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一种具有芯-环结构的TiC-Ti3AlC2强韧化α2-Ti3Al基的制备方法
实质审查的生效专利号: CN118957571A
申请人: 桂林电子科技大学
发明人: 隋欣梦; 翁奕涛; 卢健; 黄祥彪; 高森森; 莫振钊
申请日期: 2024-08-22
公开日期: 2024-11-15
IPC分类:
C23C24/10
摘要:
本发明公开了一种具有芯?环结构的TiC?Ti<subgt;3</subgt;AlC<subgt;2</subgt;强韧化α<subgt;2</subgt;?Ti<subgt;3</subgt;Al基的制备方法,是用将Ti粉和Al粉以原子比为1:1的比例混合,再加入20wt.%WC粉。在氩气的保护条件下,在钛合金表面用预置混合均匀的TiAl/WC粉末,采用激光熔覆技术制备TiAl/WC涂层,然后使用扫描电子束技术进行激光熔覆层表面改性,发现改性后的TiAl/WC熔覆层中TiC?Ti<subgt;3</subgt;AlC<subgt;2</subgt;芯?环组织细小且强韧化效果显著,可大大提高α<subgt;2</subgt;?Ti<subgt;3</subgt;Al金属间化合物的强度和韧性。本发明提供的改性后TiAl/WC熔覆层中Ti<subgt;3</subgt;AlC<subgt;2 </subgt;MAX相具有优异的减磨功能,扫描电子束技术改性的TiAl/WC熔覆层有望用于延长航空发动机部件和壳体在高温环境下的服役寿命。
主权项:
1.一种具有芯-环结构的TiC-Ti3AlC2强韧化α2-Ti3Al基的制备方法,其特征在于,所述制备方法:首先,将包括Ti和Al元素的粉末与WC陶瓷粉混合均匀,混匀后预置于钛合金或钛铝合金表面,形成预置涂覆层;然后,对预置涂覆层进行激光熔覆,得到有TiAl/WC熔覆层的钛合金或钛铝合金;最后,利用扫描电子束对TiAl/WC熔覆层表面进行改性处理,得到改性的TiAl/WC涂层;所述制备方法,在凝固过程中,由于与TiC形成相关的低吉布斯自由能,TiC优先析出成“芯”,通过控制扫描速度改变能量密度和冷却速率,从而促使析出TiC相的边缘与未凝固的Ti-Al熔体发生局部反应生成 “环”Ti3AlC2 MAX相,形成TiC-Ti3AlC2芯-环组织,进而以增强相强化金属基体涂层,提高钛铝基复合材料的力学性能和高温耐磨性。
一种基于全形貌点云的增材制造熔覆道特征点识别的成形尺寸检测方法
发明专利申请公布专利号: CN119006565A
申请人: 电子科技大学; 电子科技大学广东电子信息工程研究院
发明人: 曾志; 庞博文; 严玺; 吴一川; 陈龙; 周乃迅; 母国才
申请日期: 2024-07-26
公开日期: 2024-11-22
IPC分类:
G06T7/64
摘要:
本发明提出了一种基于3D视觉全形貌点云信息的电弧增材制造熔覆道特征点识别及成形尺寸检测方法,包括以下步骤:使用高精度3D扫描仪对各层熔覆道进行全方位扫描,并对点云数据进行滤波、三维曲面重建、点云细化、特征拟合对齐等预处理,得到有效点云数据;对有效点云进行降维处理,使用DW?GCT法双向逼近搜索第1层熔覆道焊趾特征点;采用异构区域适应性插值法搜索边缘回凸和非边缘回凸区域并得到保留表面小特征的熔覆道插值轮廓,结合层交点动态定位法双向搜索相邻层间不完全融合区的咬边点。本发明提出的方法可以有效地解决现有技术存在的无熔覆道侧面点云信息、景深误差和断点误差问题,并提供了一种利用熔覆道全形貌三维点云轮廓信息来提取顶层熔覆道尺寸数据的方法。
主权项:
1.一种基于全形貌点云的增材制造熔覆道特征点识别的成形尺寸检测方法,该方法包括以下步骤:S1,采集每一层沉积层真实三维点云原始数据;S2,对S1所述每一层沉积层三维点云原始数据使用统计滤波算法过滤噪音点,得到滤波后的点云数据;S3,对S2所述滤波后的点云数据进行曲面三维重构、点云数据均匀细化和相邻层点云特征拟合对齐,得到有效点云数据;S4,对S3中所述的有效点云数据,识别第1层点云数据中的焊趾特征点和高度特征点,并计算宽度和高度尺寸;S5,对S3中所述的有效点云数据,识别代表第n层点云数据中层间不完全融合区的咬边点和高度特征点,其中n>1,并计算咬边宽度、最大宽度和高度尺寸;S6,获得熔覆道成形尺寸数据。
一种抑制“粉末溃散”的电子束-激光复合设备及方法
发明专利申请公布专利号: CN118417586A
申请人: 桂林电子科技大学;
发明人: 刘海浪;张宝家;彭治国;李流超;韦龙森
申请日期: 2024-06-25
公开日期: 2024-08-02
IPC分类:
B22F10/28
摘要:
本发明提供了一种抑制“粉末溃散”的电子束?激光复合设备及方法,其特征在于:包括X射线传感器,激光反射器、可振动的筛粉网、温度保护罩、红外灯、电子束与激光复合、温度传感器、温度加热器。主要通过添加可振动的筛粉网对粉仓中粉末形状筛选,金属保护罩上安装红外灯以及成形台底部和侧壁安装温度加热器对金属粉末预热、采用电子束和激光的复合对打印工件交替加工的多种方式,抑制电子束选区熔化(EBSM)中粉末溃散的现象,并且通过在电子枪的侧壁上安装X射线传感器检测电子枪内部的粉末飞溅,保护电子枪,同时也可以实时监测打印件的当前状态,对打印件的各种缺陷检测,根据检测的缺陷结果,随后对工艺参数调整,提高打印件的成形质量。
主权项:
1.一种抑制“粉末溃散”的电子束-激光复合设备及方法,其特征在于:包括X射线传感器,激光反射器、可振动的筛粉网、温度保护罩、红外灯、电子束与激光复合、温度传感器、温度加热器。金属粉末从粉仓中流下经过下方的可振动的筛粉网。通过筛粉网,金属粉末均匀的流在下方平台,利用铺粉机构,把流下的金属粉末送往温度保护罩下的成形平台预热。其中温度保护罩下方留有一定的空隙,使得铺粉机构能够通过该空隙把金属粉末送往成形平台,顺利完成铺粉。控制筛粉网振动的电机在真空室的外部,通过真空贯穿件将动力传递到真空室内部,且真空贯穿件控制筛粉网上的轴振动。X射线传感器位于电子枪的侧壁,用来检测电子枪内部的粉末飞溅,进而保护电子枪。同时可以实时监测打印件的当前状态,对打印件的缺陷检测,根据检测的缺陷结果,随后对工艺参数调整,提高打印件的成形质量。激光反射器位于激光器的前方,其内部反射镜的角度是可调节的,这样使得打在零件上的激光是垂直入射。不但避免了激光和粉末偏转角度的影响(使能量的输出更集中),也会提高零件的表面质量,减少打印件表面缺陷。电子束和激光的复合为该设备最大特征之一,具有成形精度高、功率大,速度快等优点。在加工的初始阶段先用激光器对金属粉末预先烧结固定粉末床,之后再使用大功率的电子束选区熔融。
一种TC4钛合金耐磨损耐腐蚀材料及其制备方法
实质审查的生效专利号: CN118835127A
申请人: 桂林电子科技大学
发明人: 龙乾新; 詹海玥; 冯龙; 张钊瑜; 卢照; 姚青荣; 王江; 邓健秋; 周怀营
申请日期: 2024-06-19
公开日期: 2024-10-25
IPC分类:
B22D7/00
摘要:
本发明提供了一种增强钛合金TC4耐磨损耐腐蚀性能材料的制备方法,涉及合金磨损、腐蚀性能技术领域。所述钛合金TC4的表达式为Ti?6Al?4V?0.25Si?xY,其中x=0.5,0.6,0.7,该组分的合金材料能够在人工海水以及人工酸雨的环境中体现高于基体的耐磨损、耐腐蚀性能;同时本发明提供了上述中的耐磨损、耐腐蚀钛合金制备方法,通过电弧熔炼即可获得该材料,合成工艺简单,适用于大规模工业化生产。所获得的TC4钛合金在作为耐磨件时具有较高的抗磨损腐蚀性能和良好的稳定性。
主权项:
1.一种TC4钛合金耐磨损、耐腐蚀材料,其特征在于,所述TC4钛合金材料的表达式为Ti-6Al-4V-0.25Si-xY,其中x=0.5,0.6,0.7。
一种金属基层电磁超表面增材的制造方法
实质审查的生效专利号: CN118299824A
申请人: 西安电子科技大学
发明人: 赵楠;皇甫文轩;李龙;杨晓东;韩家奇;崔涛;许大立
申请日期: 2024-05-08
公开日期: 2024-07-05
IPC分类:
H01Q15/00
摘要:
本发明公开了一种金属基层电磁超表面增材的制造方法,包括将电磁超表面单元按照相位补偿算法进行排布,得到电磁超表面阵列;理想电导体上喷涂酯类材料,直至酯类材料凝固,得到0.5mm?2cm厚的中间基板层;用激光切割机按照构建的电磁超表面阵列的互补面进行切割,得到镂空模板;将镂空模板对齐放置在中间基板层上,将导电纳米颗粒材料喷涂或者涂抹到镂空模板表面,待其凝固后,撕下镂空模板,得到金属基层电磁超表面增材;本发明大大缩短了电磁超表面增材的制造时间,具有制备方法简单,效率高以及尺寸可控性高。
主权项:
1.一种金属基层电磁超表面增材的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1:将构建的电磁超表面单元按照相位补偿算法进行排布,得到电磁超表面阵列;步骤2:在理想电导体上喷涂酯类材料,直至酯类材料凝固,得到0.5mm-2cm厚的中间基板层;步骤3:采用激光切割机按照步骤1构建的电磁超表面阵列的互补面对原材料进行切割,得到镂空模板;步骤4:将步骤3构建的镂空模板对齐放置在步骤2得到的中间基板层上,将导电纳米颗粒喷涂或者涂抹到镂空模板表面,待导电纳米颗粒凝固后,撕下镂空模板,得到金属基层电磁超表面增材。
基于Mg0.2Zn0.8O/Bi0.005Zn0.995O/Si双层薄膜结构宽光谱探测器及制备和应用
实质审查的生效专利号: CN118448501A
申请人: 电子科技大学
发明人: 韦敏; 何俊锋; 袁愈钞; 胡永达
申请日期: 2024-04-12
公开日期: 2024-08-06
IPC分类:
H01L31/109
摘要:
本发明提供一种基于Mg<subgt;0.2</subgt;Zn<subgt;0.8</subgt;O/Bi<subgt;0.005</subgt;Zn<subgt;0.995</subgt;O/Si双层薄膜结构宽光谱探测器及制备和应用,探测器包括n型Si基片,在n型Si基片上采用射频磁控溅射形成的Bi<subgt;0.005</subgt;Zn<subgt;0.995</subgt;O薄膜、Bi<subgt;0.005</subgt;Zn<subgt;0.995</subgt;O薄膜上采用射频磁控溅射形成的Mg<subgt;0.2</subgt;Zn<subgt;0.8</subgt;O薄膜,BiZnO对ZnO中的本征点缺陷可起抑制作用,有利于获得较好的纤锌矿晶体结构。本发明所对应禁带宽度依次减小,当光从上往下照射时,波长较短的会被禁带宽度较大的MgZnO所吸收,不能被MgZnO吸收的较长波长光会透过被下面的BiZnO及Si依次吸收,这种叠层结构设计可用于光电探测和光电池等器件中,实现对宽光谱光的吸收并提高对光的吸收及探测率。
主权项:
1.一种基于Mg0.2Zn0.8O/Bi0.005Zn0.995O/Si双层薄膜结构宽光谱探测器,其特征在于:包括底部的n型Si基片(1),在n型Si基片(1)上采用射频磁控溅射形成的Bi0.005Zn0.995O薄膜(2)、Bi0.005Zn0.995O薄膜(2)上采用射频磁控溅射形成的Mg0.2Zn0.8O薄膜(3),Mg0.2Zn0.8O薄膜(3)上为Cu叉指电极(4),从而构成MgZnO/BiZnO/Si的结构;其中BiZnO是在ZnO中掺杂0.2mol%-0.9mol%的少量Bi元素,从而促进晶界间的氧传输和吸附,提升界面态密度,抑制本征点缺陷浓度。
单极势垒结构的氧化镓紫外光电探测器及其制备方法
专利申请权、专利权的转移专利号: CN118099265A
申请人: 西安电子科技大学杭州研究院
发明人: 李晓茜
申请日期: 2024-03-04
公开日期: 2024-05-28
IPC分类:
H01L31/0236
摘要:
本发明提供一种单极势垒结构的氧化镓紫外光电探测器及其制备方法,包括:导电衬底,沉积在导电衬底上的氧化镓纳米块,其中氧化镓纳米块的一侧沉积第一金属电极,另一侧依次沉积势垒层、n型沟道和第二金属电极,且第一金属电极和势垒层之间暴露氧化镓纳米块的表面,n型沟道沉积在势垒层上,第二金属电极沉积在n型沟道,通过单极势垒结构解决氧化镓紫外光电探测器响应度和响应时间矛盾的难题,从而实现高响应度、高灵敏度、低暗电流的氧化镓紫外光电探测器。
主权项:
1.一种单极势垒结构的氧化镓紫外光电探测器,其特征在于,包括:导电衬底,沉积在导电衬底上的氧化镓纳米块,其中氧化镓纳米块的一侧沉积第一金属电极,另一侧依次沉积势垒层、n型沟道和第二金属电极,且第一金属电极和势垒层之间暴露氧化镓纳米块的表面,n型沟道沉积在势垒层上,第二金属电极沉积在n型沟道上。
一种金属颗粒电极的介质阻挡放电装置和方法
实质审查的生效专利号: CN118019199A
申请人: 西安电子科技大学
发明人: 徐晗; 伍旻翀; 黄轶泓; 邵明绪; 谢楷
申请日期: 2024-02-28
公开日期: 2024-05-10
IPC分类:
H05H1/16
摘要:
本发明公开了一种金属颗粒电极的介质阻挡放电装置和方法,包括等离子发生器,等离子发生器的介质层包括圆柱形筒体,部分外壁被金属层包裹,作为地电极;圆柱形筒体底部安装有半球形底座;介质层的中心安装有磁场发生装置,介质层与磁场发生装置之间的腔体内自由堆放有若干金属颗粒,作为高压电极;磁场发生装置的内部流通有沿轴向的电流,形成环形磁场;金属颗粒生成流向半球形底座的电流,形成电场;在环形磁场和电场共同作用下,金属颗粒因洛伦兹力沿径向靠近或远离介质层,从而调控地电极的放电强度。本发明中金属颗粒作为高压电极并耦合磁场发生装置,为沿面型介质阻挡放电,实现了精准调控放电强度,形成均匀等离子体,减少能量消耗。
主权项:
1.一种金属颗粒电极的介质阻挡放电装置,包括等离子发生器,其特征在于,所述等离子发生器的介质层(2)包括绝缘材质的圆柱形筒体,圆柱形筒体的部分外壁被金属层包裹,作为地电极(3);所述圆柱形筒体底部安装有绝缘材料的半球形底座(4);所述介质层(2)的中心安装有磁场发生装置(1),介质层(2)与磁场发生装置(1)之间的腔体内自由堆放有若干金属颗粒(5),金属颗粒(5)作为高压电极;所述磁场发生装置(1)的内部流通有沿轴向从上往下的正向电流或从下往上的反向电流,形成环形磁场;施加外部电压使得金属颗粒(5)生成流向半球形底座(4)的电流,形成电场;在环形磁场和电场共同作用下,金属颗粒(5)因洛伦兹力沿径向靠近或远离介质层(2),从而调控地电极(3)的放电强度。
一种LTCC用Li3Mg2TiO5F微波介质陶瓷材料及其制备方法
实质审查的生效专利号: CN117383927A
申请人: 电子科技大学
发明人: 刘奎; 张岱南; 雷奕达; 李颉; 刘成; 廖宇龙; 张怀武
申请日期: 2023-11-03
公开日期: 2024-01-12
IPC分类:
C04B35/462
摘要:
本发明属于电子信息功能材料及微电子器件领域,具体提供一种LTCC用Li<subgt;3</subgt;Mg<subgt;2</subgt;TiO<subgt;5</subgt;F微波介质陶瓷材料及其制备方法,应用于无线通信技术微波介质基板、集成基板、微波天线和微波滤波器等领域。本发明通过LiF与Li<subgt;2</subgt;Mg<subgt;2</subgt;TiO<subgt;5</subgt;形成Li<subgt;3</subgt;Mg<subgt;2</subgt;TiO<subgt;5</subgt;F固溶体陶瓷材料,有效抑制锂挥发以及四价钛离子的还原,并将烧结温度降至银电极熔点以下,实现700℃~950℃的低温烧结,从而满足LTCC的应用;同时,本发明提供的微波介质陶瓷材料还具有优异的微波介电性能:相对介电常数ε<subgt;r</subgt;为13.0~15.0,品质因数Q×f为110000GHz~160000GHz,谐振频率温度系数τ<subgt;f</subgt;为?15~?40ppm/℃,为微波电子元器件向高频化、轻量化、便携化发展提供了一种有效的解决方案。
主权项:
1.一种LTCC用Li3Mg2TiO5F微波介质陶瓷材料,其特征在于,所述微波介质陶瓷材料的化学通式为:Li3Mg2TiO5F,其晶相为立方岩盐结构。
一种气雾化装置及制备低卫星粉含量高粉末流动性的方法
发明专利申请公布专利号: CN117206533A
申请人: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
发明人: 王军峰;简贤;夏敏
申请日期: 2023-10-17
公开日期: 2023-12-12
IPC分类:
B33Y40/10
摘要:
本发明涉及金属粉末制备技术领域,且公开了一种气雾化装置及制备低卫星粉含量高粉末流动性的方法,所述气雾化装置包括雾化圆柱形罐体、从雾化圆柱形罐体的顶部中心位置贯穿插入的导流管,与导流管顶端连通的中间包,环绕导流管末端设置的雾化喷盘,雾化圆柱形罐体的内部气流场回流漩涡位置上方设置有环形斜挡板。本发明设置的环形斜挡板能够有效阻止未及时吸入到集粉罐内的微细金属粉末向上回流,从而阻止其与未完全凝固的金属液滴相互碰撞粘结在一起,大幅度减少卫星粉含量;卫星粉含量的降低能够提高粉末流动性和松装密度,有利于气雾化制备的金属粉末应用于增材制造领域中的高端精密器件加工,提高制备器件的尺寸精度和力学性能。
主权项:
1.一种气雾化装置,包括雾化圆柱形罐体、从所述雾化圆柱形罐体的顶部中心位置贯穿插入的导流管,与所述导流管顶端连通的中间包,环绕所述导流管末端设置的雾化喷盘,其特征在于,所述雾化圆柱形罐体的内部气流场回流漩涡位置上方设置有环形斜挡板,所述环形斜挡板的内径小于所述雾化圆柱形罐体的内径,所述环形斜挡板的倾斜方向为沿罐体内部侧面向罐体中心位置斜向下。
一种基于同步三步相移的自由曲面干涉测量系统及方法
实质审查的生效专利号: CN117308818A
申请人: 电子科技大学
发明人: 王天鹤;张静;赵家喜;陶思颖;刘霖;刘娟秀;杜晓辉;郝如茜;刘永
申请日期: 2023-09-27
公开日期: 2023-12-29
IPC分类:
G01B11/24
摘要:
本发明涉及一种基于同步三步相移的自由曲面干涉测量系统及方法,涉及光学自由曲面检测技术的领域。本发明一方面该系统能够在测量自由曲面相位的同时,监测SLM调制的波前,根据SLM相位监测光路的结果实时评估波前调制的准确性,避免因波前调制的误差而影响自由曲面系统的测量结果。另一方面,基于多相机的同步三步相移干涉系统能够同时采集相移干涉图,提高了测量效率的同时有效降低了因环境振动而引起的相移误差。此外,为了保证测量的实时性,本发明提出的系统在SLM相位监测光路和自由曲面测量光路中使用相同的光学元件,仅需单次测量多张相移全息图,即可在重建待测曲面的相位的同时消除SLM自身设备引入的相位误差和系统光学元件引入的相位误差。
主权项:
1.一种基于同步三步相移的自由曲面干涉测量系统,其包括本发明涉及一种自由曲面干涉测量系统,该系统以马赫曾德尔干涉仪和迈克尔逊干涉仪为基础结构,基于可编程零位检测法实现对自由曲面的面形检测,并且能够对空间光调制器(SLM)生成的补偿相位进行实时监测,以提高待测自由曲面的检测精度。系统包括:激光器(1)、显微物镜(2)、针孔滤波器(3)、扩束镜(4)、第一偏振片(5)、第一偏振分光棱镜(6)、第一四分之一波片(7)、第二偏振分光棱镜(8)、第二偏振片(9)、第三偏振分光棱镜(10)、第二四分之一波片(11)、第三四分之一波片(12)、待测曲面(13)、第四四分之一波片(14)、第五四分之一波片(15)、标准参考镜(16)、第三偏振片(17)、第一分光棱镜(18)、第六四分之一波片(19)、第四偏振片(20)、空间光调制器(21)、第四偏振分光棱镜(22)、第七四分之一波片(23)、第五偏振分光棱镜(24)、第一CCD相机(25)、第二CCD相机(26)、第八四分之一波片(27)、第六偏振分光棱镜(28)、第三CCD相机(29)、第九四分之一波片(30)、第七偏振分光棱镜(31)、第四CCD相机(32)、第五CCD相机(33)、第六CCD相机(34);系统光路包括SLM相位监测光路和自由曲面测量光路;自由曲面测量光路基于零位检测法测量待测曲面,光路如下:激光器(1)的出射光经过显微物镜(2)、针孔滤波器(3)和扩束镜(4)后,形成平行平面光,经过第一偏振片(5)形成水平偏振的偏振光,透射穿过第一偏振分光棱镜(6)后,经过第一四分之一波片(7)形成圆偏振光;圆偏振光经过第二偏振分光棱镜(8)透射后,传播至第一分光棱镜(18)后继续透射,并且经过第六四分之一波片(19)和第四偏振片(20)到达空间光调制器(21),经过空间光调制器(21)反射后沿路返回到第二偏振分光棱镜(8)作为参考光;第一四分之一波片(7)形成的圆偏振光经过第二偏振分光棱镜(8)反射后,经过第二偏振片(9)到达第三偏振分光棱镜(10)后透射,经过第二四分之一波片(11)和第三四分之一波片(12)后到达待测曲面(13),经过待测曲面(13)反射后,沿路返回到第二偏振分光棱镜(8)作为测量光;从激光器出发的参考光和测量光的传播路径与迈克尔逊干涉仪中的传播路径相同;测量光与参考光经过第二偏振分光棱镜发生反射与透射,其中一部分测量光和参考光经过第一四分之一波片(7),然后经过第一偏振分光棱镜(6)反射后,进入第六CCD相机(34)发生干涉;另一部分测量光和参考光经过第九四分之一波片(30)、然后经过第七偏振分光棱镜(31)反射和透射后,进入第四CCD相机(32)和第五CCD相机(33)发生干涉;SLM相位监测光路用于实时监测SLM生成的补偿相位,光路如下:激光器的出射光经过显微物镜(2)、针孔滤波器(3)和扩束镜(4)后,形成平行平面光,经过第一偏振片(5)形成水平偏振的偏振光,透射穿过第一偏振分光棱镜(6)后,经过第一四分之一波片(7)形成圆偏振光;圆偏振光经过第二偏振分光棱镜(8)透射后,传播至第一分光棱镜(18)后继续透射,并且经过第六四分之一波片(19)和第四偏振片(20)到达空间光调制器(21),经过空间光调制器(21)的反射后,沿路返回至第一分光棱镜(18),第一分光棱镜(18)反射后到达第四偏振分光棱镜(22)作为测量光;第一四分之一波片(7)形成的圆偏振光经过第二偏振分光棱镜(8)反射后,经过第二偏振片(9)到达第三偏振分光棱镜(10)后反射,经过第四四分之一波片(14)和第五四分之一波片(15)到达标准参考镜(16),经过标准参考镜(16)反射后,沿路返回到第三偏振分光棱镜(10)并透射,经过第三偏振片(17)后到达第四偏振分光棱镜(22)作为参考光;从激光器出发的参考光和测量光的传播路径与马赫曾德尔干涉仪中的传播路径相同;测量光与参考光经过第四偏振分光棱镜发生反射和透射,其中一部分测量光和参考光经过第七四分之一波片(23),然后经过第五偏振分光棱镜(24)的反射和透射后,进入第二CCD相机(26)和第一CCD相机(25)发生干涉,另一部分测量光和参考光经过第八四分之一波片(27),然后经过第六偏振分光棱镜(28)的反射后,进入第三CCD相机(29)发生干涉。
一种Ti-V-Fe-Cr-Nb高熵储氢合金及其制备方法
实质审查的生效专利号: CN117265359A
申请人: 桂林电子科技大学
发明人: 戎茂华;刘越;王凤;王江;曾芊荧
申请日期: 2023-09-21
公开日期: 2023-12-22
IPC分类:
C22C30/00
摘要:
本发明属于固态贮氢技术领域,本发明提供了一种Ti?V?Fe?Cr?Nb高熵储氢合金及其制备方法,Nb的原子百分含量为18~22%,Ti、V、Fe、Cr的原子百分含量独立的为7~35%;将金属Ti、金属V、金属Fe、金属Cr和金属Nb混合,在真空环境下充入氩气后进行熔炼,得到Ti?V?Fe?Cr?Nb高熵储氢合金。本发明通过向Ti?V?Cr?Fe体系合金中掺杂金属元素Nb,不仅提高了储氢性能,降低了材料的制备成本,同时也为Ti?V基储氢合金的制备方案提供了更多选择;(Ti+V)/(Fe+Cr)原子比值为3的合金为BCC相和菱面晶系,为原子进入合金提供了大量通道,从而增大合金的储氢容量。
主权项:
1.一种Ti-V-Fe-Cr-Nb高熵储氢合金,其特征在于,Nb的原子百分含量为18~22%,Ti、V、Fe、Cr的原子百分含量独立的为7~35%。
一种基于Ni/MnO的氢化镁储氢材料及其制备方法和应用
实质审查的生效专利号: CN117049471A
申请人: 桂林电子科技大学
发明人: 褚海亮;尹承旺;夏永鹏;邱树君;徐芬;孙立贤
申请日期: 2023-08-21
公开日期: 2023-11-14
IPC分类:
C01B3/00
摘要:
本发明公开了一种基于Ni/MnO的氢化镁储氢材料,由氢化镁和Ni/MnO球磨制得;所述Ni/MnO通过一步法合成纳米片状的NiMn?LDH前驱体,再通过在还原性气体条件下煅烧法制得;所述Ni/MnO为纳米颗粒堆叠的多孔结构,粒径为30?150nm。其制备方法包括以下步骤:1,NiMn?LDH前驱体的制备;2,Ni/MnO的制备;3,基于Ni/MnO的氢化镁储氢材料的制备。在储氢领域的应用时,Ni/MnO的掺杂量为10wt%时,初始放氢温度为175.6℃;在300℃条件下等温放氢时,10min内放氢量为6.5wt%;在150℃条件下等温吸氢时,10min内吸氢量为5.5wt%。具有以下优点:采用LDH为纳米片结构作为载体,抑制Ni的团聚现象,通过一步法既合成了载体又实现了金属的负载,即制备工艺简单,且将NiMn?LDH前驱体煅烧得到异质结构的Ni/MnO催化剂。
主权项:
1.一种基于Ni/MnO的氢化镁储氢材料,其特征在于:由氢化镁和Ni/MnO球磨制得;所述Ni/MnO通过一步法合成纳米片状的NiMn-LDH前驱体,再通过在还原性气体条件下煅烧法制得。
一种Co2(OH)3Cl/Ni2(OH)3Cl/多层石墨烯复合材料及其制备方法
实质审查的生效专利号: CN117276489A
申请人: 杭州电子科技大学
发明人: 徐军明;张鹏远;吴建锋
申请日期: 2023-08-08
公开日期: 2023-12-22
IPC分类:
H01M4/36
摘要:
本发明公开了一种Co<subgt;2</subgt;(OH)<subgt;3</subgt;Cl/Ni<subgt;2</subgt;(OH)<subgt;3</subgt;Cl/多层石墨烯复合材料及其制备方法。复合材料以多层石墨烯为基底。多层石墨烯由膨胀石墨经超声制得,制备过程简单,比氧化石墨烯制备成本低。同时,由于没有经氧化处理,多层石墨烯表面碳环结构完整,表面含氧官能团极少,具有良好的导电性能。在多层石墨烯表面生长有Ni<subgt;2</subgt;(OH)<subgt;3</subgt;Cl和Co<subgt;2</subgt;(OH)<subgt;3</subgt;Cl两种物相。Ni<subgt;2</subgt;(OH)<subgt;3</subgt;Cl为纳米片阵列,近垂直的均匀分布在多层石墨烯的表面。Co<subgt;2</subgt;(OH)<subgt;3</subgt;Cl为立方体颗粒,尺寸在100nm~300nm,均匀分布在表面多层石墨烯表面,其分布密度约为2~3×10<supgt;8</supgt;个/cm<supgt;2</supgt;。Co<subgt;2</subgt;(OH)<subgt;3</subgt;Cl立方体颗粒由更小的纳米颗粒组成。本发明技术方案制备的复合材料具有优异的储锂性能,可用于锂离子电池负极材料。
主权项:
1.一种Co2(OH)3Cl/Ni2(OH)3Cl/多层石墨烯复合材料,其特征在于,包括:多层石墨烯,为膨胀石墨在混合有机溶剂中通过超声获得,该机械剥离的多层石墨烯表面碳环结构完整,多层石墨烯的石墨层层数小于100层,表面含氧官能团极少,具有良好的导电性能;Ni2(OH)3Cl为非晶,呈纳米片阵列结构均匀分布在多层石墨烯的表面;Co2(OH)3Cl为立方体颗粒,由结晶良好的尺寸更小的纳米颗粒组成,边长尺寸为100nm~300nm,同样分布在多层石墨烯表面,分布密度为2~3×108个/cm2。
一种应用于脑域神经电信号探测的无线收发系统
实质审查的生效专利号: CN116865781A
申请人: 杭州电子科技大学
发明人: 苏国东;洪慧;黄汐威;乐熠;刘军;孙玲玲
申请日期: 2023-08-07
公开日期: 2023-10-10
IPC分类:
H04B1/40
摘要:
本发明公开了一种应用于脑域神经电信号探测的无线收发系统,包括无线发射系统和无线接收系统,无线发射系统包括脑域神经电信号检测芯片、信号频率校准环路芯片和发射天线,无线接收系统包括信号接收芯片和接收天线,本发明的无线发射系统将放大后的脑神经电信号调制到较高频率的载波信号后经由发射天线发送,传递给无线接收系统,可有效地降低无线发射系统的脑域神经电信号检测芯片、信号频率校准环路芯片及发射天线面积、实现神经信号检测芯片小型化,有利于信号发送并降低信号因其他神经信号或噪音干扰而导致的信号误码率。同时,采用了信号频率校准环路芯片,有效地保证了载波信号的频率/相位稳定性,进一步的提高了脑域神经信号的保真度。
主权项:
1.一种应用于脑域神经电信号探测的无线收发系统,其特征在于:包括无线发射系统和无线接收系统,无线发射系统包括脑域神经电信号检测芯片、信号频率校准环路芯片和发射天线,无线接收系统包括信号接收芯片和接收天线,发射天线和接收天线分别用于信号的发送和接收,脑域神经电信号检测芯片检测的信号通过发射天线传输至接收天线,信号接收芯片对信号进行放大和下变频处理。
基于光纤的光操控动态细胞粘弹性测量方法
实质审查的生效专利号: CN117030579A
申请人: 桂林电子科技大学;
发明人: 于凌尧;闫克松;尹君;刘帅;耿森;韦耀鹏;苑立波
申请日期: 2023-07-06
公开日期: 2023-11-10
IPC分类:
G01N15/14
摘要:
本发明提供的是一种基于光纤的光操控动态细胞粘弹性测量方法。其内容是:由1064nm激光器输出的光束经过声光偏转器和空间光调制器后,与680nm激光器输出的光束合束,经过透镜耦合到光纤簇中,由声光偏转器和空间光调制器将1064nm激光器的光束调制成两个扫描式贝塞尔光镊来捕获活体单细胞,由680nm激光器输出的光束作为探测光。细胞在扫描式光镊作用下变形,并且可以通过光镊的位置和频率变化,得到细胞收缩和拉伸的效果,散射信号由四象限探测器接收,实时定量观测细胞的形变,计算出细胞粘弹性系数。具有光损伤小、动态操控、空间和时域分析、操作灵活、成本低等特点,可广泛用于医学和生命科学等研究领域。
主权项:
1.本发明提供的是一种基于光纤的光操控动态细胞粘弹性测量方法,其特征是:它由1064nm激光器(1);声光偏转器AOD(2);空间光调制器(3);680nm激光器(4);双色镜(5);透镜(6);光纤簇(7);活体单细胞(8);复消色差显微物镜(9);滤光片(10);双色镜(11);聚光镜(12);CCD相机(13);带通滤波片(14);四象限探测器(15);光源(16)组成。1064nm激光器(1)输出的操控激光经由声光偏转器AOD(2)和空间光调制器SLM(3)形成扫描式贝塞尔镊束并与680nmm激光器(4)输出的探测光通过物镜(6)一同耦合进光纤簇(7),光纤簇(7)的输出端作用于活体单细胞上,通过末端的贝塞尔光镊实现捕获活体单细胞(8),通过调整光镊之间的距离|AB|,使细胞产生迟滞变形,实现细胞在一定频率的扫描式双光镊下收缩或拉伸,细胞产生形变后的背向散射信号由显微物镜(9)收集,经过滤光片(10)过滤掉操控光和探测光,在CCD相机(13)实时观察到细胞的形变,用于观察和记录细胞形变前后的大小,细胞形变的前向散射信号,经由双色镜(11)滤除操控光,经过带通滤波器(14)进入四象限探测器(15),将细胞形变的光信号转换为电信号,四象限探测器采集到的数据发送到PC端,通过软件对采集的数据进行后处理得到细胞的粘弹性系数。
一种Ni3S2/CeO2异质结电催化材料及其制备方法和应用
实质审查的生效专利号: CN116607167A
申请人: 杭州电子科技大学
发明人: 武力乾;黄超;陈强
申请日期: 2023-06-12
公开日期: 2023-08-18
IPC分类:
C25B11/091
摘要:
本发明涉及了一种Ni<subgt;3</subgt;S<subgt;2</subgt;/CeO<subgt;2</subgt;异质结电催化材料及其制备方法和应用,属于电催化材料制备方法技术领域。本发明制备的异质结催化剂通过简单的一步水热法制备而得,表现为Ni<subgt;3</subgt;S<subgt;2</subgt;薄层纳米片与CeO<subgt;2</subgt;颗粒的复合结构。由于作为助催化剂CeO<subgt;2</subgt;与Ni<subgt;3</subgt;S<subgt;2</subgt;形成的异质结诱导界面间电荷转移,优化了Ni<subgt;3</subgt;S<subgt;2</subgt;对反应中间体的吸附作用;而且薄层片状结构能够导致Ni<subgt;3</subgt;S<subgt;2</subgt;表面催化反应活性位点与电解液的充分接触。本发明制备的催化剂表现出非常优异的电催化OER性能。
主权项:
1.一种Ni3S2/CeO2异质结电催化材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一,获取泡沫镍;步骤二,Ni3S2/CeO2异质结电催化材料的制备:将硫脲、硝酸铈混合溶于去离子水中,经搅拌,得到前驱溶液;将所述泡沫镍加入所述前驱溶液,通过水热反应得到Ni3S2/CeO2异质结电催化材料。
NiTi基形状记忆合金异质双丝电弧增材制造方法
实质审查的生效专利号: CN116475531A
申请人: 电子科技大学
发明人: 曾志;陈龙;庞博文;柯文超;严玺;彭倍;周吴
申请日期: 2023-05-05
公开日期: 2023-07-25
IPC分类:
B23K9/133
摘要:
本发明涉及电弧增材制造技术领域,尤其涉及NiTi基形状记忆合金异质双丝电弧增材制造方法,所述制造方法为将NiTi合金丝材和金属丝材通过双丝电弧增材装置同时送丝,并采用超高频脉冲TIG焊接电源实现NiTi基形状记忆合金异质双丝电弧增材制造。本发明用于解决现有电弧增材制造技术中存在的NiTi二元合金相变温度低和相变滞后大等问题,并且超高频脉冲TIG电弧可以改善组织形貌,从而有利于稳定和提高NiTi基合金的性能,拓宽NiTi基三元合金的应用领域,为电弧增材制造NiTi基形状记忆合金提供了有效的解决方案。
主权项:
1.NiTi基形状记忆合金异质双丝电弧增材制造方法,其特征在于,所述制造方法为将NiTi合金丝材和金属丝材通过双丝电弧增材装置同时送丝,并采用超高频脉冲TIG焊接电源实现NiTi基形状记忆合金异质双丝电弧增材制造;所述超高频脉冲TIG的参数如下:基值电流75~100A,超高频脉冲电流50~60A,超高频电流频率20~25kHz,超高频电流占空比50%。
基于全光混沌调制的自由空间轨道角动量广播通信系统
实质审查的生效专利号: CN116405185A
申请人: 电子科技大学
发明人: 江宁;张逸群;张强;邱昆
申请日期: 2023-04-12
公开日期: 2023-07-07
IPC分类:
H04B10/50
摘要:
本发明公开了一种基于全光混沌调制的自由空间轨道角动量广播通信系统,加密发送端中的主激光器经过常规光反馈结构产生宽带混沌载波信号,再通过强度调制的方式将光信息隐藏在混沌光载波进行加密;在光场调控模块中的空间光调制器上加载特殊设计的多阶复用相位板,将准直到空间光路中的高斯加密光信号调控为具有多个OAM模式的复用光束;在经过自由空间链路传输后,在OAM广播模块中的空间光调制器上分别加载多个相反的单阶相位板,实现相关光场模式解调,分别对应接收端多个用户;在接收模块,用户利用单向注入?锁定机理实现本地混沌同步,进而通过将携带有信息的混沌光载波与本地同步混沌信号相减,得到原始信息,最终完成安全广播通信。
主权项:
1.一种基于全光混沌调制的自由空间轨道角动量广播通信系统,其特征在于,包括:加密发送端、光场调控模块、自由空间链路、OAM广播模块、以及接收用户端;所述加密发送端包括:主激光器DL、偏振控制器PC、光纤耦合器FC1、可调光衰减器VOA1、光纤反射镜M1、光隔离器ISO、马赫曾德尔调制器MZM和任意波形发生器AWG;主激光器DL产生激光信号,经过偏振控制器PC后输入至光纤耦合器FC1,光纤耦合器FC1按照设置的光分束比将激光分为两路,其中一路光经过可调光衰减器VOA1的衰减后由光纤反射镜M1反射回主激光器DL;另一路光输出为混沌光载波,混沌光载波通过光隔离器ISO后进入马赫曾德尔调制器MZM,同时任意波形发生器AWG产生的信息通过MZM调制到混沌光载波上,得到携带有信息的混沌光载波,然后经过一个光纤准直器COL1准直为空间高斯光束进入光场调控模块;所述光场调控模块包括一个线偏振片LP和一个反射式空间光调制器SLM1;携带有信息的混沌光载波经过线偏振片LP后传输至反射式空间光调制器SLM1处进行OAM的n阶复用光场调控,调控后的光信号经反射式空间光调制器SLM1反射至自由空间链路进行传输,随后进入OAM广播模块;所述OAM广播模块包括一个空间光调制器SLM2、n个45度反射镜M2-1~M2-n、以及n个光纤准直器COL2-1~COL2-n;将空间光调制器SLM2的液晶屏等分为n份,每一份对应一个接收用户,每个用户在液晶屏上对应部分加载阶数相反的涡旋相位板,实现对自身OAM的解调,解调后得到n路高斯光束;第一路高斯光束经过反射镜M2-1、光纤准直器COL2-1准直进入光纤内传输至接收用户1;第二路解调高斯光束经过M2-2、COL2-2准直进入光纤内传输至接收用户2,以此类推,从而实现基于OAM的n个用户的广播;所述接收用户端包括n个结构相同的接收用户,其中,第i个接收用户包括一个光纤隔离器ISO、一个小信号放大器EDFA、一个2×2光纤耦合器FC2-i、三个可调光衰减器VOA2-i/VOA3-i/VOA4-i、一个偏振控制器PC、一个从激光器SLi、以及两个光电探测器PD1-i/PD2-i,i=1,2,3,…,n;在第i个接收用户中,准直器耦合后的光信号经过光纤隔离器ISO后输入至小信号放大器EDFA,通过小信号放大器EDFA补偿空间传输损伤后由光纤耦合器FC2-i分为两路,其中一路光信号经过可调光衰减器VOA2-i、偏振控制器PC单向注入至从激光器SLi,此时从激光器SLi产生本地同步混沌信号,并经过光纤耦合器FC2-i、可调光衰减器VOA4-i后被光电探测器PD2-i接收;另一路光信号经过可调光衰减器VOA3-i后被光电探测器PD1-i接收;最后,两个光电探测器接收到的信号经过相减得到原始光信号。
一种花簇状Ni3Fe/TiO2复合材料及其制备方法和应用
实质审查的生效专利号: CN116374950A
申请人: 桂林电子科技大学
发明人: 李彬;张浩华;孙玮琦;孙立贤;徐芬;郭荣荣;熊雯瑛;汪娟;邹勇进
申请日期: 2023-03-20
公开日期: 2023-07-04
IPC分类:
C01G23/08
摘要:
本发明公开了一种花簇状Ni<subgt;3</subgt;Fe/TiO<subgt;2</subgt;复合材料,由花簇状TiO<subgt;2</subgt;和在其表面原位制备的Ni<subgt;3</subgt;Fe颗粒的组成,花簇状TiO<subgt;2</subgt;为先制备TiO<subgt;2</subgt;/SiO<subgt;2</subgt;,再制备成空心花簇状TiO<subgt;2</subgt;;TiO<subgt;2</subgt;/SiO<subgt;2</subgt;的微观形貌为尺寸为50?70nm的空心球状;花簇状TiO<subgt;2</subgt;的微观形貌为尺寸为200?500nm的中空花簇状结构;尺寸为3?5μm的Ni<subgt;3</subgt;Fe颗粒负载于花簇状TiO<subgt;2</subgt;表面。其制备方法包括以下步骤:1,TiO<subgt;2</subgt;/SiO<subgt;2</subgt;前体的制备;2,花簇状TiO<subgt;2</subgt;的制备;3,花簇状Ni<subgt;3</subgt;Fe/TiO<subgt;2</subgt;复合材料的制备。公开了一种基于Ni<subgt;3</subgt;Fe/TiO<subgt;2</subgt;的MgH<subgt;2</subgt;基储氢材料的制备方法:在氩气条件下,将Ni<subgt;3</subgt;Fe/TiO<subgt;2</subgt;与MgH<subgt;2</subgt;混合后进行正反转球磨。所得基于Ni<subgt;3</subgt;Fe/TiO<subgt;2</subgt;的MgH<subgt;2</subgt;基储氢材料作为储氢材料的应用,Ni<subgt;3</subgt;Fe/TiO<subgt;2</subgt;的摻杂量为5wt%,初始脱氢温度为155?175℃;在300℃条件下的脱氢量为6.9?7.1wt%;在100℃条件下的吸氢量为4.2?4.8wt%;15次循环后的保持率为96?98%。
主权项:
1.一种花簇状Ni3Fe/TiO2复合材料,其特征在于:由花簇状TiO2和在其表面制备的Ni3Fe颗粒的组成,所述花簇状TiO2为先制备TiO2/SiO2,再制备成空心花簇状TiO2。
金属粉末专利分析
材料体系分布
制备工艺分布
技术领域分布 (IPC分类)
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B22F10/28(3D打印) • B22F9/04(制粉) •
C23C24/10(涂层) • C22C19/05(镍合金) •
B33Y50/02(控制) • C22F1/18(热处理)