过的九个环形电极的中心位于yz平面内、且位于半径五十毫米的1/8圆周上,并以逆时针方向等间距地排列;所述偏向电极组I(5)和偏向电极组II(10)中相邻的环形电极之间均串联有一兆欧姆电阻来分压,所述偏向电极组I(5)和偏向电极组II(10)分别通过两个高压电源来提供电压;直线电极组I(6)和直线电极组II(9)分别均具有二十个环形电极,环形电极垂直于yz平面,偏向电极组II(10)的环形电极具有通孔,激光器III(12)发射的激光能够通过所述通孔沿z负方向进入漂移区域;激光器I(4)发射的激光束能够通过所述偏向电极组I(5)进入漂移区域,激光器II(8)发射的激光束能够通过所述直线电极组II(9)进入漂移区域;离子聚束器I(2)由五十块厚度为一毫米的金属环形电极组成,包括十个内径为四十毫米的环形电极和沿z正方向内径为从四十毫米线性减小至二毫米的四十个环形电极,相邻金属环形电极用一毫米厚的绝缘片隔开;漂移区域末端连接的离子聚束器II(11)由四十个沿z正方向内径为从四十毫米线性减少至二毫米的环形电极组成;所述电喷雾装置(1)由外管(1-1)、内管(1-2)、挡板(1-3)、进气口(1-4)和液体入口(1-5)组成,所述挡板(1-3)能够将所述内管(1-2)的一侧端口密封,所述外管(1-1)和内管(1-2)均为圆柱形,外管(1-1)的内径为3000微米,内管(1-2)的外径为2700微米,所述外管(1-1)和内管(1-2)为同轴嵌套构型,所述外管(1-1)和内管(1-2)之间为液体通道,进气口(1-4)和液体入口(1-5)分别连接外管(1-1)外壁并与所述液体通道连通,外管(1-1)内壁具有分散的沿外管轴向的凹槽,所述凹槽能够使得液体在局部形成突出状以增大局域电场,所述外管(1-1)内壁的凹槽的数量为四到十二个,凹槽断面形状为半圆形或正方形或三角形,其特征是:所述一种研究分子光异构化的方法的步骤为:一.将高纯氮气从电喷雾装置(1)的进气口(1-4)通入,流量典型值为1.0SLM,同时将包含待测分子的溶液从电喷雾装置(1)的液体入口(1-5)通入,流量典型值为2.0毫升/分钟;二.在电喷雾装置(1)的外管(1-1)和内管(1-2)之间施加电压,电压范围1000V到5000V,使得溶液中的部分待测分子成为离子形式,并且溶液在电喷雾装置(1)出口形成雾化的液滴,调节电压能够调整液体喷雾的形状,一部分液滴通过漂移腔(17)起始端的小孔进入漂移腔(17);三.进入漂移腔(17)的离子在通过离子聚束器I(2)时,离子聚束器I(2)的第一个环形电极和最后一个环形电极上只施加直流电势,其他环形电极上施加直流及交流电势,直流电势的范围150V到300V,交流电势的范围30V到50V,且相邻环形电极上施加的交流电势的相位相反,交流电势的驱动频率为300kHz,通过分压器加到每一个环形电极上的直流电势沿z正方向递减,使得离子束达到汇聚的效果;四.离子束经过偏向电极组I(5)所在的漂移区域时的运动方向先偏离z方向后又回到z方向,接下来依次经过直线电极组I(6)、离子门II(7)、直线电极组II(9)后,接下来在偏向电极组II(10)所在的漂移区域中运动方向先偏离z方向后又回到z方向;五.激光照射到位于漂移区域中的离子包,对其进行激发,激光束横截面大于5毫米×5毫米以使得整个离子包都被照射到,有三种光激发模式可以选择:模式一:离子在通过离子门I(3)之后30毫米位置受到由激光器I(4)发射的激光脉冲照射,母离子以及由光激发产生的光异构体、光碎片离子在经过漂移区域后能够在时间和空间上被分离开来,优点是整个离子包能够在扩散之前被相对较强的激光照射;模式二:在漂移区域中离子包经过离子门II(7)的迁移率选择后,被由激光器II(8)发射的激光照射。在离子门I(3)开启并将某个离子包传输通过后,离子门II(7)开启100微秒,在离子门II(7)后15mm位置,由激光器II(8)发射的激光脉冲与所选择的离子相重叠,优点是能够对漂移管中的在时间和空间上分离的光异构体进行激发,生成经过迁移率选择的异构体离子包,其结果是,光异构体信号能够在零背底的条件下被观测到;模式三:由激光器III(12)发射的激光通过偏向电极组II(10)的环形电极上的通孔,沿z方向辐射到离子上,优点是适用于从基态激发到激发态并迅速弛豫到基态的分子离子,在这种条件下,激光激发能够用于建立基态与激发态之间的光驱动平衡;六.离子束进入离子聚束器II(11),离子聚束器II(11)的第一个环形电极和最后一个环形电极上只施加直流电势,其他环形电极上施加直流及交流电势,直流电势的范围150V到300V,交流电势的范围30V到50V,且相邻环形电极上施加的交流电势的相位相反,驱动频率为500kHz,通过分压器加到每一个环形电极上的直流电势线性递减,使得离子束进一步汇聚;七.离子束依次通过漂移腔(17)末端的小孔及真空腔(16)起始端的小孔进入真空腔(16),离子束经过八极离子引导器(13)后,其在xz平面的截面减小;八.离子束经过四极质量过滤器(14),通过调节四极质量过滤器(14)的四极杆上的电压值,电压范围50V到200V,能够根据离子的荷质比差异对离子进行质量选择;九.经过质量选择的离子进入探测器(15),得到对应的信号;十.分析数据,得到不同激光条件下探测器(15)探测到的离子信号的强弱及延迟时间,得到各异构体离子包到达探测器的时间的分布,得到各异构体离子包到达探测器的时间与其荷质比的关系,得到各异构体离子包到达探测器的时间与光激发采用的激光波长的关系,判断产生的离子的类型及其与不同激光波长的关系,得到光异构化作用谱;十一.进一步分析数据,确定测得的离子迁移率与分子结构的关系。
一种有机分子的真空沉积方法
发明专利权授予

专利号: CN108906363A

申请人: 金华职业技术学院
发明人: 傅晶晶; 张向平
申请日期: 2018-07-13
公开日期: 2018-11-30
IPC分类: B05D1/00
摘要:
本发明涉及材料制备领域,一种有机分子的真空沉积方法,将高纯氮气从进气口通入,流量典型值为5.0SLM,将溶液从液体入口通入,流量典型值为20mL/M;在外管和内管之间施加电压,使得溶液中的部分待沉积分子成为离子形式,溶液形成雾化液滴,调节电压,调整挡板旋转,改变挡板与凹槽相对位置,控制喷射束流;调节电喷雾装置位置,调整通过毛细管进入真空腔体的雾化液滴数量;液滴中的待沉积分子的离子包和杂质通过离子聚束器I;待沉积分子的离子包和杂质通过离子聚束器II,离子束进一步汇聚;离子包和杂质到达静电偏向器;经过荷质比选择,带电杂质被偏转并与四极质量过滤器的极板碰撞而被过滤,最终只有待沉积分子的离子包到达衬底表面。
主权项:
1.一种有机分子的真空沉积方法,有机分子的真空沉积装置主要包括电喷雾装置(1)、位移台(2)、毛细管(3)、真空腔体(4)、离子聚束器I(5)、离子聚束器II(6)、静电偏向器(7)、四极质量过滤器(8)和样品台(9),xyz为三维坐标系,电喷雾装置(1)安装在位移台(2)上能够三维移动,所述真空腔体(4)为两段圆柱形真空腔呈90度连接而成、且具有初始端和末端,所述离子聚束器I(5)、离子聚束器II(6)、静电偏向器(7)、四极质量过滤器(8)、样品台(9)依次均位于真空腔体(4)内,静电偏向器(7)位于真空腔的转角处,四极质量过滤器(8)具有极板,样品台(9)上具有衬底,所述真空腔体(4)连接有多个真空泵组,使得在离子聚束器I(5)处真空度1.0mbar、在离子聚束器II(6)处真空度4×10-2mbar、在静电偏向器(7)处真空度1×10-5mbar、在四极质量过滤器(8)处真空度1×10-7mbar;所述真空腔体(4)的初始端连接有毛细管(3),电喷雾装置(1)产生的液滴能够通过所述毛细管(3)进入真空腔体(4),液滴中大部分溶剂被真空泵组抽出真空腔体(4)外,液滴中的待沉积分子的离子包和带电杂质依次通过离子聚束器I(5)、离子聚束器II(6)到达静电偏向器(7),在静电偏向器(7)中待沉积分子的离子包和带电杂质被偏转90度后,到达四极质量过滤器(8),而中性杂质不会被偏转;在四极质量过滤器(8)中经过荷质比选择,带电杂质被偏转并与四极质量过滤器(8)的极板碰撞而被过滤,最终仅有待沉积分子的离子包到达样品台(9)上的衬底表面;电喷雾装置(1)由外管(1-1)、内管(1-2)、挡板(1-3)、进气口(1-4)、液体入口(1-5)组成,所述外管(1-1)和内管(1-2)均为圆柱形,外管(1-1)的内径为3000微米,内管(1-2)的外径为2700微米,所述外管(1-1)和内管(1-2)为同轴嵌套构型,外管(1-1)和内管(1-2)之间为液体通道,进气口(1-4)和液体入口(1-5)分别连接外管(1-1)外壁并与液体通道连通,外管(1-1)内壁具有分散的沿外管轴向的形状完全相同的凹槽,能够增大局域电场;离子聚束器I(5)将真空腔体(4)分为真空段I(4-1)和真空段II(4-2),离子聚束器I(5)位于真空腔体(4)起始端一侧的真空段I(4-1)中,离子聚束器II(6)位于真空段II(4-2)起始端一侧的真空段II(4-2)中,离子聚束器I(5)由三十块厚度为一毫米的金属环形电极组成,相邻金属环形电极用一毫米厚的绝缘片隔开,环形电极的内径从五十毫米到五毫米线性递减;离子聚束器II(6)由六十个金属环形电极组成,相邻金属环形电极用二毫米厚的绝缘片隔开,其中前十个环形电极内径三十毫米,后五十个环形电极的内径从三十毫米到二毫米线性递减;所述挡板(1-3)为直径2900微米的圆形金属板,且与所述内管(1-2)的一侧端口同心,并将所述内管(1-2)的一侧端口密封,挡板(1-3)边缘具有形状相同的缺口,相邻的所述缺口之间的间距一致,挡板(1-3)能够绕外管(1-1)和内管(1-2)的轴线旋转,以控制喷射束流;所述外管(1-1)内壁的凹槽的数量为四到十二个,凹槽断面形状为半圆形或正方形或三角形,挡板(1-3)上缺口的数量为四到十二个,缺口形状为半圆形或正方形或三角形,所述半圆形的半径范围30微米到50微米,所述正方形的边长范围40微米到60微米,所述三角形边长范围30微米到60微米,其特征是:所述一种有机分子的真空沉积方法的步骤为:一.将高纯氮气从电喷雾装置(1)的进气口(1-4)通入,流量典型值为5.0SLM,SLM为标准气体每升/分钟,同时将包含待沉积分子的溶液从电喷雾装置(1)的液体入口(1-5)通入,流量典型值为20mL/M(毫升/分钟);二.在电喷雾装置(1)的外管(1-1)和内管(1-2)之间施加电压,电压范围2000V到6000V,使得溶液中的部分待沉积分子成为离子形式,并且溶液在电喷雾装置(1)出口形成雾化的液滴,调节电压以能够调整液体喷雾的形状,调整挡板(1-3)的位置使其绕外管(1-1)和内管(1-2)的轴线旋转,改变挡板(1-3)上的缺口与外管(1-1)上的凹槽之间的相对位置,以能够控制喷射束流;三.通过位移台(2)调节电喷雾装置(1)位置,以能够调整通过毛细管(3)进入真空腔体(4)的雾化的液滴的数量;四.进入真空腔体(4)的液滴中大部分溶剂被真空泵组抽出真空腔体(4)外,液滴中的待沉积分子的离子包和杂质通过离子聚束器I(5),离子聚束器I(5)的第一个环形电极和最后一个环形电极上只施加直流电势,其他环形电极上施加直流及交流电势,且相邻环形电极上施加的交流电势的相位相反,驱动频率为300kHz,通过分压器加到每一个环形电极上的直流电势线性递减,使得离子束达到汇聚的效果;五.待沉积分子的离子包和杂质等通过离子聚束器II(6),离子聚束器II(6)的第一个环形电极和最后一个环形电极上只施加直流电势,其他环形电极上施加直流及交流电势,且相邻环形电极上施加的交流电势的相位相反,驱动频率为500kHz,通过分压器加到每一个环形电极上的直流电势线性递减,使得离子束进一步汇聚;六.离子包和杂质到达静电偏向器(7),在静电偏向器(7)中待沉积分子的离子包和带电杂质被偏转90度后到达四极质量过滤器(8),中性杂质不会被偏转而被过滤;七.在四极质量过滤器(8)中经过荷质比选择,通过调节施加在四极质量过滤器(8)的极板上的电压,使得带电杂质被偏转并与四极质量过滤器(8)的极板碰撞从而被过滤,最终只有待沉积分子的离子包到达样品台(9)上的衬底表面。
一种大分子沉积方法
发明专利权授予

专利号: CN109046817A

申请人: 金华职业技术学院
发明人: 张向平; 赵永建
申请日期: 2018-07-13
公开日期: 2018-12-21
IPC分类: B05D1/00
摘要:
本发明涉及材料制备领域,一种大分子沉积方法,泵组抽真空;将溶液通入;缓冲气体通入缓冲气体腔,通过出气口进入喷雾腔,最终从缓冲气出口排出;在外管和内管之间施加电压,使得溶液中的部分待沉积分子成为离子形式,并且溶液在电喷雾装置出口形成雾化的液滴,调节电压,调整电喷雾装置位置;部分电喷雾装置出口形成雾化的液滴依次通过出气口II、缓冲气体腔进入真空腔,液滴中剩下待沉积分子的离子、溶剂分子及杂质组成的离子束流;当离子束流通过分流器I时,溶剂分子由于与分流器I壁碰撞而受热并被蒸发从而偏离离子束流;杂质由于与分流器II壁碰撞而受热并被散射从而偏离离子束流;离子束流中部分离子沉积在挡板上;待沉积分子沉积在样品上。
主权项:
1.一种大分子沉积方法,大分子沉积装置主要包括缓冲气出口(1)、喷雾腔(2)、电喷雾装置(3)、高压电源(4)、缓冲气体腔(5)、出气口I(6)、出气口II(7)、缓冲气进口(8)、真空腔(9)、泵组I(10)、分流器I(11)、泵组II(12)、分流器II(13)、泵组III(14)、沉积腔(15)、挡板(16)、直流电源(17)和样品(18),xyz为三维坐标系,所述喷雾腔(2)、缓冲气体腔(5)、真空腔(9)和沉积腔(15)依次连接,所述真空腔(9)被分流器I(11)和分流器II(13)分为真空段I(9-1)、真空段II(9-2)和真空段III(9-3),真空段I(9-1)和真空段III(9-3)分别位于真空腔(9)的起始端和末端,所述起始端和末端均具有小孔,沉积腔(15)的起始端具有小孔;泵组I(10)、泵组II(12)和泵组III(14)分别连接真空段I(9-1)、真空段II(9-2)和真空段III(9-3);所述挡板(16)和样品(18)位于沉积腔(15)中,挡板(16)为金属材质并具有通孔,所述通孔直径范围是一毫米至十毫米;直流电源(17)的一个电极连接挡板(16),另一个电极接地,能够中和积聚在挡板(16)上的电荷;电喷雾装置(3)位于喷雾腔(2)内,电喷雾装置(3)由外管(1-1)、内管(1-2)、挡板(1-3)和液体入口(1-4)组成,所述挡板(1-3)将所述内管(1-2)的末端端口密封,所述外管(1-1)和内管(1-2)均为圆柱形,外管(1-1)的内径为3000微米,内管(1-2)的外径为2700微米,所述外管(1-1)和内管(1-2)为同轴嵌套构型,外管(1-1)和内管(1-2)之间为液体通道,液体入口(1-4)连接外管(1-1)外壁并与所述液体通道连通,高压电源(4)与外管(1-1)电缆连接;所述缓冲气体腔(5)具有出气口I(6)、出气口II(7)和缓冲气进口(8),出气口II(7)是直径为二毫米的圆形且位于xy平面,出气口I(6)是内径为六毫米外径为八毫米的环形且位于xy平面,出气口I(6)与出气口II(7)同心,缓冲气体从缓冲气进口(8)进入缓冲气体腔(5),并能够通过出气口I(6)和出气口II(7)进入喷雾腔(2),最终从缓冲气出口(1)排出,缓冲气体为氮气或氦气;电喷雾装置(3)的外管(1-1)末端内壁上具有形状相同的若干缺口,相邻的所述缺口之间的间距相等,使得能够增大局域电场而产生更多的液体喷雾,所述分流器I(11)具有加热丝,其温度能够从室温到500摄氏度范围内调节;所述外管(1-1)末端内壁上的缺口数量为四到十二个,所述缺口形状为半圆形或正方形或三角形,其特征是:所述一种大分子沉积方法的步骤为:一.开启泵组I(10)、泵组II(12)和泵组III(14),使得真空段I(9-1)、真空段II(9-2)和真空段III(9-3)的真空分别达到1×10-2mbar、1×10-5mbar、1×10-7mbar;二.将包含待沉积分子的溶液从电喷雾装置(3)的液体入口(3-4)通入,流速典型值为20mL/M(毫升/分钟);三.将缓冲气体从缓冲气进口(8)通入缓冲气体腔(5),并通过出气口I(6)及出气口II(7)进入喷雾腔(2),最终从缓冲气出口(1)排出,流速范围为2到10SLM(SLM为标准气体每升/分钟);四.在电喷雾装置(3)的的外管(3-1)和内管(3-2)之间施加电压,电压范围1000V到6000V,使得溶液中的部分待沉积分子成为离子形式,并且溶液在电喷雾装置(3)出口形成雾化的液滴,液滴中包含了待沉积分子、其他杂质以及溶剂,调节电压能够调整液体喷雾的形状,调整电喷雾装置(3)位置,使得外管(3-1)与出气口II(7)同心;五.部分电喷雾装置(3)出口形成雾化的液滴依次通过出气口II(7)、缓冲气体腔(5)进入真空腔(9),液滴中大部分溶剂被泵组I(10)抽出真空腔(9)外,液滴中剩下的待沉积分子的离子、部分溶剂分子及其他杂质组成的离子束流继续在真空腔(9)中运动;六.使得分流器I(11)的温度达到300摄氏度,当离子束流通过分流器I(11)时,溶剂分子由于与分流器I(11)壁碰撞而受热并被蒸发从而偏离离子束流;七.分流器II(13)的温度达到400摄氏度,部分其他杂质由于与分流器II(13)壁碰撞而受热并被散射从而偏离离子束流;八.离子束流中部分离子沉积在挡板(16)上,将直流电源(17)的输出电流设置为范围0.1mA到1mA,用于中和积聚在挡板(16)上的电荷;九.离子束流中部分待沉积分子沉积在样品(18)上。
一种用于大分子光反应的方法
发明专利权授予

专利号: CN109164088A

申请人: 金华职业技术学院
发明人: 张向平; 赵永建
申请日期: 2018-07-13
公开日期: 2019-01-08
IPC分类: G01N21/66
摘要:
本发明涉及分子谱学领域,一种用于大分子光反应的方法,由于用于大分子光反应的装置采用了特殊设计的缓冲气体腔,具有能够交替开启和关闭的出气口,以有效控制的缓冲气体的逆流来稳定电喷雾射流,有效控制的缓冲气体的逆流,从而增加喷雾的均匀度及质量流量,采用了特殊设计的离子聚束器,并同时施加交流电势和直流电势来减少离子束流中的杂质,以能够增加离子束流的透射率,并减少了离子束流中的杂质,能够产生气相的大分子的离子、并具有高灵敏度及信号稳定性。
主权项:
1.一种用于大分子光反应的方法,用于大分子光反应的装置主要包括缓冲气出口(1)、喷雾腔(2)、电喷雾装置(3)、高压电源(4)、缓冲气体腔(5)、出气口I(6)、出气口II(7)、缓冲气进口(8)、真空腔(9)、离子聚束器(10)、四极杆质量过滤器I(11)、探测器I(12)、偏向器I(13)、八极杆引导器(14)、偏向器II(15)、激光器I(16)、离子阱(17)、偏向器III(18)、激光器II(19)、四极杆质量过滤器II(20)和探测器II(21),xyz为三维坐标系,探测器I(12)连接于偏向器I(13),真空腔(9)具有能透光的真空窗口,激光器I(16)发射的激光束能够通过所述真空窗口及偏向器II(15)进入离子阱(17),激光器II(19)发射的激光束能够通过所述真空窗口及偏向器III(18)进入离子阱(17),所述喷雾腔(2)、缓冲气体腔(5)和真空腔(9)依次连接,所述真空腔(9)被离子聚束器(10)、偏向器I(13)、偏向器II(15)和偏向器III(18)依次分隔为真空段I(9-1)、真空段II(9-2)、真空段III(9-3)、真空段IV(9-4)和真空段V(9-5),真空段II(9-2)和真空段III(9-3)之间、真空段III(9-3)和真空段IV(9-4)之间、真空段IV(9-4)和真空段V(9-5)之间均分别在yz平面内呈90度角连接,所述偏向器I(13)、偏向器II(15)和偏向器III(18)分别位于所述90度角连接处,真空段I(9-1)和真空段V(9-5)分别位于真空腔(9)的起始端和末端,所述起始端具有小孔,所述真空腔(9)连接有真空泵组;四极杆质量过滤器I(11)位于真空段II(9-2)内,四极杆质量过滤器I(11)和四极杆质量过滤器II(20)能够根据离子的荷质比对通过的离子进行质量选择,八极杆引导器(14)位于真空段III(9-3)内,能够对离子束流进行引导,离子阱(17)位于真空段IV(9-4)内,通过调节施加在离子阱(17)上的电势,能够将离子囚禁在离子阱(17)中,并能够将离子冷却,离子阱(17)具有束流挡板,能够阻挡离子束流,四极杆质量过滤器II(20)和探测器II(21)均位于真空段V(9-5)内;电喷雾装置(3)位于喷雾腔(2)内,电喷雾装置(3)具有喷雾口,高压电源(4)与电喷雾装置(3)电缆连接,当高压电源(4)输出高于1000V的电压时,雾化的液体能够从所述喷雾口喷出;缓冲气体腔(5)的横截面是直径为100毫米的圆形,所述横截面具有出气口II(7)和出气口I(6),出气口II(7)是直径为6毫米的圆形且位于缓冲气体腔(5)横截面的中心,出气口I(6)具有两个且关于出气口II(7)对称,缓冲气体腔(5)能够绕其在z方向的中心轴转动;出气口II(7)处安装有阀,能够通过外部电路控制阀的开启与关闭;离子聚束器(10)由第1个环形电极盘至第100个环形电极盘总共100片环形电极盘组成,所述环形电极盘的厚度均为0.5毫米,相邻的环形电极盘之间间隔均为0.5毫米、并沿z轴正方向平行且同心排列,所述第1个环形电极盘到第50个环形电极盘的中心孔径均为26毫米,第51个环形电极盘到第100个环形电极盘的孔径从26毫米线性减小至2毫米,其中第30个环形电极盘的中心孔处通过金属支撑条(10-3)连接有一个直径为七毫米的金属盘,金属支撑条(10-3)宽度为0.5毫米,所述金属支撑条(10-3)具有四根且均布,能够使得金属盘与第30个环形电极盘中心孔同心,金属盘能够将离子流中的中性杂质的射流发散,其特征是:所述一种用于大分子光反应的方法的步骤为:一.开启真空泵组,使得真空段I(9-1)、真空段II(9-2)、真空段III(9-3)、真空段IV(9-4)和真空段V(9-5)的真空度分别达到1mbar、1×10-2mbar、2×10-7mbar、2×10-9mbar和1×10-9mbar;二.调整电喷雾装置(3)位置,使所述喷雾口正对着出气口II(7),高压电源(4)输出电压,电喷雾装置(3)将包含待研究分子的溶液以雾化液滴形式喷出至喷雾腔(2),液滴中包含了待研究分子、其他杂质以及溶剂分子,调节高压电源(4)输出电压能够调整液体喷雾的形状,输出电压范围从2000V到5000V;三.将缓冲气体从缓冲气进口(8)通入缓冲气体腔(5),并通过出气口I(6)及出气口II(7)进入喷雾腔(2),最终从缓冲气出口(1)排出,流速范围为1到5SLM,SLM为标准气体每升/分钟,与此同时,使缓冲气体腔(5)绕其在z方向的中心轴转动,转速为0.05周/秒,控制出气口II(7)处的阀的开启与关闭,开启与关闭的间隔时间为1秒;四.部分电喷雾装置出口形成雾化的液滴通过出气口I(6)及出气口II(7)进入缓冲气体腔(5)后进入真空腔(9),液滴中大部分溶剂被真空泵组抽出真空腔(9)外,液滴中剩下的待测分子的离子、部分溶剂分子及其他杂质组成的离子束流继续在真空腔(9)中运动;五.离子聚束器(10)的第奇数个和第偶数个环形电极上分别施加+V和-V的射频电压,射频电压的驱动频率范围从100kHz到600kHz,射频电势典型值20V,其中,第30个环形电极上不施加射频电势,只施加直流电势150V,与此同时,离子聚束器(10)的第1个到第29个环形电极及第31个到第100个环形电极上施加直流电势,第1个环形电极上的直流电势200V,第100个环形电极上的直流电势10V,从第1个到第29个环形电极及从第31个到第100个环形电极上施加的直流电势线性减少;六.离子束流通过离子聚束器(10)后,又通过四极杆质量过滤器I(11),接下来被偏向器I(13)偏向后进入真空段III(9-3);七.离子束流通过八极杆引导器(14)后,被偏向器II(15)偏向后进入真空段IV(9-4);八.离子阱(17)具有束流挡板,能够阻挡离子束流,开启所述束流挡板200微秒后关闭,通过所述束流挡板的离子束流以离子包的形式进入离子阱(17),调节离子阱(17)的电势使得所述离子包被囚禁在离子阱(17)中并冷却;九.激光器I(16)或激光器II(19)发射的激光束照射到离子阱中的离子包上,进行光激发反应,照射时间典型值为0.1秒;十.激光停止照射时,调节离子阱(17)电势,使得光激发反应产生的离子碎片离开离子阱(17)并向偏向器III(18)运动;十一.所述离子碎片被偏向器III(18)偏向后进入四极杆质量过滤器II(20),在四极杆质量过滤器II(20)中进行质量选择后进入探测器II(21);十二.分析探测器II(21)采集的数据,对光激发产物进行表征。
一种场景目标自动分析检测处理方法及装置
专利实施许可合同备案的生效、变更及注销

专利号: CN108921053A

申请人: 杭州电子科技大学
发明人: 赵巨峰; 华玮平; 崔光茫; 公晓丽; 朱礼尧; 林君
申请日期: 2018-06-15
公开日期: 2018-11-30
IPC分类: G06K9/00
摘要:
本发明公开了一种场景目标自动分析检测处理方法及装置,利用光学硬件计算与软件计算相结合,直接面向自然场景分析与探测目标景物,能有效快速地获得目标探测结果。本发明包括:(1)构造傅里叶系统装置,光路搭建;(2)调整会聚球镜,使自然景物准确接入傅里叶系统;(3)控制FPGA与SLM,实现空间滤波与图像采集;(4)场景分析与目标检测计算。本发明利用光链路计算一体化思维,直接面向自然景物,即可实现场景分析与目标检测。
主权项:
1.一种场景目标自动分析检测处理装置,从景物端到成像端,包括底部设有机械导轨的会聚球镜,第一傅氏透镜,空间光调制器SLM,第二透镜,成像传感器CMOS,FPGA,其特征在于:所有光学与成像器件处于同一光轴上,第一傅氏透镜与第二傅氏透镜构成傅里叶系统,两透镜规格一致,焦距均为f,会聚球镜成像面、第一傅氏透镜、频谱面、第二傅氏透镜、CMOS,这五者依次之间相距为f。
一种强散射材料的光热效应测量系统及其测量方法
专利权的终止

专利号: CN108760645A

申请人: 电子科技大学
发明人: 成祎珊; 张希仁; 杨立峰; 彭真明; 冉啟锐
申请日期: 2018-05-29
公开日期: 2018-11-06
IPC分类: G01N21/17
摘要:
本发明公开了一种强散射材料的光热效应测量系统及其测量方法,涉及材料无损检测技术领域,本发明包括计算机、函数信号发生器、激光器、用于放置待测材料的测试平台、聚光组件、与计算机电连接的信号反馈组件、光路转换器和空间光调制器SLM,光路转换器与激光器设置于同一水平高度上,空间光调制器SLM与计算机电连接,测试平台设置于光路转换器的正下方,聚光组件用于聚集调制变化的激光照射到样件后由于存在光热效应,样件出现温度涨落与红外辐射,将经被测材料产生的辐射信号收集反射至信号反馈组件,本发明采用空间光调制器SLM进行波前调控,补偿散射相位,从而提高吸收效应,减小材料特性测量中的强散射,增强了材料表面的红外辐射信号。
主权项:
1.一种强散射材料的光热效应测量系统,包括计算机(1)、与计算机(1)电连接的函数信号发生器(2)、与函数信号发生器(2)电连接的激光器(3)、用于放置待测材料的测试平台(11)、聚光组件以及分别与计算机(1)和函数信号发生器(2)电连接的信号反馈组件,其特征在于:还包括光路转换器(5)和空间光调制器SLM(6),所述光路转换器(5)与激光器(3)设置于同一水平高度上,用于使激光器(3)发出的激光束射入空间光调制器SLM(6)中,空间光调制器SLM(6)与计算机(1)电连接,测试平台(11)设置于光路转换器(5)的正下方,聚光组件用于聚集经空间光调制器SLM(6)补偿相位后的激光信号入射到被测材料上,并且将经被测材料反射后的辐射信号收集反射至信号反馈组件,通过信号反馈组件将辐射信号信息传送至计算机(1)。
一种SLM激光快速成形的熔融池在线监控系统
发明专利申请公布后的视为撤回

专利号: CN108453260A

申请人: 张万军
发明人: 张万军
申请日期: 2018-04-18
公开日期: 2018-08-28
IPC分类: B33Y50/02
摘要:
本发明公开了一种SLM激光快速成形的熔融池在线监控系统,包括激光器、高速摄像机、配电柜、控制系统、激光选区熔融池装置、激光检测装置;其中:所述的高速摄像机安装在激光器的左端,所述的高速摄像机上设有四个CCD高速成像镜;所述的激光选区熔融池装置包括成型缸、供粉缸、工作台、激光选区熔融装置;激光进入激光选区熔融池装置中,激光检测装置进行监测,高速摄像机拍摄熔融池在线图像,实时传输计算机,可以在计算机上实时观测SLM激光快速成形的熔融池在线图像,完成SLM激光快速成形的熔融池在线监控,其结构简单、操作方便。本发明实现SLM激光快速成形的熔融池在线监控,提高了生产效率,能够产生很好的经济效益和社会效益。
主权项:
1.一种SLM激光快速成形的熔融池在线监控系统,其特征在于:包括激光器(1)、高速摄像机(3)、配电柜(4)、控制系统(14)、激光选区熔融池装置(23)、激光检测装置(26);其中:所述的高速摄像机(3)安装在激光器(1)的左端,所述的高速摄像机(3)上设有四个CCD高速成像镜,用于前、后、左、右扑捉SLM激光快速成形的熔融池的在线监控图像的数据;所述的激光器(1)上设有关闸(2),所述的关闸(2)下端设有激光器开关,所述的关闸(2),用于控制激光器的开启与关闭;所述的激光选区熔融池装置(23)包括成型缸(19)、供粉缸(20)、工作台(21)、激光选区熔融装置(22);所述的工作台(21),左下端安装供粉缸(20),右下端安装成型缸(19),上端安装激光选区熔融装置(22);所述的供粉缸(20)还包括铺粉缸(28),所述的铺粉缸(28)左、右两端分别设有左铺粉滚子(27)、右铺粉滚子(29),所述的左铺粉滚子(27)、右铺粉滚子(29)同时运动,完成SLM的铺粉运动;所述的供粉缸(20)下端设有供粉口(30),所述的供粉口(30),完成SLM粉末的进入;所述的激光检测装置(26)包括光敏二极管(16)、风光镜(17)、半反射镜(18)、扫描头(24)、聚焦镜(25)、振镜;所述的聚焦镜(25),左侧安装扫描头(24),右侧依次安装半反射镜(18)、风光镜(17),所述的风光镜(17),右端安装光敏二极管(16),所述的控制电路板(13)上安装有振镜运动控制器,所述的振镜运动控制器上端接有电源装置,计算机,电源装置供电,激光器(1)工作,激光进入激光选区熔融池装置(23)中,激光检测装置(26)进行监测,高速摄像机(3)所摄的SLM激光快速成形的熔融池在线图像,实时传输计算机,可以在计算机上实时观测SLM激光快速成形的熔融池在线图像,完成SLM激光快速成形的熔融池在线监控。
一种嗜热链球菌感受态细胞的制备及转化方法
发明专利申请公布后的视为撤回

专利号: CN108251348A

申请人: 上海理工大学
发明人: 熊智强;艾连中;孔令慧;王光强;夏永军;张汇
申请日期: 2018-03-29
公开日期: 2018-07-06
IPC分类: C12R1/01
摘要:
本发明提供了一种嗜热链球菌感受态细胞的制备及转化方法,将嗜热链球菌在LM17培养基培养至OD600为0.3~0.9时,与SLM17培养基1:1混合37℃孵育1h,4℃离心收集菌体,用预冷的缓冲液洗涤细胞,得到感受态细胞,将感受态细胞与pIB184质粒混匀后,采用电场强度为12.5kV/cm电击,在LM17MC2培养基复苏3~8h,可获得嗜热链球菌的最高电转化效率1.3×106CFU/μg DNA。本发明的方法操作简单、转化效率高,为嗜热链球菌的遗传改造、阐明表型特征的分子机制提供了新的技术方法。
主权项:
1.一种嗜热链球菌感受态细胞的制备及转化方法,其特征在于包括如下步骤:1)将嗜热链球菌在LM17培养基培养至OD600为0.3~0.9时,与SLM17培养基按照体积比1:1混合在37℃孵育1~2h,2~6℃离心收集菌体,用0~4℃预冷的缓冲液洗涤细胞,得到感受态细胞;2)将步骤1)获得的感受态细胞与pIB184质粒按照物料比为100μL:50~200ng比例混匀后,采用电场强度为12.5~15kV/cm电击,在LM17MC2培养基复苏3~8h,获得高电转化效率的嗜热链球菌。
光学处理系统
发明专利权授予

专利号: CN110573984A

申请人: 奥普特里斯有限公司
发明人: N·J·纽;R·J·托德
申请日期: 2018-03-16
公开日期: 2024-04-02
IPC分类: G06E3/00
摘要:
一种将多个独立光学相关器并入一个系统中的方法。就“独立光学相关器”而言,我们意指包括输入SLM、滤波器SLM和相机的光学相关器,其与适当的相干照明和傅里叶变换透镜组合。就“一个系统”而言,我们意指多次利用每个独立相关器的元件的单个光学系统。
主权项:
1.一种包括两个或更多个光学相关器的光学处理系统,每个相关器包括光学输入空间光调制设备(SLM)和滤波器空间光调制设备,其中,在使用中,所述系统接收在所述系统内形成多个光学路径的光学输入,每个光学路径从每个输入空间光调制设备直到每个滤波器空间光调制设备。
一种基于选区激光熔化技术的碳化硅颗粒增强铝基复合材料成形方法
发明专利申请公布后的驳回

专利号: CN108480625A

申请人: 北京工业大学
发明人: 张冬云;周岩;王卫东
申请日期: 2018-03-12
公开日期: 2018-09-04
IPC分类: B33Y70/00
摘要:
一种基于选区激光熔化技术的碳化硅颗粒增强铝基复合材料成形方法,属于增材制造技术领域。该方法包括:(1)选用纯度99.9%以上,平均粒度分布为30μm的球形AlSi10Mg粉末;纯度99.9%以上,平均粒度分布为10μm的SiC粉末;(2)将上述两种粉末通过混粉机在不破坏铝基体粉末球形度的情况下进行均匀混合,其中SiC粉末重量占混合后粉末总重量的8?12%。(3)将均匀混合后的粉末用于选区激光熔化成形,通过铺粉层厚的控制和工艺调控成功制备出较高致密度的碳化硅颗粒增强铝基复合材料。本发明工艺简单,组织均匀且致密度较高,材料综合性能优异。本发明基于SLM的特点及优势,是一种具有实际应用价值的碳化硅颗粒增强铝基复合材料成形的方法。
主权项:
1.一种基于选区激光熔化技术的碳化硅颗粒增强铝基复合材料成形方法,其特征在于,其包括如下步骤:(1)原始粉末为纯度99.9%以上,平均粒度分布为30μm的球形AlSi10Mg粉末和纯度99.9%以上,平均粒度分布为10μm的SiC粉末;(2)将SiC粉末与AlSi10Mg粉末按一定比例混合后置于混粉机中进行机械混合,混合时间4-6h,以便使SiC颗粒与AlSi10Mg粉末能够混合均匀;其中SiC粉末重量占混合后粉末总重量的8-12%;(3)将上述步骤获得的混合粉末用于选区激光熔化成形;在选区激光熔化成形前期的准备阶段,对基板进行喷砂处理,将混合粉末置于供粉仓进行插实处理,同时采用不锈钢刮刀,以便控制铺粉层厚,提高铺粉的均匀性;(4)在选区激光熔化成形过程中,采用氩气保护,首先对基板进行一次单次曝光;接下来铺粉装置将粉末均匀铺在成形基板上,激光束根据计算机设计好的扫描路径对切片区域进行逐行扫描,待完成一层成形后,成形基板下降一个层厚的距离,均匀铺设下一层粉末,激光束根据零件的第二层信息扫描粉末,重复以上步骤,直至整个零件加工完毕;其主要加工参数为:激光功率290W,光斑直径100μm,扫描速度800-1100mm/s,扫描间距0.12-0.13mm,铺粉层厚30μm。
用于生产三维工件的装置和方法
未知状态

专利号: CN110461507A

申请人: SLM方案集团股份公司
发明人: 托尼·亚当·克洛尔; 杰萨·罗林克; 博多·哈克; 比尔克·霍佩
申请日期: 2018-03-08
公开日期: 2019-11-15
IPC分类: B22F3/105
摘要:
本发明涉及一种用于生产三维工件(15)的装置(1),该装置包括用于接纳原料粉末(9)的支撑件(7);构建室壁(11,11a,11b),该构建室壁基本上竖直地延伸并被设计成侧向地界定和支撑被施加到支撑件(7)上的原料粉末(9);辐照单元(17),该辐照单元用于利用电磁辐射或粒子辐射对被施加到支撑件(7)上的原料粉末(9)进行选择性地辐照,以便利用生成逐层构建方法在支撑件(7)上生产由原料粉末(9)制成的工件(15),其中,辐照单元(17)包括至少一个光学元件;和竖直移动装置(31),该竖直移动装置被设计成使辐照单元(17)相对于支撑件(7)竖直地移动。构建室壁(11,11a,11b)和支撑件(7)被设计成在辐照单元(17)的竖直移动期间以固定的方式连接在一起,使得竖直移动相对于支撑件(7)以及相对于构建室壁(11,11a,11b)进行。
主权项:
1.一种用于生产三维工件(15)的装置(1),所述装置包括:-用于接纳原料粉末(9)的承载器(7),-构建室壁(11,11a,11b),所述构建室壁基本上竖直地延伸并被适配成侧向地界定和支撑被施加到所述承载器(7)上的所述原料粉末(9),-辐照单元(17),所述辐照单元用于利用电磁辐射或粒子辐射对被施加到所述承载器(7)上的所述原料粉末(9)进行选择性地辐照,以便通过增材逐层构建方法在所述承载器(7)上生产由所述原料粉末(9)制成的工件(15),其中,所述辐照单元(17)包括至少一个光学元件,和-竖直移动装置(31),所述竖直移动装置被适配成使所述辐照单元(17)相对于所述承载器(7)竖直地移动,其中,所述构建室壁(11,11a,11b)和所述承载器(7)被适配成在所述辐照单元(17)的竖直移动期间以固定的方式彼此连接,使得竖直移动相对于所述承载器(7)以及相对于所述构建室壁(11,11a,11b)进行。
一种预置缺陷的金属试样3D打印成形方法
发明专利申请公布后的驳回

专利号: CN108436081A

申请人: 无锡市产品质量监督检验院
发明人: 周滢;吕新峰;冒浴沂
申请日期: 2018-03-06
公开日期: 2018-08-24
IPC分类: B22F3/105
摘要:
本发明公布了一种预置缺陷的金属试样3D打印成形方法,包括如下步骤:步骤一、根据所需要的金属试样的实际尺寸与形状,采用三维建模软件进行数据模型设计;步骤二、设计一定数量、尺寸、分布的不同类型的缺陷,在三维模型中进行修改;步骤三、将设计好的模型进行切片处理,得到每层的轮廓数据,并规划成形路径;步骤四、根据金属试样的材质选择合适的3D打印金属粉末,选择合适成形尺寸的SLM 3D打印机进行打印成形。本发明首次将3D打印成形方法引入制备预置缺陷的金属试样中,大大简化了目前的制样难度,提高了制样精度。利用激光选区熔化(SLM)3D打印设备不仅能够制备出各种复杂形状的金属试样。
主权项:
1.一种预置缺陷的金属试样3D打印成形方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤一、根据所需要的金属试样的实际尺寸与形状,采用三维建模软件进行数据模型设计;步骤二、设计若干数量、尺寸和分布的不同类型的缺陷,在三维模型中进行修改;步骤三、将设计好的模型进行切片处理,得到每层的轮廓数据,并规划成形路径;步骤四、根据金属试样的材质选择匹配的3D打印金属粉末,选择相应成形尺寸的SLM3D打印机进行打印成形;步骤五、用线切割将金属成形件从基板上切割下来,去除多余的支撑材料,最终得到所需形状和尺寸的具有内置缺陷的金属试样。
一种调控3D打印医用TC4钛合金表面纳米管直径的方法
发明专利申请公布后的驳回

专利号: CN108166044A

申请人: 吉林大学
发明人: 黄卫民;刘芳兵
申请日期: 2018-03-05
公开日期: 2018-06-15
IPC分类: C25D11/26
摘要:
本发明公开了一种调控3D打印医用TC4钛合金表面纳米管直径的方法,所述医用TC4钛合金材料由3D打印技术中的选择性激光熔化技术(SLM)制备,所述TC4钛合金质量百分比为5.5%≤Al≤6.7%,3.5%≤V≤4.5%,88.09%≤Ti,余量为Fe、O、H、C等不可避免的杂质。制备方法如下:首先对该合金进行预处理,再进行阳极氧化,最后在空气中退火。本发明克服了目前3D打印成品具有的较大的宏观残余应力,通过电压实现对纳米管直径的调控。纳米管氧化层的大比表面积为骨组织生长提供空间、利于载药微球或Ag+等纳米粒子的释放;增大了亲水性,从而提升材料的生物相容性;且退火后的晶体结构有利于羟基磷灰石生物活性涂层的沉积。因此,本发明将对当前医用钛合金的利用有很大的推动作用。
主权项:
1.一种调控3D打印医用TC4钛合金表面纳米管直径的方法,其特征在于:至少包括以下步骤:(1)TC4钛合金的预处理将3D打印TC4钛合金依次在100%丙酮、100%乙醇中各超声清洗5分钟,使用一级水冲洗,再在混合酸中浸泡3-8秒钟除去表面氧化膜,混合酸体积比为质量分数为40%的氢氟酸:质量分数为65%的硝酸:一级水=1:4:5;再使用一级水冲洗后在一级水中超声3分钟,在空气中干燥;(2)电解液的配制电解液由0.1-0.7%w/v的氟化铵、1-20%v/v的水、80-99%v/v的100%乙二醇组成;(3)阳极氧化将步骤(1)得到的3D打印TC4钛合金样品放置于两电极阳极氧化装置中,3D打印TC4钛合金样品为阳极,环形钛片为阴极,阴极与阳极间距为3-5cm,加入步骤(2)得到的电解液,在恒温25℃、磁力搅拌条件下进行恒电压氧化,所述阳极氧化过程电压在20-90V范围内;(4)退火处理将步骤(3)得到的3D打印TC4钛合金使用一级水冲洗,在一级水中超声5-15秒钟,后在空气中退火,3D打印TC4钛合金表面纳米管的平均外直径与施加电压成正比。
倾斜照明器
发明专利权授予

专利号: CN110291467A

申请人: 阿康尼亚全像有限责任公司
发明人: M·R·亚瑞斯; A·尤耐斯; K·E·安德森; C·伯利纳
申请日期: 2018-02-15
公开日期: 2019-09-27
IPC分类: G02B5/18
摘要:
本文公开了一种倾斜镜,该倾斜镜是光学反射设备,诸如体全息光学元件,它的反射轴与表面法线形成角度(倾斜角)。倾斜照明器是倾斜镜,它可以将窄光束扩展成宽光束,而不改变照明的角带宽。因为倾斜角可以与表面法线形成相对大的角度(例如,大约45°),所以倾斜照明器可以相当紧凑,使其适用于将光引导到小封装中的空间光调制器(SLM)上。在一些情况下,倾斜照明器形成为波导,其中全息层夹置在一对基板之间。全息芯中的光栅结构将光衍射出波导并且例如衍射到SLM的有效区域上,SLM调制所述入射光并将它透射或通过波导倾斜照明器反射回来。
主权项:
1.一种系统,包括:全息光栅介质,所述全息光栅介质具有光栅结构,所述光栅结构被配置为朝向照明目标衍射入射光,并朝向所述全息光栅介质透射由所述照明目标散射或逆向反射的光。
SLM打印控制系统
发明专利申请公布后的视为撤回

专利号: CN108213433A

申请人: 安徽科元三维技术有限公司
发明人: 刘宗佩;安学辉;亢红军;陆忠华;彭丰;朱锡文;徐兴昌;桂鹏;吴锦淼
申请日期: 2018-01-25
公开日期: 2018-06-29
IPC分类: B33Y50/02
摘要:
本发明公开了SLM打印控制系统,包括:分别通过PROFINET(以太网)通讯总线相连的PLC控制系统、俩轴振镜扫描系统、供粉缸伺服电机、成型缸伺服电机、铺粉刮刀伺服电机以及激光器;其中,PLC控制系统为为总控制中心,用于控制各个模块的协调工作,PC上位机通过RTC4控制卡控制俩轴振镜扫描系统,PLC控制系统通过供粉缸伺服电机向工作台上供粉,成型缸伺服电机启动用于驱动成型腔下降,然后铺粉刮刀伺服电机用于将工作台上的原料粉末均匀地铺设在成型腔上。该SLM打印控制系统克服现有技术中的SLM打印机控制系统控制精度差,在使用过程中会影响打印产品的质量,而且在使用时系统容易产生故障的问题。
主权项:
1.一种SLM打印控制系统,其特征在于,所述SLM打印控制系统包括:分别通过PROFINET(以太网)通讯总线相连的PLC控制系统、俩轴振镜扫描系统、供粉缸伺服电机、成型缸伺服电机、铺粉刮刀伺服电机以及激光器;其中,所述PLC控制系统为总控制中心,用于控制各个模块的协调工作,PC上位机通过RTC4控制卡控制所述俩轴振镜扫描系统,从而控制所述激光器在工作台上的打印位置,完成一层打印后,所述PLC控制系统通过所述供粉缸伺服电机向工作台上供粉,所述成型缸伺服电机启动用于驱动成型腔下降,然后所述铺粉刮刀伺服电机用于将工作台上的原料粉末均匀地铺设在成型腔上,所述PC上位机亟需控制所述俩轴振镜扫描系统进行下一层激光打印,每层的打印过程相同,一层层的打印实现产品成型。

金属粉末专利分析

材料体系分布
制备工艺分布
技术领域分布 (IPC分类)
💡 技术分类说明: 悬停在图表柱子上查看: B22F10/28(3D打印) • B22F9/04(制粉) • C23C24/10(涂层) • C22C19/05(镍合金) • B33Y50/02(控制) • C22F1/18(热处理)
专利类型分布
法律状态分布

主要申请人分析

主要申请人专利数量