本发明提供了一种基于离子注入的GaN基JBS二极管及其制备方法，主要解决GaN基JBS二极管中Mg离子注入激活效率低导致的耐压和导通损耗问题。其包括：衬底、缓冲层、n<supgt;+</supgt;?GaN层、n<supgt;?</supgt;?GaN漂移层、n<supgt;?</supgt;?InGaN漂移层、Mg离子注入区域、阴极、钝化层和阳极。其中在n<supgt;?</supgt;?GaN漂移层上外延n<supgt;?</supgt;?InGaN漂移层；在Mg离子高温激活工艺中，靠近表面的In从InGaN材料中析出，使得Mg进入In的晶格格点，降低Mg的激活能，在远离表面的InGaN材料中，Mg在InGaN中的激活能低于GaN材料，故Mg在InGaN中具有更高的激活效率，催化n<supgt;?</supgt;?InGaN转为p?(In)GaN。本发明可以显著提高GaN基JBS二极管中Mg离子注入p型掺杂的激活效率，提升GaN基JBS二极管的反向耐压，降低导通损耗，可广泛应用于高频开关和整流系统中。

1.一种基于离子注入的GaN基JBS二极管，自下而上包括衬底(1)，缓冲层(2)，n+-GaN层(3)，n--GaN漂移层(4)，Mg离子注入区域(7)，阴极(8)，钝化层(9)，阳极(10)，其特征在于：在n--GaN漂移层(4)上外延n--InGaN漂移层(5)，Mg离子注入区域(7)设于n--InGaN漂移层(5)之中，钝化层(9)设于n--InGaN漂移层(5)外围，阳极(10)设于n--InGaN漂移层(5)和钝化层(9)之上。

本发明提供一种测量带气膜孔高温合金样件表面等效发射率的实验装置，包含可通入压缩空气的样件固定套筒、电磁感应加热模块、压缩气源模块和光谱信息采集模块五个部分；待测带气膜孔的圆形高温合金样件安装在样件固定装置上，使用电磁感应加热模块对高温合金样件进行加热，采用空气压缩机对整个实验装置提供冷气，使用光谱信息采集模块对样件的气膜孔区域进行光谱发射率的测量，进而得到样件在不同温度下的等效光谱发射率。提供温度和冷气量可变的高温合金样件测试条件，实现待测样件在冷却状态下的高温，并且加热装置可适应不同合金材料和厚度的样件，测量得到的光谱发射率可对航空发动机涡轮叶片辐射测温提供重要的数据支持。

1.一种测量带气膜孔高温合金样件表面等效发射率的实验装置，该装置包括：计算机、光谱仪、聚焦系统、加热系统，所述加热系统用于加热合金样件，光谱仪通过聚焦系统采集合金样件表面的辐射光，并将采集数据传输给计算机进行分析计算，得到合金样件表面等效发射率；所述加热系统包括：电磁加热主机、电磁加热线圈、固定套筒、样件压圈、套筒固定座、冷气接头；所述电磁加热线圈由电磁加热主机控制，所述固定套筒一端开口另一端密封设置冷气接头，固定套筒开口的一端内部设置样件压圈，样件压圈用于固定合金样件，所述固定套筒设置于套筒固定座上；所述合金样件外圆柱形，上下表面开设有贯通的气膜孔，合金样件固定于样件压圈内时，冷气从固定套筒一端的冷气接头吹入，从合金样件的气膜孔吹出；侧面开设有热电偶测温插孔，热电偶测温插孔的深度为圆柱形的半径；所述固定套筒、样件压圈上同样开设有与合金样件配合的热电偶测温插孔。

本发明提供一种绝缘基材表面金属图形及增材制造方法，目前，在柔性基材表面的金属增材制造存在基材与沉积层界面强、结合力弱的问题，本发明在绝缘基材表面增设改性活化层作为桥接层，催化性金属离子在活化层中均匀分布，通过化学活化在活化层中还原金属单质作为催化层，配合后续化学镀工艺即可形成致密、光亮、结合力强的镀层，此种方法得到的金属增材产品沉积层与基材界面弱、结合牢固，增强了导电线路弯曲、折叠应力性能。

1.一种绝缘基材表面金属图形增材制造的方法，其特征在于包括如下步骤：(1)改性溶液制备：首先，把10g丙二醇甲醚和1g硫脲加入密闭容器中，在室温下磁力搅拌得到无色透明溶液，然后，向上述得到的无色透明溶液中加入双酚A二缩水甘油醚10g，并继续磁力搅拌至其完全溶解，紧接着，再向上述反应液中加入硝酸银0.724g并继续磁力搅拌而得到淡黄色透明溶液；(2)PET基材表面前处理：将PET薄膜浸入装有无水乙醇的烧杯中，用超声波清洗仪在室温下清洗；乙醇浴清洗后的PET薄膜用去离子水冲洗，除去PET表面残留的乙醇，之后放入烘箱中，干燥得到干净的PET薄膜；(3)PET薄膜表面改性：室温下，向步骤(1)得到的淡黄色透明溶液中加入环氧树脂固化剂，磁力搅拌30min后将其均匀涂抹在步骤(2)得到的PET薄膜上，待涂抹的溶液固化后，得到改性后的PET薄膜；(4)PET薄膜表面活化：活化剂包括树脂微蚀剂和还原剂；首先，将改性后的PET薄膜置于50～80℃的树脂微蚀剂中处理30～120min，随后用去离子水冲洗其表面，再将其置于40～75℃的还原剂溶液中10～60min，得到表面附着黑色银单质的PET薄膜；(5)PET薄膜表面铜沉积：将步骤(4)活化后的PET薄膜置于化学镀液中沉积铜，在化学镀过程中，向镀液中通入空气提高镀液的稳定性，最终得到表面沉积铜层的PET基材产品。

本发明涉及一种基于NiTiO3/Ni3TiO5敏感材料的二甲苯传感器及其制备方法与应用，该制备方法包括：步骤1：将氟钛酸铵、六水合氯化镍和尿素溶于去离子水中，利用水热法制备得到毛线球状NiTiO3/Ni3TiO5敏感材料；步骤2：将毛线球状NiTiO3/Ni3TiO5敏感材料均匀地涂覆在Al2O3陶瓷管外表面，形成气敏材料薄膜，将涂覆有气敏材料薄膜的Al2O3陶瓷管按照旁热式气敏元件进行组装和焊接，得到基于NiTiO3/Ni3TiO5敏感材料的二甲苯传感器。本发明将NiTiO3/Ni3TiO5作为新型复合材料，应用于MOS气体传感器，使得气体传感器的气敏特性显著提高。

1.一种基于NiTiO3/Ni3TiO5敏感材料的二甲苯传感器的制备方法，其特征在于，包括：步骤1：将氟钛酸铵、六水合氯化镍和尿素溶于去离子水中，利用水热法制备得到毛线球状NiTiO3/Ni3TiO5敏感材料；步骤2：将毛线球状NiTiO3/Ni3TiO5敏感材料均匀地涂覆在Al2O3陶瓷管外表面，形成气敏材料薄膜，将涂覆有气敏材料薄膜的Al2O3陶瓷管按照旁热式气敏元件进行组装和焊接，得到基于NiTiO3/Ni3TiO5敏感材料的二甲苯传感器。

本发明属于电化学储能电池材料技术领域，具体涉及一种锑基复合材料及其该锑基复合材料的制备方法和应用：所述锑基复合负极材料由锑粉与其他材料组成，其他材料为无定形碳、过渡金属粉末其中至少一种材料组成，所述锑粉的颗粒尺寸为微纳米级，所述过渡金属粉末粒度为微纳米级，锑粉充当电化学活性组分，无定形碳可充当电化学活性组分和体积变化缓冲基体，过渡金属粉末起体积变化缓冲作用和导电作用。本发明的锑基复合负极材料具有容量高、首次库伦效率高、循环性能良好和倍率性能优异等优点，可应用于钠/钾离子电池和超级电容领域。

1.一种锑基复合负极材料，其特征在于：所述锑基复合负极材料由锑粉与其他材料组成，其他材料为无定形碳、过渡金属粉末其中至少一种材料组成，所述锑粉的颗粒尺寸为微纳米级，所述过渡金属粉末粒度为微纳米级。

本发明公开了一种含均压腔的气体静压径向轴承双向流固耦合计算方法，包括以下步骤：第一步、建立气体静压径向轴承的气膜厚度方程；第二步、基于气体润滑理论，计算小孔入口气体质量流量，均压腔出口气体质量流量和腔内气体质量流量变化；根据质量守恒方程，建立流量平衡方程；第三步、建立气膜流场控制方程，采用交替方向隐式格式法离散气膜流场控制方程，通过托马斯算法数值求解得出气膜压力；对整个气膜面的压力进行积分得出气膜承载力；第四步、建立含转速的5自由度主轴受力方程，通过龙格库塔法求解；第五步、求解稳态流场控制方程得出气膜支撑力；通过求解主轴受力方程更新主轴位置，从而更新气膜厚度、气膜压力和气膜支撑力。

1.一种含均压腔的气体静压径向轴承双向流固耦合计算方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、建立气体静压径向轴承的气膜厚度方程，将主轴2个方向的移动和2个方向的摆动考虑在内；S2、基于气体润滑理论，计算小孔入口气体质量流量，均压腔出口气体质量流量和腔内气体质量流量变化；根据质量守恒方程，入口流量等于出口流量和腔内变化流量，建立流量平衡方程；S3、建立气膜流场控制方程，该方程为二阶非线性偏微分方程；针对数值求解时显式法稳定性差，隐式法收敛性差等缺点，采用交替方向隐式格式法离散气膜流场控制方程，得到周期性三对角方程组和一般三对角方程组；分别采用广义托马斯算法和传统托马斯算法求解得出气膜压力，对整个气膜面的压力进行积分得出气膜承载力；S4、将气膜力、重力、不平衡质量力和陀螺力考虑在内，建立含转速的5自由度主轴受力方程，该方程为二阶常系数非齐次线性常微分方程组，通过龙格库塔法求解；S5、给出主轴2个方向的初始位移、2个方向的初始摆动和转速，求解稳态流场控制方程得出气膜支撑力；通过求解主轴受力方程更新主轴位置，从而更新气膜厚度、气膜压力和气膜支撑力；如此反复迭代，直至满足所设定的时间步；由于静压轴承源源不断的进气，在每一个时间步内也要满足流量平衡方程。

本发明提供了一种自动选择增材制造最优机器的方法，这个方法运用多目标决策方法从有限个备选增材制造机器中选出最优打印机器，其中考虑了支撑体积、体积误差、表面粗糙度、成形时间和成形成本五种因素，并对这五种因素按偏好确定权重，根据权重得到汇总值，最后由汇总值自动确定增材制造最优机器。本方法利用多目标决策方法，更加快速稳定地自动选择增材制造最优机器。

1.一种自动选择增材制造最优机器的方法，其特征在于，从所述生成的方案中通过多目标决策过程自动选择最优机器，开发了一种基于多目标决策的自动选择方法。

本发明公开了一种不同氧硅比例对熔石英非晶结构模型的激光损伤阈值的评估方法，包含以下步骤：S1、生成无缺陷熔石英非晶结构：S2、生成多种氧硅比例的熔石英非晶结构S3、评估不同氧硅比例对熔石英的激光损伤阈值的影响：本发明的有益效果在于：针对目前激光聚变工程以及光电对抗领域中，急切了解诱导激光损伤以及降低光学材料损伤阈值与氧硅比例下降之间的联系的需求，本发明结合多种模拟手段与理论，提出了该方法。本方法可以结合相关课题，有效地对多种氧硅比例对激光损伤阈值影响进行分析与评估，从而找出关键损伤氧硅比例。

1.一种不同氧硅比例对熔石英非晶结构模型的激光损伤阈值的评估方法，其特征在于，包含以下步骤：S1、生成无缺陷熔石英非晶结构：采用Bond Switch Monte Carlo(BSMC)方法可利用初始的晶体原子结构来生成相应的随机网络结构，达到生成非晶结构的目的。通过调整BSMC方法中所采用的原子间相互作用的势函数和其他相应参数，对原始的二氧化硅晶体结构进行升温退火操作，生成初始的无缺陷熔石英非晶结构。之后利用第一性原理计算方法对该初始结构进行充分优化，优化至能量达到指定收敛标准后，获得稳定的无缺陷熔石英非晶结构；S2、生成多种氧硅比例的熔石英非晶结构：首先在稳定的无缺陷熔石英非晶结构去除氧原子，从而生成不同氧硅比例的熔石英非晶结构。之后利用第一性原理计算方法对这些结构进行充分优化，优化至能量达到指定收敛标准后，获得稳定的多种氧硅比例的熔石英非晶结构；S3、评估不同氧硅比例对熔石英的激光损伤阈值的影响：(1)利用第一性原理计算方法，获得不同氧硅比例的熔石英非晶结构的电子性质。(2)对不同氧硅比例的熔石英非晶结构的结构参数进行统计计算。(3)最后结合多体理论和激子效应，模拟计算出这些非晶结构的光学性质。(4)以这些计算获得的信息为基础，结合激光与固体材料相互作用的场损伤和热损伤理论，判断不同氧硅比例对熔石英的激光损伤阈值的影响。

本发明公开了一种基于光栅投影和SLM相移的结构光照明显微装置和方法，所述装置包括依次设置的结构光产生单元、相移及光强调制单元和成像单元，其中，结构光产生单元用于产生多束沿不同方向传播的平行光并干涉形成条纹结构光；相移及光强调制单元中的空间光调制器上能够加载不同图样以对条纹结构光同时进行方向选择和相移操作，空间掩膜板用于对条纹结构光进行滤波，使得仅保留每个方向上±1级衍射光而滤掉其它的衍射光；成像单元用于利用滤波后的条纹结构光照明样品并记录在不同条纹结构光照明下的荧光图像。本发明在保持高分辨率的情况下仍然具有高通量成像范围，克服了传统结构光照明显微镜成像通量受SLM或DMD本身像素个数限制的问题。

1.一种基于光栅投影和SLM相移的结构光照明显微装置，其特征在于，包括依次设置的结构光产生单元、相移及光强调制单元和成像单元，其中，所述结构光产生单元用于产生多束沿不同方向传播的平行光并干涉形成条纹结构光；所述相移及光强调制单元包括空间光调制器和空间掩膜板，所述空间光调制器上能够加载不同图样以对所述条纹结构光同时进行方向选择和相移操作，所述空间掩膜板用于对所述条纹结构光进行滤波，使得仅保留每个方向上±1级衍射光而滤掉其它的衍射光；所述成像单元用于利用滤波后的条纹结构光照明样品并记录在不同条纹结构光照明下的荧光图像。

本发明公开了一种表面散布纳米线条半球状结构的制备方法，本发明先利用自组装法在具有亲水性表面的Si衬底上自组装出密排的聚苯乙烯胶体球阵列，得到有序纳米图纹化结构模板；得到的有序纳米图纹化结构模板表面磁控溅射一些金膜，溅射时间为30s；金膜的直径为10～150纳米；将得到的镀有金膜的有序纳米图纹化结构模板进行倒置；最后将倒置得到的模板平行刻蚀；本发明设计并制备的纳米结构通过表面等离激元效应，增强了拉曼信号。制备成本较低，制备工艺较简单，能够有效的被大规模复制应用。

1.一种表面散布纳米线条半球状结构的制备方法，其特征在于，该方法具体包括以下步骤：(A)清洗硅片；(B)利用自组装法，在具有亲水性表面的Si衬底上自组装出密排的聚苯乙烯胶体球阵列，得到有序纳米图纹化结构模板；(C)在步骤(B)中得到的有序纳米图纹化结构模板表面磁控溅射一些金膜，溅射时间为30-150s；金膜的直径为10～150纳米；(D)对步骤(C)中得到的镀有金膜的有序纳米图纹化结构模板进行倒置；(E)对步骤(D)中倒置得到的模板平行刻蚀；等离子源刻蚀时间为1～300min，离子源刻蚀功率为10～500w。

本发明公开了一种粉床激光增材制造设备，包括制造设备本体，所述制造设备本体的内部设置有分隔板，分隔板的上部设置有激光加工腔，制造设备本体的内部分别设置有升降机构、粉料剥离机构和粉料收集机构，升降机构包括固定连接在制造设备本体内底壁的隔离板和电动伸缩杆。该粉床激光增材制造设备，利用激振器将金属粉末振散，电动推杆周期性伸缩，电磁铁板与电动推杆配合周期性启停，能够将金属粉末剥离带动至收集腔内，进风扇与引风扇启动，带动空气流动，进一步带动金属粉末流通至收集腔内，最终进入收集筒内，完成金属粉末与目标零件分离的目的，最后打开箱门，得到分离金属粉末后的目标零件，提高了激光增材制造的效率。

1.一种粉床激光增材制造设备，包括制造设备本体（1），其特征在于：所述制造设备本体（1）的内部设置有分隔板（2），分隔板（2）的上部设置有激光加工腔（3），制造设备本体（1）的内部分别设置有升降机构、粉料剥离机构和粉料收集机构，升降机构包括固定连接在制造设备本体（1）内底壁的隔离板（5）和电动伸缩杆（6），隔离板（5）的顶侧固定连接有收容箱（7），收容箱（7）的正面设置有箱门（8），电动伸缩杆（6）的伸缩端延伸至收容箱（7）的内部并固定连接有承载板（9），承载板（9）与收容箱（7）的内壁滑动连接，分隔板（2）的表面开设有与承载板（9）相适配的槽口。

本发明公开了一种Ni单原子掺杂的氮掺杂碳纳米催化剂及其制备方法和应用。该Ni单原子掺杂的氮掺杂碳纳米催化剂包括碳材料以及相互独立地负载在碳表面的Ni原子。本发明以Ni单原子孤立地负载在氮掺杂碳衬底上，构建出一种Ni单原子掺杂的氮掺杂碳纳米催化剂，既克服了单原子催化剂复杂的制备过程和规模生产的高额成本问题，又能够基于单原子具有的高效原子利用率和较强的金属衬底相互作用，使所得Ni单原子掺杂的氮掺杂碳纳米催化剂在催化烟道气电还原反应制一氧化碳中具有很高的催化活性和选择性，在模拟烟道气组分的低浓度二氧化碳原料气中，也保持了较高的活性和选择性，有望于应用在烟道气中的二氧化碳气体的高效转化。

1.一种Ni单原子-氮掺杂碳纳米催化剂，其特征在于，包括氮掺杂碳以及相互独立地负载在碳材料表面的Ni原子。

本发明公开了一种基于卷积神经网络的P300脑电信号分类方法。该方法通过构造卷积神经网络，采用可设置标签权重和标签平滑参数的损失函数，使用被试的P300脑电信号来训练卷积神经网络，得到训练好的卷积神经网络，对P300脑电信号做二分类，以确定是否存在目标字符。具体步骤包括：构建卷积神经网络，生成训练集，训练卷积神经网络，处理待分类的P300脑电信号，输出P300脑电信号的分类结果。本发明克服了现有技术标签不平衡和标签人为误差导致分类方法的准确性低的问题，改善了在训练网络的过程不能充分保留P300脑电信号空间和时间信息的缺点，提高了P300脑电信号分类精度。

1.一种基于卷积神经网络的P300脑电信号分类方法，其特征在于，构造卷积神经网络，采用可设置标签权重和标签平滑参数的损失函数，该方法的步骤包括如下：(1)构建卷积神经网络：搭建一个由三个串联的模块组成的卷积神经网络；其中，第1个模块的结构依次为：时间卷积层，归一化层，空间逐通道卷积层，归一化层，ELU激活层，Dropout层，最大池化层；设置第1个模块各层参数：将时间卷积层的滤波器数设置为8，卷积核大小设置为1*64，步长设置为1，填补设置为0*32，偏置设置为否；将空间逐通道卷积层滤波器数设置为16，卷积核大小设置为8*1，步长为1，偏置设置为否，max_norm设置为1，组数设置为8，填补设置为0；将最大池化层下采样滤波器尺寸设置为1*4，步长设置为1*4；将归一化层动量设置为0.01，仿射设置为是，eps设置为1e-3；将Dropout层的drop_rate设置为0.05；第2个模块的结构依次为：时间逐通道卷积层，时间逐点卷积层，归一化层，ELU激活层，Dropout层，最大池化层；设置第2个模块各层参数：将时间逐通道卷积层滤波器数设置为16，卷积核大小设置为1*16，步长设置为1，填补设置为0*8，偏置设置为否，组数设置为16；将时间逐点卷积层滤波器设置为16，卷积核大小设置为1，步长设置为1，填补设置为0，偏置设置为否；将最大池化层滤波器尺寸设置为1*8，步长设置为1*8；将归一化层动量设置为0.01，仿射设置为是，eps设置为1e-3；将Dropout层的drop_rate设置为0.05；第3个模块的结构依次为：空间逐通道卷积层，全连接层，LogSoftmax激活层；设置第3个模块各层参数：将空间逐通道卷积层滤波器数设置为2，卷积核大小设置为1*4，步长为1，偏置设置为是，max_norm设置为0.25；将全连接层神经元数设置为2；将LogSoftmax激活层维数设置为1；(2)生成训练集：(2a)采集至少10名被试在Oddball范式刺激下的P300脑电信号，只保留每个被试Fz、Cz、Pz、Oz、P3、P4、PO7、PO8与视觉相关的八个通道的P300脑电信号；(2b)将每个被试八个通道的P300脑电信号中分段截取，每一段P300脑电信号取每一次实验的0ms-1000ms，得到截取的该被试的P300脑电信号段；(2c)对每个截取后的P300脑电信号段的每个通道进行Z_score归一化后再进行平均降采样，将所有通道降采样后的数据组成一个8*140的二维样本数据；(2d)将10个被试8*140的二维样本数据随机打乱，从中随机抽取2/3的数据组成训练集；(3)设置损失函数的标签权重和标签平滑参数：采用Log_Softmax+NLLLoss作为损失函数，将损失函数的标签权重参数设置为1：5，标签平滑参数设置为epsilon＝0.05；(4)训练卷积神经网络：将训练集的所有样本输入到卷积神经网络中，利用Adam优化器对网络的权重进行迭代更新，直至损失函数收敛为止，得到训练好的卷积神经网络；(5)对待分类的P300脑电信号进行处理：(5a)将待分类的P300脑电信号，只保留Fz、Cz、Pz、Oz、P3、P4、PO7、PO8与视觉相关的八个通道的P300脑电信号；(5b)将八个通道的P300脑电信号中分段截取，每一段P300脑电信号取1000ms，得到截取的P300脑电信号段；(5c)对每个截取后的P300脑电信号段的每个通道进行Z_score归一化后再进行平均降采样，将所有通道降采样后的数据组成一个8*140的二维待分类数据；(6)输出P300脑电信号的分类：将每个待分类数据输入到训练好的卷积神经网络中，判断网络输出的每个待分类数据，若输出为1，则判定该数据存在目标字符，若输出为0，则不存在目标字符。

本发明公开了一种g?C3N4/Ti4O7复合纳米材料的制备方法及其在电催化氧还原中的应用，首先利用高温退火的方法制备g?C3N4，然后利用水热反应制备g?C3N4/TiO2复合物，再在其表面包覆一层PDA，形成g?C3N4/TiO2/PDA复合前驱体，最后将g?C3N4/TiO2/PDA复合前驱体在惰性环境中850～1000℃退火获得g?C3N4/Ti4O7复合纳米材料。本发明g?C3N4/Ti4O7复合纳米材料的制备方法简单、成本低且环境友好，其中Ti4O7纳米颗粒的粒径在10～30nm之间。本发明g?C3N4/Ti4O7复合纳米材料作为氧还原电催化剂时，具有较高的氧还原活性、耐甲醇毒性及稳定性，解决了商业Pt/C储量低和成本高的问题。

1.一种g-C3N4/Ti4O7复合纳米材料的制备方法，其特征在于所述方法由下述步骤组成：(1)制备g-C3N4将尿素在马弗炉中以500～550℃退火1～4h，得到g-C3N4；(2)制备g-C3N4/TiO2复合物将g-C3N4加入去离子水中配制混合溶液A；将钛酸四丁酯加入乙二醇中配制混合溶液B；将混合溶液B缓慢滴加到混合溶液A中，得到混合溶液C；将混合溶液C在160～200℃下水热反应6～15h，反应完后依次用去离子水、无水乙醇离心洗涤，干燥，得到g-C3N4/TiO2复合物；(3)制备g-C3N4/TiO2/PDA复合前驱体将干燥好的g-C3N4/TiO2复合物溶解于pH＝8.0～9.0的Tris-HCl缓冲溶液中，搅拌5～15min后加入盐酸多巴胺，室温下继续搅拌20～30h，依次用无离子水、无水乙醇离心洗涤，干燥，得到g-C3N4/TiO2/PDA复合前驱体；(4)制备g-C3N4/Ti4O7复合纳米材料将g-C3N4/TiO2/PDA复合前驱体在惰性气氛下850～1000℃退火10～40min，得到g-C3N4/Ti4O7复合纳米材料。

本发明公开了一种Ni(OH)2石墨烯复合材料及制备方法，通过镍离子与DMF、H2O及尿素释放的氨根和氢氧根离子形成络合物，络合物可以通过与多层石墨烯之间的分子力吸附到多层石墨烯表面，从而达到镍离子在多层石墨烯表面的沉积；通过水和DMF混合溶剂的合适配比，使多层石墨烯表面与反应液之间产生合适的界面能，从而使Ni(OH)2沿着石墨烯表面方向生长；通过镍离子浓度、尿素浓度和加热温度使Ni(OH)2及DMF和H2O的配比使Ni(OH)2生长速度和生长量得到控制，从而得到面积大的Ni(OH)2纳米片。本发明复合材料可用于高倍率及柔性超级电容器的电极材料。

1.一种Ni(OH)2石墨烯复合材料，其特征在于，大面积Ni(OH)2纳米片平铺于多层石墨烯表面，该纳米片的厚度小于5nm。

本发明属于功能陶瓷领域，具体提供一种Ca5Mg4?xCox(VO4)6低温烧结微波陶瓷材料及其制备方法；本发明所述微波陶瓷材料的化学式为Ca5Mg4?xCox(VO4)6，其中，0<x≤2，主晶相为Ca5Mg4(VO4)6，能在775℃～800℃烧结。本发明有效解决了微波陶瓷材料烧结温度普遍过高的问题，并通过一定量的Co离子替代Mg离子，与Mg离子共占B位，微观上提高了原子堆积率和阳离子有序度，宏观上提高了该微波陶瓷材料微波介电性能，尤其提高了材料的Q×f值，特别是x＝1时，获得了如下性能：εr＝9.65、Q×f＝54685GHz、τf＝?55.3ppm/℃，同时，本发明制备方法简易，原材料成本低，具有较高的实际应用价值。

1.一种Ca5Mg4-xCox(VO4)6低温烧结微波陶瓷材料，其特征在于，所述微波陶瓷材料的化学式为：Ca5Mg4-xCox(VO4)6，其中，0<x≤2。

本发明公开了一种时变等离子鞘套下畸变雷达信号建模方法，解决了传统雷达信号模型难以对畸变雷达信号受到的调制效应进行仿真和分析的问题，实现过程是：建立时变等离子鞘套的电子密度模型；计算等离子鞘套透射系数及其幅度和相位；计算得到时变等离子鞘套下畸变雷达信号模型；对畸变雷达信号模型进行时频处理。本发明通过时变等离鞘套下畸变雷达信号的建模和时频处理，确定了畸变雷达信号幅度和相位的调制情况及其时频曲线截距和斜率变化。本发明弥补了传统线性调频脉冲雷达模型不能体现时变等离子鞘套调制作用不足，为开展畸变雷达信号受到调制作用补偿的相关研究奠定基础，用于电子侦察领域下信号参数估计与研究。

1.一种时变等离子鞘套下畸变雷达信号建模方法,其特征在于，时变等离子鞘套下的雷达信号建模方法包含有如下步骤：S1：建立t时刻时变等离子鞘套的电子密度模型：输入飞行器表面非均匀等离子鞘套厚度Z、等离子鞘套分层总数M与等离子鞘套各分层厚度dm，m为等离子鞘套分层序号m＝1、2、3....M，时变等离子鞘套持续时间T，峰值电子密度Nepeak，等离子体振荡频率f1，根据等离子鞘套电子密度沿飞行器表面服从双高斯分布，第一高斯函数影响参数c1和第二高斯函数影响参数c2。沿时间方向服从正弦分布的分布规律，确定时变等离子鞘套的电子密度分布函数，建立一个时变等离子鞘套电子密度模型Nedyn(z,t)；S2：计算等离子鞘套透射系数Tdyn(t,f0)及透射系数的幅度|Tdyn(t,f0)|和相位φ(t,f0)：输入输入雷达信号的载波频率f0，电子质量me，时变等离子鞘套的电子碰撞频率ven，透射介质中的本征波阻抗zM+1、入射介质的本征波阻抗z0，利用时变等离子鞘套电子密度模型Nedyn(z,t)，通过等效传输线法计算得到等离子鞘套的时变透射系数Tdyn(t,f0)及透射系数的幅度|Tdyn(t,f0)|和相位φ(t,f0)；S3：计算得到时变等离子鞘套下畸变雷达信号模型Rdyn(t)；输入雷达信号的振幅A，雷达信号的调频率k和雷达信号的脉冲宽度TP，且脉冲宽度TP与时变等离子鞘套持续时间T相同，信号与等离子鞘套的持续时间相同均为t，利用等离子鞘套的透射系数的的幅度|Tdyn(t,f0)|和相位φ(t,f0)与线性调频脉冲信号模型，得到幅度和相位受到时变等离子鞘套寄生调制作用的畸变雷达信号模型Rdyn(t)；S4：对畸变雷达信号模型Rdyn(t)进行时频处理：通过wigner变换方法对畸变雷达信号模型Rdyn(t)的时频图进行特性分析，确定等离子鞘套对雷达信号的影响。

本发明公开一种加热复合前驱气雾制备SnO2/非晶碳纳米复合材料的方法。该方法使用一定配比的SnO2醇溶胶和葡萄糖混合物作为前驱体，利用压电陶瓷超声雾化器将其转换成前驱体气雾，由惰性载流气体将气雾引入到管式炉的中空石英玻璃管中，利用热源进行加热，使前驱体气雾发生裂解转化，实现SnO2/非晶碳纳米复合材料的在线制备，与此同时具备原材料充分利用、制备过程中无废液产生以及可以产业化生产的优点。

1.一种加热复合前驱气雾制备SnO2/非晶碳纳米复合材料的方法，其特征在于包括以下步骤：A.将葡萄糖和SnO2醇溶胶混合制成复合前驱体，置于三口反应容器中；其中葡萄糖与SnO2醇溶胶的质量比为(1:10)～(1:15)；B.将步骤A中得到的复合前驱体利用压电陶瓷超声雾化器产生复合前驱体气雾；通入惰性气体，将复合前驱体气雾从三口反应容器中引出；C.将步骤B中引出的复合前驱体气雾通入预热至1100～1200℃的石英管式炉中，利用热源促使复合前驱体气雾在线裂解转换成SnO2/非晶碳纳米复合材料；D.在石英管的末端对纳米颗粒进行收集，获得SnO2/非晶碳纳米复合材料。

本发明涉及超级电容器电极材料技术领域，尤其涉及一种超级电容器用卵壳结构Ni3P及其制备方法，包括非晶Ni?P纳米球的制备?中间产物的制备?中间产物的制备步骤，制备所得到的Ni3P具有卵壳结构。本发明的一种超级电容器用卵壳结构Ni3P及其制备方法，制备方法简单、成本低廉，可用于工业生产，同时制备所得卵壳结构Ni3P作为超级电容器电极材料，可表现出高的比容量等优异的电化学性能。

1.一种超级电容器用卵壳结构Ni3P，其特征在于，所述Ni3P具有卵壳结构，所述卵壳结构的直径为100-180nm，且核与壳之间距离为50-70nm。

本发明公开了一种场景目标自动分析检测处理方法及装置，利用光学硬件计算与软件计算相结合，直接面向自然场景分析与探测目标景物，能有效快速地获得目标探测结果。本发明包括：(1)构造傅里叶系统装置，光路搭建；(2)调整会聚球镜，使自然景物准确接入傅里叶系统；(3)控制FPGA与SLM，实现空间滤波与图像采集；(4)场景分析与目标检测计算。本发明利用光链路计算一体化思维，直接面向自然景物，即可实现场景分析与目标检测。

1.一种场景目标自动分析检测处理装置，从景物端到成像端，包括底部设有机械导轨的会聚球镜，第一傅氏透镜，空间光调制器SLM，第二透镜，成像传感器CMOS，FPGA，其特征在于：所有光学与成像器件处于同一光轴上，第一傅氏透镜与第二傅氏透镜构成傅里叶系统，两透镜规格一致，焦距均为f，会聚球镜成像面、第一傅氏透镜、频谱面、第二傅氏透镜、CMOS，这五者依次之间相距为f。